JPH08195463A - Resin sealed semiconductor device and lead frame being employed in production thereof - Google Patents

Resin sealed semiconductor device and lead frame being employed in production thereof

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JPH08195463A
JPH08195463A JP7004953A JP495395A JPH08195463A JP H08195463 A JPH08195463 A JP H08195463A JP 7004953 A JP7004953 A JP 7004953A JP 495395 A JP495395 A JP 495395A JP H08195463 A JPH08195463 A JP H08195463A
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resin
lead
pellet
semiconductor device
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Fujiaki Nose
藤明 野瀬
Yuji Watanabe
祐二 渡辺
Yoshiki Saito
孝樹 斉藤
Taku Kikuchi
卓 菊池
Hiroyuki Hozoji
裕之 宝蔵寺
Atsushi Honda
厚 本多
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Hitachi Ltd
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Abstract

PURPOSE: To enhance heat dissipation efficiency and the thermal reliability of a resin sealed semiconductor device. CONSTITUTION: The resin sealed semiconductor device comprises a tab suspension lead, a tab 2C integrated with the tab suspension lead, a semiconductor pellet 1 mounted on the pellet mounting face of the tab 2C, and an inner lead 2A connected electrically with the outer terminal of the semiconductor pellet 1, all of which are sealed with a resin sealing body 4. Thickness t1 of the tab 2C is set thicker than the thickness t2 of the inner lead 2A and the rear surface of the tab 2C, facing the pellet mounting face, is exposed from the surface of the resin sealing body 4. The lead frame comprises the inner lead 2A integrated with a frame body, the tab 2C, and the tab suspension lead, wherein the thickness t1 of the tab 2C is set thicker than the thickness t2 of the inner lead 2A.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
及びその製造に使用されるリードフレームに関し、特
に、半導体ペレット、インナーリード、タブ、タブ吊り
リードの夫々が樹脂封止体で封止される樹脂封止型半導
体装置及びその製造に使用されるリードフレームに適用
して有効な技術に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-sealed semiconductor device and a lead frame used for manufacturing the same, and more particularly to a semiconductor pellet, an inner lead, a tab, and a tab suspension lead, each sealed with a resin-sealed body. The present invention relates to a technique effectively applied to a resin-sealed semiconductor device to be stopped and a lead frame used for manufacturing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】製品コストの削減を主目的とする樹脂封
止型半導体装置として、例えばＱＦＰ(Ｑuad Ｆlat Ｐa
ckage)構造を採用する樹脂封止型半導体装置の開発が行
なわれている。このＱＦＰ構造の樹脂封止型半導体装置
は、タブ吊りリードが一体化されたタブのペレット塔載
面上に半導体ペレットを塔載し、前記半導体ペレットの
外部端子とインナーリードとをボンディングワイヤで電
気的に接続し、前記半導体ペレット、インナーリード、
タブ、タブ吊りリード、ボンディングワイヤの夫々を樹
脂封止体で封止した構造で構成される。The reduction of the Related Art product cost as a resin-sealed semiconductor device whose primary purpose is, for example, QFP (Q uad F lat P a
A resin-sealed semiconductor device adopting a ckage) structure is being developed. In this QFP structure resin-sealed semiconductor device, semiconductor pellets are mounted on a pellet mounting surface of a tab in which tab suspension leads are integrated, and an external terminal of the semiconductor pellet and an inner lead are electrically connected by a bonding wire. Connection, the semiconductor pellet, inner lead,
Each of the tab, the tab suspension lead, and the bonding wire is configured to be sealed with a resin sealing body.

【０００３】近年、ＱＦＰ構造を採用する樹脂封止型半
導体装置は、半導体ペレットに塔載される回路システム
の高集積化や動作速度の高速化に伴って、半導体ペレッ
トから発生する熱の量が増加している。そこで、半導体
ペレットの熱を樹脂封止体の外部に伝達する目的とし
て、タブのペレット塔載面と対向するその裏面に接着層
を介在して熱伝達部材の一表面を接合させ、この熱伝達
部材の一表面と対向するその裏面を樹脂封止体の一表面
から露出させた構造で構成し、樹脂封止型半導体装置の
放熱効率を高めている。In recent years, in a resin-sealed semiconductor device adopting the QFP structure, the amount of heat generated from the semiconductor pellet has been increased due to the higher integration and higher operating speed of the circuit system mounted on the semiconductor pellet. It has increased. Therefore, for the purpose of transferring the heat of the semiconductor pellets to the outside of the resin encapsulant, one surface of the heat transfer member is joined to the back surface of the tab opposed to the pellet tower mounting surface with an adhesive layer interposed therebetween. The back surface of the member facing the one surface is exposed from the one surface of the resin encapsulant to enhance the heat dissipation efficiency of the resin encapsulation type semiconductor device.

【０００４】なお、熱伝達部材を有するＱＦＰ構造の樹
脂封止型半導体装置については、例えば特開平２−２７
７２６０号公報に記載されている。A resin-sealed semiconductor device having a QFP structure having a heat transfer member is disclosed in, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2-27.
No. 7260.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】前記ＱＦＰ構造の樹脂
封止型半導体装置は、タブのペレット塔載面と対向する
その裏面に熱伝達部材の一表面を接合させ、半導体ペレ
ットの回路システムの動作で発生した熱を樹脂封止体の
外部に伝達させている。しかしながら、前記ＱＦＰ構造
の樹脂封止型半導体装置は下記の問題を生じる。In the resin-encapsulated semiconductor device having the QFP structure, one surface of the heat transfer member is bonded to the back surface of the tab opposed to the pellet mounting surface to operate the semiconductor pellet circuit system. The heat generated in 1 is transmitted to the outside of the resin sealing body. However, the resin-encapsulated semiconductor device having the QFP structure has the following problems.

【０００６】前記樹脂封止型半導体装置には二つの界面
領域が存在する。一方の界面領域はタブのペレット塔載
面とこのタブのペレット塔載面に接合される半導体ペレ
ットの裏面との間に存在し、他方の界面領域はタブの裏
面とこのタブの裏面に接合される熱伝達部材の一表面と
の間に存在する。この二つの界面領域の夫々には、樹脂
封止体の樹脂に含まれている水分が溜りやすい。界面領
域に溜った水分は、樹脂封止型半導体装置の製品完成後
の環境試験である温度サイグル試験時の熱や実装基板の
実装面上に樹脂封止型半導体装置を実装する実装時の熱
によって膨張し、樹脂封止体に発生する亀裂の原因とな
る。即ち、前記ＱＦＰ構造の樹脂封止型半導体装置は二
つの界面領域が存在するので、樹脂封止体に発生する亀
裂の危険性が２倍になり、熱に対する信頼性が半分にな
る。The resin-sealed semiconductor device has two interface regions. One interface region exists between the pellet tower mounting surface of the tab and the back surface of the semiconductor pellet bonded to this tab pellet mounting surface, and the other interface area is bonded to the back surface of the tab and the back surface of this tab. Existing between the heat transfer member and one surface of the heat transfer member. Water contained in the resin of the resin encapsulant is likely to accumulate in each of the two interface regions. Moisture collected in the interface area is the heat during the temperature cycle test, which is an environmental test after the resin-encapsulated semiconductor device is completed, and the heat during the mounting of the resin-encapsulated semiconductor device on the mounting surface of the mounting board. Expands and causes cracks to occur in the resin encapsulant. That is, since the resin-sealed semiconductor device having the QFP structure has two interface regions, the risk of cracks occurring in the resin-sealed body is doubled and the reliability against heat is halved.

【０００７】本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置の
放熱効率を高めると共に、熱に対する信頼性を高めるこ
とが可能な技術を提供することにある。An object of the present invention is to provide a technique capable of improving the heat dissipation efficiency of a resin-encapsulated semiconductor device and the reliability against heat.

【０００８】本発明の他の目的は、前記目的を達成する
リードフレームを提供することにある。Another object of the present invention is to provide a lead frame which achieves the above object.

【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。Of the inventions disclosed in the present application, a representative one will be briefly described below.
It is as follows.

【００１１】（１）タブ吊りリード、前記タブ吊りリー
ドに一体化されたタブ、前記タブのペレット塔載面上に
塔載された半導体ペレット、前記半導体ペレットの外部
端子に電気的に接続されたインナーリードの夫々が樹脂
封止体で封止される樹脂封止型半導体装置であって、前
記タブの板厚を前記インナーリードの板厚に比べて厚く
構成し、前記タブのペレット塔載面と対向するその裏面
を前記樹脂封止体の一表面から露出させる。(1) Tab suspension leads, tabs integrated with the tab suspension leads, semiconductor pellets mounted on a pellet mounting surface of the tabs, and electrically connected to external terminals of the semiconductor pellets. A resin-encapsulated semiconductor device in which each of the inner leads is encapsulated with a resin encapsulant, wherein the tab has a plate thickness greater than that of the inner lead, and the tab is mounted on a pellet tower. The back surface of the resin sealing body facing the above is exposed from one surface of the resin sealing body.

【００１２】（２）枠体に一体化されたインナーリー
ド、タブ、タブ吊りリードの夫々を有するリードフレー
ムであって、前記タブの板厚を前記インナーリードの板
厚に比べて厚く構成する。(2) A lead frame having an inner lead, a tab and a tab suspension lead which are integrated with a frame body, wherein the tab has a plate thickness larger than that of the inner lead.

【００１３】[0013]

【作用】上述した手段（１）によれば、半導体ペレット
の回路システムの動作で発生した熱をタブを介して樹脂
封止体の外部に伝達することができるので、樹脂封止型
半導体装置の放熱効率を高めることができる。また、樹
脂封止体の樹脂に含まれている水分が溜り易い、タブの
裏面とそれに接合される熱伝達部材の一表面との間の界
面領域を廃止したので、この界面領域に溜った水分の熱
による膨張で樹脂封止体に亀裂が生じる危険性を排除で
き、樹脂封止型半導体装置の熱に対する信頼性を高める
ことができる。この結果、樹脂封止型半導体装置の放熱
効率を高めることができると共に、熱に対する信頼性を
高めることができる。According to the above-mentioned means (1), the heat generated by the operation of the circuit system of the semiconductor pellet can be transferred to the outside of the resin encapsulation body through the tab, so that the resin encapsulation type semiconductor device The heat dissipation efficiency can be improved. In addition, since the interface area between the back surface of the tab and the one surface of the heat transfer member joined thereto, in which the water contained in the resin of the resin encapsulant easily accumulates, the water accumulated in this interface area is abolished. The risk of cracking of the resin encapsulant due to expansion due to heat can be eliminated, and the reliability of the resin-encapsulated semiconductor device against heat can be increased. As a result, the heat dissipation efficiency of the resin-encapsulated semiconductor device can be improved, and the reliability against heat can be improved.

【００１４】上述した手段（２）によれば、樹脂封止型
半導体装置の製造プロセス中の封止工程において、タブ
の裏面を樹脂封止体の一表面から露出させることができ
るので、半導体ペレットの回路システムの動作で発生し
た熱を樹脂封止体の外部に伝達する熱伝達部材としてタ
ブを使用することができる。また、半導体ペレットの回
路システムの動作で発生した熱を樹脂封止体の外部に伝
達する熱伝達部材としてタブを使用することができるの
で、タブの裏面に接合される別体部品の熱伝達部材を廃
止することができる。この結果、放熱効率が高く、かつ
熱に対する信頼性が高い樹脂封止型半導体装置を製造で
きる。According to the above-mentioned means (2), since the back surface of the tab can be exposed from one surface of the resin encapsulant in the encapsulation step in the manufacturing process of the resin encapsulation type semiconductor device, the semiconductor pellets can be exposed. The tab can be used as a heat transfer member that transfers the heat generated by the operation of the circuit system to the outside of the resin sealing body. Further, since the tab can be used as a heat transfer member that transfers the heat generated by the operation of the circuit system of the semiconductor pellet to the outside of the resin sealing body, the heat transfer member of a separate component joined to the back surface of the tab. Can be abolished. As a result, it is possible to manufacture a resin-encapsulated semiconductor device having high heat dissipation efficiency and high heat reliability.

【００１５】[0015]

【実施例】以下、本発明の構成について、ＱＦＰ構造を
採用する樹脂封止型半導体装置に本発明を適用した一実
施例とともに説明する。なお、実施例を説明するための
全図において、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。EXAMPLES The structure of the present invention will be described below together with an example in which the present invention is applied to a resin-sealed semiconductor device adopting a QFP structure. In all the drawings for describing the embodiments, components having the same function are denoted by the same reference numerals, and their repeated description will be omitted.

【００１６】本発明の一実施例であるＱＦＰ構造を採用
する樹脂封止型半導体装置の概略構成を図１（平面
図）、図２（図１に示すＡ−Ａ切断線の位置で切った断
面図）及び図３（図１に示すＢ−Ｂ切断線の位置で切っ
た断面図）に示す。A schematic structure of a resin-encapsulated semiconductor device adopting a QFP structure, which is an embodiment of the present invention, is cut at the position of the AA cutting line shown in FIG. 1 (plan view) and FIG. 2 (FIG. 1). FIG. 3 is a cross-sectional view) and FIG. 3 (a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 1).

【００１７】図１、図２及び図３に示すように、ＱＦＰ
構造を採用する樹脂封止型半導体装置は、タブ１Ｃのペ
レット塔載面(図２及び図３中、下面)上に半導体ペレッ
ト１を塔載する。半導体ペレット１は、その主面を下に
して接着層を介在してタブ２Ｃのペレット塔載面上に固
着される。接着層は、熱伝導性が高い例えばポリイミド
系のＡｇペースト材、Ａｕ−Ｓｉ合金材、Ａｇガラス
材、Ｐｂ−Ｓｎ系のろう材等で形成される。As shown in FIGS. 1, 2 and 3, the QFP
In the resin-sealed semiconductor device adopting the structure, the semiconductor pellets 1 are mounted on the pellet mounting surface (the lower surface in FIGS. 2 and 3) of the tab 1C. The semiconductor pellet 1 is fixed to the pellet tower mounting surface of the tab 2C with its main surface facing downward with an adhesive layer interposed. The adhesive layer is formed of, for example, a polyimide-based Ag paste material, an Au-Si alloy material, an Ag glass material, or a Pb-Sn-based brazing material having high thermal conductivity.

【００１８】前記半導体ペレット１は、例えば平面形状
が方形状に形成された単結晶珪素基板を主体に構成され
る。単結晶珪素基板の主面には論理回路システム、記憶
回路システム、或はそれらの混合回路システムが塔載さ
れ、その主面上には複数個の外部端子が配置される。こ
の複数個の外部端子の夫々は半導体ペレット１の外周囲
の各辺に沿って配列される。The semiconductor pellet 1 is mainly composed of, for example, a single crystal silicon substrate having a rectangular planar shape. A logic circuit system, a memory circuit system, or a mixed circuit system thereof is mounted on the main surface of the single crystal silicon substrate, and a plurality of external terminals are arranged on the main surface. Each of the plurality of external terminals is arranged along each side of the outer periphery of the semiconductor pellet 1.

【００１９】前記半導体ペレット１の外周囲の外側には
複数本のインナーリード２Ａが配置される。この複数本
のインナーリード２Ａの夫々は半導体ペレット１の外周
囲の各辺に沿って配列される。A plurality of inner leads 2A are arranged outside the outer periphery of the semiconductor pellet 1. Each of the plurality of inner leads 2A is arranged along each side of the outer periphery of the semiconductor pellet 1.

【００２０】前記複数本のインナーリード２Ａの夫々は
ボンディングワイヤ３を介して半導体ペレット１の複数
個の外部端子の夫々に電気的に接続される。ボンディン
グワイヤ３の一端側は半導体ペレット１の外部端子の表
面に電気的かつ機械的に接続され、ボンディングワイヤ
３の他端側はインナーリード２のボンディング面（図２
中、下面）に電気的かつ機械的に接続される。ボンディ
ングワイヤ３は例えばアルミニウムワイヤ(Ａｌ)又は金
(Ａｕ)ワイヤで形成される。ボンディヤグワイヤ３は、
例えば熱圧着に超音波振動を併用したボンディング法で
接続される。Each of the plurality of inner leads 2A is electrically connected to each of the plurality of external terminals of the semiconductor pellet 1 through the bonding wires 3. One end of the bonding wire 3 is electrically and mechanically connected to the surface of the external terminal of the semiconductor pellet 1, and the other end of the bonding wire 3 is the bonding surface of the inner lead 2 (see FIG. 2).
It is electrically and mechanically connected to the inside and the bottom surface). The bonding wire 3 is, for example, aluminum wire (Al) or gold.
(Au) wire. Bondy Yag Wire 3
For example, they are connected by a bonding method that uses ultrasonic vibration together with thermocompression bonding.

【００２１】前記タブ１Ｃは例えば平面形状が方形状に
形成され、その４つの角部の夫々には４本のタブ吊りリ
ード２Ｄの夫々が一体化される。即ち、本実施例のタブ
１Ｃは４本のタブ吊りリード２Ｄの夫々で支持される。The tab 1C is formed, for example, in a rectangular shape in a plan view, and four tab suspension leads 2D are integrated with each of the four corners. That is, the tab 1C of this embodiment is supported by each of the four tab suspension leads 2D.

【００２２】前記半導体ペレット１、インナーリード２
Ａ、タブ２Ｃ、タブ吊りリード２Ｄ、ボンディングワイ
ヤ３の夫々は平面形状が方形状に形成された樹脂封止体
４で封止される。樹脂封止体４は、トランスファモール
ド法に基づいて成形され、例えば低応力化を図る目的と
してフェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラー
が添加されたエポキシ系の樹脂４Ａで形成される。The semiconductor pellet 1 and the inner lead 2
Each of A, the tab 2C, the tab suspension lead 2D, and the bonding wire 3 is sealed with a resin sealing body 4 having a rectangular planar shape. The resin sealing body 4 is molded based on the transfer molding method, and is formed of, for example, an epoxy resin 4A to which a phenolic curing agent, silicone rubber and a filler are added for the purpose of reducing stress.

【００２３】前記樹脂封止体４の外周囲の外側には複数
本のアウターリード２Ｂが配置される。この複数本のア
ウターリード２Ｂの夫々は、樹脂封止体４の各辺に沿っ
て配列され、複数本のインナーリード２Ａの夫々に一体
化される。A plurality of outer leads 2B are arranged outside the outer periphery of the resin sealing body 4. Each of the plurality of outer leads 2B is arranged along each side of the resin sealing body 4, and is integrated with each of the plurality of inner leads 2A.

【００２４】前記アウターリード２Ｂ、タブ吊りリード
２Ｄの夫々は、トランスファモールド法に基づいて樹脂
封止体４を成形した後、リードフレームの枠体から切断
され、その後、アウターリード２Ｂはガルウィング形状
に成形される。Each of the outer lead 2B and the tab suspension lead 2D is formed by molding the resin sealing body 4 based on the transfer molding method and then cut from the frame body of the lead frame. After that, the outer lead 2B is formed into a gull wing shape. Molded.

【００２５】前記タブ２Ｃの板厚ｔ1 は、図２に示すよ
うに、インナーリード２Ａの板厚ｔ2 に比べて厚く構成
される。タブ２Ｃの板厚ｔ1 は例えば１［ｍｍ］程度に
設定され、インナーリード２Ａの板厚ｔ2 は例えば０．
１５［ｍｍ］程度に設定される。タブ２Ｃのペレット塔
載面と対向するその裏面(図２中、上面)は樹脂封止体４
の一表面(図２中、上面)から露出される。半導体ペレッ
ト１の回路システムの動作で発生した熱はタブ２Ｃを介
して樹脂封止体４の外部に伝達される。即ち、タブ４Ｃ
は半導体ペレット１の回路システムの動作で発生した熱
を樹脂封止体１の外部に伝達する熱伝達部材として使用
される。The plate thickness t 1 of the tab 2C is thicker than the plate thickness t 2 of the inner lead 2A, as shown in FIG. The plate thickness t 1 of the tab 2C is set to, for example, about 1 [mm], and the plate thickness t 2 of the inner lead 2A is set to, for example, 0.
It is set to about 15 [mm]. The back surface (upper surface in FIG. 2) of the tab 2C that faces the pellet-mounting surface is the resin sealing body 4.
It is exposed from one surface (the upper surface in FIG. 2). The heat generated by the operation of the circuit system of the semiconductor pellet 1 is transferred to the outside of the resin sealing body 4 via the tab 2C. That is, tab 4C
Is used as a heat transfer member that transfers the heat generated by the operation of the circuit system of the semiconductor pellet 1 to the outside of the resin sealing body 1.

【００２６】前記タブ吊りリード２Ｄの板厚ｔ3 は、図
３に示すように、タブ２Ｃの板厚ｔ1 と同一の板厚に構
成され、その一表面(図３中、上面)はタブ２Ｃと同様に
樹脂封止体４の一表面から露出される。即ち、タブ吊り
リード２Ｄは、タブ２Ｃと同様に、半導体ペレット１の
回路システムの動作で発生した熱を樹脂封止体４の外部
に伝達する熱伝達部材として使用される。As shown in FIG. 3, the tab suspension lead 2D has a plate thickness t 3 which is the same as the plate thickness t 1 of the tab 2C, and one surface (the upper surface in FIG. 3) of the tab 2C is the tab thickness. It is exposed from one surface of the resin sealing body 4 as in the case of 2C. That is, the tab suspension lead 2D is used as a heat transfer member that transfers the heat generated by the operation of the circuit system of the semiconductor pellet 1 to the outside of the resin encapsulation body 4, like the tab 2C.

【００２７】前記タブ２Ｃのペレット塔載面の位置は、
インナーリード２Ａのボンディング面(図２中、下面)の
位置に対して同一の位置に設定される。また、前記タブ
吊りリード２Ｄの一表面(図３中、下面)の位置は、タブ
２Ｃのペレット塔載面の位置と同様に、インナーリード
２Ａのボンディング面の位置に対して同一の位置に設定
される。The position of the pellet mounting surface of the tab 2C is as follows.
It is set at the same position as the position of the bonding surface (lower surface in FIG. 2) of the inner lead 2A. The position of one surface (bottom surface in FIG. 3) of the tab suspension lead 2D is set at the same position as the position of the bonding surface of the inner lead 2A, similarly to the position of the pellet tower mounting surface of the tab 2C. To be done.

【００２８】このように構成される樹脂封止型半導体装
置は、その製造プロセスにおいて、リードフレームを使
用する。このリードフレームの概略構成を図４（平面
図）、図５（図４に示すＣ−Ｃ切断線の位置で切った断
面図）及び図６（図４に示すＤ−Ｄ切断線の位置で切っ
た断面図）に示す。The resin-encapsulated semiconductor device thus constructed uses a lead frame in its manufacturing process. A schematic structure of this lead frame is shown in FIG. 4 (plan view), FIG. 5 (cross-sectional view taken along the line C-C shown in FIG. 4) and FIG. 6 (position taken along the line D-D shown in FIG. 4). A cross-sectional view taken along the line).

【００２９】図４に示すように、リードフレーム２は、
枠体２Ｆで規定された領域内に、複数本のインナーリー
ド２Ａ、複数本のアウターリード２Ｂ、タブ２Ｃ、４本
のタブ吊りリード２Ｄ等を配置する。複数本のインナー
リード２Ａの夫々はタイバー(ダムバー)２Ｅを介して複
数本のアウターリード２Ｂの夫々に一体化され、複数本
のアウターリード２Ｂの夫々は枠体２Ｆに一体化され
る。即ち、複数本のインナーリード２Ａの夫々は枠体２
Ｆに一体化される。タブ２Ｃは４本のタブ吊りリード２
Ｄの夫々に一体化され、４本のタブ吊りリード２Ｄの夫
々は枠体２Ｆに一体化される。即ち、タブ２Ｃは枠体２
Ｆに一体化される。As shown in FIG. 4, the lead frame 2 is
A plurality of inner leads 2A, a plurality of outer leads 2B, tabs 2C, four tab suspension leads 2D, etc. are arranged in a region defined by the frame 2F. Each of the plurality of inner leads 2A is integrated with each of the plurality of outer leads 2B via a tie bar (dam bar) 2E, and each of the plurality of outer leads 2B is integrated with the frame 2F. That is, each of the plurality of inner leads 2A is the frame 2
It is integrated with F. Tab 2C has four tab suspension leads 2
Each of the four tab suspension leads 2D is integrated with the frame 2F. That is, the tab 2C is the frame 2
It is integrated with F.

【００３０】前記タブ２Ｃのペレット塔載面上には、ダ
イボンディング工程において、半導体ペレット１が塔載
される。前記インナーリード２Ａのボンディング面に
は、ボンディング工程において、ボンディングワイヤ３
の一端側が接続される。前記インナーリード２Ａ、タブ
２Ｃ、タブ吊りリード２Ｄの夫々は、封止工程におい
て、樹脂封止体４で封止される。The semiconductor pellets 1 are mounted on the pellet mounting surface of the tab 2C in the die bonding process. The bonding wire 3 is formed on the bonding surface of the inner lead 2A in the bonding process.
One end side of is connected. Each of the inner lead 2A, the tab 2C, and the tab suspension lead 2D is sealed with the resin sealing body 4 in the sealing step.

【００３１】前記タブ２Ｃの板厚ｔ1 は、図５に示すよ
うに、インナーリード２Ａの板厚ｔ2 に比べて厚く構成
される。前記タブ吊りリード２Ｄの板厚ｔ3 は、図６に
示すように、タブ２Ｃの板厚と同一の板厚で構成され
る。前記アウターリード２Ｂ、タイバー２Ｅ、枠体２Ｆ
の夫々の板厚は、インナーリード２Ａの板厚ｔ2 と同一
の板厚で構成される。As shown in FIG. 5, the plate thickness t 1 of the tab 2C is thicker than the plate thickness t 2 of the inner lead 2A. As shown in FIG. 6, the tab suspension lead 2D has a plate thickness t 3 which is the same as the tab 2C. Outer lead 2B, tie bar 2E, frame 2F
The plate thickness of each of the above is the same as the plate thickness t 2 of the inner lead 2A.

【００３２】前記タブ２Ｃのペレット塔載面(図５中、
下面)の位置は、インナーリード２Ａのボンディング面
(図５中、下面)の位置に対して同一の位置に設定され
る。また、前記タブ吊りリード２Ｄの一表面(図６中、
下面)の位置は、タブ２Ｃのペレット塔載面の位置と同
様に、インナーリード２Ａのボンディング面の位置に対
して同一の位置に設定される。The pellet tower mounting surface of the tub 2C (in FIG. 5,
The bottom surface is the bonding surface of the inner lead 2A.
The same position is set with respect to the position (lower surface in FIG. 5). Further, one surface of the tab suspension lead 2D (in FIG. 6,
The position of the (lower surface) is set at the same position as the position of the bonding surface of the inner lead 2A, similarly to the position of the pellet tower mounting surface of the tab 2C.

【００３３】このように構成されるリードフレーム２
は、熱伝導性が高い例えばＮｉ−Ｆｅ系の合金又はＣｕ
系の合金で形成される。リードフレーム２は、板厚が均
等に形成された板材にエッチングを施すことにより、所
定の形状に加工される。The lead frame 2 constructed in this way
Has a high thermal conductivity, such as a Ni-Fe alloy or Cu.
It is formed of a system alloy. The lead frame 2 is processed into a predetermined shape by etching a plate material having a uniform plate thickness.

【００３４】なお、タブ２Ｃのペレット塔載面の位置を
インナーリード２Ａのボンディング面の位置に対してタ
ブ２Ｃのペレット塔載面からその板厚方向に下げた構造
で構成にしてもよい。The position of the pellet tower mounting surface of the tab 2C may be lower than the position of the bonding surface of the inner lead 2A in the plate thickness direction from the pellet tower mounting surface of the tab 2C.

【００３５】次に、前記樹脂封止型半導体装置の製造方
法について簡単に説明する。Next, a method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device will be briefly described.

【００３６】まず、前記リードフレーム２を用意する。First, the lead frame 2 is prepared.

【００３７】次に、前記リードフレーム２のタブ２Ｄの
ペレット塔載面上に半導体ペレット１を塔載する。半導
体ペレット１は接着層を介在してタブ２Ｄのペレット塔
載面に固着される。Next, the semiconductor pellets 1 are mounted on the pellet mounting surface of the tab 2D of the lead frame 2. The semiconductor pellet 1 is fixed to the pellet mounting surface of the tab 2D with an adhesive layer interposed.

【００３８】次に、前記半導体ペレット１の外部端子と
リードフレーム２のインナーリード２Ａとをボンディン
グワイヤ３で電気的に接続する。ボンディングワイヤ３
の一端側は半導体ペレット１の外部端子の表面に接続さ
れ、その他端側はインナーリード２Ａのボンディング面
に接続される。Next, the external terminals of the semiconductor pellet 1 and the inner leads 2A of the lead frame 2 are electrically connected by the bonding wires 3. Bonding wire 3
Is connected to the surface of the external terminal of the semiconductor pellet 1, and the other end is connected to the bonding surface of the inner lead 2A.

【００３９】次に、前記リードフレーム２を成形金型５
の上型５Ａと下型５Ｂとの間に配置すると共に、半導体
ペレット１、インナーリード２Ａ、タブ２Ｃ、タブ吊り
リード２Ｄ、ボンディングワイヤ３の夫々を成形金型５
の上型５Ａと下型５Ｂとで形成されるキャビティ６内に
配置する。この時、タブ２Ａの板厚ｔ1 がインナーリー
ド２Ａの板厚ｔ2 に比べて厚く構成されているので、図
７（成形金型の要部断面図）に示すように、インナーリ
ード２Ａをキャビティ６内に浮かせた状態でタブ２Ｃの
裏面をキャビティ６の一方の内壁面(タブ２Ｃの裏面と
対向する内壁面)に接触させることができる。また、タ
ブ吊りリード２Ｄの板厚ｔ3 がタブ２Ｃの板厚と同一の
板厚で構成されているので、図８(成形金型の要部断面
図)に示すように、タブ吊りリード２Ｄの一表面を、タ
ブ２Ｃの裏面と同様に、キャビティ６の一方の内壁面に
接触させることができる。Next, the lead frame 2 is molded into a molding die 5.
The semiconductor pellet 1, the inner lead 2A, the tab 2C, the tab suspension lead 2D, and the bonding wire 3 are arranged between the upper die 5A and the lower die 5B, and the molding die 5 is used.
It is placed in the cavity 6 formed by the upper mold 5A and the lower mold 5B. At this time, since the plate thickness t 1 of the tab 2A is thicker than the plate thickness t 2 of the inner lead 2A, as shown in FIG. 7 (a cross-sectional view of the main part of the molding die), the inner lead 2A is The back surface of the tab 2C can be brought into contact with one inner wall surface of the cavity 6 (the inner wall surface facing the back surface of the tab 2C) while being floated in the cavity 6. Further, since the plate thickness t 3 of the tab suspension lead 2D is the same as the plate thickness of the tab 2C, as shown in FIG. 8 (a cross-sectional view of the main part of the molding die), the tab suspension lead 2D is formed. One surface of the cavity 2 can be brought into contact with one inner wall surface of the cavity 6 similarly to the back surface of the tab 2C.

【００４０】次に、成形金型５のキャビティ６内に樹脂
４Ａを充填し、半導体ペレット１、インナーリード２
Ａ、タブ２Ｃ、タブ吊りリード２Ｄ、ボンディングワイ
ヤ３の夫々を封止する樹脂封止体４を形成する。この
時、タブ２Ｃの裏面がキャビティ６の一方の内壁面に接
触されているので、タブ２Ｃの裏面を樹脂封止体４の一
表面から露出させることができる。また、タブ吊りリー
ド２Ｄの一表面がキャビティ６の一方の内壁面に接触さ
れているので、タブ吊りリード２Ｄの一表面を樹脂封止
体４の一表面から露出させることができる。また、タブ
２Ｃの裏面がキャビティ６の一方の内壁面に支持されて
いるので、樹脂４Ａの流動によって生じるタブ２Ｃの位
置ずれを防止することができる。また、タブ吊りリード
２Ｄの一表面がキャビティ６の一方の内壁面に支持され
ているので、樹脂４Ａの流動によって生じるタブ２Ｃの
位置ずれを更に防止することができる。Next, the cavity 6 of the molding die 5 is filled with the resin 4A, and the semiconductor pellet 1 and the inner lead 2 are filled.
A resin sealing body 4 for sealing each of A, the tab 2C, the tab suspension lead 2D, and the bonding wire 3 is formed. At this time, since the back surface of the tab 2C is in contact with one inner wall surface of the cavity 6, the back surface of the tab 2C can be exposed from one surface of the resin sealing body 4. Further, since one surface of the tab suspension lead 2D is in contact with one inner wall surface of the cavity 6, one surface of the tab suspension lead 2D can be exposed from one surface of the resin sealing body 4. Moreover, since the back surface of the tab 2C is supported by one inner wall surface of the cavity 6, it is possible to prevent the tab 2C from being displaced due to the flow of the resin 4A. Further, since one surface of the tab suspension lead 2D is supported by one inner wall surface of the cavity 6, it is possible to further prevent the tab 2C from being displaced due to the flow of the resin 4A.

【００４１】次に、前記リードフレーム２の枠体２Ｆか
らアウターリード２Ｂ、タブ吊りリード２Ｄの夫々を切
断し、その後、アウターリード２Ｂをガルウィング形状
に成形する。これにより、ＱＦＰ構造を採用する樹脂封
止型半導体装置がほぼ完成する。この後、樹脂封止型半
導体装置は、製品完成後の環境試験である温度サイクル
試験が施された後、実装基板の実装面上に実装される。Next, the outer lead 2B and the tab suspension lead 2D are cut from the frame 2F of the lead frame 2, and then the outer lead 2B is formed into a gull wing shape. As a result, the resin-sealed semiconductor device that employs the QFP structure is almost completed. After that, the resin-encapsulated semiconductor device is mounted on the mounting surface of the mounting substrate after a temperature cycle test, which is an environmental test after the product is completed.

【００４２】このように、本実施例によれば下記の作用
効果が得られる。As described above, according to this embodiment, the following operational effects can be obtained.

【００４３】（１）樹脂封止型半導体装置において、タ
ブ２Ｃの板厚ｔ1 をインナーリード２Ａの板厚ｔ2 に比
べて厚く構成し、タブ２Ｃのペレット塔載面と対向する
その裏面を樹脂封止体４の一表面から露出させることに
より、半導体ペレット１の回路システムの動作で発生し
た熱をタブ２Ｃを介して樹脂封止体４の外部に伝達する
ことができるので、樹脂封止型半導体装置の放熱効率を
高めることができる。また、樹脂封止体４の樹脂４Ａに
含まれている水分が溜り易い、タブ２Ｃの裏面とそれに
接合される熱伝達部材の一表面との間の界面領域を廃止
したので、この界面領域に溜った水分の熱による膨張で
樹脂封止体４に亀裂が生じる危険性を排除でき、樹脂封
止型半導体装置の熱に対する信頼性を高めることができ
る。この結果、樹脂封止型半導体装置の放熱効率を高め
ることができると共に、熱に対する信頼性を高めること
ができる。(1) In the resin-sealed semiconductor device, the plate thickness t 1 of the tab 2C is made thicker than the plate thickness t 2 of the inner lead 2A, and the back surface of the tab 2C facing the pellet tower mounting surface is formed. By exposing the resin sealing body 4 from one surface, the heat generated by the operation of the circuit system of the semiconductor pellet 1 can be transferred to the outside of the resin sealing body 4 via the tab 2C. The heat dissipation efficiency of the semiconductor device can be improved. Further, since the interface area between the back surface of the tab 2C and the one surface of the heat transfer member joined thereto, in which water contained in the resin 4A of the resin sealing body 4 easily accumulates, is eliminated. The risk of cracks in the resin encapsulation body 4 due to expansion of the accumulated water due to heat can be eliminated, and the reliability of the resin encapsulation type semiconductor device against heat can be improved. As a result, the heat dissipation efficiency of the resin-encapsulated semiconductor device can be improved, and the reliability against heat can be improved.

【００４４】（２）樹脂封止型半導体装置において、タ
ブ吊りリード２Ｄの板厚ｔ3 をタブ２Ｃの板厚ｔ1 と同
一の板厚に構成し、タブ吊りリード２Ｄの一表面を樹脂
封止体４の一表面から露出させることにより、半導体ペ
レット１の回路システムの動作で発生した熱をタブ吊り
リード２Ｄを介して樹脂封止体４の外部に伝達すること
ができるので、樹脂封止型半導体装置の放熱効率を更に
高めることができる。(2) In the resin-sealed semiconductor device, the plate thickness t 3 of the tab suspension lead 2D is set to be the same as the plate thickness t 1 of the tab 2C, and one surface of the tab suspension lead 2D is sealed with resin. By exposing the stopper body 4 from one surface, the heat generated by the operation of the circuit system of the semiconductor pellet 1 can be transferred to the outside of the resin seal body 4 via the tab suspension leads 2D. The heat dissipation efficiency of the semiconductor device can be further improved.

【００４５】（３）リードフレーム２において、タブ２
Ｃの板厚をインナーリード２Ａの板厚に比べて厚く構成
することにより、樹脂封止体４を形成する際、タブ２Ｃ
の裏面を樹脂封止体４の一表面から露出させることがで
きるので、半導体ペレット１の回路システムの動作で発
生した熱を樹脂封止体４の外部に伝達する熱伝達部材と
してタブ２Ｃを使用することができる。また、半導体ペ
レット１の回路システムの動作で発生した熱を樹脂封止
体４の外部に伝達する熱伝達部材としてタブ２Ｃを使用
することができるので、タブ２Ｃの裏面に接合される別
体部品の熱伝達部材を廃止することができる。この結
果、放熱効率が高く、かつ熱に対する信頼性が高い樹脂
封止型半導体装置を製造できる。(3) The tab 2 on the lead frame 2
By making the plate thickness of C larger than the plate thickness of the inner lead 2A, when forming the resin sealing body 4, the tab 2C is formed.
Since the back surface of the resin encapsulant 4 can be exposed from one surface of the resin encapsulant 4, the tab 2C is used as a heat transfer member for transferring the heat generated by the operation of the circuit system of the semiconductor pellet 1 to the outside of the resin encapsulant 4. can do. Further, since the tab 2C can be used as a heat transfer member that transfers the heat generated by the operation of the circuit system of the semiconductor pellet 1 to the outside of the resin sealing body 4, a separate component joined to the back surface of the tab 2C. The heat transfer member can be eliminated. As a result, it is possible to manufacture a resin-encapsulated semiconductor device having high heat dissipation efficiency and high heat reliability.

【００４６】（４）リードフレーム２において、タブ吊
りリード２Ｄの板厚をタブ２Ｃの板厚と同一の板厚に構
成することにより、樹脂封止体４を形成する際、タブ吊
りリード２Ｄの一表面を樹脂封止体４の一表面から露出
させることができるので、半導体ペレット１の回路シス
テムの動作で発生した熱を樹脂封止体４の外部に伝達す
る熱伝達部材としてタブ吊りリード２Ｄを使用すること
ができる。この結果、更に放熱効率が高い樹脂封止型半
導体装置を製造できる。(4) In the lead frame 2, the tab suspension lead 2D is formed to have the same thickness as the tab 2C, so that the tab suspension lead 2D can be formed when the resin sealing body 4 is formed. Since one surface can be exposed from one surface of the resin sealing body 4, the tab suspension lead 2D serves as a heat transfer member that transfers the heat generated by the operation of the circuit system of the semiconductor pellet 1 to the outside of the resin sealing body 4. Can be used. As a result, it is possible to manufacture a resin-sealed semiconductor device having higher heat dissipation efficiency.

【００４７】（５）リードフレーム２において、タブ２
Ｃの板厚をインナーリード２Ａの板厚に比べて厚く構成
することにより、樹脂封止体４を形成する際、タブ２Ｃ
の裏面を成形金型５のキャビティ６の一方の内壁面に支
持させることができるので、樹脂４Ａの流動によって生
じるタブ２Ｃの位置ずれを防止することができる。(5) The tab 2 on the lead frame 2
By making the plate thickness of C larger than the plate thickness of the inner lead 2A, when forming the resin sealing body 4, the tab 2C is formed.
Since the back surface of can be supported on one inner wall surface of the cavity 6 of the molding die 5, it is possible to prevent the tab 2C from being displaced due to the flow of the resin 4A.

【００４８】（６）リードフレーム２において、タブ吊
りリード２Ｄの板厚をタブ２Ｃの板厚と同一の板厚に構
成することにより、タブ吊りリード２Ｄの一表面を成形
金型５のキャビティ６の一方の内壁面に支持させること
ができるので、樹脂４Ａの流動によって生じるタブ２Ｃ
の位置ずれを更に防止することができる。(6) In the lead frame 2, the thickness of the tab suspension lead 2D is set to be the same as the thickness of the tab 2C, so that one surface of the tab suspension lead 2D has a cavity 6 of the molding die 5. Since it can be supported on one inner wall surface of one of the tabs 2C generated by the flow of the resin 4A.
It is possible to further prevent the displacement of the position.

【００４９】なお、図９(断面図)に示すように、タブ吊
りリード２Ｄの板厚ｔ3 をタブ２Ｃの板厚ｔ1 に比べて
薄く構成し、タブ吊りリード２Ｄの一表面(図９中、上
面)を樹脂封止体４内に封止した構成にしてもよい。As shown in FIG. 9 (cross-sectional view), the plate thickness t 3 of the tab suspension lead 2D is made thinner than the plate thickness t 1 of the tab 2C, and one surface of the tab suspension lead 2D (FIG. 9) is formed. The inside and the upper surface) may be sealed in the resin sealing body 4.

【００５０】また、図１０(断面図)に示すように、タブ
２Ｃのペレット塔載面(図中、下面)の位置をインナーリ
ード２Ａのボンディング面(図中、下面)に対してタブ２
Ｃのペレット塔載面からその板厚方向に下げた構造で構
成してもよい。この場合、タブ２Ｃの板厚ｔ1 を薄く構
成することができる。Further, as shown in FIG. 10 (cross-sectional view), the position of the pellet tower mounting surface (bottom surface in the figure) of the tab 2C is set to the tab 2 with respect to the bonding surface (bottom surface in the figure) of the inner lead 2A.
It may be configured by a structure in which the pellet mounting surface of C is lowered in the plate thickness direction. In this case, the plate thickness t 1 of the tab 2C can be made thin.

【００５１】また、図１１(断面図)に示すように、半導
体ペレット１をその主面（図中、上面）を上にしてタブ
２Ｃのペレット塔載面上に塔載した構成にしてもよい。
この場合、アウターリード２Ｂは、前述の実施例のアウ
ターリード２Ｂに対して逆曲げ形状になる。Further, as shown in FIG. 11 (cross-sectional view), the semiconductor pellet 1 may be mounted on the pellet mounting surface of the tab 2C with its main surface (upper surface in the drawing) facing upward. .
In this case, the outer lead 2B has a reverse bending shape with respect to the outer lead 2B of the above-described embodiment.

【００５２】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。As described above, the invention made by the present inventor is
Although the present invention has been specifically described based on the above-mentioned embodiments, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

【００５３】例えば、本発明は、ＤＩＰ(Ｄual Ｉn-lin
e Ｐackage）構造、ＴＳＯＰ（Ｔhin Ｓmall Ｏut-line
Ｐackage)構造、ＺＩＰ(Ｚigzag Ｉn-line Ｐackage）
構造等の樹脂封止型半導体装置に適用できる。[0053] For example, the present invention, DIP (D ual I n- lin
e P ackage) structure, TSOP (T hin S mall O ut-line
P ackage) structure, ZIP (Z igzag I n- line P ackage)
It can be applied to a resin-sealed semiconductor device having a structure or the like.

【００５４】[0054]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【００５５】樹脂封止型半導体装置の放熱効率を高める
ことができると共に、熱に対する信頼性を高めることが
できる。The heat dissipation efficiency of the resin-sealed semiconductor device can be improved, and the reliability against heat can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の一実施例であるＱＦＰ構造を採用する
樹脂封止型半導体装置の概略構成を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a resin-sealed semiconductor device adopting a QFP structure which is an embodiment of the present invention.

【図２】図１に示すＡ−Ａ切断線の位置で切った断面
図。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

【図３】図１に示すＢ−Ｂ切断線の位置で切った断面
図。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG.

【図４】前記樹脂封止型半導体装置の製造に使用される
リードフレームの概略構成を示す平面図。FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of a lead frame used for manufacturing the resin-sealed semiconductor device.

【図５】図４に示すＣ−Ｃ切断線の位置で切った断面
図。5 is a cross-sectional view taken along the line C-C shown in FIG.

【図６】図４に示すＤ−Ｄ切断線の位置で切った断面
図。6 is a cross-sectional view taken along the line D-D shown in FIG.

【図７】前記樹脂封止型半導体装置の製造プロセス中の
封止工程における成形金型の要部断面図。FIG. 7 is a cross-sectional view of a main part of a molding die in a sealing step during a manufacturing process of the resin-sealed semiconductor device.

【図８】前記樹脂封止型半導体装置の製造プロセス中の
封止工程における成形金型の要部断面図。FIG. 8 is a cross-sectional view of a main part of a molding die in a sealing step during a manufacturing process of the resin-sealed semiconductor device.

【図９】本発明の他の実施例である樹脂封止型半導体装
置の断面図。FIG. 9 is a cross-sectional view of a resin-sealed semiconductor device which is another embodiment of the present invention.

【図１０】本発明の他の実施例である樹脂封止型半導体
装置の断面図。FIG. 10 is a sectional view of a resin-sealed semiconductor device which is another embodiment of the present invention.

【図１１】本発明の他の実施例である樹脂封止型半導体
装置の断面図。FIG. 11 is a sectional view of a resin-encapsulated semiconductor device which is another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…半導体ペレット、２…リードフレーム、２Ａ…イン
ナーリード、２Ｂ…アウターリード、２Ｃ…タブ、２Ｄ
…タブ吊りリード、２Ｅ…タイバー、２Ｆ…枠体、３…
ボンディングワイヤ、４…樹脂封止体、４Ａ…樹脂、５
…成形金型、５Ａ…上型、５Ｂ…下型、６…キャビテ
ィ。1 ... Semiconductor pellet, 2 ... Lead frame, 2A ... Inner lead, 2B ... Outer lead, 2C ... Tab, 2D
... Tab suspension leads, 2E ... Tie bar, 2F ... Frame, 3 ...
Bonding wire, 4 ... Resin encapsulant, 4A ... Resin, 5
Molding die, 5A ... Upper mold, 5B ... Lower mold, 6 ... Cavity.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菊池 卓 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 宝蔵寺 裕之 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 本多 厚 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Taku Kikuchi 2326 Imai, Ome City, Tokyo, Hitachi Device Development Center (72) Inventor Hiroyuki Hozoji 2326 Imai, Ome City, Tokyo Hitachi, Ltd. Device Development Center (72) Inventor Atsushi Honda At 2326 Imai, Ome City, Tokyo, Hitachi Device Development Center

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 タブ吊りリード、前記タブ吊りリードに
一体化されたタブ、前記タブのペレット塔載面上に塔載
された半導体ペレット、前記半導体ペレットの外部端子
に電気的に接続されたインナーリードの夫々が樹脂封止
体で封止される樹脂封止型半導体装置であって、前記タ
ブの板厚が前記インナーリードの板厚に比べて厚く構成
され、前記タブのペレット塔載面と対向するその裏面が
前記樹脂封止体の一表面から露出されることを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置。1. A tab suspension lead, a tab integrated with the tab suspension lead, a semiconductor pellet mounted on a pellet mounting surface of the tab, and an inner electrically connected to an external terminal of the semiconductor pellet. A resin-encapsulated semiconductor device in which each of the leads is encapsulated with a resin encapsulant, wherein the tab has a plate thickness greater than that of the inner lead, and the tab has a pellet mounting surface. A resin-encapsulated semiconductor device, wherein the opposite back surface is exposed from one surface of the resin encapsulant. 【請求項２】 前記タブ吊りリードの板厚が前記タブの
板厚と同一の板厚で構成され、前記タブ吊りリードの一
表面が前記樹脂封止体の一表面から露出されることを特
徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。2. The tab suspension lead has a thickness equal to that of the tab, and one surface of the tab suspension lead is exposed from one surface of the resin sealing body. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1. 【請求項３】 前記タブのペレット塔載面の位置が、前
記インナーリードのボンディング面の位置に対して前記
タブのペレット塔載面からその板厚方向に下げられた構
造で構成されることを特徴とする請求項１に記載の樹脂
封止型半導体装置。3. The structure is such that the position of the pellet tower mounting surface of the tab is lowered in the plate thickness direction from the position of the bonding surface of the inner lead from the pellet tower mounting surface of the tab. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1. 【請求項４】 枠体に一体化されたインナーリード、タ
ブ、タブ吊りリードの夫々を有するリードフレームであ
って、前記タブの板厚が前記インナーリードの板厚に比
べて厚く構成されることを特徴とするリードフレーム。4. A lead frame having an inner lead, a tab, and a tab suspension lead, which are integrated with a frame body, wherein the plate thickness of the tab is thicker than the plate thickness of the inner lead. Lead frame characterized by. 【請求項５】 前記タブ吊りリードの板厚が前記タブの
板厚と同一の板厚で構成されることを特徴とする請求項
４に記載のリードフレーム。5. The lead frame according to claim 4, wherein the tab suspension lead has the same plate thickness as the tab. 【請求項６】 前記タブのペレット塔載面の位置が、前
記インナーリードのボンディング面の位置に対して前記
タブのペレット塔載面からその板厚方向に下げられた構
造で構成されることを特徴とする請求項１に記載のリー
ドフレーム。6. The structure is such that the position of the pellet tower mounting surface of the tab is lowered in the plate thickness direction from the position of the bonding surface of the inner lead from the pellet tower mounting surface of the tab. The lead frame according to claim 1, wherein the lead frame is a lead frame.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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