JPH08192149A - 光分解用触媒を用いた硝酸イオンの除去方法 - Google Patents

光分解用触媒を用いた硝酸イオンの除去方法

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JPH08192149A
JPH08192149A JP7022171A JP2217195A JPH08192149A JP H08192149 A JPH08192149 A JP H08192149A JP 7022171 A JP7022171 A JP 7022171A JP 2217195 A JP2217195 A JP 2217195A JP H08192149 A JPH08192149 A JP H08192149A
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JP
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nitrate ions
aqueous solution
layered compound
compound
light
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JP7022171A
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Tsugio Sato
次雄 佐藤
Akitsugu Okuwaki
昭嗣 奥脇
Kiyohide Yoshida
清英 吉田
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Riken Corp
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B28/00Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements
    • C04B28/14Compositions of mortars, concrete or artificial stone, containing inorganic binders or the reaction product of an inorganic and an organic binder, e.g. polycarboxylate cements containing calcium sulfate cements
    • C04B28/145Calcium sulfate hemi-hydrate with a specific crystal form
    • C04B28/147Calcium sulfate hemi-hydrate with a specific crystal form beta-hemihydrate

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 光分解用触媒を用いて太陽光で効率よく硝酸
イオンを除去することのできる方法を提供する。 【構成】 光により励起される半導体を陽イオン交換性
層状化合物又は陰イオン交換性層状化合物に包接してな
る光分解用触媒を硝酸イオン含有水溶液に添加し、前記
水溶液に光を照射することによって、前記水溶液中の硝
酸イオンを除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、硝酸イオンの光分解用
触媒を用いた硝酸イオンの除去方法に関し、特に太陽光
によって効率良く硝酸イオンを除去する方法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
都市人工の増加に伴い、硝酸イオン(NO3 - )による
自然水の汚染が深刻化している。現在、様々な硝酸イオ
ン除去法が検討されているが、化学的あるいは電気化学
的な試みは極めて少ない。これは硝酸イオンが中性及び
アルカリ性溶液中では、化学的、電気的に不活性である
ことに起因する。また従来の化学的あるいは電気化学的
除去方法では、処理コストが非常に高い。
【0003】本発明者らは、特願平5-259121号で太陽光
などの可視光を利用して水を酸素と水素ガスに分解でき
る触媒を提案した。このように、光分解触媒を用いて太
陽光により、硝酸イオンを除去できれば、低いコストで
硝酸イオンを除去できる。
【0004】したがって、本発明の目的は、光分解用触
媒を用いて太陽光で効率よく硝酸イオンを除去すること
のできる方法を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題に鑑み鋭意研究
の結果、本発明者は、太陽光によって励起される半導体
を、陽イオン交換性層状化合物又は陰イオン交換性層状
化合物に包接した光分解用触媒として利用すれば、アル
カリ化合物又はアルコール等の水溶液中で、太陽光によ
って効率よく硝酸イオンを除去することができることを
発見し、本発明を完成した。
【0006】すなわち、本発明の硝酸イオンの除去方法
は、光により励起される半導体を陽イオン交換性層状化
合物又は陰イオン交換性層状化合物に包接してなる光分
解用触媒を硝酸イオン含有水溶液に添加し、前記水溶液
に光を照射することによって、前記水溶液中の硝酸イオ
ンを除去することを特徴とする。
【0007】以下、本発明を詳細に説明する。〔1〕光分解用触媒の構成 本発明で用いる光分解用触媒は、太陽光により励起され
る半導体(a) を陽イオン交換性層状化合物(b) 又は陰イ
オン交換性層状化合物(c) に包接してなる。
【0008】(a) 半導体 半導体は、太陽光により励起されるものであり、具体的
にはCd1-X ZnX S(ただし、0≦X≦1.0 であ
る。)で表される。X=0の場合はCdSであり、X=
1の場合はZnSである。好ましいXの範囲は、0.05〜
0.3 である。
【0009】上記半導体は、太陽光で効率良く水を分解
するが、水溶液に溶解しやすく安定性が低いため、以下
説明するイオン交換性層状化合物の層間に包接する。
【0010】(b) 陽イオン交換性層状化合物 陽イオン交換性層状化合物は、層状の格子間に有する陽
イオンを、化合物の外部の陽イオンと交換できればいか
なるものでもよいが、具体的にはH2 Ti4 9 、H4
Nb6 17、HBiNb2 7 、H2 La2 Ti3 10
及びHNb38 等が好ましく、特にH2 Ti4 9
及びH4 Nb6 17が好ましい。
【0011】上記陽イオン交換性層状化合物は、K2
4 9 、K4 Nb6 17、KBiNb2 7 、K2
2 Ti3 10 及びKNb3 8 の粉末を0.1 〜10N
の塩酸等の水溶液中に1〜24時間分散させ、層間のK+
をH+ にイオン交換することにより得られる。
【0012】(c) 陰イオン交換性層状化合物 陰イオン交換性層状化合物は、層状の格子間に有する陰
イオンを、化合物の外部の陰イオンと交換できればいか
なるものでもよいが、具体的には層状複水酸化物である
[M(II)1-Y M(III) Y (OH)2 ](CO3
Y/2 (ただし、M(II)は、Mg2+、Zn2+、Cu2+、N
2+及びCo2+からなる群から選ばれた1種の金属であ
り、M(III) は、Al3+、Cr3+及びFe3+からなる群
から選ばれた1種の金属であり、0.17≦Y≦0.33であ
る。)が好ましい。Yが0.17未満では、Mg(OH)2
やMgCO3 が混入し、0.33を超えるとAl(OH)3
が混入する。
【0013】〔2〕光分解用触媒の製造方法 光分解用触媒は、以上説明した半導体を、(1) 陽イオン
交換性層状化合物に包接させるか、または(2) 陰イオン
交換性層状化合物に包接させてなるが、その具体的な製
造方法をそれぞれについて説明する。
【0014】(1) 陽イオン交換性層状化合物への包接2 Ti4 9 、K4 Nb6 17、KBiNb2 7
2 La2 Ti3 10及びKNb3 8 等の層状化合物
を塩酸等の水溶液中に分散させて得られたH2Ti4
9 、H4 Nb6 17、HBiNb2 7 、H2 La2
3 10 及びHNb3 8 等の陽イオン交換性層状化
合物を、n−ヘキサン等の有機溶媒又は水に分散させ
る。次いでn−C8 17NH2 やn−C3 7 NH2
のアルキルアミンを添加し、室温以上かつn−ヘキサン
等の有機溶媒又は水の沸点未満の温度下で1時間〜1週
間反応させ、層間のH+ をアルキルアンモニウムイオン
とイオン交換する。なお、アルキルアミンがn−C3
7 NH2 等水溶性のものである場合、溶媒に水を用い、
アルキルアミンがn−C8 17NH2 等水に不溶である
場合、溶媒にn−ヘキサン等の有機溶媒を用いる。
【0015】得られた化合物を、Cd2+及び/又はZn
2+の塩(酢酸塩等)の水溶液に懸濁し、室温以上かつ水
溶液の沸点(約100 ℃)未満の温度下で1時間〜1週間
反応させ、層間のアルキルアンモニウムイオンと、Cd
2+及び/又はZn2+とをイオン交換する。その化合物を
乾燥させることなく0〜60℃程度の温度下で、0.5 〜2
時間H2 Sと反応させ、層間のCd2+及び/又はZn2+
をCd1-X ZnX S(ただし、0≦X≦1.0 である。)
とする。なお、Xの値は水溶液中のCd2+とZn2+の組
成比を変えることにより調整することができる。
【0016】陽イオン交換性層状化合物に包接する半導
体の比率としては、陽イオン交換性層状化合物を100 重
量部としたとき、1〜50重量部が好ましく、特に10〜20
重量部が好ましい。
【0017】(2) 陰イオン交換性層状化合物への包接 [M(II)1-Y M(III) Y (OH)2 ](CO3
Y/2 (ただし、M(II)は、Mg2+、Zn2+、Cu2+、N
2+及びCo2+からなる群から選ばれた1種の金属であ
り、M(III) は、Al3+、Cr3+及びFe3+からなる群
から選ばれた1種の金属であり、0.17≦Y≦0.33であ
る。)等の層状複水酸化物を、450 〜800 ℃で0.1 〜1
時間仮焼し、岩塩構造型酸化物とする。
【0018】得られた酸化物を、Cd2+及び/又はZn
2+を含むキレート化剤(EDTA等)の水溶液に懸濁
し、約60℃で1〜24時間撹拌して層間にCd(EDT
A)2-及び/又はZn(EDTA)2-をインターカレー
トした層状複水酸化物とする。その化合物を0.5 〜2時
間H2 Sガスと反応させるか、または0.5 〜2時間硫化
アルカリ(Na2 S等)の水溶液と反応させ、層間のC
d(EDTA)2-及び/又はZn(EDTA)2-をCd
1-X ZnX S(ただし、0≦X≦1.0 である。)とす
る。なお、Xの値は上記水溶液中のCd2+とZn2+の組
成比を変えることにより調整することができる。
【0019】陰イオン交換性層状化合物に包接する半導
体の比率としては、陰イオン交換性層状化合物を100 重
量部としたとき、5〜50重量部が好ましく、特に10〜30
重量部が好ましい。
【0020】以上は本発明で用いる光触媒及びその製造
方法について述べたが、さらに詳細な内容は特願平5-25
9121号の記載に従う。
【0021】〔3〕硝酸イオンの除去方法 上記光分解用触媒を用いた本発明の硝酸イオンの除去方
法を以下説明する。硝酸イオンを除去するために、水溶
液がアルコール及び/又は還元性化合物を含有するのが
好ましく、またそれらの混合水溶液を使用してもよい。
アルコールとしては、2−アミノエタノール、メタノー
ル、エタノール等が好ましく、それらを混合したもので
あってもよい。濃度は0.1 〜1mol/リットルが好まし
い。還元性化合物としては、Na2 S、Na2 SO3
びNa2 2 3 等のアルカリ化合物が好ましく、それ
らの混合物であってもよい。濃度は0.1 〜1mol/リット
ルが好ましい。
【0022】上記水溶液に光分解用触媒を添加する。光
分解用触媒の添加量は、0.5 〜5mg/cm3 が好ましく、
特に1〜3mg/cm3 が好ましい。このように光分解用触
媒を添加した水溶液に光を照射することによって水が分
解し、水素が発生するとともに、硝酸イオンが除去され
る。照射する光の波長は550 nm以下が好ましい。太陽光
の波長は350 〜2000nm程度であるため、本発明では太陽
光を照射してもよい。また、水溶液の温度は25〜60℃が
好ましい。
【0023】
【作用】上述したように、反応機構が完全に判明してい
ないが、本発明の硝酸イオン分解方法は、太陽光によっ
て励起される半導体を陽イオン交換性層状化合物又は陰
イオン交換性層状化合物に包接してなる光分解用触媒を
用い、アルコールの存在下で、水溶液中の硝酸イオンを
分解する。
【0024】
【実施例】本発明を以下の具体的実施例によりさらに詳
細に説明する。実施例1〜2 固相法により調製したK2 Ti4 9 の粉末を50℃、1
Nの塩酸水溶液中に50℃、1時間分散させ、陽イオン
交換性層状化合物H2 Ti4 9 を得た。これをn−ヘ
キサン中に分散させ、イオン交換量でH2 Ti4 9
5倍の量のn−C8 17NH2 を添加し、50℃で3日間
反応させ、層間のH+ をオクチルアンモニウムイオンと
イオン交換した。
【0025】得られた化合物をCd(CH3 COO)2
水溶液(イオン交換すべき量の20倍のCd2+を含有)に
懸濁し、50℃で3日間反応させて層間のオクチルアンモ
ニウムイオンと、Cd2+とをイオン交換した。得られた
化合物を乾燥させることなく25℃で1時間H2 Sと反応
させ、CdSを層間に包接した光分解用触媒H2 Ti 4
9 /CdSを得た。
【0026】得られた光分解用触媒H2 Ti4 9 /C
dS0.5gを、それぞれ5重量%のメタノール(実施
例1)及び5重量%のエタノール(実施例2)のNaO
H(濃度1mM)水溶液に400 cm3 に添加し、波長が40
0 nm以上の100 W高圧水銀ランプの光を照射した。水溶
液中の硝酸イオンの初期濃度は1mMである。このとき
の硝酸イオン残留率をそれぞれ図1に示す。
【0027】比較例1 バルクのCdS0.5gを、実施例1と同じ水溶液(60
℃)400 cm3 に添加し、実施例1と同様にして光を照射
した。このときの硝酸イオン残留率を図1に示す。
【0028】図1から明らかなように、H2 Ti4 9
の層間にCdSを包接した光分解用触媒を用いた実施例
では、硝酸イオンの光分解が起こるが、バルクCdSを
用いた比較例では、硝酸イオンの光分解が全く進行しな
かった。従って、光触媒とアルコール類と共存させる
と、可視光照射による光触媒反応により硝酸イオンを除
去できることがわかった。なお、光触媒による水の分解
が同時に進行し、水素の生成が確認された。
【0029】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の硝酸イオ
ンの除去方法は、太陽光によって励起される半導体を、
陽イオン交換性層状化合物又は陰イオン交換性層状化合
物に包接してなる光分解用触媒を用い、太陽光によって
効率よく硝酸イオンを光分解することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1、2及び比較例1における反応時間と
硝酸イオンの残留率の関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C02F 1/70 CDK Z

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光により励起される半導体を陽イオン交
    換性層状化合物又は陰イオン交換性層状化合物に包接し
    てなる光分解用触媒を硝酸イオン含有水溶液に添加し、
    前記水溶液に光を照射することによって、前記水溶液中
    の硝酸イオンを除去することを特徴とする方法。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の硝酸イオンの除去方法
    において、前記水溶液がアルコールを含有し、前記半導
    体がCd1-X ZnX S(ただし、0≦X≦1.0 であ
    る。)からなり、前記陽イオン交換性層状化合物が、H
    2 Ti4 9 、H4 Nb6 17、HBiNb2 7 、H
    2 La2 Ti3 10及びHNb3 8 からなる群から選
    ばれた少なくとも1種の化合物からなり、前記陰イオン
    交換性層状化合物が、[M(II)1-Y M(III) Y (OH)
    2 ](CO3 Y/2 (ただし、M(II)は、Mg2+、Zn
    2+、Cu2+、Ni2+及びCo2+からなる群から選ばれた
    少なくとも1種の金属であり、M(III) は、Al3+、C
    3+及びFe3+からなる群から選ばれた少なくとも1種
    の金属であり、0.17≦Y≦0.33である。)からなること
    を特徴とする方法。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載の硝酸イオンの除去方法
    において、前記アルコールが、2−アミノエタノール、
    メタノール及びエタノールからなる群から選ばれた少な
    くとも1種のアルコールからなることを特徴とする方
    法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011027864A1 (ja) 2009-09-04 2011-03-10 国立大学法人北海道大学 光還元触媒並びにそれを用いたアンモニアの合成方法および水中の窒素酸化物低減方法
JP2011224430A (ja) * 2010-04-15 2011-11-10 Toshiba Corp イオン交換体、その製造方法、浄化装置及び浄化方法

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