JP2625860B2 - 半導体センサ - Google Patents

半導体センサ

Info

Publication number
JP2625860B2
JP2625860B2 JP9526788A JP9526788A JP2625860B2 JP 2625860 B2 JP2625860 B2 JP 2625860B2 JP 9526788 A JP9526788 A JP 9526788A JP 9526788 A JP9526788 A JP 9526788A JP 2625860 B2 JP2625860 B2 JP 2625860B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor
adjustment
trim
sensor element
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP9526788A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH01265119A (ja
Inventor
治 伊奈
巌 横森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP9526788A priority Critical patent/JP2625860B2/ja
Publication of JPH01265119A publication Critical patent/JPH01265119A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2625860B2 publication Critical patent/JP2625860B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、センサ部とアンプ部とを一体として小型化
して半導体センサに係り、詳しくは高精度調整トリムを
可能にした半導体センサに関する。
[従来の技術] 半導体センサは、一般には、歪ゲージ、熱電対等の物
理量を検出して電気信号に変換するセンサ部と、変換さ
れた電気信号をセンサ部から受け取り、感度調整、ドリ
フト調整等の各種調整、増幅を行なうアンプ部とによっ
て主要部が構成されている。そして、計測時には必要に
応じて、アンプ部で調整・増幅された電気信号は信号処
理装置、表示装置、収録装置等に送られ処理される。
半導体センサは以前には、ほとんどセンサ部とアンプ
部とが分離している分離型であったが、最近ではセンサ
部とアンプ部とが一体化されている一体型半導体センサ
が使用されつつある。この一体型半導体センサは第5図
に示すように、センサ部6とアンプ部7とが集積された
ICセンサ素子3と、入出力の計測用リード131を有する
ケース9とから構成されている。このICセンサ素子3と
計測用リード131とはボンディングワイヤ4を介して接
続されている。調整トリムは、このICセンサ素子3に包
含されている調整抵抗33をトリミングすることで行なわ
れる。ICセンサ素子3上に複数個ある電極8に調整トリ
ム用測定器のプローブが接続され、使用時と同様な通電
状態で各電極の電圧等が測定される。そして、各電極の
測定値が所定の値になるように、レーザトリミング装置
を用いてトリミングが行なわれる。このような通電しな
がら行なう調整トリムは、半導体センサの正確な動作を
保障する上で重要な役割を担っている。
[発明が解決しようとする課題] しかし、上述の半導体センサでは、調整トリム時にお
いて、調整トリム用測定器のプローブは直接ICセンサ素
子上にある電極に接続されるため、このプローブがICセ
ンサ素子表面を圧迫し、その針圧により応力が該素子表
面に歪を発生させる。ICセンサ素子に包含されているセ
ンサ部はこの歪によって影響を受け、本来の調整とは無
関係に大きく抵抗値が変動してしまう。このことが調整
トリムの高精度化を阻害する大きな原因となっている。
本発明が解決しようとする課題は高精度の調整トリム
を実現するために、調整トリム時において調整に悪影響
を与える抵抗変動を防止することである。
[課題を解決するための手段] 本発明にかかる半導体センサは、上述の課題解決の手
段として、センサ部と調整抵抗回路を包含してなるアン
プ部とを同一チップ上に集積化して形成したICセンサ素
子と、調整トリム用測定端子を計測用端子とともに該IC
センサ素子とは別体として設けるという構成を備えてい
る。
[作用] 本発明にかかる半導体センサは、調整トリム用測定端
子を計測用端子とともにICセンサ素子と別体として備え
ているため、調整トリム時において測定用プローブを調
整トリム用測定端子に接続することで直接チップに接続
する必要がなくなる。このため、測定用プローブのICセ
ンサ素子への接続によって生ずる圧着歪を回避でき、調
整トリム時における調整に悪影響を与える抵抗変動を防
止できる。
[実施例1] 以下に本発明にかかる実施例1を説明する。
本発明の実施例1にかかる半導体圧力センサの概略構
成を第1図、第2図に示す。ここで第1図はその断面
図、第1図はそのギャップを外した状態の平面図であ
る。本実施例1に示す半導体センサは圧力センサであ
り、ケース1、台座2、ICセンサ素子3、ボンディング
ワイヤ4、キャップ5から構成されている。ケース1
は、さらにアイレット11の中央部貫通口に圧力導入パイ
プ12が取付けられ、該アイレット11の周辺部にはリード
13が該アイレット11を貫通して取付けられている。該リ
ード13は計測用リード131と調整トリム用測定リード132
から成っている。該アイレット11と該リード13との間隙
は封着ガラス14で封着されている。ICセンサ素子3は第
3図にその模式図で示すように、シリコンダイヤフラム
31と増幅回路32及び調整抵抗33を集積し形成したもの
で、接続用のボンディングパッド34を有している。調整
抵抗33はSi−Cr等から成る薄膜抵抗体である。台座2は
ICセンサ素子3とほぼ同じ線膨張率を有し、該ICセンサ
素子3と気密接合に対し、陽極接合技術が適用可能なパ
イレックスガラス(#7740)(商品名)から成ってお
り、前記ケース1と該ICセンサ素子3との線膨張率の差
から生じる熱応力を吸収緩和している。リード13はICセ
ンサ素子3上の各ボンディングパッド34とをボンディン
グワイヤ4で接続されている。本実施例1では通常の入
力用、出力用、グランド用の3本の計測用リード131以
外に5本の調整トリム用測定リード132が設けられて、
リード13は合計8本になっている。
本実施例1における調整トリムは、使用時と同様に計
測用リード131に対し必要な電圧を印加し、圧力導入口
から基準となる圧力を加え、その時の各ポイントに対応
して接続された調整トリム用測定リード132の電圧値を
測定する。そして、所定の電圧になるようにレーザトリ
ミング装置を用いて調整抵抗をトリミングしながら抵抗
値を調整する。調整トリム時においてもICセンサ素子に
対しては直接、測定用プローブを接続しないため、測定
によって生ずる抵抗変動が回避でき、高精度のトリミン
グが可能となる。また該調整トリミング用測定リード13
2は必要に応じて調整トリム完了後に、1本の調整トリ
ム用測定リード132に対し複数のボンディングワイヤ4
を接続することで、回路を短絡させる中継点としても使
用することができる。
[実施例2] 本発明の実施例2は第4図に示すように、実施例1と
同様に構成されているが、調整トリム用測定リード132
はケース1のアイレット11上の所定位置に封着ガラス14
によって絶縁固着されている。本実施例2においてはセ
ンサ外部に該調整トリム用測定リード132が露出してい
ない構造になっている点が実施例1と異なる。調整トリ
ムの際には、調整トリム用測定リード132がセンサ外部
に露出していないため、測定用プローブは該調整トリム
用測定リード132のアイレット11との封着部寄りの部分
にボンディングワイヤ4が接続されている場所を避けて
接続される。
本実施例2は、調整トリム完了後はほとんど使用され
ない調整トリム用測定リード132をセンサ外部に露出し
ないようにすることで、外部からの雑音に対する耐雑音
性を向上させた構造になっている。
[発明の効果] 以上の説明から明らかなように、本発明にかかる半導
体はセンサ部とアンプ部を1チップ上に一体として集積
し、新たに調整トリム用測定端子を計測用端子とともに
ICセンサ素子とは別構造として設けたものであるから、
高精度の調整トリムが実現されることで半導体センサの
飛躍的な小型化、部品数削減が可能になり、低コスト化
に大きく貢献できる。
なお、本発明の実施例では半導体センサが圧力センサ
の場合であるが、本発明の効果は半導体圧力センサに限
定されるものでなく、センサ部とアンプ部が同一チップ
上に形成され得る半導体センサであるならば、他の種類
の半導体センサに対しても、本実施例と同様な発明の効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例1にかかる半導体圧力センサの
構成断面図、第2図はそのキャップを外した状態での平
面図である。第3図は実施例1で用いているICセンサ素
子の構成模式図、第4図は本発明の実施例2にかかる半
導体圧力センサの構成断面図、第5図は従来の半導体セ
ンサの概略構成図である。 1……ケース、2……台座、3……ICセンサ素子、4…
…ボンディングワイヤ、5……キャップ、11……アイレ
ット、12……圧力導入パイプ、13……リード、14……封
着ガラス、31……シリコンダイヤフラム、32……増幅回
路、33……調整抵抗、34……ボンディングパッド、131
……計測用リード、132……調整トリム用測定リード

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】センサ部と、調整抵抗回路を包含して成る
    アンプ部とを、同一チップ上に集積化して形成したICセ
    ンサ素子と、 該ICセンサ素子と別体として構成され、該ICセンサ素子
    と電気的に接続された調整トリム用測定端子を計測用端
    子とともに有する信号取出部と、 を備えて成る半導体センサ。
JP9526788A 1988-04-18 1988-04-18 半導体センサ Expired - Fee Related JP2625860B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9526788A JP2625860B2 (ja) 1988-04-18 1988-04-18 半導体センサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9526788A JP2625860B2 (ja) 1988-04-18 1988-04-18 半導体センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01265119A JPH01265119A (ja) 1989-10-23
JP2625860B2 true JP2625860B2 (ja) 1997-07-02

Family

ID=14132991

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9526788A Expired - Fee Related JP2625860B2 (ja) 1988-04-18 1988-04-18 半導体センサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2625860B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002310827A (ja) * 2001-04-11 2002-10-23 Denso Corp 圧力センサ

Also Published As

Publication number Publication date
JPH01265119A (ja) 1989-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101408578B1 (ko) 반도체 압력 센서, 압력 센서 장치, 전자 기기 및 반도체 압력 센서의 제조 방법
US4333349A (en) Binary balancing apparatus for semiconductor transducer structures
KR100741520B1 (ko) 다이어프램을 갖는 반도체 압력 센서
JPS6356935B2 (ja)
JPH0546488B2 (ja)
JPH07103837A (ja) 物理量検出センサ
EP0545319A2 (en) Semiconductor pressure sensor having double diaphragm structure
EP0266681B1 (en) Method of adjusting bridge circuit of semiconductor pressure sensor
JP3662018B2 (ja) 内燃機関の燃焼室内の圧力を検出するための圧力センサ
JPH10170370A (ja) 圧力センサ
US5279164A (en) Semiconductor pressure sensor with improved temperature compensation
JP3941193B2 (ja) 圧力センサ装置
JP2625860B2 (ja) 半導体センサ
JPH09162661A (ja) 増幅回路
US4400682A (en) Pressure sensor
JPH0814517B2 (ja) 半導体圧力センサ
JPH0542613B2 (ja)
JPH0846218A (ja) 半導体圧力検出装置
JPH1096743A (ja) 半導体センサ及びその製造方法
JP2715738B2 (ja) 半導体応力検出装置
JPH02196938A (ja) 圧力センサ
JP2864700B2 (ja) 半導体圧力センサ及びその製造方法
JPH0534182A (ja) 歪・温度複合センサ
JPH0830716B2 (ja) 半導体加速度検出装置
CA1307939C (en) Method of adjusting bridge circuit of semiconductor

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees