JPH08185499A

JPH08185499A - 非接触型ｉｃカードの製造方法

Info

Publication number: JPH08185499A
Application number: JP6337917A
Authority: JP
Inventors: Takayoshi Imai; 隆嘉今井; Masahiko Nakamura; 眞彦中村; Seiichiro Hayakawa; 誠一郎早川
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1994-12-27
Filing date: 1994-12-27
Publication date: 1996-07-16

Abstract

(57)【要約】【目的】成形型内にＩＣカード素子を配置する際に使用
される空間位置決め支持体の工夫により、樹脂製カード
内の略中央部に偏平状のＩＣカード素子を一体的に埋設
して成る非接触型ＩＣカードの工業的有利な製造方法を
提供する。【構成】樹脂製カード内の略中央部に偏平状のＩＣカー
ド素子を一体的に埋設して成る非接触型ＩＣカードの製
造方法であって、空間位置決め支持体により、上下に配
置された成形型内の厚さ方向の略中央部にＩＣカード素
子を配置した後、成形型内の空間部で樹脂の硬化を行う
に際し、前記空間位置決め支持体として、光重合性モノ
マーの部分硬化物（柔軟なゲル化物）を使用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、非接触型ＩＣカードの
製造方法に関するものであり、詳しくは、樹脂製カード
内の略中央部に偏平状のＩＣカード素子を一体的に埋設
して成る非接触型ＩＣカードの工業的有利な製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】非接触型ＩＣカードは、機械などに差し
込んで物理的に接触することなしに、中波帯、マイクロ
波帯などの電波の交信によってデータの読み書きを行う
カードである。斯かるＩＣカードは、発振器の電波を受
信し、その情報をカードの内部に記憶させるタイプと、
発振器の電波を受信し、カードが持っている情報をカー
ドから発信して受信器に伝達するタイプとに分類され
る。

【０００３】非接触型ＩＣカードは、上記の何れのタイ
プであっても、通常、ＩＣ回路、バッテリー、メモリ
ー、アンテナ、コンピューター等から成るＩＣカード素
子をカードに埋め込んだ構造を有する。そして、従来、
非接触型ＩＣカードは、ハウジング組み立て法またはシ
ート積層法によって製造されている。

【０００４】上記のハウジング組み立て法は、少なくと
も２個のハウジング構造を備えた非接触型ＩＣカードの
製造方法であって、例えば射出成形によって中心部に凹
部を備えた２個のハウジングを成形し、凹部内にＩＣカ
ード素子を配置して接着固定し、ハウジング同志を貼り
合わせる工程よりなる。

【０００５】上記のシート積層法は、少なくとも、表層
／中間層／表層の３層構造を備えた非接触型ＩＣカード
の製造方法であって、例えば押出成形によってシートを
成形し、中間層用シートの中心部を打ち抜き、一方の表
層用シートの上に中間層用シートを貼り合わせ、中間層
用シートの凹部内にＩＣカード素子を配置して接着固定
し、次いで、中間層用シートの上に他方の表層用シート
を貼り合わせる工程よりなる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
製造方法は、何れも、ＩＣカード素子の形状に合致した
凹部の形成が困難であり、従って、接着不十分な場合
は、移動によって故障し易いと言う欠点がある。一方、
ＩＣカード素子の各構成部品毎に完全接着を行うために
は、極めて繁雑な作業を必要とする。

【０００７】しかも、ハウジング組み立て法は、ハウジ
ングの成形工程の他、ＩＣカード素子の接着工程、ハウ
ジング同志の接着工程を必要とし、シート積層法は、シ
ートの成形工程の他に、シートの打ち抜き工程、ＩＣカ
ード素子の接着工程、シート同志の接着工程を必要とす
るため、工程数が多くて製造コストが高いと言う欠点が
ある。特に、複数の部品から成るＩＣカード素子の接着
は、手間が掛り且つ量産化に支障を来している。

【０００８】上記の様な欠点を解消するため、樹脂製カ
ード内の略中央部に偏平状のＩＣカード素子を一体的に
埋設して成る非接触型ＩＣカードが考えられる。斯かる
構造の非接触型ＩＣカードは、樹脂製カードのマトリッ
クス中にＩＣカード素子が一体的に埋設されているた
め、ＩＣカード素子の接着不十分による移動などの問題
はなく、勿論、接着工程なども必要としない。

【０００９】ところで、上記の非接触型ＩＣカードは、
空間位置決め支持体によって上下に配置された成形型内
の略中央部にＩＣカード素子を配置した後、成形型内の
空間部で樹脂原料を硬化して製造することが出来るが、
この場合、次の様な問題がある。

【００１０】すなわち、ＩＣカードの両面に配置された
空間位置決め支持体の全体の高さが成形型内の空間部よ
りも大きい場合、成形型内にＩＣカード素子を配置した
際に空間位置決め支持体に大きな押圧力が作用してＩＣ
カード素子を破損するおそれがあるため、空間位置決め
支持体の各高さを厳密に管理する必要がある。

【００１１】また、ＩＣカード素子は、空間位置決め支
持体によって樹脂製カード内の略中央部に埋設されるの
であるから、空間位置決め支持体は、成形型内にＩＣカ
ード素子を配置し、樹脂原料の硬化が終了する迄の一連
の操作中、所定位置に保持されて脱落しないことが重要
である。

【００１２】本発明は、上記実情に鑑みなされたもので
あり、その目的は、成形型内にＩＣカード素子を配置す
る際に使用される空間位置決め支持体の工夫により、樹
脂製カード内の略中央部に偏平状のＩＣカード素子を一
体的に埋設して成る非接触型ＩＣカードの工業的有利な
製造方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、空間位置
決め支持体について種々検討を重ねた結果、光重合性モ
ノマーは、照射される光によってその重合度（硬化度）
を厳密かつ容易に制御でき且つ柔軟なゲル化状態となし
得るため、これを空間位置決め支持体として利用するな
らば、上記の目的を容易に達成し得るとの知見を得た。

【００１４】本発明は、上記の知見を基に完成されたも
のであり、その要旨は、樹脂製カード内の略中央部に偏
平状のＩＣカード素子を一体的に埋設して成る非接触型
ＩＣカードの製造方法であって、空間位置決め支持体に
より、上下に配置された成形型内の厚さ方向の略中央部
にＩＣカード素子を配置した後、成形型内の空間部で樹
脂の硬化を行うに際し、前記空間位置決め支持体とし
て、光重合性モノマーの部分硬化物を使用することを特
徴とする非接触型ＩＣカードの製造方法に存する。

【００１５】以下、本発明を詳細に説明する。本発明で
使用されるＩＣカード素子としては、非接触型ＩＣカー
ドを構成し得る限り如何なる組み合わせの素子であって
もよく、その構成部品、形状などは何ら限定されない。
通常のＩＣカード素子は、ＩＣ回路、バッテリー、メモ
リー、アンテナ、コンピューター等から成り、これらの
構成部品は、必要に応じて基板上に搭載される。

【００１６】本発明において、空間位置決め支持体に使
用される光重合性モノマーとしては、公知の各種の光重
合性モノマーを使用し得る。例えば、多官能光重合性
（メタ）アクリレートは、好適な光重合性モノマーであ
る。なお、以下、本明細書において、「（メタ）アクリ
レート」の用語は、アクリレート及びメタアクリレート
の総称を意味する。

【００１７】上記の多官能光重合性（メタ）アクリレー
トの具体例としては、２，２−ビス（４−メタクリロイ
ルオキフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−メタク
リロイルオキシ−３，５−ジブロムフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−メタクリロイルオキシエトキシ
フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−メタクリロイ
ルオキシエトキシ−３，５−ジブロムフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−メタクリロイルオキシジエトキ
シフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−メタクリロ
イルオキシエトキシ−３，５−ジブロムフェニル）プロ
パン、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレ
ングリコールジメタクリレート、トリメチレングリコー
ルジメタクリレート、１，３−ブチレングリコールジメ
タクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレ
ート、２，２−ビス（４−メタクリロイルオキシシクロ
ヘキシル）プロパン等が挙げられる。

【００１８】他の好適な多官能光重合性（メタ）アクリ
レートの具体例としては、トリメチロールプロパン＝ト
リ（メタ）アクリレート、トリメチロールエタン＝トリ
（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール＝トリ
（メタ）アクリレート等のトリヒドロキシ化合物のトリ
（メタ）アクリレートが挙げられる。

【００１９】光重合性モノマーは、通常、光重合開始剤
と共に使用される。光重合開始剤としては、例えば、
２，６−ジメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオ
キサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニ
ルフォスフィンオキサイド、２，６−ジクロルベンゾイ
ルジフェニルフォスフィンオキサイド、２，６−ジメト
キシベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド等の
アシルフォスフィンオキサイド類；２，４，６−トリメ
チルベンゾイルフェニルフォスフィン酸メチルエステル
等のアシルフォスフィン酸エステル類；１，フェニル−
２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、１−
ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、４−ジフェ
ノキシジクロロアセトフェノン、ジエトキシアセトフェ
ノン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロ
キシ−２−メチルプロパン−１−オン等のアセトフェノ
ン系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸メチ
ル、４−フェニルベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフ
ェノン、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェ
ノン、ジフェノキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン
系化合物が挙げられる。好ましい光重合開始剤は、アシ
ルフォスフィンオキサイド類およびアシルフォスフィン
酸エステル類である。

【００２０】光重合開始剤の使用量は、光重合性モノマ
ー１００重量部に対し、通常０．０１〜０．５重量部、
好ましくは０．０２〜０．２重量部の範囲から選択され
る。

【００２１】本発明は、上下に配置された成形型内の略
中央部にＩＣカード素子を配置するに際し、空間位置決
め支持体として、前記の光重合性モノマーの部分硬化物
を使用することを特徴とする。具体的には、例えば、基
板上に、ＩＣ回路、バッテリー、メモリー、アンテナ、
コンピューター等の構成部品を搭載したＩＣカード素子
の場合は、基板の両面の適当箇所（例えば４コーナ）に
光重合性モノマーと光重合開始剤との組成物（光重合性
組成物）を滴下し部分的に硬化する。また、基板の両面
に上記の光重合性組成物を塗布し部分的に硬化する。更
には、透明型を使用する場合は、ＩＣカード素子が配置
される型枠の両内面に光重合性組成物を滴下し又は塗布
して部分的に硬化する。

【００２２】光重合性組成物の滴下量および塗布量は、
目的とする非接触型ＩＣカードの厚さなどによって適宜
決定されるが、通常、光硬化によって形成されるＩＣカ
ードの両面の突起または膜のＩＣカード素子膜基板を含
む全体の高さが成形型内の空間部よりも大きくなる様に
選択される。

【００２３】ＩＣカード素子膜基板の両面に滴下または
塗布された光重合性組成物の光硬化は、常法に従い、活
性エネルギー線を照射する方法によって行われる。活性
エネルギー線の波長としては、２００〜６００ｎｍの範
囲が好適であり、その光源としては、ケミカルランプ、
キセノンランプ、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、メ
タルハライドランプ等を適宜使用することが出来る。ま
た、光硬化の雰囲気は、特に制限されないが、大気雰囲
気（空気雰囲気）で十分である。

【００２４】空間位置決め支持体として使用する光重合
性組成物の光硬化は、部分硬化の段階で硬化反応を終了
する必要がある。ここに、部分硬化の段階とは、適用さ
れた面においては十分な接着強度を有する様に略完全に
硬化されているが、光重合性組成物の表面はゲル状態の
段階であることを意味する。本発明は、斯かるゲル状態
における柔軟性を利用することにより、空間位置決め支
持体の高さの厳密な管理を行うことなしに、成形型内に
配置されたＩＣカード素子の空間位置決め支持体からの
押圧力による破損防止を図ったものである。

【００２５】上記の部分硬化は、使用する光硬化性モノ
ーの種類により、そのゲルの柔軟性が異なるため、定量
的な表現は困難であるが、通常は硬化率（重合度）が３
０〜９０％程度、好ましは４０〜８０％程度の範囲であ
る。斯かる硬化反応の範囲は、活性エネルギー線の照射
時間や光硬化の雰囲気（例えば酸素濃度）等を調節する
ことによって容易に制御することが出来る。

【００２６】本発明においては、上記の様に例えばＩＣ
カード素子の両面の一部または全部に空間位置決め支持
体を設け、次いで、当該支持体によって上下に配置され
た成形型内の略中央部にＩＣカード素子を配置した後、
成形型内の空間部で樹脂の硬化を行い、樹脂製カード内
の略中央部に偏平状のＩＣカード素子を一体的に埋設す
る。

【００２７】成形型としては、成形型内の空間部で硬化
させるカード形成用樹脂によって適宜選択され、カード
形成用樹脂としては、前述したのと同様の光重合性モノ
マーから得られる樹脂の他、各種の樹脂を使用すること
が出来る。

【００２８】カード形成用光重合性モノマーとしては、
前述した空間位置決め支持体用の光重合性モノマーの
他、例えば、次の一般式［Ｉ］で表される含イオウビス
（メタ）アクリレートが好適である。

【００２９】

【化１】

【００３０】上記の一般式［Ｉ］中、Ｒ¹は、水素原子
またはメチル基、Ｒ²は、炭素数１〜６、好ましくは２
〜４であるアルキレン基、Ａｒは、何れも、炭素数が６
〜３０、好ましくは６〜１５であるアリーレン基、アラ
ルキレン基またはそれらのハロゲン置換体（但しフッ素
を除く）を表す。そして、Ｘは、−Ｏ−又は−Ｓ−を表
し、Ｙは、Ｘが−Ｏ−であるとき、−Ｓ−又は−ＳＯ₂
−、Ｘが−Ｓ−であるとき、−Ｓ−、−ＳＯ₂−又は−
ＣＯ−であるか、または、炭素数が１〜１２であるアル
キレン基、アラルキレン基、アルキルエーテル基、アラ
ルキレンエーテル基。アルキレンチオエーテル基および
あらるキレンチオエーテル基の群から選択された基を表
す。そして、ｍ及びｎは、それぞれ１〜５、好ましくは
１〜３の整数、ｐは、０〜１０、好ましくは０〜５の整
数を表す。

【００３１】上記のＡｒとしては、表１に示す基が好ま
しい。

【表１】−Ｐｈ− −ＣＨ₂−Ｐｈ−ＣＨ₂− −Ｐｈ（ｐ）−Ｓ−Ｐｈ（ｐ）− −Ｐｈ（ｐ）−ＳＯ₂−Ｐｈ（ｐ）− −Ｐｈ（ｐ）−Ｃ（ＣＨ₃）₂−Ｐｈ（ｐ）− −Ｐｈ（ｐ）−ＣＯ−Ｐｈ（ｐ）− −ＣＨ₂−Ｐｈ（Ｃｌ）₄−ＣＨ₂− （但し、Ｐｈは、ｏ−、ｍ−又はｐ−フェニレン、Ｐｈ
（ｐ）は、ｐ−フェニレン、Ｐｈ（Ｃｌ）₄は、ｏ−、
ｍ−又はｐ−テトラクロロフェニレンを表す。）

【００３２】上記の一般式［Ｉ］において、同一分子中
に複数個存在する基、例えば、Ｒ¹は、同一でも異なっ
ていてもよい。上記の一般式［Ｉ］で表される含イオウ
ビス（メタ）アクリレートは、イオウ及び芳香環を含む
鎖でアクリル酸またはメタクリル酸を連結した構造を有
する。

【００３３】上記の一般式［Ｉ］で表される含イオウビ
ス（メタ）アクリレートの具体例としては、ｐ−ビス
（β−アクリロイルオキシエチルチオ）キシリレン、ｐ
−ビス（β−メタクリロイルオキシエチルチオ）キシリ
レン、ｍ−ビス（β−アクリロイルオキシエチルチオ）
キシリレン、ｍ−ビス（β−メタクリロイルオキシエチ
ルチオ）キシリレン、α，α′−ビス（β−アクリロイ
ルオキシエチルチオ）−２，３，５，６−テトラクロロ
−ｐ−キシリレン、α，α′−ビス（β−メタクリロイ
ルオキシエチルチオ）−２，３，５，６−テトラクロロ
−ｐ−キシリレン、４，４′−ビス（β−アクリロイル
オキシエトキシ）ジフェニルスルフィド、４，４′−ビ
ス（β−メタクリロイルオキシエトキシ）ジフェニルス
ルフィド、４，４′−ビス（β−アクリロイルオキシエ
トキシエトキシ）ジフェニルスルホン、４，４′−ビス
（β−メタクリロイルオキシエトキシエトキシ）ジフェ
ニルスルホン、４，４′−ビス（β−アクリロイルオキ
シエチルチオ）ジフェニルスルフィド、４，４′−ビス
（β−メタクリロイルオキシエチルチオ）ジフェニルス
ルフィド、４，４′−ビス（β−アクリロイルオキシエ
チルチオ）ジフェニルスルホン、４，４′−ビス（β−
メタクリロイルオキシエチルチオ）ジフェニルスルホ
ン、４，４′−ビス（β−メタクリロイルオキシエチル
チオ）ジフェニルケトン等が挙げられる。

【００３４】上記の光重合性モノマーは、前述した空間
位置決め支持体用としても使用することが出来、カード
形成用光重合性モノマーと空間位置決め支持体用光重合
性モノマーとは、同一であっても異なっていてよい。し
かしながら、空間位置決め支持体用光重合性モノマーと
しては、カード形成用光重合性モノマーよりも低官能数
のモノマーを使用して両者を異ならせてもよい。

【００３５】また、前述の光重合性モノマーには、得ら
れるポリーマーの物性バランスを図るために共重合モノ
マーを併用することが出来る。斯かる共重合モノマーと
しては、ペンタエリスリトールテトラキス（β−チオプ
ロピオネート）、ペンタエリスリトールテトラキス（チ
オグリコレート）、トリメチロールプロパントリス（β
−チオプロピオネート）、トリメチロールプロパントリ
ス（チオグリコレート）、ジエチレングリコールビス
（β−チオプロピオネート）、ジエチレングリコールビ
ス（チオグリコレート）、トリチレングリコールビス
（β−チオプロピオネート）、トリチレングリコールビ
ス（チオグリコレート）、ジペンタエリスリトールヘキ
サキス（β−チオプロピオネート）、ジペンタエリスリ
トールヘキサキス（チオグリコレート）等が挙げられ
る。

【００３６】カード形成用光重合性モノマーの場合も、
通常、光重合開始剤と共に組成物として使用される。そ
して、必要に応じ、有機過酸化物を併用し、硬化方法と
して、活性エネルギー線を照射する方法の他、活性エネ
ルギー線を照射した後に加熱する方法、活性エネルギー
線の照射と加熱を併用する方法などを採用することも出
来る。有機過酸化物としては、例えば、１，１−ビス
（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシ
クロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）
−シクロヘキサン等のパーオキシケタール類、ｔ−ブチ
ルパーオキシビパレート、ｔ−ブチルパーオキシ（２−
エチルヘキサノエート）、ｔ−ブチルパーオキシイソブ
チレート等のパーオキシエステル類、３，５，５−トリ
メチルヘキサノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオ
キサイド、ベンゾイルパーオキサイド等のジアシルパー
オキサイドが挙げられる。この場合、有機過酸化物は、
光重合性モノマー１００重量部に対し、通常０．０１〜
０．３重量部、好ましくは０．０２〜０．２重量部の範
囲から選択される。また、加熱温度は、有機過酸化物の
分解温度を考慮して適宜決定されが、通常７０〜１４０
℃の範囲から選択される。

【００３７】また、カード形成用樹脂として、通常の射
出成形法で使用される熱可塑性樹脂を使用することも出
来る。斯かる熱可塑性樹脂としては、ポリスチレン、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ＡＢＳ等の汎用樹脂、ポ
リアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリブ
チンテレフタレート、変性ポリフェニレンオキシド等の
汎用エンプラ、ポリアリレート、ポリフェニレンサルフ
ァイド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポ
リエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミド、ポリエ
ーテルイミド等の特殊エンプラ等が挙げられる。

【００３８】また、カード形成用樹脂として、反応射出
成形法によって得られる樹脂を使用することも出来る。
反応射出成形法は、速やかに反応硬化する２種以上の液
状樹脂原料を加圧下で混合室に導入して激しく衝突混合
させ、次いで、密閉金型内に注入して金型内で短時間に
硬化を完結して成形する方法である。

【００３９】反応射出成形法によって得られる好適な熱
硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビニルエステル樹
脂、不飽和ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ビスマ
レイミド樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレア樹脂、ポリイ
ソシアヌレート樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられ
る。また、アリル、ビニル、アクリル、メタクリル型の
炭素−炭素二重結合を有するモノマーとノルボルネン型
重合性モノマー又はオリゴマーとの重合による熱硬化性
樹脂も好適である。一方、熱可塑性樹脂としては、ポリ
アミド樹脂、ポリカーボネート樹脂などが挙げられる。
これらは、モノマー、プレポリマー等の状態で成形型の
キャビティ内に注入される。使用するモノマー等には、
反応性希釈剤、触媒、内部離型剤などを適宜添加しても
よい。

【００４０】そして、カード形成用樹脂として、光重合
性モノマーを原料とする樹脂を使用する場合、成形型と
しては、透明な成形型、例えば、２枚の透明ガラス板の
間に適当なスペーサーを配置して構成される成形型が使
用される。活性エネルギー線およびその光源としては、
前述したのと同様のものを使用することが出来る。活性
エネルギー線の照射は、成形型の両面から同時に行うの
が好ましいが、各面別々に照射してもよい。そして、斯
かる活性エネルギー線の照射により、カード形成用光重
合性組成物と共に空間位置決め支持体用として使用した
ゲル状態の光重合組成物の両者が完全に硬化される。

【００４１】カード形成用樹脂として、通常の射出成形
法で使用される熱可塑性樹脂を使用場合、成形型として
は、通常、固定側と移動側とに分割される２枚構成金型
が使用される。そして、溶融押出機と分割構造金型とを
組み合わせて射出成形法を行う。そして、空間位置決め
用支持体を設けたＩＣカード素子は、金型のキャビテイ
ー内に略水平に配置され、溶融状態の熱可塑性樹脂が成
形型内の空間部に注入され冷却硬化される。

【００４２】また、カード形成用樹脂として、反応射出
成形法によって得られる樹脂を使用した場合、成形型と
しては、上型と下型とから成る分割金型が使用される。
そして、空間位置決め用支持体を設けたＩＣカード素子
は、金型のキャビテイー内に略水平に配置され、ミキシ
ングヘッドによって衝突混合された２種以上の液状樹脂
原料が成形型内の空間部に注入されて反応硬化される。

【００４３】本発明においては、空間位置決め用支持体
として、光重合性モノマーの部分硬化物を使用している
ため、カード形成用樹脂としては、光重合性モノマーを
原料とする樹脂を使用するのが、相溶性の観点から好ま
しい。空間位置決め用支持体として前述した光重合性モ
ノマーは、カード形成用樹脂として前述した光重合性モ
ノマーと容易に共重合する。

【００４４】本発明において、前述の各樹脂中には、必
要に応じ、紫外線吸収剤などを配合することが出来る。
紫外線吸収剤としては、２，４−ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノ
ン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノン、
２−ヒドロキシ−４−オクタデシロキシベンゾフェノ
ン、２，２−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノ
ン、２，２−ジヒドロキシ−４，４′−ジメトキシベン
ゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物、２−（２′−
ヒドロキシ−３，５′−ジｔ−ブチルフェニル）ベンゾ
トリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔ−ブ
チル−５′メチルフェニル）ベンゾトリアゾール等のベ
ンゾトリアゾール系化合物が挙げられる。

【００４５】以上説明した本発明の製造方法によれば、
従来の製造方法（ハウジング組み立て法またはシート積
層法）と異なり、カード自体が一体成形されており、ま
た、ＩＣカード素子がカードと共に一体化されて埋設さ
れた新規な構造の非接触型ＩＣカードが提供される。そ
して、本発明の非接触型ＩＣカードは、通常、いわゆる
化粧フイルムの積層、塗装、印刷などによって表面を美
麗化して使用される。

【００４６】

【実施例】以下、本発明を実施例によって更に詳細に説
明するが、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。なお、以下の例にお
いては、ＩＣカード素子として、必要な構成部品を基板
上に搭載し、長辺５０ｍｍ、短辺４０ｍｍ、厚さ０．６
０ｍｍの基板付ＩＣカード素子を使用した。

【００４７】実施例１先ず、２，２−ビス（４−メタアクリロイルオキシフャ
ニル）プロパン９０重量部、ペンタエリスリトールテト
ラキス（β−チオプロピオネート）１０重量部、２，
４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィン
オキサイド（以下、ＭＤＰＯと略記）０．２重量部を混
合して光重合組成物を調製した。

【００４８】次いで、ＩＣカード素子の片面の４コーナ
ーに上記の光重合組成物を０．０２ｇずつ滴下した後、
高圧水銀ランプを使用し、滴下側面の面全体に照度１０
ｍｍ／ｃｍ²の紫外線を１０秒照射し、４コーナーに滴
下した光重合組成物をゲル化させ高さ０．５ｍｍの柔軟
な突起を形成した。その後、ＩＣカード素子の他の片面
についても同様に操作し、高さ０．５ｍｍの柔軟な突起
を４点形成し、空間位置決め用支持体を設けたＩＣカー
ド素子を作成した。

【００４９】次いで、長辺８６ｍｍ、短辺５４ｍｍ、４
コーナーのＲ部３．０の長方形空間を形成する様に切り
抜かれ且つ注入孔を設けた厚さ０．８０ｍｍのシリコン
スペーサーを透明ガラス板の上に載置し、シリコンスペ
ーサーで形成された長方形空間の略中央に上記のＩＣカ
ード素子を載置し、シリコンスペーサーの上に他の透明
ガラス板を載置し、両ガラス板でＩＣカード素子をサン
ドイッチした。

【００５０】次いで、シリコンスペーサーの注入孔から
光重合組成物を注入し、注入孔にシリコン製の蓋をし、
高圧水銀ランプを使用し、ガラ製型の両面から照度１０
０ｍｍ／ｃｍ²の紫外線を１分照射して重合硬化を行っ
た。硬化物を脱型し、注入孔部分のバリを切削し、非接
触型ＩＣカードを得た。得られた非接触型ＩＣカード
は、厚さ０．７６ｍｍであり、カードとして使用するの
に十分な強度と靱性を備え、ＩＣカード素子が表面に露
出することなく且つ凹凸の内均一な表面を有していた。

【００５１】実施例２実施例１において、ペンタエリスリトールテトラキス
（β−チオプロピオネート）を使用せずに、２，２−ビ
ス（４−メタアクリロイルオキシフャニル）プロパン１
００重量部を使用した以外は、実施例１と同様にし、両
面の各４コーナーに高さ０．５ｍｍの柔軟な突起を合計
８点形成し、空間位置決め用支持体を設けたＩＣカード
素子を作成した。

【００５２】次いで、長辺８６ｍｍ、短辺５４ｍｍ、４
コーナーのＲ部３．０の長方形空間を形成する様に切り
抜かれた厚さ０．８０ｍｍのシリコンスペーサーを透明
ガラス板の上に載置し、シリコンスペーサーで形成され
た長方形空間の略中央に上記のＩＣカード素子を載置し
た。その後、シリコンスペーサーの残余の空間部に光重
合組成物を注入し、シリコンスペーサーの上に他の透明
ガラス板を載置し、両ガラス板でＩＣカード素子をサン
ドイッチした。そして、実施例１と同様に、硬化、脱
型、バリ切削を行い、非接触型ＩＣカードを得た。得ら
れた非接触型ＩＣカードは、実施例１と同様の特性を備
えていた。

【００５３】実施例３シクロヘキサンジオールのジメタクリレート９０重量
部、ペンタエリスリトールテトラキス（β−チオプロピ
オネート）１０重量部、ＭＤＰＯ０．２重量部を混合し
て光重合組成物を調製した。

【００５４】次いで、長辺８６ｍｍ、短辺５４ｍｍ、４
コーナーのＲ部３．０の長方形空間を形成する様に切り
抜かれ且つ注入孔を設けた厚さ０．８０ｍｍのシリコン
スペーサーを装着した下面側透明ガラス板と、シリコン
スペーサーを装着していない下面側透明ガラス板とを用
意した。そして、各ガラス板のそれぞれの内面の４コー
ナーに上記の光重合組成物を０．０２ｇずつ滴下した。
滴下位置は、後述のＩＣカード素子の４コーナー相当位
置とした。

【００５５】次いで、高圧水銀ランプを使用し、上記の
各滴下部に照度１０ｍｍ／ｃｍ²の紫外線を１０秒照射
し、光重合組成物をゲル化させ、高さ０．５ｍｍの柔軟
な突起を合計８点形成した。そして、下面側透明ガラス
板の４点の突起の上にＩＣカード素子を載置し、シリコ
ンスペーサーを介し、他の突起付透明ガラス板を載置
し、両ガラス板でＩＣカード素子をサンドイッチした。
その後、シリコンスペーサーの注入孔から光重合組成物
を注入し、注入孔にシリコン製の蓋をした。以降、実施
例１と同様に、硬化、脱型、バリ切削を行い、非接触型
ＩＣカードを得た。得られた非接触型ＩＣカードは、実
施例１と同様の特性を備えていた。

【００５６】実施例４ｐ−ビス（βーメタクリロイルオキシエチルチオ）キシ
リル９０重量部、ペンタエリスリトールテトラキス（β
−チオプロピオネート）１０重量部、ＭＤＰＯ０．２重
量部を混合して光重合組成物を調製した。

【００５７】次いで、ＩＣカード素子の両面に厚さがそ
れぞれ０．１ｍｍとなる様に上記の光重合組成物を塗布
した後、高圧水銀ランプを使用し、ＩＣカード素子の両
面に照度１０ｍｍ／ｃｍ²の紫外線を１０秒照射し、塗
布した光重合組成物をゲル化させ柔軟な塗膜を形成し
た。

【００５８】次いで、実施例１と同様に、シリコンスペ
ーサーを使用し、両ガラス板でＩＣカード素子をサンド
イッチし、シリコンスペーサーの注入孔から光重合組成
物を注入し、注入孔にシリコン製の蓋をした。以降、実
施例１と同様に、硬化、脱型、バリ切削を行い、非接触
型ＩＣカードを得た。得られた非接触型ＩＣカードは、
実施例１と同様の特性を備えていた。

【００５９】実施例５実施例１と同様の光重合組成物を使用した。そして、２
枚の透明ガラス板のそれぞれに長辺８６ｍｍ、短辺５４
ｍｍ、４コーナーのＲ部３．０の長方形であって厚さが
０．１ｍｍとなる様に上記の光重合組成物を塗布した
後、高圧水銀ランプを使用し、各塗布面に照度１０ｍｍ
／ｃｍ²の紫外線を１０秒照射し、塗布した光重合組成
物をゲル化させ柔軟な塗膜を形成した。

【００６０】次いで、長辺８６ｍｍ、短辺５４ｍｍ、４
コーナーのＲ部３．０の長方形空間を形成する様に切り
抜かれ且つ注入孔を設けた厚さ０．８０ｍｍのシリコン
スペーサーを介し、両ガラス板の柔軟な塗膜面でＩＣカ
ード素子をサンドイッチし、シリコンスペーサーの注入
孔から光重合組成物を注入し、注入孔にシリコン製の蓋
をした。以降、実施例１と同様に、硬化、脱型、バリ切
削を行い、非接触型ＩＣカードを得た。得られた非接触
型ＩＣカードは、実施例１と同様の特性を備えていた。

【００６１】

【発明の効果】以上説明した本発明によれば、ＩＣカー
ド素子の全表面が固定された状態でカード内に埋設され
た新規な構造の非接触型ＩＣカード及び製造工程を簡略
化した工業的有利な非接触型ＩＣカードの製造方法が提
供される。特に、本発明の製造方法は、成形型内の厚さ
方向の略中央部にＩＣカード素子を配置するために使用
する空間位置決め支持体の高さを厳格に管理すること無
しに、断線などの欠陥が無く薄型化された非接触型ＩＣ
カードを製造することが出来る利点がある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ０６Ｋ 19/02 // Ｂ２９Ｃ 45/00 9543−4Ｆ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂製カード内の略中央部に偏平状のＩ
Ｃカード素子を一体的に埋設して成る非接触型ＩＣカー
ドの製造方法であって、空間位置決め支持体により、上
下に配置された成形型内の厚さ方向の略中央部にＩＣカ
ード素子を配置した後、成形型内の空間部で樹脂の硬化
を行うに際し、前記空間位置決め支持体として、光重合
性モノマーの部分硬化物を使用することを特徴とする非
接触型ＩＣカードの製造方法。