JPH08186064A - 半導体ウエハおよび半導体ペレットの分割方法 - Google Patents
半導体ウエハおよび半導体ペレットの分割方法Info
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- JPH08186064A JPH08186064A JP32757794A JP32757794A JPH08186064A JP H08186064 A JPH08186064 A JP H08186064A JP 32757794 A JP32757794 A JP 32757794A JP 32757794 A JP32757794 A JP 32757794A JP H08186064 A JPH08186064 A JP H08186064A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】異なる大きさの半導体ペレットを配置すること
により利用効率を向上させ、かつこれら半導体ペレット
を容易に分割することができる半導体ウエハ半導体ペレ
ットの分割方法を提供する。 【構成】半導体ウエハ１００の中央部２０に大型の複数
の第１の半導体ペレット２１がたがいに第１の分割領域
２２を介して配列形成され、周辺部３０に小型の複数の
第２の半導体ペレット３１がたがいに第２の分割領域３
２を介して配列形成され、中央部２０と周辺部３０との
間には幅が広い分離領域１２が形成されている。この半
導体ウエハ１００から半導体ペレット２１，３１を個々
の半導体ペレット２１，３１に分割するに際し、まず中
央部２０と周辺部３０とをダイシング法により分離し、
しかる後、中央部および周辺部内の半導体ペレットの分
割をそれぞれ別に行う。
により利用効率を向上させ、かつこれら半導体ペレット
を容易に分割することができる半導体ウエハ半導体ペレ
ットの分割方法を提供する。 【構成】半導体ウエハ１００の中央部２０に大型の複数
の第１の半導体ペレット２１がたがいに第１の分割領域
２２を介して配列形成され、周辺部３０に小型の複数の
第２の半導体ペレット３１がたがいに第２の分割領域３
２を介して配列形成され、中央部２０と周辺部３０との
間には幅が広い分離領域１２が形成されている。この半
導体ウエハ１００から半導体ペレット２１，３１を個々
の半導体ペレット２１，３１に分割するに際し、まず中
央部２０と周辺部３０とをダイシング法により分離し、
しかる後、中央部および周辺部内の半導体ペレットの分
割をそれぞれ別に行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハおよび半導
体ペレットの分割方法に係わり、特に異なる大きさの半
導体ペレットが形成された半導体ウエハおよびこれら半
導体ペレットを個々に分割する方法に関する。
体ペレットの分割方法に係わり、特に異なる大きさの半
導体ペレットが形成された半導体ウエハおよびこれら半
導体ペレットを個々に分割する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路を形成する半導体ペレットの寸
法、すなわちペレットサイズは処理データの増大、高速
化の要求を実現するために大型化している。
法、すなわちペレットサイズは処理データの増大、高速
化の要求を実現するために大型化している。
【０００３】図５は通常の方法で半導体ウエハ２００に
大型半導体ペレット２１を個々に切断分割する分割領域
２２を介してマトリックス状に配置した平面図である。
大型半導体ペレット２１を個々に切断分割する分割領域
２２を介してマトリックス状に配置した平面図である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら大型半導
体ペレットを所定の大きさの半導体ウエハに配置する
と、半導体ウエハの外周部分の未使用領域（図５で右上
がりのハッチングで示す）２１０が大きくなり、半導体
ウエハ２００の利用効率が悪くなる。
体ペレットを所定の大きさの半導体ウエハに配置する
と、半導体ウエハの外周部分の未使用領域（図５で右上
がりのハッチングで示す）２１０が大きくなり、半導体
ウエハ２００の利用効率が悪くなる。
【０００５】一方、半導体ウエハの外周部分の上記未使
用領域に小型半導体ペレットを配置することを考慮して
も、半導体ウエハ内に形成されている複数の大型半導体
ペレットおよび複数の小型半導体ペレットをそれぞれの
半導体ペレットに分割することが困難となり、さらにＸ
方向およびＹ方向のいずれにおいても大型半導体ペレッ
トの寸法が小型半導体ペレットの寸法の整数倍になって
いない場合にはこれら半導体ペレットをそれぞれ分割す
ることは実際上不可能となる。
用領域に小型半導体ペレットを配置することを考慮して
も、半導体ウエハ内に形成されている複数の大型半導体
ペレットおよび複数の小型半導体ペレットをそれぞれの
半導体ペレットに分割することが困難となり、さらにＸ
方向およびＹ方向のいずれにおいても大型半導体ペレッ
トの寸法が小型半導体ペレットの寸法の整数倍になって
いない場合にはこれら半導体ペレットをそれぞれ分割す
ることは実際上不可能となる。
【０００６】したがって本発明の目的は、異なる大きさ
の半導体ペレットを配置することにより利用効率を向上
させ、かつこれら半導体ペレットを容易に分割すること
ができる半導体ウエハを提供することである。
の半導体ペレットを配置することにより利用効率を向上
させ、かつこれら半導体ペレットを容易に分割すること
ができる半導体ウエハを提供することである。
【０００７】本発明の他の目的は、異なる大きさの半導
体ペレットを配置することにより利用効率を向上させた
半導体ウエハからこれら半導体ペレットを容易に個々の
半導体ペレットに分割することが可能な半導体ペレット
の分割方法を提供することである。
体ペレットを配置することにより利用効率を向上させた
半導体ウエハからこれら半導体ペレットを容易に個々の
半導体ペレットに分割することが可能な半導体ペレット
の分割方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、中央部
に複数の第１の半導体ペレットがたがいに第１の分割領
域を介して配列形成され、前記中央部を囲む周辺部に前
記第１の半導体ペレットより小型の複数の第２の半導体
ペレットがたがいに第２の分割領域を介して配列形成さ
れ、前記中央部と前記周辺部との間には前記第１および
第２の分割領域のいずれより幅が広い分離領域が形成さ
れている半導体ウエハにある。
に複数の第１の半導体ペレットがたがいに第１の分割領
域を介して配列形成され、前記中央部を囲む周辺部に前
記第１の半導体ペレットより小型の複数の第２の半導体
ペレットがたがいに第２の分割領域を介して配列形成さ
れ、前記中央部と前記周辺部との間には前記第１および
第２の分割領域のいずれより幅が広い分離領域が形成さ
れている半導体ウエハにある。
【０００９】本発明の他の特徴は、中央部に複数の第１
の半導体ペレットが配列形成され、前記中央部を囲む周
辺部に前記第１の半導体ペレットより小型の複数の第２
の半導体ペレットが配列形成された半導体ウエハからこ
れら半導体ペレットを個々の半導体ペレットに分割する
に際し、まず前記中央部と前記周辺部とをダイシング法
により分離し、しかる後、前記中央部内の前記第１の半
導体ペレットの分割および前記周辺部内の前記第２の半
導体ペレットの分割をそれぞれ行う半導体ペレットの分
割方法にある。
の半導体ペレットが配列形成され、前記中央部を囲む周
辺部に前記第１の半導体ペレットより小型の複数の第２
の半導体ペレットが配列形成された半導体ウエハからこ
れら半導体ペレットを個々の半導体ペレットに分割する
に際し、まず前記中央部と前記周辺部とをダイシング法
により分離し、しかる後、前記中央部内の前記第１の半
導体ペレットの分割および前記周辺部内の前記第２の半
導体ペレットの分割をそれぞれ行う半導体ペレットの分
割方法にある。
【００１０】
【作用】このように本発明では、半導体ウエハの中央部
に複数の第１の半導体ペレットが配列形成され、中央部
を囲む周辺部に小型の複数の第２の半導体ペレットが配
列されているから、半導体ウエハの利用効率を向上させ
ることができる。
に複数の第１の半導体ペレットが配列形成され、中央部
を囲む周辺部に小型の複数の第２の半導体ペレットが配
列されているから、半導体ウエハの利用効率を向上させ
ることができる。
【００１１】また中央部と周辺部との間に幅広の分離領
域が設けられているから、第２の半導体ペレットに損傷
を与えることなくダイシングで中央部を切り離すことが
でき、中央部の第１の半導体ペレットの分割と周辺部の
第２の半導体ペレットの分割とを別々に行うことができ
る。これによりＸもしくはＹ方向における第１の半導体
ペレットの寸法を第２の半導体ペレットの寸法の整数倍
にしてＹもしくはＸ方向に延在する両者の一部の分割領
域（スクライブ領域）どうしを一致させる等の考慮は不
必要となる。したがって大型の第１の半導体ペレットも
小型の第２の半導体ペレットもそれぞれに要求される性
能に応じてその大きさを自由に設定することができる。
域が設けられているから、第２の半導体ペレットに損傷
を与えることなくダイシングで中央部を切り離すことが
でき、中央部の第１の半導体ペレットの分割と周辺部の
第２の半導体ペレットの分割とを別々に行うことができ
る。これによりＸもしくはＹ方向における第１の半導体
ペレットの寸法を第２の半導体ペレットの寸法の整数倍
にしてＹもしくはＸ方向に延在する両者の一部の分割領
域（スクライブ領域）どうしを一致させる等の考慮は不
必要となる。したがって大型の第１の半導体ペレットも
小型の第２の半導体ペレットもそれぞれに要求される性
能に応じてその大きさを自由に設定することができる。
【００１２】
【実施例】以下図面を参照して本発明を説明する。
【００１３】図１は本発明の実施例の半導体ウエハ１０
０を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ），（Ｃ）お
よび（Ｄ）はそれぞれ（Ａ）のＢ−Ｂ部、Ｃ−Ｃ部およ
びＤ−Ｄ部を拡大して示した断面図である。
０を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ），（Ｃ）お
よび（Ｄ）はそれぞれ（Ａ）のＢ−Ｂ部、Ｃ−Ｃ部およ
びＤ−Ｄ部を拡大して示した断面図である。
【００１４】図１（Ａ）において、半導体ウエハ１００
の中央部２０に複数（図では４個）の大型の第１の半導
体ペレット２１がマトリックス状に配列形成され、それ
ぞれの第１の半導体ペレット２１はＸ方向およびＹ方向
に延びる第１の分割領域２２により囲まれている。ま
た、この中央部２０を囲む周辺部３０に、第１の半導体
ペレット２１より小さい、複数（図では４７個）の小型
の第２の半導体ペレット３１がマトリックス状に配列形
成され、それぞれの第２の半導体ペレット３１はＸ方向
およびＹ方向に延びる第２の分割領域３２により囲まれ
ている。
の中央部２０に複数（図では４個）の大型の第１の半導
体ペレット２１がマトリックス状に配列形成され、それ
ぞれの第１の半導体ペレット２１はＸ方向およびＹ方向
に延びる第１の分割領域２２により囲まれている。ま
た、この中央部２０を囲む周辺部３０に、第１の半導体
ペレット２１より小さい、複数（図では４７個）の小型
の第２の半導体ペレット３１がマトリックス状に配列形
成され、それぞれの第２の半導体ペレット３１はＸ方向
およびＹ方向に延びる第２の分割領域３２により囲まれ
ている。
【００１５】このように大型の第１の半導体ペレット２
１だけでなく小型の第２の半導体ペレット３１も配列形
成しているから、半導体ウエハ１００の未使用領域（図
１（Ａ）で左上がりのハッチングで示す）１１０は、従
来の未使用領域２１０（図５）よりはるかに小となり半
導体ウエハ１００の利用効率は良好となっている。
１だけでなく小型の第２の半導体ペレット３１も配列形
成しているから、半導体ウエハ１００の未使用領域（図
１（Ａ）で左上がりのハッチングで示す）１１０は、従
来の未使用領域２１０（図５）よりはるかに小となり半
導体ウエハ１００の利用効率は良好となっている。
【００１６】そして第１の半導体ペレット２１の群が形
成された中央部２０と第２の半導体ペレット３１の群が
形成された周辺部３０との間には、第１および第２の分
割領域２２，３２のいずれより幅が広い分離領域１２が
形成され、Ｘ方向およびＹ方向に延びこの分離領域１２
により中央部２０が囲まれている。
成された中央部２０と第２の半導体ペレット３１の群が
形成された周辺部３０との間には、第１および第２の分
割領域２２，３２のいずれより幅が広い分離領域１２が
形成され、Ｘ方向およびＹ方向に延びこの分離領域１２
により中央部２０が囲まれている。
【００１７】第１の分割領域２２の幅Ｗ1 （図１
（Ｃ））及び第２の分割領域３２の幅Ｗ2（図１
（Ｄ））は、そこで大型半導体ペレット２１どうし又は
小型半導体ペレット３１どうしを分割することから、ダ
イシングの際の切断刃の幅を基に定められ、通常は例え
ば５０μｍまたは１００μｍの値となっている。
（Ｃ））及び第２の分割領域３２の幅Ｗ2（図１
（Ｄ））は、そこで大型半導体ペレット２１どうし又は
小型半導体ペレット３１どうしを分割することから、ダ
イシングの際の切断刃の幅を基に定められ、通常は例え
ば５０μｍまたは１００μｍの値となっている。
【００１８】しかしながら分離領域１２の幅Ｗ0 （図１
（Ｂ））は、そこを切断する際に、そのＸ方向およびＹ
方向のそれぞれの延長線上に位置する小型の第２の半導
体ペレット３１が回転する切断刃で損傷しないように配
慮する必要がある。
（Ｂ））は、そこを切断する際に、そのＸ方向およびＹ
方向のそれぞれの延長線上に位置する小型の第２の半導
体ペレット３１が回転する切断刃で損傷しないように配
慮する必要がある。
【００１９】すなわちＸ方向を切断する際にＸ方向の延
長線上に位置する小型の第２の半導体ペレット３１に回
転切断刃が入り込まないために、Ｙ方向を延在する分離
領域１２の幅Ｗ0 を広くしておく必要がある。同様に、
Ｙ方向を切断する際にＹ方向の延長線上に位置する小型
の第２の半導体ペレット３１に回転切断刃が入り込まな
いためにＸ方向の分離領域１２の幅Ｗ0 を広くしておく
必要がある。
長線上に位置する小型の第２の半導体ペレット３１に回
転切断刃が入り込まないために、Ｙ方向を延在する分離
領域１２の幅Ｗ0 を広くしておく必要がある。同様に、
Ｙ方向を切断する際にＹ方向の延長線上に位置する小型
の第２の半導体ペレット３１に回転切断刃が入り込まな
いためにＸ方向の分離領域１２の幅Ｗ0 を広くしておく
必要がある。
【００２０】具体的に後から図４を参照して説明する
が、分離領域１２の幅Ｗ0 は例えば約５ｍｍとする。
が、分離領域１２の幅Ｗ0 は例えば約５ｍｍとする。
【００２１】次に本発明の実施例の半導体ペレットの分
割方法を説明する。
割方法を説明する。
【００２２】まず中央部を囲む分離領域１２を回転切断
刃により切断し中央部２０と周辺部３０とを分離する。
刃により切断し中央部２０と周辺部３０とを分離する。
【００２３】図２（Ａ）は周辺部３０から分離された半
導体ウエハ１００の中央部２０を示す平面図である。こ
の後、Ｘ方向およびＹ方向に延びる第１の分割領域２２
を回転切断刃で切断するダイシング法あるいはスクライ
ブ法を用いて分割して、図２（Ｂ）に示すように個々の
大型半導体ペレット２１を得る。図２（Ａ）の状態では
同じ半導体ペレットのみの配列であるから通常のダイシ
ング法あるいはスクライブ法を用いることができる。
導体ウエハ１００の中央部２０を示す平面図である。こ
の後、Ｘ方向およびＹ方向に延びる第１の分割領域２２
を回転切断刃で切断するダイシング法あるいはスクライ
ブ法を用いて分割して、図２（Ｂ）に示すように個々の
大型半導体ペレット２１を得る。図２（Ａ）の状態では
同じ半導体ペレットのみの配列であるから通常のダイシ
ング法あるいはスクライブ法を用いることができる。
【００２４】同様に、図３（Ａ）は中央部２０を分離除
去した半導体ウエハ１００の周辺部３０を示す平面図で
ある。この後、Ｘ方向およびＹ方向に延びる第２の分割
領域３２を回転切断刃で切断するダイシング法あるいは
スクライブ法を用いて分割して、図３（Ｂ）に示すよう
に個々の小型半導体ペレット３１を得る。図３（Ａ）の
状態では同じ半導体ペレットのみの配列であるから通常
のダイシング法あるいはスクライブ法を用いることがで
きる。
去した半導体ウエハ１００の周辺部３０を示す平面図で
ある。この後、Ｘ方向およびＹ方向に延びる第２の分割
領域３２を回転切断刃で切断するダイシング法あるいは
スクライブ法を用いて分割して、図３（Ｂ）に示すよう
に個々の小型半導体ペレット３１を得る。図３（Ａ）の
状態では同じ半導体ペレットのみの配列であるから通常
のダイシング法あるいはスクライブ法を用いることがで
きる。
【００２５】次に図４を参照して本発明の分離領域１２
の幅Ｗ0 の必要寸法について説明する。尚、図４（Ａ）
は平面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＢ−Ｂ部の断面図
である。
の幅Ｗ0 の必要寸法について説明する。尚、図４（Ａ）
は平面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＢ−Ｂ部の断面図
である。
【００２６】図４において、加工ステージ４３上に載置
固定された半導体ウエハ１００のＸ方向に延在する分離
領域１２を、回転軸４１に取付けられ回転する切断刃４
２により、分離領域１２の幅中心より中央部２０に寄っ
た箇所４６を切断する。
固定された半導体ウエハ１００のＸ方向に延在する分離
領域１２を、回転軸４１に取付けられ回転する切断刃４
２により、分離領域１２の幅中心より中央部２０に寄っ
た箇所４６を切断する。
【００２７】回転しながら、半導体ウエハ１００を固定
した加工ステージ４３に対して相対的に図で左から右に
移動しながら、加工ステージ４３に表面から切込み４３
Ａを入れて半導体ウエハの分離領域１２に切断箇所１２
Ａを形成して切断している切断刃４２の中心が半導体ウ
エハの中央部２０と分離領域１２との境界線Ｘ1 に達し
た際の状態が図４である。
した加工ステージ４３に対して相対的に図で左から右に
移動しながら、加工ステージ４３に表面から切込み４３
Ａを入れて半導体ウエハの分離領域１２に切断箇所１２
Ａを形成して切断している切断刃４２の中心が半導体ウ
エハの中央部２０と分離領域１２との境界線Ｘ1 に達し
た際の状態が図４である。
【００２８】ここで切断刃４２の半径Ｒ，半導体ウエハ
１００の厚さＴ，切込み深さＡとすると、境界線Ｘ1 か
ら半導体ウエハの上面と切断刃とが接する箇所との距離
Ｌおよび境界線Ｘ1 から半導体ウエハの下面と切断刃と
が接する箇所との距離Ｍはそれぞれ次のようになる。
１００の厚さＴ，切込み深さＡとすると、境界線Ｘ1 か
ら半導体ウエハの上面と切断刃とが接する箇所との距離
Ｌおよび境界線Ｘ1 から半導体ウエハの下面と切断刃と
が接する箇所との距離Ｍはそれぞれ次のようになる。
【００２９】Ｌ＝｛Ｒ2 −（Ｒ−Ｔ−Ａ）2 ｝1/2 Ｍ＝｛Ｒ2 −（Ｒ−Ａ）2 ｝1/2 したがって切断刃の半径Ｒ＝２７．７５ｍｍ，半導体ウ
エハの厚さＴ＝０．３ｍｍ，切込み深さＡ＝０．０１ｍ
ｍの場合は、Ｌ≒４．１４ｍｍ，Ｍ≒０．７４ｍｍとな
る。
エハの厚さＴ＝０．３ｍｍ，切込み深さＡ＝０．０１ｍ
ｍの場合は、Ｌ≒４．１４ｍｍ，Ｍ≒０．７４ｍｍとな
る。
【００３０】すなわち、境界線Ｘ1 から０．７４ｍｍだ
けＹ方向を延在する分離領域１２内に入った箇所まで半
導体ウエハをその下面まで切断し、境界線Ｘ1 から４．
１４ｍｍだけＹ方向を延在する分離領域１２内に入った
箇所まで半導体ウエハの上面を切断刃４２により切断す
る。
けＹ方向を延在する分離領域１２内に入った箇所まで半
導体ウエハをその下面まで切断し、境界線Ｘ1 から４．
１４ｍｍだけＹ方向を延在する分離領域１２内に入った
箇所まで半導体ウエハの上面を切断刃４２により切断す
る。
【００３１】切断を確実にするためには切断刃の中心を
境界線Ｘ1 よりさらにマージンとしてΔＸ1 移動（図で
右方向に移動）させる必要がある。一方、回転切断刃４
２による第２の半導体ペレット３１の上面の損傷防止を
確実にするために分離領域１２の幅Ｗ0 （図４の場合は
Ｙ方向に延在する分離領域１２の幅Ｗ0 ）は計算された
回転切断刃４２の位置よりさらにマージンとしてΔＸ2
だけ大きくする必要がある。したがって分離領域１２の
幅Ｗ0 はＬ＋ΔＸ1 ＋ΔＸ2 となり、ΔＸ1 ，ΔＸ2 を
どの程度にするかは切断作業精度等から決定される。上
記の場合はＬが４．１４ｍｍであるから分離領域１２の
幅Ｗ0 は例えば５ｍｍとする。このように図４でＸ方向
に延在する分離領域１２の切断箇所４６の切断が完了し
たら、半導体ウエハの下面まで切断された場所からＹ方
向に延在する分離領域１２の中央部２０に寄った側の切
断箇所４７の切断を行ない、４本の分離領域の切断によ
り半導体ウエハの中央部２０を周辺部３０から分離して
取り出す。
境界線Ｘ1 よりさらにマージンとしてΔＸ1 移動（図で
右方向に移動）させる必要がある。一方、回転切断刃４
２による第２の半導体ペレット３１の上面の損傷防止を
確実にするために分離領域１２の幅Ｗ0 （図４の場合は
Ｙ方向に延在する分離領域１２の幅Ｗ0 ）は計算された
回転切断刃４２の位置よりさらにマージンとしてΔＸ2
だけ大きくする必要がある。したがって分離領域１２の
幅Ｗ0 はＬ＋ΔＸ1 ＋ΔＸ2 となり、ΔＸ1 ，ΔＸ2 を
どの程度にするかは切断作業精度等から決定される。上
記の場合はＬが４．１４ｍｍであるから分離領域１２の
幅Ｗ0 は例えば５ｍｍとする。このように図４でＸ方向
に延在する分離領域１２の切断箇所４６の切断が完了し
たら、半導体ウエハの下面まで切断された場所からＹ方
向に延在する分離領域１２の中央部２０に寄った側の切
断箇所４７の切断を行ない、４本の分離領域の切断によ
り半導体ウエハの中央部２０を周辺部３０から分離して
取り出す。
【００３２】
【発明の効果】上記本発明によれば、半導体ウエハの中
央部に第１の分割領域に囲まれた大型の第１の半導体ペ
レットの複数が配列形成され、中央部を囲む周辺部に第
２の分割領域に囲まれた小型の第２の半導体ペレットの
複数が配列形成されているから、円板の一部に直線のオ
リエンテーションフラットを形成した半導体ウエハの利
用効率を向上させることができる。
央部に第１の分割領域に囲まれた大型の第１の半導体ペ
レットの複数が配列形成され、中央部を囲む周辺部に第
２の分割領域に囲まれた小型の第２の半導体ペレットの
複数が配列形成されているから、円板の一部に直線のオ
リエンテーションフラットを形成した半導体ウエハの利
用効率を向上させることができる。
【００３３】また中央部と周辺部との間に幅広の分離領
域が設けられているから、第２の半導体ペレットに損傷
を与えることなくダイシングで第１の半導体ペレット群
が形成された中央部を切り離すことができ、中央部の第
１の半導体ペレットの分割と周辺部の第２の半導体ペレ
ットの分割とを別々に行うことができる。
域が設けられているから、第２の半導体ペレットに損傷
を与えることなくダイシングで第１の半導体ペレット群
が形成された中央部を切り離すことができ、中央部の第
１の半導体ペレットの分割と周辺部の第２の半導体ペレ
ットの分割とを別々に行うことができる。
【００３４】したがってＸもしくはＹ方向における第１
の半導体ペレットの寸法を第２の半導体ペレットの寸法
の整数倍にしてＹもしくはＸ方向に延在する両者の一部
の分割領域（スクライブ領域）どうしを一致させる等の
考慮は不必要となり、これにより大型の第１の半導体ペ
レットも小型の第２の半導体ペレットもそれぞれに要求
される性能に応じてその大きさを自由に設計することが
できる。
の半導体ペレットの寸法を第２の半導体ペレットの寸法
の整数倍にしてＹもしくはＸ方向に延在する両者の一部
の分割領域（スクライブ領域）どうしを一致させる等の
考慮は不必要となり、これにより大型の第１の半導体ペ
レットも小型の第２の半導体ペレットもそれぞれに要求
される性能に応じてその大きさを自由に設計することが
できる。
【図１】本発明の実施例の半導体ウエハを示す図であ
り、（Ａ）は平面図、（Ｂ），（Ｃ）および（Ｄ）はそ
れぞれ（Ａ）のＢ−Ｂ部、Ｃ−Ｃ部およびＤ−Ｄ部を拡
大して示した断面図である。
り、（Ａ）は平面図、（Ｂ），（Ｃ）および（Ｄ）はそ
れぞれ（Ａ）のＢ−Ｂ部、Ｃ−Ｃ部およびＤ−Ｄ部を拡
大して示した断面図である。
【図２】本発明の実施例の半導体ペレットの分割方法を
説明する図であり、（Ａ）は半導体ウエハの分離された
中央部を示す平面図、（Ｂ）は分割された大型半導体ペ
レットを示す平面図である。
説明する図であり、（Ａ）は半導体ウエハの分離された
中央部を示す平面図、（Ｂ）は分割された大型半導体ペ
レットを示す平面図である。
【図３】本発明の実施例の半導体ペレットの分割方法を
説明する図であり、（Ａ）は半導体ウエハの分離された
周辺部を示す平面図、（Ｂ）は分割された小型半導体ペ
レットを示す平面図である。
説明する図であり、（Ａ）は半導体ウエハの分離された
周辺部を示す平面図、（Ｂ）は分割された小型半導体ペ
レットを示す平面図である。
【図４】本発明の実施例における分離状態および分離領
域の幅Ｗ0 を説明する図であり、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ部の断面図である。
域の幅Ｗ0 を説明する図であり、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ部の断面図である。
【図５】従来技術の半導体ウエハを示す平面図である。
１２ 分離領域 ２０ 半導体ウエハの中央部 ２１ 第１の半導体ペレット ２２ 第１の分割領域 ３０ 半導体ウエハの中央部 ３１ 第２の半導体ペレット ３２ 第２の分割領域 ４１ 回転軸 ４２ 切断刃 ４３ 加工ステージ １００，２００ 半導体ウエハ １１０，２１０ 半導体ウエハの未使用領域
Claims (2)
- 【請求項１】 中央部に複数の第１の半導体ペレットが
たがいに第１の分割領域を介して配列形成され、前記中
央部を囲む周辺部に前記第１の半導体ペレットより小型
の複数の第２の半導体ペレットがたがいに第２の分割領
域を介して配列形成され、前記中央部と前記周辺部との
間には前記第１および第２の分割領域のいずれより幅が
広い分離領域が形成されていることを特徴とする半導体
ウエハ。 - 【請求項２】 中央部に複数の第１の半導体ペレットが
配列形成され、前記中央部を囲む周辺部に前記第１の半
導体ペレットより小型の複数の第２の半導体ペレットが
配列形成された半導体ウエハからこれら半導体ペレット
を個々の半導体ペレットに分割するに際し、まず前記中
央部と前記周辺部とをダイシング法により分離し、しか
る後、前記中央部内の前記第１の半導体ペレットの分割
および前記周辺部内の前記第２の半導体ペレットの分割
をそれぞれ行うことを特徴とする半導体ペレットの分割
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32757794A JP2604563B2 (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 半導体ウエハおよび半導体ペレットの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32757794A JP2604563B2 (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 半導体ウエハおよび半導体ペレットの分割方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08186064A true JPH08186064A (ja) | 1996-07-16 |
| JP2604563B2 JP2604563B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=18200619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32757794A Expired - Lifetime JP2604563B2 (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 半導体ウエハおよび半導体ペレットの分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2604563B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009060514A1 (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-14 | Fujitsu Microelectronics Limited | 半導体装置の製造方法、ウエハおよびウエハの製造方法 |
| CN106952986A (zh) * | 2017-05-26 | 2017-07-14 | 厦门市东太耀光电子有限公司 | 一种led晶元切割方法 |
| CN113960708A (zh) * | 2021-10-26 | 2022-01-21 | 苏州众为光电有限公司 | 一种窄带滤光片的切割方法 |
| US11747738B2 (en) * | 2016-07-19 | 2023-09-05 | Asml Netherlands B.V. | Determining the combination of patterns to be applied to a substrate in a lithography step |
-
1994
- 1994-12-28 JP JP32757794A patent/JP2604563B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009060514A1 (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-14 | Fujitsu Microelectronics Limited | 半導体装置の製造方法、ウエハおよびウエハの製造方法 |
| US11747738B2 (en) * | 2016-07-19 | 2023-09-05 | Asml Netherlands B.V. | Determining the combination of patterns to be applied to a substrate in a lithography step |
| CN106952986A (zh) * | 2017-05-26 | 2017-07-14 | 厦门市东太耀光电子有限公司 | 一种led晶元切割方法 |
| CN113960708A (zh) * | 2021-10-26 | 2022-01-21 | 苏州众为光电有限公司 | 一种窄带滤光片的切割方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2604563B2 (ja) | 1997-04-30 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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