JPH08193900A - 半導体圧力センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は、小型で安価な半導体圧力センサ
を得ることを目的とする。 【構成】 圧力センサチップ２はガラス台座３と陽極接
合され感圧素子４が構成され、ダイボンド材１５により
ステム１６に固着されている。また、出力電圧調整用の
薄膜抵抗１０は、半導体基板１１に形成されて出力調整
用チップ１２が構成され、ダイボンド材１５によりステ
ム１６に固着されている。これらの感圧素子４や出力調
整用チップ１２は、導圧穴１８を有する金属製のキャッ
プ１７に覆われている。 【効果】 リードフレームを用いずに厚膜抵抗より集積
して抵抗を形成できる薄膜抵抗を出力調整用チップ１２
に形成しているので、半導体圧力センサを小型化でき安
価に作製できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、圧力を電気信号に変
換する半導体圧力センサ、特に、小型で安価な半導体圧
力センサに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図８は、従来の半導体圧力センサを示す
側断面図である。図において、裏面にダイヤフラム１が
形成され、表面に増幅回路と圧電変換回路（図示しな
い）が形成された圧力センサチップ２は、ガラス台座３
と陽極接合され、感圧素子４が構成されている。この感
圧素子４は、リードフレーム３０のダイパッドにダイボ
ンド材１５で接着され、リードフレーム３０と共にパッ
ケージキャップ５ａ及びパッケージベース５ｂから構成
される圧力センサエレメント５に収容されている。圧力
センサエレメント５は、リードフレーム３０のアウター
リード３１により、厚膜基板８に実装されている。厚膜
基板８の裏面には厚膜調整抵抗６が形成されており、外
部リード７や図示しないフィルタコンデンサ等を備えて
いる。

【０００３】従来の半導体圧力センサは上述したように
構成され、外圧がパッケージキャップ５ａの開口部５ｃ
から圧力センサチップ２の表面に加わると、圧力センサ
チップ２に薄肉状に形成されたダイヤフラム１が歪み、
圧力センサチップ２上に形成された図示しないゲージ抵
抗がピエゾ抵抗効果により変化することで、ゲージ抵抗
で構成されるブリッジ回路により圧力に応じた出力信号
を発生する。発生した出力信号は、ワイヤ１３を介しア
ウターリード３１から外部回路に取り出される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述したような半導体
圧力センサでは、厚膜基板８への厚膜抵抗の形成やリー
ドフレーム３０を用いる圧力センサエレメント５を形成
する必要があり、部品点数が多く加工工数も多いという
問題点があった。また、厚膜調整抵抗６が不良となった
場合、厚膜基板８全体が不良となり、半導体圧力センサ
の歩留まりが低下するという問題点もあった。さらに、
厚膜調整抵抗６は面積を多く取るため、半導体圧力セン
サの小型化が困難であるという問題点もあった。この発
明は、このような問題点を解決するためになされたもの
で、小型で安価な半導体圧力センサを得ることを目的と
する。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明の請求項第１項
に係る発明は、ダイヤフラムが形成された圧力センサチ
ップ及びガラス台座が陽極接合された感圧素子と、この
感圧素子の出力調整用薄膜抵抗が半導体基板上に形成さ
れた出力調整用チップと、これら感圧素子及び出力調整
用チップを搭載するステムと、上記感圧素子及び出力調
整用チップを覆って上記ステムに装着されると共に導圧
穴を有するキャップと、上記感圧素子と上記出力調整用
チップとを電気的に接続するワイヤと、上記感圧素子と
外部回路とを電気的に接続するリードとを備えたもので
ある。

【０００６】この発明の請求項第２項に係る発明は、請
求項第１項における出力調整用チップに、他の半導体圧
力センサの出力調整用薄膜抵抗も形成したものである。

【０００７】この発明の請求項第３項に係る発明は、ダ
イヤフラムが形成された圧力センサチップ及び上記ダイ
ヤフラムに対応する位置に導圧穴が設けられたガラス台
座が陽極接合された感圧素子と、この感圧素子の出力調
整用薄膜抵抗が半導体基板上に形成された出力調整用チ
ップと、これら感圧素子及び出力調整用チップを搭載し
上記ガラス台座の導圧穴に対応する位置に導圧パイプが
設けられたステムと、上記感圧素子及び出力調整用チッ
プを覆って上記ステムに装着されるキャップと、上記感
圧素子と上記出力調整用チップとを電気的に接続するワ
イヤと、上記感圧素子と外部回路とを電気的に接続する
リードとを備えたものである。

【０００８】この発明の請求項第４項に係る発明は、ダ
イヤフラムが形成されると共に出力調整用薄膜抵抗及び
他の半導体圧力センサの出力調整用薄膜抵抗が形成され
た圧力センサチップ及び上記ダイヤフラムに対応する位
置に導圧穴が設けられたガラス台座が陽極接合された感
圧素子と、この感圧素子を搭載し上記ガラス台座の導圧
穴に対応する位置に導圧パイプが設けられたステムと、
上記感圧素子を覆って上記ステムに装着されるキャップ
と、上記感圧素子と外部回路とを電気的に接続するリー
ドと、上記感圧素子と上記リードとを電気的に接続する
ワイヤとを備えたものである。

【０００９】この発明の請求項第５項に係る発明は、ダ
イヤフラムが形成された圧力センサチップ及びこの圧力
センサチップの接合面より大きな表面を有するガラス台
座が陽極接合された感圧素子と、上記接合されていない
ガラス台座表面上に形成された上記感圧素子の出力調整
用薄膜抵抗と、上記感圧素子を搭載するステムと、上記
感圧素子を覆って上記ステムに装着されると共に導圧穴
を有するキャップと、上記感圧素子と外部回路とを電気
的に接続するリードと、上記感圧素子と上記リードとを
電気的に接続するワイヤとを備えたものである。

【００１０】この発明の請求項第６項に係る発明は、ダ
イヤフラムが形成された圧力センサチップ及びガラス台
座が陽極接合された感圧素子と、この感圧素子の出力調
整用薄膜抵抗が半導体基板上に形成された出力調整用チ
ップと、これら感圧素子及び出力調整用チップを搭載す
る絶縁基板と、上記感圧素子及び出力調整用チップを覆
って上記絶縁基板に装着されると共に導圧穴を有する樹
脂キャップと、上記感圧素子と上記出力調整用チップと
を電気的に接続するワイヤと、上記感圧素子と外部回路
とを電気的に接続するリードとを備えたものである。

【００１１】この発明の請求項第７項に係る発明は、ダ
イヤフラムが形成された圧力センサチップ及びガラス台
座が陽極接合された感圧素子と、この感圧素子を搭載す
る絶縁基板と、この絶縁基板上に形成された上記感圧素
子の出力調整用薄膜抵抗と、これら感圧素子及び出力調
整用薄膜抵抗を覆って上記絶縁基板に装着されると共に
導圧穴を有する樹脂キャップと、上記感圧素子と上記出
力調整用薄膜抵抗とを電気的に接続するワイヤと、上記
感圧素子と外部回路とを電気的に接続するリードとを備
えたものである。

【００１２】

【作用】この発明の請求項第１項においては、リードフ
レームを用いていないので、リードフレームを用いた圧
力センサエレメントを形成して実装する工程がなくなり
工程数が減少する。また、出力調整用の薄膜抵抗を使用
しているので、面積を多く取る厚膜抵抗より集積して抵
抗を形成できるため、半導体圧力センサの小型化を図る
ことができる。

【００１３】この発明の請求項第２項においては、出力
調整用チップに他の半導体圧力センサの出力調整用薄膜
抵抗も形成しているので、他の半導体圧力センサでは出
力調整用チップを設ける必要がなくなり、他の半導体圧
力センサを小型化することができると共に、半導体圧力
センサの実装面積を縮小できる。

【００１４】この発明の請求項第３項においては、裏面
受圧式の半導体圧力センサであり圧力媒体が出力調整用
薄膜抵抗等に接触しないので、汚れた圧力媒体の圧力で
あっても検出できる。

【００１５】この発明の請求項第４項においては、出力
調整用薄膜抵抗を圧力センサチップ上に形成しているの
で、半導体圧力センサ及び他の半導体圧力センサを共に
小型化できる。

【００１６】この発明の請求項第５項においては、出力
調整用チップを用いていないので、部品点数が減少し安
価で小型の半導体圧力センサが得られる。

【００１７】この発明の請求項第６項においては、金属
製のキャップより安価な樹脂製のキャップを用いている
ので、より安価で簡単に半導体圧力センサを作製でき
る。

【００１８】この発明の請求項第７項においては、出力
調整用薄膜抵抗を直接絶縁基板に形成しているので、出
力調整用チップ用の半導体基板を使用せず、さらに安価
な半導体圧力センサが得られる。

【００１９】

【実施例】

実施例１．図１は、この発明の実施例１による半導体圧
力センサを示す側断面図である。なお、各図中、同一符
号は同一又は相当部分を示している。図において、裏面
にダイヤフラム１が形成され、表面に増幅回路と圧電変
換回路（図示しない）が形成された圧力センサチップ２
は、ガラス台座３と陽極接合され、感圧素子４が構成さ
れている。この感圧素子４は、ダイボンド材１５により
ステム１６に固着されている。

【００２０】また、出力電圧調整用の薄膜抵抗１０は半
導体基板１１に形成され、出力調整用チップ１２が構成
されている。この出力調整用チップ１２は、ダイボンド
材１５によりステム１６に固着されている。感圧素子４
と出力調整用チップ１２とは、両者に形成された電極９
によリワイヤ１３を介して電気的に接続されている。こ
れらの感圧素子４や出力調整用チップ１２は、導圧穴１
８を有する金属製のキャップ１７により覆われステム１
６に装着されている。

【００２１】上述したように構成された半導体圧力セン
サにおいては、キャップ１７の開口部である導圧穴１８
から印加される圧力が圧力センサチップ２の表面に加わ
ると、圧力センサチップ２に薄肉状に形成されたダイヤ
フラム１が歪み、上述と同様に出力信号を発生し、リー
ド１４から外部回路に取り出される。この実施例による
半導体圧力センサは、リードフレームを用いていないの
で、リードフレームを用いた圧力センサエレメントを形
成して実装する工程がなくなり工程数が減少する。ま
た、薄膜抵抗１０を使用しているので、面積を多く取る
厚膜抵抗より集積して抵抗を形成できるため、半導体圧
力センサの小型化を図ることができる。

【００２２】実施例２．図２は、この発明の実施例２に
よる半導体圧力センサを示す側断面図である。実施例２
による半導体圧力センサは、実施例１に示した半導体圧
力センサを裏面受圧式にしたものである。すなわち、キ
ャップ１７には導圧穴が設けられておらずガラス台座３
に導圧穴１９が設けられており、ステム１６には導圧穴
１９に連通した導圧パイプ２０が設けられている。この
とき、ステム１６とキャップ１７で覆われる空間は、基
準圧力室となる。

【００２３】この実施例による半導体圧力センサは、薄
膜抵抗１０等に圧力媒体が接触しないので、汚れた圧力
媒体の圧力であっても検出することができる。また、リ
ードフレームを用いていないので、リードフレームを用
いた圧力センサエレメントを形成して実装する工程がな
くなり工程数が減少する。さらに、薄膜抵抗１０を使用
しているので、面積を多く取る厚膜抵抗より集積して抵
抗を形成できるため、半導体圧力センサの小型化を図る
ことができる。

【００２４】実施例３．図３は、この発明の実施例３に
よる半導体圧力センサを示す側断面図である。実施例３
による半導体圧力センサでは、出力調整用チップ１２を
設けず、薄膜抵抗１０を直接ガラス台座３に設けたもの
である。すなわち、ガラス台座３の表面は圧力センサチ
ップ２より大きく、圧力センサチップ２を接合していな
いガラス台座３上に薄膜抵抗１０が形成されている。こ
の実施例による半導体圧力センサは、出力調整用チップ
１２を用いていないので部品点数が減少し、安価な半導
体圧力センサが得られると共に、半導体圧力センサをよ
り小型にすることができる。

【００２５】実施例４．図４は、この発明の実施例４に
よる半導体圧力センサを示す側断面図である。実施例４
による半導体圧力センサでは、実施例１における感圧素
子４及び出力調整用チップ１２を絶縁基板２１上に設け
たものである。また、これらの感圧素子４及び出力調整
用チップ１２は、絶縁基板２１に接着樹脂２２によって
固着された樹脂キャップ１７ａにより覆われている。こ
の実施例による半導体圧力センサは、金属製のキャップ
１７より安価な樹脂製の樹脂キャップ１７ａを用いてい
るので、半導体圧力センサをより安価に作成できると共
に、簡単に作製することができる。

【００２６】実施例５．図５は、この発明の実施例５に
よる半導体圧力センサを示す側断面図である。実施例５
による半導体圧力センサでは、出力調整用チップ１２を
設けず、絶縁基板２１上に直接薄膜抵抗１０を形成した
ものである。この実施例による半導体圧力センサでは、
出力調整用チップ１２用の半導体基板を使用しないの
で、さらに安価に半導体圧力センサを作製することがで
きる。

【００２７】実施例６．図６は、この発明の実施例６に
よる半導体圧力センサを示す側断面図である。複数個の
半導体圧力センサを使用する場合、各半導体圧力センサ
毎に出力調整用チップ１２が必要となるが、実施例６に
おける半導体圧力センサでは、１つの半導体圧力センサ
（図６（ａ））の出力調整用チップ１２に他の半導体圧
力センサ（図６（ｂ））に対応する調整機能例えば増幅
回路を内蔵している。

【００２８】すなわち、第２以上の圧力センサエレメン
ト４０では出力調整用チップ１２を搭載する必要がなく
なり、圧力センサチップに圧電変換回路のみが形成され
ている。従って、複数個の半導体圧力センサを互いに近
い場所で使用する場合、出力調整用チップ１２を搭載し
ない半導体圧力センサを小型化することができ、半導体
圧力センサの実装面積を縮小することができる。

【００２９】実施例７．図７は、この発明の実施例７に
よる半導体圧力センサを示す側断面図である。実施例７
による半導体圧力センサでは、実施例６における図６
（ａ）に示した半導体圧力センサの出力調整用チップ１
２を設けず、薄膜抵抗１０を圧力センサチップ２上に形
成したものである（図７（ａ））。実施例６と同様に、
図７（ａ）及び図７（ｂ）の半導体圧力センサを共に小
型化することができ、安価で実装面積の小さい半導体圧
力センサが得られるものである。

【００３０】

【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の請求項
第１項は、ダイヤフラムが形成された圧力センサチップ
及びガラス台座が陽極接合された感圧素子と、この感圧
素子の出力調整用薄膜抵抗が半導体基板上に形成された
出力調整用チップと、これら感圧素子及び出力調整用チ
ップを搭載するステムと、上記感圧素子及び出力調整用
チップを覆って上記ステムに装着されると共に導圧穴を
有するキャップと、上記感圧素子と上記出力調整用チッ
プとを電気的に接続するワイヤと、上記感圧素子と外部
回路とを電気的に接続するリードとを備えたので、リー
ドフレームを用いた圧力センサエレメントを形成して実
装する工程がなくなり工程数を減少することができると
いう効果を奏する。また、出力調整用の薄膜抵抗を使用
しているので、面積を多く取る厚膜抵抗より集積して抵
抗を形成でき、半導体圧力センサの小型化を図ることが
できるという効果も奏する。

【００３１】この発明の請求項第２項は、請求項第１項
記載の半導体圧力センサにおける出力調整用チップに他
の半導体圧力センサの出力調整用薄膜抵抗も形成されて
いるので、他の半導体圧力センサを小型化することがで
き、半導体圧力センサの実装面積を縮小できるという効
果を奏する。

【００３２】この発明の請求項第３項は、ダイヤフラム
が形成された圧力センサチップ及び上記ダイヤフラムに
対応する位置に導圧穴が設けられたガラス台座が陽極接
合された感圧素子と、この感圧素子の出力調整用薄膜抵
抗が半導体基板上に形成された出力調整用チップと、こ
れら感圧素子及び出力調整用チップを搭載し上記ガラス
台座の導圧穴に対応する位置に導圧パイプが設けられた
ステムと、上記感圧素子及び出力調整用チップを覆って
上記ステムに装着されるキャップと、上記感圧素子と上
記出力調整用チップとを電気的に接続するワイヤと、上
記感圧素子と外部回路とを電気的に接続するリードとを
備えたので、圧力媒体が出力調整用薄膜抵抗等に接触す
ることなく汚れた圧力媒体の圧力も検出することができ
るという効果を奏する。

【００３３】この発明の請求項第４項は、ダイヤフラム
が形成されると共に出力調整用薄膜抵抗及び他の半導体
圧力センサの出力調整用薄膜抵抗が形成された圧力セン
サチップ及び上記ダイヤフラムに対応する位置に導圧穴
が設けられたガラス台座が陽極接合された感圧素子と、
この感圧素子を搭載し上記ガラス台座の導圧穴に対応す
る位置に導圧パイプが設けられたステムと、上記感圧素
子を覆って上記ステムに装着されるキャップと、上記感
圧素子と外部回路とを電気的に接続するリードと、上記
感圧素子と上記リードとを電気的に接続するワイヤとを
備えたので、半導体圧力センサ及び他の半導体圧力セン
サを共に小型化することができるという効果を奏する。

【００３４】この発明の請求項第５項は、ダイヤフラム
が形成された圧力センサチップ及びこの圧力センサチッ
プの接合面より大きな表面を有するガラス台座が陽極接
合された感圧素子と、上記接合されていないガラス台座
表面上に形成された上記感圧素子の出力調整用薄膜抵抗
と、上記感圧素子を搭載するステムと、上記感圧素子を
覆って上記ステムに装着されると共に導圧穴を有するキ
ャップと、上記感圧素子と外部回路とを電気的に接続す
るリードと、上記感圧素子と上記リードとを電気的に接
続するワイヤとを備えたので、出力調整用チップを用い
ていないので、部品点数が減少し安価で小型の半導体圧
力センサが得られるという効果を奏する。

【００３５】この発明の請求項第６項は、ダイヤフラム
が形成された圧力センサチップ及びガラス台座が陽極接
合された感圧素子と、この感圧素子の出力調整用薄膜抵
抗が半導体基板上に形成された出力調整用チップと、こ
れら感圧素子及び出力調整用チップを搭載する絶縁基板
と、上記感圧素子及び出力調整用チップを覆って上記絶
縁基板に装着されると共に導圧穴を有する樹脂キャップ
と、上記感圧素子と上記出力調整用チップとを電気的に
接続するワイヤと、上記感圧素子と外部回路とを電気的
に接続するリードとを備えたので、金属製のキャップよ
り安価な樹脂製のキャップを用いることにより、より安
価で簡単に半導体圧力センサを作製することができると
いう効果を奏する。

【００３６】この発明の請求項第７項は、ダイヤフラム
が形成された圧力センサチップ及びガラス台座が陽極接
合された感圧素子と、この感圧素子を搭載する絶縁基板
と、この絶縁基板上に形成された上記感圧素子の出力調
整用薄膜抵抗と、これら感圧素子及び出力調整用薄膜抵
抗を覆って上記絶縁基板に装着されると共に導圧穴を有
する樹脂キャップと、上記感圧素子と上記出力調整用薄
膜抵抗とを電気的に接続するワイヤと、上記感圧素子と
外部回路とを電気的に接続するリードとを備えたことの
で、出力調整用チップ用の半導体基板を使用せずにさら
に安価な半導体圧力センサが得られるという効果を奏す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施例１による半導体圧力センサ
を示す側断面図である。

【図２】 この発明の実施例２による半導体圧力センサ
を示す側断面図である。

【図３】 この発明の実施例３による半導体圧力センサ
を示す側断面図である。

【図４】 この発明の実施例４による半導体圧力センサ
を示す側断面図である。

【図５】 この発明の実施例５による半導体圧力センサ
を示す側断面図である。

【図６】 この発明の実施例６による半導体圧力センサ
を示す側断面図である。

【図７】 この発明の実施例７による半導体圧力センサ
を示す側断面図である。

【図８】 従来の半導体圧力センサを示す側断面図であ
る。

【符号の説明】

１ ダイヤフラム、２ 圧力センサチップ、３ ガラス
台座、４ 感圧素子、９ 電極、１０ 薄膜抵抗、１１
半導体基板、１２ 出力調整用チップ、１３ワイヤ、
１４ リード、１５ ダイボンド材、１６ ステム、１
７ キャップ、１７ａ 樹脂キャップ、１８、１９ 導
圧穴、２０ 導圧パイプ、２１ 絶縁基板、２２ 接着
樹脂、４０ 圧力センサエレメント。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ダイヤフラムが形成された圧力センサチ
   ップ及びガラス台座が陽極接合された感圧素子と、この
   感圧素子の出力調整用薄膜抵抗が半導体基板上に形成さ
   れた出力調整用チップと、これら感圧素子及び出力調整
   用チップを搭載するステムと、上記感圧素子及び出力調
   整用チップを覆って上記ステムに装着されると共に導圧
   穴を有するキャップと、上記感圧素子と上記出力調整用
   チップとを電気的に接続するワイヤと、上記感圧素子と
   外部回路とを電気的に接続するリードとを備えたことを
   特徴とする半導体圧力センサ。
2. 【請求項２】 出力調整用チップには、他の半導体圧力
   センサの出力調整用薄膜抵抗も形成されていることを特
   徴とする請求項第１項記載の半導体圧力センサ。
3. 【請求項３】 ダイヤフラムが形成された圧力センサチ
   ップ及び上記ダイヤフラムに対応する位置に導圧穴が設
   けられたガラス台座が陽極接合された感圧素子と、この
   感圧素子の出力調整用薄膜抵抗が半導体基板上に形成さ
   れた出力調整用チップと、これら感圧素子及び出力調整
   用チップを搭載し上記ガラス台座の導圧穴に対応する位
   置に導圧パイプが設けられたステムと、上記感圧素子及
   び出力調整用チップを覆って上記ステムに装着されるキ
   ャップと、上記感圧素子と上記出力調整用チップとを電
   気的に接続するワイヤと、上記感圧素子と外部回路とを
   電気的に接続するリードとを備えたことを特徴とする半
   導体圧力センサ。
4. 【請求項４】 ダイヤフラムが形成されると共に出力調
   整用薄膜抵抗及び他の半導体圧力センサの出力調整用薄
   膜抵抗が形成された圧力センサチップ及び上記ダイヤフ
   ラムに対応する位置に導圧穴が設けられたガラス台座が
   陽極接合された感圧素子と、この感圧素子を搭載し上記
   ガラス台座の導圧穴に対応する位置に導圧パイプが設け
   られたステムと、上記感圧素子を覆って上記ステムに装
   着されるキャップと、上記感圧素子と外部回路とを電気
   的に接続するリードと、上記感圧素子と上記リードとを
   電気的に接続するワイヤとを備えたことを特徴とする半
   導体圧力センサ。
5. 【請求項５】 ダイヤフラムが形成された圧力センサチ
   ップ及びこの圧力センサチップの接合面より大きな表面
   を有するガラス台座が陽極接合された感圧素子と、上記
   圧力センサチップが接合されていないガラス台座表面上
   に形成された上記感圧素子の出力調整用薄膜抵抗と、上
   記感圧素子を搭載するステムと、上記感圧素子を覆って
   上記ステムに装着されると共に導圧穴を有するキャップ
   と、上記感圧素子と外部回路とを電気的に接続するリー
   ドと、上記感圧素子と上記リードとを電気的に接続する
   ワイヤとを備えたことを特徴とする半導体圧力センサ。
6. 【請求項６】 ダイヤフラムが形成された圧力センサチ
   ップ及びガラス台座が陽極接合された感圧素子と、この
   感圧素子の出力調整用薄膜抵抗が半導体基板上に形成さ
   れた出力調整用チップと、これら感圧素子及び出力調整
   用チップを搭載する絶縁基板と、上記感圧素子及び出力
   調整用チップを覆って上記絶縁基板に装着されると共に
   導圧穴を有する樹脂キャップと、上記感圧素子と上記出
   力調整用チップとを電気的に接続するワイヤと、上記感
   圧素子と外部回路とを電気的に接続するリードとを備え
   たことを特徴とする半導体圧力センサ。
7. 【請求項７】 ダイヤフラムが形成された圧力センサチ
   ップ及びガラス台座が陽極接合された感圧素子と、この
   感圧素子を搭載する絶縁基板と、この絶縁基板上に形成
   された上記感圧素子の出力調整用薄膜抵抗と、これら感
   圧素子及び出力調整用薄膜抵抗を覆って上記絶縁基板に
   装着されると共に導圧穴を有する樹脂キャップと、上記
   感圧素子と上記出力調整用薄膜抵抗とを電気的に接続す
   るワイヤと、上記感圧素子と外部回路とを電気的に接続
   するリードとを備えたことを特徴とする半導体圧力セン
   サ。