JPH0788380A - 水の光分解用触媒及びそれを用いた水素の製造方法 - Google Patents

水の光分解用触媒及びそれを用いた水素の製造方法

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JPH0788380A
JPH0788380A JP5259121A JP25912193A JPH0788380A JP H0788380 A JPH0788380 A JP H0788380A JP 5259121 A JP5259121 A JP 5259121A JP 25912193 A JP25912193 A JP 25912193A JP H0788380 A JPH0788380 A JP H0788380A
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compound
catalyst
layered compound
aqueous solution
anion
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JP5259121A
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Akitsugu Okuwaki
昭嗣 奥脇
Tsugio Sato
次雄 佐藤
Toshiaki Yoshioka
敏明 吉岡
Katsuhiko Masaki
克彦 正木
Kiyohide Yoshida
清英 吉田
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 水溶液中で安定に働き、しかも太陽光で効率
よく水素を製造することのできる水の光分解用触媒、及
びそれを用いた水素製造方法を提供する。 【構成】 太陽光により励起される半導体を陽イオン交
換性層状化合物又は陰イオン交換性層状化合物に包接し
てなる水の光分解用触媒である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、水の光分解用触媒及び
それを用いた水素の製造方法に関し、特に太陽光によっ
て効率良く水を光分解する触媒及びそれを用いた水素の
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
半導体を電極として用い、水を光分解することにより水
素を製造する方法が見出され、光エネルギーを化学エネ
ルギーに変換する方法が提案されている。このように、
水を水素と酸素に光分解することのできる半導体の代表
的なものとして、TiO2 及びSrTiO3 等が知られ
ている。
【0003】しかしながら、それらの半導体はいずれも
3eV以上の大きいバンドギャップを有するため、太陽
光はほとんど利用できないという問題がある。太陽エネ
ルギーの利用効率の向上のためには、3eV未満のバン
ドギャップを有する半導体が望まれるが、一般的にバン
ドギャップの小さい半導体は触媒活性が小さく、また溶
液中で溶解しやすいため、化学的な安定性に劣るという
欠点がある。
【0004】したがって、本発明の目的は、水溶液中で
安定に働き、しかも太陽光で効率よく水素を製造するこ
とのできる水の光分解用触媒、及びそれを用いた水素製
造方法を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題に鑑み鋭意研究
の結果、本発明者は、太陽光によって励起される半導体
を、陽イオン交換性層状化合物又は陰イオン交換性層状
化合物に包接したものを水の光分解用触媒として利用す
れば、アルカリ化合物又はアルコール等の水溶液中で安
定であるとともに、太陽光によって効率よく水を光分解
し、水素を製造することができることを発見し、本発明
を完成した。
【0006】すなわち、本発明の水の光分解用触媒は、
太陽光により励起される半導体を陽イオン交換性層状化
合物又は陰イオン交換性層状化合物に包接してなること
を特徴とする。
【0007】また、本発明の水素製造方法は、太陽光に
より励起される半導体を陽イオン交換性層状化合物又は
陰イオン交換性層状化合物に包接してなる光分解用触媒
を水溶液に添加し、前記水溶液に光を照射することによ
って分解し、もって水素を製造することを特徴とする。
【0008】以下、本発明を詳細に説明する。〔1〕光分解用触媒の構成 本発明の光分解用触媒は、太陽光により励起される半導
体(a) を陽イオン交換性層状化合物(b) 又は陰イオン交
換性層状化合物(c) に包接してなる。
【0009】(a) 半導体 半導体は、太陽光により励起されるものであり、具体的
にはCd1-X ZnX S(ただし、0≦X≦1.0 であ
る。)で表される。X=0の場合はCdSであり、X=
1の場合はZnSである。好ましいXの範囲は、0.05〜
0.3 である。
【0010】上記半導体は、太陽光で効率良く水を分解
するが、水溶液に溶解しやすく安定性が低いため、以下
説明するイオン交換性層状化合物の層間に包接する。
【0011】(b) 陽イオン交換性層状化合物 陽イオン交換性層状化合物は、層状の格子間に有する陽
イオンを、化合物の外部の陽イオンと交換できればいか
なるものでもよいが、具体的にはH2 Ti4 9 、H4
Nb6 17、HBiNb2 7 、H2 La2 Ti3 10
及びHNb38 等が好ましく、特にH2 Ti4 9
及びH4 Nb6 17が好ましい。
【0012】上記陽イオン交換性層状化合物は、K2
4 9 、K4 Nb6 17、KBiNb2 7 、K2
2 Ti3 10 及びKNb3 8 の粉末を0.1 〜10N
の塩酸等の水溶液中に1〜24時間分散させ、層間のK+
をH+ にイオン交換することにより得られる。
【0013】(c) 陰イオン交換性層状化合物 陰イオン交換性層状化合物は、層状の格子間に有する陰
イオンを、化合物の外部の陰イオンと交換できればいか
なるものでもよいが、具体的には層状複水酸化物である
[M(II)1-Y M(III) Y (OH)2 ](CO3
Y/2 (ただし、M(II)は、Mg2+、Zn2+、Cu2+、N
2+及びCo2+からなる群から選ばれた1種の金属であ
り、M(III) は、Al3+、Cr3+及びFe3+からなる群
から選ばれた1種の金属であり、0.17≦Y≦0.33であ
る。)が好ましい。Yが0.17未満では、Mg(OH)2
やMgCO3 が混入し、0.33を超えるとAl(OH)3
が混入する。
【0014】〔2〕光分解用触媒の製造方法 本発明の光分解用触媒は、以上説明した半導体を、(1)
陽イオン交換性層状化合物に包接させるか、または(2)
陰イオン交換性層状化合物に包接させてなるが、その具
体的な製造方法をそれぞれについて説明する。
【0015】(1) 陽イオン交換性層状化合物への包接2 Ti4 9 、K4 Nb6 17、KBiNb2 7
2 La2 Ti3 10及びKNb3 8 等の層状化合物
を塩酸等の水溶液中に分散させて得られたH2 Ti4
9 、H4 Nb6 17、HBiNb2 7 、H2 La2
3 10 及びHNb3 8 等の陽イオン交換性層状化
合物を、n−ヘキサン等の有機溶媒に分散させる。次い
でn−C8 17NH2 やn−C3 7 NH2 等のアルキ
ルアミンを添加し、室温以上かつn−ヘキサン等の有機
溶媒の沸点未満の温度下で1時間〜1週間反応させ、層
間のH+ をアルキルアンモニウムイオンとイオン交換す
る。
【0016】得られた化合物を、Cd2+及び/又はZn
2+の塩(酢酸塩等)の水溶液に懸濁し、室温以上かつ水
溶液の沸点(約100 ℃)未満の温度下で1時間〜1週間
反応させ、層間のアルキルアンモニウムイオンと、Cd
2+及び/又はZn2+とをイオン交換する。その化合物を
乾燥させることなく0〜60℃程度の温度下で、0.5 〜2
時間H2 Sと反応させ、層間のCd2+及び/又はZn2+
をCd1-X ZnX S(ただし、0≦X≦1.0 である。)
とする。なお、Xの値は水溶液中のCd2+とZn2+の組
成比を変えることにより調整することができる。
【0017】陽イオン交換性層状化合物に包接する半導
体の比率としては、陽イオン交換性層状化合物を100 重
量部としたとき、1〜50重量部が好ましく、特に10〜20
重量部が好ましい。
【0018】(2) 陰イオン交換性層状化合物への包接 [M(II)1-Y M(III) Y (OH)2 ](CO3
Y/2 (ただし、M(II)は、Mg2+、Zn2+、Cu2+、N
2+及びCo2+からなる群から選ばれた1種の金属であ
り、M(III) は、Al3+、Cr3+及びFe3+からなる群
から選ばれた1種の金属であり、0.17≦Y≦0.33であ
る。)等の層状複水酸化物を、450 〜800 ℃で0.1 〜1
時間仮焼し、岩塩構造型酸化物とする。
【0019】得られた酸化物を、Cd2+及び/又はZn
2+を含むキレート化剤(EDTA等)の水溶液に懸濁
し、1〜24時間撹拌して層間にCd(EDTA)2-及び
/又はZn(EDTA)2-をインターカレートした層状
複水酸化物とする。その化合物を0.5 〜2時間H2 Sガ
スと反応させるか、または0.5 〜2時間硫化アルカリ
(Na2 S等)の水溶液と反応させ、層間のCd(ED
TA)2-及び/又はZn(EDTA)2-をCd1-X Zn
X S(ただし、0≦X≦1.0 である。)とする。なお、
Xの値は上記水溶液中のCd2+とZn2+の組成比を変え
ることにより調整することができる。
【0020】陰イオン交換性層状化合物に包接する半導
体の比率としては、陰イオン交換性層状化合物を100 重
量部としたとき、5〜50重量部が好ましく、特に10〜30
重量部が好ましい。
【0021】〔3〕水素の製造方法 上記光分解用触媒を使用した本発明の水素の製造方法を
以下説明する。光分解する水溶液としては、アルカリ化
合物の水溶液、アルコール水溶液等を使用するのが好ま
しく、またそれらの混合水溶液を使用してもよい。アル
カリ化合物としては、Na2 S、Na2 SO3 、Na2
2 3 及びNaNO2 等が好ましく、それらの混合物
であってもよい。濃度は0.1 〜1mol/リットルが好まし
い。また、アルコールとしては、2−アミノメタノー
ル、メタノール、エタノール等が好ましく、それらを混
合したものであってもよい。濃度は0.1 〜1mol/リット
ルが好ましい。
【0022】上記水溶液に本発明の光分解用触媒を添加
する。光分解用触媒の添加量は、0.5 〜5mg/cm3 が好
ましく、特に1〜3mg/cm3 が好ましい。このように光
分解用触媒を添加した水溶液に光を照射することによっ
て水が分解し、水素が発生する。照射する光の波長は55
0 nm以下が好ましい。太陽光の波長は350 〜2000nm程度
であるため、本発明では太陽光を照射してもよい。ま
た、水溶液の温度は25〜60℃が好ましい。
【0023】
【作用】上述したように、本発明の光分解用触媒は、太
陽光によって励起される半導体を陽イオン交換性層状化
合物又は陰イオン交換性層状化合物に包接してなるの
で、バンドギャップは約2.4 〜3.0 eVであり、400 〜
550 nm程度の波長の光の照射により励起して、水の光分
解に対する高い触媒活性を示す。また、本発明の光分解
用触媒は水溶液中でもほとんど溶解することがなく、化
学的に安定している。
【0024】
【実施例】本発明を以下の具体的実施例によりさらに詳
細に説明する。実施例1 固相法により調製したK2 Ti4 9 の粉末を50℃、1
Nの塩酸水溶液中に1時間分散させ、陽イオン交換性層
状化合物H2 Ti4 9 を得た。これをn−ヘキサン中
に分散させ、イオン交換量でH2 Ti4 9 の5倍の量
のn−C8 17NH2 を添加し、50℃で3日間反応さ
せ、層間のH+ をオクチルアンモニウムイオンとイオン
交換した。
【0025】得られた化合物を、Cd(CH3 COO)
2 とZn(CH3 COO)2 の混合水溶液(イオン交換
すべき量の20倍のCd2+とZn2+を含有)に懸濁し、50
℃で3日間反応させて層間のオクチルアンモニウムイオ
ンと、Cd2+及びZn2+とをイオン交換した。得られた
化合物を乾燥させることなく25℃で1時間H2 Sと反応
させ、Cd0.8 Zn0.2 Sを層間に包接した光分解用触
媒H2 Ti4 9 /Cd0.8 Zn0.2 Sを得た。この光
分解用触媒のバンドギャップを測定したところ、2.63e
Vであった。
【0026】実施例2〜8 実施例1で得られた光分解用触媒H2 Ti4 9 /Cd
0.8 Zn0.2 S1gを、それぞれNa2 S(実施例
2)、Na2 SO3 (実施例3)、2−アミノメタノー
ル(実施例4)、Na2 2 3 (実施例5)、NaN
2 (実施例6)、メタノール(実施例7)及びエタノ
ール(実施例8)の水溶液(0.1 Mの濃度、60℃)400
cm3 に添加し、波長が400 nm以上の1000W高圧水銀ラン
プの光を照射した。このときの水素生成速度をそれぞれ
表1に示す。
【0027】比較例1 バルクのCd0.8 Zn0.2 S1gを、0.1 MのNa2
水溶液(60℃)400 cm3 に添加し、実施例2〜8と同様
にして光を照射した。このときの水素生成速度を表1に
示す。
【0028】表1実施例No. 水素生成速度 (mmol /h) 実施例2 0.65 実施例3 0.18 実施例4 0.15 実施例5 0.18 実施例6 0.12 実施例7 0.15 実施例8 0.12 比較例1 0.025
【0029】表1から明らかなように、H2 Ti4 9
の層間にCd0.8 Zn0.2 Sを包接した本発明の光分解
用触媒は、従来のバルクのCd0.8 Zn0.2 Sと比較し
て水の分解効率が高く、安定して水素を生成することが
できる。
【0030】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の光分解用
触媒は、太陽光によって励起される半導体を、陽イオン
交換性層状化合物又は陰イオン交換性層状化合物に包接
してなるため、水溶液中でも安定性に優れるとともに、
太陽光によって効率よく水を光分解し、水素を製造する
ことができる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成6年5月23日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項5
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0021
【補正方法】変更
【補正内容】
【0021】〔3〕水素の製造方法 上記光分解用触媒を使用した本発明の水素の製造方法を
以下説明する。光分解する水溶液としては、アルカリ化
合物の水溶液、アルコール水溶液等を使用するのが好ま
しく、またそれらの混合水溶液を使用してもよい。アル
カリ化合物としては、NaS、NaSO、Na
及びNaNO等が好ましく、それらの混合物
であってもよい。濃度は0.1〜1mol/リットルが
好ましい。また、アルコールとしては、2−アミノエタ
ノール、メタノール、エタノール等が好ましく、それら
を混合したものであってもよい。濃度は0.1〜1mo
l/リットルが好ましい。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0026
【補正方法】変更
【補正内容】
【0026】実施例2〜8 実施例1で得られた光分解用触媒HTi/Cd
0.8Zn0.2S1gを、それぞれNaS(実施例
2)、NaSO(実施例3)、2−アミノエタノー
(実施例4)、Na(実施例5)、NaN
(実施例6)、メタノール(実施例7)及びエタノ
ール(実施例8)の水溶液(o.1Mの濃度、60℃)
400cmに添加し、波長が400nm以上の100
高圧水銀ランプの光を照射した。このときの水素生成
速度をそれそれ表1に示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 清英 埼玉県熊谷市末広四丁目14番1号 株式会 社リケン熊谷事業所内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 太陽光により励起される半導体を陽イオ
    ン交換性層状化合物又は陰イオン交換性層状化合物に包
    接してなる水の光分解用触媒。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の光分解用触媒におい
    て、前記半導体がCd1-X ZnX S(ただし、0≦X≦
    1.0 である。)からなり、前記陽イオン交換性層状化合
    物が、H2 Ti4 9 、H4 Nb6 17、HBiNb2
    7 、H2 La2 Ti3 10 及びHNb3 8 からな
    る群から選ばれた少なくとも1種の化合物からなり、前
    記陰イオン交換性層状化合物が、[M(II)1-Y M(III)
    Y (OH)2 ](CO3 Y/2 (ただし、M(II)は、M
    2+、Zn2+、Cu2+、Ni2+及びCo2+からなる群か
    ら選ばれた少なくとも1種の金属であり、M(III) は、
    Al3+、Cr3+及びFe3+からなる群から選ばれた少な
    くとも1種の金属であり、0.17≦Y≦0.33である。)か
    らなることを特徴とする光分解用触媒。
  3. 【請求項3】 太陽光により励起される半導体を陽イオ
    ン交換性層状化合物又は陰イオン交換性層状化合物に包
    接してなる光分解用触媒を水溶液に添加し、前記水溶液
    に光を照射することによって分解し、もって水素を製造
    することを特徴とする方法。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載の水素の製造方法におい
    て、前記水溶液がアルカリ化合物及び/又はアルコール
    を含有し、前記半導体がCd1-X ZnX S(ただし、0
    ≦X≦1.0 である。)からなり、前記陽イオン交換性層
    状化合物が、H2 Ti4 9 、H4 Nb6 17、HBi
    Nb2 7 、H2 La2 Ti3 10及びHNb3 8
    らなる群から選ばれた少なくとも1種の化合物からな
    り、前記陰イオン交換性層状化合物が、[M(II)1-Y
    (III) Y (OH)2 ](CO3Y/2 (ただし、M(II)
    は、Mg2+、Zn2+、Cu2+、Ni2+及びCo2+からな
    る群から選ばれた少なくとも1種の金属であり、M(II
    I) は、Al3+、Cr3+及びFe3+からなる群から選ば
    れた少なくとも1種の金属であり、0.17≦Y≦0.33であ
    る。)からなることを特徴とする方法。
  5. 【請求項5】 請求項4に記載の水素の製造方法におい
    て、前記アルカリ化合物が、Na2 S、Na2 SO3
    Na2 2 3 及びNaNO2 からなる群から選ばれた
    少なくとも1種の化合物からなり、前記アルコールが、
    2−アミノメタノール、メタノール及びエタノールから
    なる群から選ばれた少なくとも1種のアルコールからな
    ることを特徴とする方法。
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