JPS63136612A - 高電圧パルス発生用コンデンサ - Google Patents
高電圧パルス発生用コンデンサInfo
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- JPS63136612A JPS63136612A JP28186386A JP28186386A JPS63136612A JP S63136612 A JPS63136612 A JP S63136612A JP 28186386 A JP28186386 A JP 28186386A JP 28186386 A JP28186386 A JP 28186386A JP S63136612 A JPS63136612 A JP S63136612A
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
〔従来の技術〕
チタン酸バリウム等を主体とする強誘電体セラミックコ
ンデンサは電子部品として種々の用途に用いられている
が、最近はその非線形電圧−電荷特性を利用して、例え
ば高圧放電灯に内蔵するスターター用の高電圧パルス発
生器等にも使用されている。
ンデンサは電子部品として種々の用途に用いられている
が、最近はその非線形電圧−電荷特性を利用して、例え
ば高圧放電灯に内蔵するスターター用の高電圧パルス発
生器等にも使用されている。
上記のような用途に使用する高電圧パルス発生用コンデ
ンサは、一般的に次のような諸条件、すなわち、 ■ 高温雰囲気中での使用に十分耐えうろこと■ 十分
に高い電圧パルスを発生させることができ、しかもその
高電圧に対する耐性を有すること ■ 振動等の機械的衝撃に対する強度の大きいこと 等の条件が必要であるが、これらを総合的に満足させる
ことはかなり難しい。
ンサは、一般的に次のような諸条件、すなわち、 ■ 高温雰囲気中での使用に十分耐えうろこと■ 十分
に高い電圧パルスを発生させることができ、しかもその
高電圧に対する耐性を有すること ■ 振動等の機械的衝撃に対する強度の大きいこと 等の条件が必要であるが、これらを総合的に満足させる
ことはかなり難しい。
これらの諸条件をかなり満足する高電圧パルス発生用コ
ンデンサは、例えば特開昭６０−５２００６号公報に開
示されている。これは、第６図に示すように、チタン酸
バリウム等を主体とする強誘電体セラミック基板１の両
面に電極膜２ａ、２ｂを形成し、これらの電極膜２ａ、
２ｂの表面を該電極膜の中央部を残して無機質ガラス３
ａ、３ｂで被覆するとともに、電極膜２ａ、 ２ｂの
中央部に導電性接着剤４ａ、４ｂでリード線端子５ａ。
ンデンサは、例えば特開昭６０−５２００６号公報に開
示されている。これは、第６図に示すように、チタン酸
バリウム等を主体とする強誘電体セラミック基板１の両
面に電極膜２ａ、２ｂを形成し、これらの電極膜２ａ、
２ｂの表面を該電極膜の中央部を残して無機質ガラス３
ａ、３ｂで被覆するとともに、電極膜２ａ、 ２ｂの
中央部に導電性接着剤４ａ、４ｂでリード線端子５ａ。
５ｂを固定したものである。
かかる構造において電極膜’ｌａ、 ２ｂの形成には
銀ペーストが、また、電極膜２ａ、’ｌｂにリード線端
子５ａ、５ｂを固定するための導電性接着剤４ａ、４ｂ
には、酸化鉛（ＰｂＯ）と酸化ホウ素（Ｂｚｏ３）を主
成分とする低融点ガラス粉末と銀粉末の混合ペーストが
使用されている。
銀ペーストが、また、電極膜２ａ、’ｌｂにリード線端
子５ａ、５ｂを固定するための導電性接着剤４ａ、４ｂ
には、酸化鉛（ＰｂＯ）と酸化ホウ素（Ｂｚｏ３）を主
成分とする低融点ガラス粉末と銀粉末の混合ペーストが
使用されている。
ところが、上記のような構造の高電圧パルス発生用コン
デンサにおいては、リード線端子５ａ。
デンサにおいては、リード線端子５ａ。
５ｂを電極膜２ａ、２ｂに固定するための導電性接着剤
４ａ、４ｂが、電極膜２ａ、 ２ｂを通して強誘電体
セラミック基板ｌの結晶粒界内部に拡散全体的に低くな
るという問題が生ずる。これは、大発生時における電歪
現象による強誘電体セラミック基板の機械的振動のスト
レスにより、該強誘電体セラミック基板が導電性接着剤
の入り込んだ結晶粒界の部分から破壊するという問題も
生ずる。
４ａ、４ｂが、電極膜２ａ、 ２ｂを通して強誘電体
セラミック基板ｌの結晶粒界内部に拡散全体的に低くな
るという問題が生ずる。これは、大発生時における電歪
現象による強誘電体セラミック基板の機械的振動のスト
レスにより、該強誘電体セラミック基板が導電性接着剤
の入り込んだ結晶粒界の部分から破壊するという問題も
生ずる。
本発明は前記のような問題点を解決するために、高電圧
パルス発生用コサンデンサの電極膜にリード線端子を導
電性接着剤で直接固定する手段を採らず、リード線端子
は電極膜の外表面を覆う無機質ガラスの上に導電性接着
剤で固定したうえ、該導電性接着剤と電極膜とを強誘電
体セラミック基板結晶粒界への影響が殆んどない導電性
膜等により電気的に接続したものである。
パルス発生用コサンデンサの電極膜にリード線端子を導
電性接着剤で直接固定する手段を採らず、リード線端子
は電極膜の外表面を覆う無機質ガラスの上に導電性接着
剤で固定したうえ、該導電性接着剤と電極膜とを強誘電
体セラミック基板結晶粒界への影響が殆んどない導電性
膜等により電気的に接続したものである。
第１図に本発明の一実施例を示す。この高電圧パルス発
生用コンデンサは、強誘電体セラミック基板１の両面に
電極膜２ａ、２ｂを形成し、これらの電極膜の表面を該
電極膜に対する通電部３ａ。
生用コンデンサは、強誘電体セラミック基板１の両面に
電極膜２ａ、２ｂを形成し、これらの電極膜の表面を該
電極膜に対する通電部３ａ。
３ｂを除いて無機質ガラス４ａ、４ｂで被覆するととも
に、その無機質ガラスの外表面の任意の位置に導電性接
着剤５ａ、５ｂでリード線端子５ａ。
に、その無機質ガラスの外表面の任意の位置に導電性接
着剤５ａ、５ｂでリード線端子５ａ。
６ｂを固定したうえ、該リード線端子６ａ、６ｂと前記
電極膜２ａ、２ｂとを適当な手段で電気的に接続したも
のである。図示の例は、リード線端子５ａ、５ｂを強誘
電体セラミック基板１のほぼ中心に固定し、電極膜２ａ
、 ２ｂへの通電部３ａ。
電極膜２ａ、２ｂとを適当な手段で電気的に接続したも
のである。図示の例は、リード線端子５ａ、５ｂを強誘
電体セラミック基板１のほぼ中心に固定し、電極膜２ａ
、 ２ｂへの通電部３ａ。
３ｂを基板中心よりずれた位置に形成したものである。
かかるコンデンサの具体的製造例について説明する。
先ず、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ：＋）に数モル％
のジルコニウム酸バリウム（ＢａＺｒＯｉ）及びチタン
酸ストロチウム（ＳｒＴｉＯ：＋）と微量の希土類金属
酸化物とを添加してなる粉末にバインダーとしてポリビ
ニルアルコールを加えて攪拌し、プレス成形した後、１
４００℃の温度で２時間気中焼成を行い、直径２６鶴、
厚み０．５ｍｍの円板状の強誘電体セラミック基板１を
得る。この基板ｌの両面に銀ペーストをスクリーン印刷
で直径２５．７ｍに塗布し、乾燥させた後７５０℃の温
度で気中焼成して電極膜２ａ。
のジルコニウム酸バリウム（ＢａＺｒＯｉ）及びチタン
酸ストロチウム（ＳｒＴｉＯ：＋）と微量の希土類金属
酸化物とを添加してなる粉末にバインダーとしてポリビ
ニルアルコールを加えて攪拌し、プレス成形した後、１
４００℃の温度で２時間気中焼成を行い、直径２６鶴、
厚み０．５ｍｍの円板状の強誘電体セラミック基板１を
得る。この基板ｌの両面に銀ペーストをスクリーン印刷
で直径２５．７ｍに塗布し、乾燥させた後７５０℃の温
度で気中焼成して電極膜２ａ。
２ｂを形成する。しかる後、電極膜２ａ、２ｂの表面を
該電極膜への通電部３ａ、３ｂを除いて無機質ガラス４
ａ、４ｂで被覆する。この無機質ガラス材料として好適
なのは、例えばデュポン社製の誘電性ペースト８２８９
であり、これを所定個所に塗布し焼成することにより強
誘電性結晶化ガラスのオーバーコーテイングが得られる
。次いで無機質ガラス４ａ、４ｂの外表面に、その外表
面乙 の任意の個所′Ｉ！電極膜２ａ、２ｂへの通電部とを電
気的に接続すべく導電性膜、例えば銀膜７ａ。
該電極膜への通電部３ａ、３ｂを除いて無機質ガラス４
ａ、４ｂで被覆する。この無機質ガラス材料として好適
なのは、例えばデュポン社製の誘電性ペースト８２８９
であり、これを所定個所に塗布し焼成することにより強
誘電性結晶化ガラスのオーバーコーテイングが得られる
。次いで無機質ガラス４ａ、４ｂの外表面に、その外表
面乙 の任意の個所′Ｉ！電極膜２ａ、２ｂへの通電部とを電
気的に接続すべく導電性膜、例えば銀膜７ａ。
７ｂを形成する。そして最後に前記無機質ガラス４ａ、
４ｂの外表面の任意の個所にリード線端子６ａ、６ｂを
低融点ガラス粉末と銀粉末とからなるペースト５ａ、５
ｂで接着し、約５００℃の温度で気中焼成を行って高電
圧パルス発生用コンデンサを完成する。なお、リード線
端子６ａ、６ｂを無機質ガラス５ａ、５ｂ上に固定する
ため−のペーストすなわち導電性接着剤の構成材料たる
低融点ガラスとしては、酸化鉛（ＰｂＯ）及び酸化ホウ
したものが好適である。
４ｂの外表面の任意の個所にリード線端子６ａ、６ｂを
低融点ガラス粉末と銀粉末とからなるペースト５ａ、５
ｂで接着し、約５００℃の温度で気中焼成を行って高電
圧パルス発生用コンデンサを完成する。なお、リード線
端子６ａ、６ｂを無機質ガラス５ａ、５ｂ上に固定する
ため−のペーストすなわち導電性接着剤の構成材料たる
低融点ガラスとしては、酸化鉛（ＰｂＯ）及び酸化ホウ
したものが好適である。
また、リード線端子５ａ、５ｂはニッケル製とし、無機
質ガラスに固定される平板状部分の厚みを０．３ ｍｓ
、直径を１〜５１■とし、該平板状部分から垂直に立ち
上った棒状部分の直径を０．５ｍｍとしたものを用いた
。リード線端子の構成材料はニッケルのほか、鉄−ニッ
ケルまたは鉄−ニッケル−コバルト等の合金を用いても
よい。
質ガラスに固定される平板状部分の厚みを０．３ ｍｓ
、直径を１〜５１■とし、該平板状部分から垂直に立ち
上った棒状部分の直径を０．５ｍｍとしたものを用いた
。リード線端子の構成材料はニッケルのほか、鉄−ニッ
ケルまたは鉄−ニッケル−コバルト等の合金を用いても
よい。
なお、第２図及び第３図は本発明の他の実施例を示すも
ので、リード線端子６ａ、６ｂの固定位置と電極膜２ａ
、 ２ｂの通電部３ａ、３ｂの位置を変えたもので、
コンデンサの取付個所等に応じてリード線端子５ａ、５
ｂの位置を変えたい場合に有効である。
ので、リード線端子６ａ、６ｂの固定位置と電極膜２ａ
、 ２ｂの通電部３ａ、３ｂの位置を変えたもので、
コンデンサの取付個所等に応じてリード線端子５ａ、５
ｂの位置を変えたい場合に有効である。
以上のように構成した高電圧パルス発生用コンデンサを
第４図に示すように、誘導性素子Ｂを介して交流電源已
に接続したうえ、コンデンサＣの部分をフレオン液中に
保持し、交流２００■、５０Ｈｚの入力を加えて約１０
．０００時間の高電圧パルス発生テストを行った。その
結果は第５図（Ａ）に示すとおりであった。同図（Ｂ）
は第６図に示す従来構造のものを同一条件でテストした
結果である。この図から明らかなように、本発明に係る
高電圧パルス発生用コンデンサは、全テスト時間を通じ
て従来よりも高い電圧パルスが得られ、また、強誘電体
セラミック基板の破壊も見られなかった。
第４図に示すように、誘導性素子Ｂを介して交流電源已
に接続したうえ、コンデンサＣの部分をフレオン液中に
保持し、交流２００■、５０Ｈｚの入力を加えて約１０
．０００時間の高電圧パルス発生テストを行った。その
結果は第５図（Ａ）に示すとおりであった。同図（Ｂ）
は第６図に示す従来構造のものを同一条件でテストした
結果である。この図から明らかなように、本発明に係る
高電圧パルス発生用コンデンサは、全テスト時間を通じ
て従来よりも高い電圧パルスが得られ、また、強誘電体
セラミック基板の破壊も見られなかった。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る高電圧パ
ルス発生用コンデンサは、リード線端子を電極膜の外表
面を覆う無機質ガラスの上に導電を 性接着剤を固定したうえ、該導電性接着剤と電極膜とを
強誘電体セラミック基板の結晶粒界への影響が殆んどな
い導電性膜で電気的に接続したものである。したがって
、強誘電体セラミック基板の結晶粒界への不純物の拡散
に伴うパルス電圧の低下やセラミック基板の破壊を効果
的に防止することができる。
ルス発生用コンデンサは、リード線端子を電極膜の外表
面を覆う無機質ガラスの上に導電を 性接着剤を固定したうえ、該導電性接着剤と電極膜とを
強誘電体セラミック基板の結晶粒界への影響が殆んどな
い導電性膜で電気的に接続したものである。したがって
、強誘電体セラミック基板の結晶粒界への不純物の拡散
に伴うパルス電圧の低下やセラミック基板の破壊を効果
的に防止することができる。
第１図乃至第３図は本発明に係る高電圧パルス発生用コ
ンデンサの断面図、第４図は高電圧パルス発生用コンデ
ンサの試験回路図、第５図は本発明に係る高電圧パルス
発生用コンデンサと従来の高電圧パルス発生用コンデン
サのパルス発生試験の比較図、第６図は従来の高電圧パ
ルス発生用コンデンサの断面図である。 第１図乃至第３図において、 ｌ・・・強誘電体セラミック基板、２ａ、２ｂ・・・電
極膜、３ａ、３ｂ・・・通電部、４ａ、４ｂ・・・無機
質ガラス、５ａ、５ｂ・・・導電性接着剤、５ａ、５ｂ
・・・リード線端子、７ａ、７ｂ・・・導電性膜。 矛１図 す口 ２２図 才３図 ６＾ 才４図 才５図 −一ゆＩＩＩＦＩｉｌ ［１−ＩＪ す６図
ンデンサの断面図、第４図は高電圧パルス発生用コンデ
ンサの試験回路図、第５図は本発明に係る高電圧パルス
発生用コンデンサと従来の高電圧パルス発生用コンデン
サのパルス発生試験の比較図、第６図は従来の高電圧パ
ルス発生用コンデンサの断面図である。 第１図乃至第３図において、 ｌ・・・強誘電体セラミック基板、２ａ、２ｂ・・・電
極膜、３ａ、３ｂ・・・通電部、４ａ、４ｂ・・・無機
質ガラス、５ａ、５ｂ・・・導電性接着剤、５ａ、５ｂ
・・・リード線端子、７ａ、７ｂ・・・導電性膜。 矛１図 す口 ２２図 才３図 ６＾ 才４図 才５図 −一ゆＩＩＩＦＩｉｌ ［１−ＩＪ す６図
Claims (6)
- （１）強誘電体セラッミク基板の両面に電極膜を形成し
、これらの電極膜の表面を該電極膜に対する通電部を除
いて無機質ガラスで被覆するとともに、その無機質ガラ
スの外表面の任意の位置に導電性接着剤でリード線端子
を固定したうえ、該リード線端子と前記電極膜とを電気
的に接続したことを特徴とする高電圧パルス発生用コン
デンサ。 - （２）リード線端子と電極膜との電気的接続は、無機質
ガラスの外表面に導電性膜を形成し、該導電性膜の一端
を電極膜に対する通電部を通して電極膜に接続するとと
もに導電性膜の他端をリード線端子を固定している導電
性接着剤に接続することにより行われていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の高電圧パルス発生用
コンデンサ。 - （３）電極膜の表面を被覆している無機質ガラスは、強
誘電性結晶化ガラスであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項または第２項記載の高電圧パルス発生用コン
デンサ。 - （４）リード線端子を固定している導電性接着剤が、酸
化鉛（ＢｂＯ）及び酸化ホウ素（Ｂ＿２Ｏ＿３）を主成
分とする低融点ガラス粉末と銀粉末の混合ペーストであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第３項の
何れかに記載の高電圧パルス発生用コンデンサ。 - （５）リード線端子を固定している導電性接着剤が、酸
化鉛（ＰｂＯ）、酸化ホウ素（Ｂ＿２Ｏ＿３）及び酸化
ケイ素（ＳｉＯ＿２）の混合体からなる低融点ガラス粉
末と銀粉末の混合ペーストであることを特徴とする特許
請求の範囲第４項記載の高電圧パルス発生用コンデンサ
。 - （６）リード線端子は、ニッケルまたは鉄−ニッケルあ
るいは鉄−ニッケル−コバルトからなる材料をもって構
成されており、無機質ガラスの外表面に導電性接着剤で
固定される平板状部分と該平板状部分から垂直に立ち上
った棒状部分とからなることを特徴とする特許請求の範
囲第１項から第５項までの何れかに記載の高電圧パルス
発生用コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28186386A JPH081878B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 高電圧パルス発生用コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28186386A JPH081878B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 高電圧パルス発生用コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63136612A true JPS63136612A (ja) | 1988-06-08 |
| JPH081878B2 JPH081878B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=17645043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28186386A Expired - Lifetime JPH081878B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 高電圧パルス発生用コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081878B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6430027B1 (en) | 2000-10-06 | 2002-08-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Pulse generating capacitor |
| JP2014154830A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ素子及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP28186386A patent/JPH081878B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2014154830A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH081878B2 (ja) | 1996-01-10 |
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