JPH081878B2 - 高電圧パルス発生用コンデンサ - Google Patents
高電圧パルス発生用コンデンサInfo
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- JPH081878B2 JPH081878B2 JP28186386A JP28186386A JPH081878B2 JP H081878 B2 JPH081878 B2 JP H081878B2 JP 28186386 A JP28186386 A JP 28186386A JP 28186386 A JP28186386 A JP 28186386A JP H081878 B2 JPH081878 B2 JP H081878B2
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- high voltage
- pulse generation
- inorganic glass
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高圧放電灯のスターター等に使用される高電
圧パルス発生用コンデンサの改良に関する。
圧パルス発生用コンデンサの改良に関する。
チタン酸バリウム等を主体とする強誘電体セラミック
コンデンサは電子部品として種々の用途に用いられてい
るが、最近はその非線形電圧−電荷特性を利用して、例
えば高圧ナトリウムランプ、メタルハライドランプ等の
高圧放電灯に内蔵するスターター用の高電圧パルス発生
器等にも使用されている。
コンデンサは電子部品として種々の用途に用いられてい
るが、最近はその非線形電圧−電荷特性を利用して、例
えば高圧ナトリウムランプ、メタルハライドランプ等の
高圧放電灯に内蔵するスターター用の高電圧パルス発生
器等にも使用されている。
上記のような用途に使用する高電圧パルス発生用コン
デンサは、一般的に次のような諸条件、すなわち、 高温雰囲気中に設置しても容易に劣化しないこと 高圧放電灯をスタートさせるのに十分な高い電圧パ
ルスを発生させることができ、しかもその高電圧に対す
る耐性を有すること 振動等の機械的衝撃に対する強度の大きいこと 等の条件が必要である。
デンサは、一般的に次のような諸条件、すなわち、 高温雰囲気中に設置しても容易に劣化しないこと 高圧放電灯をスタートさせるのに十分な高い電圧パ
ルスを発生させることができ、しかもその高電圧に対す
る耐性を有すること 振動等の機械的衝撃に対する強度の大きいこと 等の条件が必要である。
これらの諸条件を備えた高電圧パルス発生用コンデン
サは、例えば特開昭60-52006号公報に開示されている。
これは、第６図に示すように、チタン酸バリウム等を主
体とする強誘電体セラミック基板１の両面に電極膜2a,2
bを形成し、これらの電極膜2a,2bの表面を該電極膜の中
央部を残して無機質ガラス3a,3bで被覆するとともに、
電極膜2a,2bの中央部に導電性接着剤4a,4bでリード線端
子5a,5bを固定したものである。
サは、例えば特開昭60-52006号公報に開示されている。
これは、第６図に示すように、チタン酸バリウム等を主
体とする強誘電体セラミック基板１の両面に電極膜2a,2
bを形成し、これらの電極膜2a,2bの表面を該電極膜の中
央部を残して無機質ガラス3a,3bで被覆するとともに、
電極膜2a,2bの中央部に導電性接着剤4a,4bでリード線端
子5a,5bを固定したものである。
かかる構成において電極膜2a,2bの形成には銀ペース
トが、また、電極膜2a,2bにリード線端子5a,5bを固定す
るための導電性接着剤4a,4bには、酸化鉛（PbO）と酸化
ホウ素（B2O3）を主成分とする低融点ガラス粉末と銀粉
末の混合ペーストが使用されている。
トが、また、電極膜2a,2bにリード線端子5a,5bを固定す
るための導電性接着剤4a,4bには、酸化鉛（PbO）と酸化
ホウ素（B2O3）を主成分とする低融点ガラス粉末と銀粉
末の混合ペーストが使用されている。
ところが、上記のような構造の高電圧パルス発生用コ
ンデンサにおいては、第７図に示すように、リード線端
子5a,5bを電極膜2a,2bに固定するための導電性接着剤4
a,4bのガラス成分が矢符で示すように電極膜2a,2bを通
して強誘電体セラミック基板１の結晶粒界内部に拡散し
（斜線で示す部分）、コンデンサの諸特性に悪影響を及
ぼすことが判明した。すなわち、先ず、発生する高電圧
パルスの値が全体的に低くなるという問題が生ずる。こ
れは、強誘電体セラミック基板内に不要な不純物が入り
込むために生ずる現象である。次に、高電圧パルス発生
時における電歪現象による強誘電体セラミック基板の機
械的振動のストレスにより、該強誘電体セラミック基板
が導電性接着剤の入り込んだ結晶粒界の部分から破壊す
るという問題も生ずる。
ンデンサにおいては、第７図に示すように、リード線端
子5a,5bを電極膜2a,2bに固定するための導電性接着剤4
a,4bのガラス成分が矢符で示すように電極膜2a,2bを通
して強誘電体セラミック基板１の結晶粒界内部に拡散し
（斜線で示す部分）、コンデンサの諸特性に悪影響を及
ぼすことが判明した。すなわち、先ず、発生する高電圧
パルスの値が全体的に低くなるという問題が生ずる。こ
れは、強誘電体セラミック基板内に不要な不純物が入り
込むために生ずる現象である。次に、高電圧パルス発生
時における電歪現象による強誘電体セラミック基板の機
械的振動のストレスにより、該強誘電体セラミック基板
が導電性接着剤の入り込んだ結晶粒界の部分から破壊す
るという問題も生ずる。
本発明は前記のような問題点を解決するために、高電
圧パルス発生用コンデンサの電極膜に導電性接着剤でリ
ード線端子を直接固定する手段を採らず、電極膜を覆う
無機質ガラスの外表面上に、前記電極膜に対する通電部
を通じて該電極膜に電気的に接続された導電体を付設
し、該無機質ガラス上の導電体の一部に導電性接着剤で
リード線端子を固定することにより、強誘電体セラミッ
ク基板結晶粒界への影響が殆どないように構成したもの
である。このように構成すると、第８図に示すように導
電性接着剤５のガラス成分は矢符で示すように導電体７
を通して無機質ガラス４の部分に拡散しても、基板１の
部分まで拡散することはない。
圧パルス発生用コンデンサの電極膜に導電性接着剤でリ
ード線端子を直接固定する手段を採らず、電極膜を覆う
無機質ガラスの外表面上に、前記電極膜に対する通電部
を通じて該電極膜に電気的に接続された導電体を付設
し、該無機質ガラス上の導電体の一部に導電性接着剤で
リード線端子を固定することにより、強誘電体セラミッ
ク基板結晶粒界への影響が殆どないように構成したもの
である。このように構成すると、第８図に示すように導
電性接着剤５のガラス成分は矢符で示すように導電体７
を通して無機質ガラス４の部分に拡散しても、基板１の
部分まで拡散することはない。
第１図に本発明の一実施例を示す。この高電圧パルス
発生用コンデンサは、強誘電体セラミック基板１の両面
に電極膜2a,2bを形成し、これらの電極膜の表面を該電
極膜に対する通電部3a,3bを除いて無機質ガラス4a,4bで
被覆するとともに、その無機質ガラスの外表面上に、前
記電極膜2a,2bに対する通電部を通じて該電極膜に電気
的に接続された導電体例えば導電膜7a,7bを付設し、該
無機質ガラス上の導電膜7a,7bの一部に導電性接着剤5a,
5bでリード線端子6a,6bを固定したものである。図示の
例は、リード線端子6a,6bを強誘電体セラミック基板１
のほぼ中心に固定し、電極膜2a,2bへの通電部3a,3bを基
板中心よりずれた位置に形成したものである。
発生用コンデンサは、強誘電体セラミック基板１の両面
に電極膜2a,2bを形成し、これらの電極膜の表面を該電
極膜に対する通電部3a,3bを除いて無機質ガラス4a,4bで
被覆するとともに、その無機質ガラスの外表面上に、前
記電極膜2a,2bに対する通電部を通じて該電極膜に電気
的に接続された導電体例えば導電膜7a,7bを付設し、該
無機質ガラス上の導電膜7a,7bの一部に導電性接着剤5a,
5bでリード線端子6a,6bを固定したものである。図示の
例は、リード線端子6a,6bを強誘電体セラミック基板１
のほぼ中心に固定し、電極膜2a,2bへの通電部3a,3bを基
板中心よりずれた位置に形成したものである。
かかるコンデンサの具体的製造例について説明する。
先ず、チタン酸バリウム（BaTiO3）に数モル％のジル
コニウム酸バリウム（BaZrO3）及びチタン酸ストロチウ
ム（SrTiO3）と微量の希土類金属酸化物とを添加してな
る粉末にバインダーとしてポリビニルアルコールを加え
て攪拌し、プレス成形した後、1400℃の温度で２時間気
中焼成を行い、直径26mm、厚み0.5mmの円板状の強誘電
体セラミック基板１を得る。この基板１の両面に銀ペー
ストをスクリーン印刷で直径25.7mmに塗布し、乾燥させ
た後750℃の温度で気中焼成して電極膜2a,2bを形成す
る。しかる後、電極膜2a,2bの表面を該電極膜への通電
部3a,3bを除いて無機質ガラス4a,4bで被覆する。この無
機質ガラス材料として好適なのは、例えばデュポン社製
の誘電性ペースト8289であり、これを所定個所に塗布し
焼成することにより強誘電性結晶化ガラスのオーバーコ
ーティングが得られる。次いで無機質ガラス4a,4bの外
表面上に、前記電極膜2a,2bに対する通電部を通じて該
電極膜に電気的に接続された導電膜、例えば銀膜7a,7b
を付設する。そして最後に前記無機質ガラス4a,4b上の
銀膜7a,7bの一部にリード線端子6a,6bを低融点ガラス粉
末と銀粉末とからなるペースト5a,5bで接着し、約500℃
の温度で気中焼成を行って高電圧パルス発生用コンデン
サを完成する。なお、リード線端子6a,6bを無機質ガラ
ス4a,4b上の導電膜7a,7bに固定するための導電性接着剤
5a,5bの構成材料たる低融点ガラスとしては、酸化鉛（P
bO）及び酸化ホウ素（B2O3）を主成分とするもの、殊
に、酸化鉛（Pbo）と酸化ホウ素（B2O3）に酸化ケイ素
（SiO2）を混合したものが好適である。
コニウム酸バリウム（BaZrO3）及びチタン酸ストロチウ
ム（SrTiO3）と微量の希土類金属酸化物とを添加してな
る粉末にバインダーとしてポリビニルアルコールを加え
て攪拌し、プレス成形した後、1400℃の温度で２時間気
中焼成を行い、直径26mm、厚み0.5mmの円板状の強誘電
体セラミック基板１を得る。この基板１の両面に銀ペー
ストをスクリーン印刷で直径25.7mmに塗布し、乾燥させ
た後750℃の温度で気中焼成して電極膜2a,2bを形成す
る。しかる後、電極膜2a,2bの表面を該電極膜への通電
部3a,3bを除いて無機質ガラス4a,4bで被覆する。この無
機質ガラス材料として好適なのは、例えばデュポン社製
の誘電性ペースト8289であり、これを所定個所に塗布し
焼成することにより強誘電性結晶化ガラスのオーバーコ
ーティングが得られる。次いで無機質ガラス4a,4bの外
表面上に、前記電極膜2a,2bに対する通電部を通じて該
電極膜に電気的に接続された導電膜、例えば銀膜7a,7b
を付設する。そして最後に前記無機質ガラス4a,4b上の
銀膜7a,7bの一部にリード線端子6a,6bを低融点ガラス粉
末と銀粉末とからなるペースト5a,5bで接着し、約500℃
の温度で気中焼成を行って高電圧パルス発生用コンデン
サを完成する。なお、リード線端子6a,6bを無機質ガラ
ス4a,4b上の導電膜7a,7bに固定するための導電性接着剤
5a,5bの構成材料たる低融点ガラスとしては、酸化鉛（P
bO）及び酸化ホウ素（B2O3）を主成分とするもの、殊
に、酸化鉛（Pbo）と酸化ホウ素（B2O3）に酸化ケイ素
（SiO2）を混合したものが好適である。
また、リード線端子6a,6bはニッケル製とし、無機質
ガラスに固定される平板状部分の厚みを0.3mm、直径を
１〜5mmとし、該平板状部分から垂直に立ち上った棒状
部分の直径を0.5mmとしたものを用いた。リード線端子
の構成材料はニッケルのほか、鉄−ニッケルまたは鉄−
ニッケル−コバルト等の合金を用いてもよい。
ガラスに固定される平板状部分の厚みを0.3mm、直径を
１〜5mmとし、該平板状部分から垂直に立ち上った棒状
部分の直径を0.5mmとしたものを用いた。リード線端子
の構成材料はニッケルのほか、鉄−ニッケルまたは鉄−
ニッケル−コバルト等の合金を用いてもよい。
なお、第２図及び第３図は本発明の他の実施例を示す
もので、リード線端子6a,6bの固定位置と電極膜2a,2bの
通電部3a,3bの位置を変えたもので、コンデンサの取付
個所等に応じてリード線端子6a,6bの位置を変えたい場
合に有効である。
もので、リード線端子6a,6bの固定位置と電極膜2a,2bの
通電部3a,3bの位置を変えたもので、コンデンサの取付
個所等に応じてリード線端子6a,6bの位置を変えたい場
合に有効である。
以上のように構成した高電圧パルス発生用コンデンサ
を第４図に示すように、誘電性素子Ｂをを介して交流電
源Ｅに接続したうえ、コンデンサＣの部分をフレオン液
中に保持し、交流200V、50Hzの入力を加えて約10,000時
間の高電圧パルス発生テストを行った。その結果は第５
図（Ａ）に示すとおりであった。同図（Ｂ）は第６図に
示す従来構造のものを同一条件でテストした結果であ
る。この図から明らかなように、本発明に係る高電圧パ
ルス発生用コンデンサは、全テスト時間を通じて従来よ
りも高い電圧パルスが得られ、また、強誘電体セラミッ
ク基板の破壊も見られなかった。
を第４図に示すように、誘電性素子Ｂをを介して交流電
源Ｅに接続したうえ、コンデンサＣの部分をフレオン液
中に保持し、交流200V、50Hzの入力を加えて約10,000時
間の高電圧パルス発生テストを行った。その結果は第５
図（Ａ）に示すとおりであった。同図（Ｂ）は第６図に
示す従来構造のものを同一条件でテストした結果であ
る。この図から明らかなように、本発明に係る高電圧パ
ルス発生用コンデンサは、全テスト時間を通じて従来よ
りも高い電圧パルスが得られ、また、強誘電体セラミッ
ク基板の破壊も見られなかった。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る高電圧
パルス発生用コンデンサは、強誘電体セラミック基板の
結晶粒界への不純物の拡散に伴うパルス電圧の低下やセ
ラミック基板の破壊を効果的に防止することができる。
パルス発生用コンデンサは、強誘電体セラミック基板の
結晶粒界への不純物の拡散に伴うパルス電圧の低下やセ
ラミック基板の破壊を効果的に防止することができる。
第１図乃至第３図は本発明に係る高電圧パルス発生用コ
ンデンサの断面図、第４図は高電圧パルス発生用コンデ
ンサの試験回路図、第５図は本発明に係る高電圧パルス
発生用コンデンサと従来の高電圧パルス発生用コンデン
サのパルス発生試験の比較図、第６図は従来の高電圧パ
ルス発生用コンデンサの断面図、第７図はその部分拡大
図、第８図は本発明に係る高電圧パルス発生用コンデン
サの部分拡大図である。 第１図乃至第３図及び第８図において、 １……強誘電体セラミック基板、2a,2b……電極膜、3a,
3b……通電部、4a,4b……無機質ガラス、5a,5b……導電
性接着剤、6a,6b……リード線端子、7a,7b……導電体。
ンデンサの断面図、第４図は高電圧パルス発生用コンデ
ンサの試験回路図、第５図は本発明に係る高電圧パルス
発生用コンデンサと従来の高電圧パルス発生用コンデン
サのパルス発生試験の比較図、第６図は従来の高電圧パ
ルス発生用コンデンサの断面図、第７図はその部分拡大
図、第８図は本発明に係る高電圧パルス発生用コンデン
サの部分拡大図である。 第１図乃至第３図及び第８図において、 １……強誘電体セラミック基板、2a,2b……電極膜、3a,
3b……通電部、4a,4b……無機質ガラス、5a,5b……導電
性接着剤、6a,6b……リード線端子、7a,7b……導電体。
Claims (6)
- 【請求項１】強誘電体セラミック基板の両面に電極膜を
形成し、これらの電極膜の表面を、該電極膜に対する通
電部を除いて無機質ガラスで被覆するとともに、その無
機質ガラスの外表面上に、前記電極膜に対する通電部を
通じて電極膜に電気的に接続された導電体を付設し、該
無機質ガラス上の導電体の一部に導電性接着剤でリード
線端子を固定したことを特徴とする高電圧パルス発生用
コンデンサ。 - 【請求項２】無機質ガラスの外表面上に付設された導電
体が導電膜であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の高電圧パルス発生用コンデンサ。 - 【請求項３】電極膜の表面を被覆している無機質ガラス
は、強誘電性結晶化ガラスであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項または第２項記載の高電圧パルス発生
用コンデンサ。 - 【請求項４】リード線端子を固定している導電性接着剤
が、酸化鉛（PbO）および酸化ホウ素（B2O3）を主成分
とする低融点ガラス粉末と銀粉末の混合ペーストである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項から第３項の何
れかに記載の高電圧パルス発生用コンデンサ。 - 【請求項５】リード線端子を固定している導電性接着剤
が、酸化鉛（PbO）、酸化ホウ素（B2O2）および酸化ケ
イ素（SiO2）を混合したものからなる低融点ガラス粉末
と銀粉末の混合ペーストであることを特徴とする特許請
求の範囲第４項記載の高電圧パルス発生用コンデンサ。 - 【請求項６】リード線端子は、ニッケルまたは鉄−ニッ
ケルあるいは鉄−ニッケル−コバルトからなる材料をも
って構成されており、無機質ガラスの外表面上に付設さ
れた導電体の一部に対して導電性接着剤で固定される平
板状部分と該平板状部分から垂直に立ち上がった棒状部
分とからなることを特徴とする特許請求の範囲第１項か
ら第５項までの何れかに記載の高電圧パルス発生用コン
デンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28186386A JPH081878B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 高電圧パルス発生用コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28186386A JPH081878B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 高電圧パルス発生用コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63136612A JPS63136612A (ja) | 1988-06-08 |
| JPH081878B2 true JPH081878B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=17645043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28186386A Expired - Lifetime JPH081878B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 高電圧パルス発生用コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081878B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3458837B2 (ja) | 2000-10-06 | 2003-10-20 | 株式会社村田製作所 | パルス発生用コンデンサ |
| JP6098208B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2017-03-22 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP28186386A patent/JPH081878B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63136612A (ja) | 1988-06-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |