JPH0818165A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0818165A JPH0818165A JP6151182A JP15118294A JPH0818165A JP H0818165 A JPH0818165 A JP H0818165A JP 6151182 A JP6151182 A JP 6151182A JP 15118294 A JP15118294 A JP 15118294A JP H0818165 A JPH0818165 A JP H0818165A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48091—Arched
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体レーザ装置を薄型化、軽量化して、半導
体レーザ装置を光ピックアップに適用した場合等に、ア
クセス時間の短縮、装置の小型化を達成できるようにす
る。 【構成】保護キャップ６の側壁面の一部を取り除いてブ
リッジ状に構成することで、半導体レーザ装置の厚みを
薄くする。その際、半導体レーザ素子３１等の搭載され
ている半導体素子の表面には、Al2O3 、SiO2、SiＮ、Mg
F2、Si等からなる保護層を形成して外環境から保護す
る。また、リード端子として、フレキシブル基板３７を
用いることにより、この部分でも薄型化，小型化をはか
る。
体レーザ装置を光ピックアップに適用した場合等に、ア
クセス時間の短縮、装置の小型化を達成できるようにす
る。 【構成】保護キャップ６の側壁面の一部を取り除いてブ
リッジ状に構成することで、半導体レーザ装置の厚みを
薄くする。その際、半導体レーザ素子３１等の搭載され
ている半導体素子の表面には、Al2O3 、SiO2、SiＮ、Mg
F2、Si等からなる保護層を形成して外環境から保護す
る。また、リード端子として、フレキシブル基板３７を
用いることにより、この部分でも薄型化，小型化をはか
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光ディスク装置等の
光ピックアップ等として用いられる半導体レーザ装置に
関する。
光ピックアップ等として用いられる半導体レーザ装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク装置で光ピックアップに用い
られる半導体レーザ装置は、一般に、レーザダイオード
（半導体レーザ素子）とその光出力検出用のフォトダイ
オードで構成する形態、または、上記形態に加えて、ホ
ログラム素子と信号検出用のフォトダイオードを付加し
た形態のいずれかである。前記ホログラム素子は、下面
にレーザ光を２つのトラッキング副ビームとメディアか
らの情報読み出し用主ビームに分けるための光回折格子
が形成され、かつ上面にメディアからの反射光を信号検
出用フォトダイオードに導くための光路回折用格子が形
成されたものである。そして、前記レーザダイオード、
光出力検出用のフォトダイオード、信号検出用のフォト
ダイオード、の各部品はステム上に配置されている。
られる半導体レーザ装置は、一般に、レーザダイオード
（半導体レーザ素子）とその光出力検出用のフォトダイ
オードで構成する形態、または、上記形態に加えて、ホ
ログラム素子と信号検出用のフォトダイオードを付加し
た形態のいずれかである。前記ホログラム素子は、下面
にレーザ光を２つのトラッキング副ビームとメディアか
らの情報読み出し用主ビームに分けるための光回折格子
が形成され、かつ上面にメディアからの反射光を信号検
出用フォトダイオードに導くための光路回折用格子が形
成されたものである。そして、前記レーザダイオード、
光出力検出用のフォトダイオード、信号検出用のフォト
ダイオード、の各部品はステム上に配置されている。
【０００３】図５を参照して従来の半導体レーザ装置の
構成例を説明する。
構成例を説明する。
【０００４】半導体レーザ装置１００は、金属製のステ
ム１０５上に、半導体レーザ素子（レーザチップ）を含
むレーザ出力部１０１、光出力検出部１０２、および信
号検出部１０３を備えたものである。なお、レーザ出力
部１０１は、台座部１０１ｂ上にレーザチップ１０１ａ
をマウントしたものであり、この例の構成では、信号検
出部１０３も台座部１０１ｂ上に配置されている。これ
らのレーザ出力部１０１、光出力検出部１０２、および
信号検出部１０３は、外環境からの保護のために、保護
キャップ１０６によって気密封入されている。保護キャ
ップ１０６はステム１０５側の面が開口した箱型のもの
で、開口面の周囲には鍔部１０６ａが形成されている。
保護キャップ１０６は鍔部１０６ａがステム１０５に溶
着されることで内部が気密状態になっている。なお、図
においては、保護キャップ１０６の一部を切り欠いて示
している。
ム１０５上に、半導体レーザ素子（レーザチップ）を含
むレーザ出力部１０１、光出力検出部１０２、および信
号検出部１０３を備えたものである。なお、レーザ出力
部１０１は、台座部１０１ｂ上にレーザチップ１０１ａ
をマウントしたものであり、この例の構成では、信号検
出部１０３も台座部１０１ｂ上に配置されている。これ
らのレーザ出力部１０１、光出力検出部１０２、および
信号検出部１０３は、外環境からの保護のために、保護
キャップ１０６によって気密封入されている。保護キャ
ップ１０６はステム１０５側の面が開口した箱型のもの
で、開口面の周囲には鍔部１０６ａが形成されている。
保護キャップ１０６は鍔部１０６ａがステム１０５に溶
着されることで内部が気密状態になっている。なお、図
においては、保護キャップ１０６の一部を切り欠いて示
している。
【０００５】また、ステム１０５にはリード端子１０７
が通され、このリード端子１０７とレーザ出力部１０
１、光出力検出部１０２，信号検出部１０３と、が金線
１０９により接続されているが、前記したように保護キ
ャップ１０６内の気密性を保持するために、前記リード
端子１０７とステム１０５との間はハーメチックシール
１０８が設けられている。
が通され、このリード端子１０７とレーザ出力部１０
１、光出力検出部１０２，信号検出部１０３と、が金線
１０９により接続されているが、前記したように保護キ
ャップ１０６内の気密性を保持するために、前記リード
端子１０７とステム１０５との間はハーメチックシール
１０８が設けられている。
【０００６】なお、前記保護キャップ１０６は、ホログ
ラム素子１０４の固定台としても兼用されており、保護
キャップ１０６の上面には、石英ガラス等からなるガラ
ス窓１１０が形成され、ガラス窓１１０の上面にホログ
ラム素子１０４が配置されている。これにより、レーザ
出力部１０１から出力されたレーザ光がガラス窓１１
０、ホログラム素子１０４を介して外部へ放射される。
ラム素子１０４の固定台としても兼用されており、保護
キャップ１０６の上面には、石英ガラス等からなるガラ
ス窓１１０が形成され、ガラス窓１１０の上面にホログ
ラム素子１０４が配置されている。これにより、レーザ
出力部１０１から出力されたレーザ光がガラス窓１１
０、ホログラム素子１０４を介して外部へ放射される。
【０００７】半導体レーザ装置が組み込まれた光ピック
アップ装置の構成例を図６を参照して説明する。
アップ装置の構成例を図６を参照して説明する。
【０００８】光ピックアップ装置は、光ディスク１２１
を光走査するためのものであり、ハウジング１２２内に
半導体レーザ装置１００、レンズ，ミラー等の光学部品
１２３、対物レンズ１２４、等を備えている。半導体レ
ーザ装置１００からホログラム素子１０４を介して出力
されたレーザ光１３０は、光学部品１２３、対物レンズ
１２４を介して光ディスク１２１に照射され、光ディス
ク１２１で反射された後、再び対物レンズ１２４、光学
部品１２３を介して半導体レーザ装置１００に入力さ
れ、半導体レーザ装置１００内の信号検出部１０３によ
り光信号が検出される。なお、半導体レーザ装置１００
のリード端子１０７は、基板１２５上に配置される。基
板１２５は、信号基板１２６により図外の駆動系と接続
されたものであり、外部の駆動系の信号を基板１２５を
介して半導体レーザ装置１００に伝達する。
を光走査するためのものであり、ハウジング１２２内に
半導体レーザ装置１００、レンズ，ミラー等の光学部品
１２３、対物レンズ１２４、等を備えている。半導体レ
ーザ装置１００からホログラム素子１０４を介して出力
されたレーザ光１３０は、光学部品１２３、対物レンズ
１２４を介して光ディスク１２１に照射され、光ディス
ク１２１で反射された後、再び対物レンズ１２４、光学
部品１２３を介して半導体レーザ装置１００に入力さ
れ、半導体レーザ装置１００内の信号検出部１０３によ
り光信号が検出される。なお、半導体レーザ装置１００
のリード端子１０７は、基板１２５上に配置される。基
板１２５は、信号基板１２６により図外の駆動系と接続
されたものであり、外部の駆動系の信号を基板１２５を
介して半導体レーザ装置１００に伝達する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光ディスク
装置に用いられる光ピックアップ装置は、薄型である程
好ましい。薄型になれば重量が軽くなり、光ディスク装
置としてのアクセス時間が短縮されるからである。ま
た、光ディスク装置自体も小型化，薄型化できるととも
に、軽量化できる利点が生じる。
装置に用いられる光ピックアップ装置は、薄型である程
好ましい。薄型になれば重量が軽くなり、光ディスク装
置としてのアクセス時間が短縮されるからである。ま
た、光ディスク装置自体も小型化，薄型化できるととも
に、軽量化できる利点が生じる。
【００１０】しかしながら従来の構成では、半導体レー
ザ装置１００の厚みｔ（図５，図６参照）がネックとな
って、光ピックアップ装置の薄型化が困難になってお
り、アクセス時間の短縮、装置の軽量化を追求しきれず
にいた。すなわち、図５に示すように、半導体レーザ装
置は、レーザ出力部１０１、光出力検出部１０２、信号
検出部１０３、等を気密封入するために保護キャップ１
０６を有しており、保護キャップ１０６をステム１０５
上に密着させるための構成（鍔１０６ａ）が必要となる
ために、ある程度以上の薄型化は困難であった。また、
上記気密封入のためには、ハーメチックシール１０８も
必要であり、この構成のために、ますます薄型化が困難
となっていた。
ザ装置１００の厚みｔ（図５，図６参照）がネックとな
って、光ピックアップ装置の薄型化が困難になってお
り、アクセス時間の短縮、装置の軽量化を追求しきれず
にいた。すなわち、図５に示すように、半導体レーザ装
置は、レーザ出力部１０１、光出力検出部１０２、信号
検出部１０３、等を気密封入するために保護キャップ１
０６を有しており、保護キャップ１０６をステム１０５
上に密着させるための構成（鍔１０６ａ）が必要となる
ために、ある程度以上の薄型化は困難であった。また、
上記気密封入のためには、ハーメチックシール１０８も
必要であり、この構成のために、ますます薄型化が困難
となっていた。
【００１１】この発明の目的は、半導体レーザ装置を薄
型化することによって、上記アクセス時間の問題や、光
ピックアップの薄型化の問題を解消することのできる半
導体レーザ装置を提供することにある。
型化することによって、上記アクセス時間の問題や、光
ピックアップの薄型化の問題を解消することのできる半
導体レーザ装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、ステム上に、少なくとも、半導体レーザ素子、受光
素子等の半導体素子を搭載し、これらの半導体素子の上
方に保護キャップを配置した半導体レ ザ装置におい
て、前記保護キャップの側壁面の一部を取り除いて該保
護キャップをブリッジ状に構成するとともに、前記半導
体レーザ素子等の半導体素子を、保護層でコーティング
してなることを特徴とする。
は、ステム上に、少なくとも、半導体レーザ素子、受光
素子等の半導体素子を搭載し、これらの半導体素子の上
方に保護キャップを配置した半導体レ ザ装置におい
て、前記保護キャップの側壁面の一部を取り除いて該保
護キャップをブリッジ状に構成するとともに、前記半導
体レーザ素子等の半導体素子を、保護層でコーティング
してなることを特徴とする。
【００１３】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の半導体レーザ装置において、前記ステム上に搭載され
た半導体素子と、半導体レーザ装置の外部との信号入出
力端子として、フレキシブル基板型のリード端子を備え
たことを特徴とする。
の半導体レーザ装置において、前記ステム上に搭載され
た半導体素子と、半導体レーザ装置の外部との信号入出
力端子として、フレキシブル基板型のリード端子を備え
たことを特徴とする。
【００１４】
【作用】請求項１に記載の半導体レーザ装置において
は、ステム上に配置される保護キャップがブリッジ状に
構成されている、すなわち、一部の側壁面が取り除かれ
ているため、その取り除かれた分、ステムおよび半導体
レーザ装置全体の幅が薄くなり、重量も軽くなる。この
とき、保護キャップの側壁面を取り除く側を、該半導体
レーザ装置が適用される装置（光ピックアップ装置等）
の厚み方向と一致させておけば、前記光ピックアップ装
置等の厚みを薄くすることができる。このように保護キ
ャップの側壁面を取り除く際、半導体レーザ素子や受光
素子等の半導体素子には、保護層をコーティングしてい
るため、非気密による劣化が生じることがない。
は、ステム上に配置される保護キャップがブリッジ状に
構成されている、すなわち、一部の側壁面が取り除かれ
ているため、その取り除かれた分、ステムおよび半導体
レーザ装置全体の幅が薄くなり、重量も軽くなる。この
とき、保護キャップの側壁面を取り除く側を、該半導体
レーザ装置が適用される装置（光ピックアップ装置等）
の厚み方向と一致させておけば、前記光ピックアップ装
置等の厚みを薄くすることができる。このように保護キ
ャップの側壁面を取り除く際、半導体レーザ素子や受光
素子等の半導体素子には、保護層をコーティングしてい
るため、非気密による劣化が生じることがない。
【００１５】請求項２に記載の発明においては、レーザ
出力部，光出力検出部と、外部との信号入力端子とし
て、フレキシブル基板型のリード端子が用いられる。こ
のフレキシブル基板型のリード端子は、従来の装置で用
いていた一般的なリード端子に比べて厚みが薄い。その
ため、半導体レーザ装置を薄型に構成することが可能と
なる。
出力部，光出力検出部と、外部との信号入力端子とし
て、フレキシブル基板型のリード端子が用いられる。こ
のフレキシブル基板型のリード端子は、従来の装置で用
いていた一般的なリード端子に比べて厚みが薄い。その
ため、半導体レーザ装置を薄型に構成することが可能と
なる。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の実施例を説
明する。
明する。
【００１７】図１は請求項１に記載した発明の実施例を
示す半導体レーザ装置の斜視図である。
示す半導体レーザ装置の斜視図である。
【００１８】半導体レーザ装置は金属製のステム５上
に、半導体レーザ素子を含むレーザ出力部１を備えてい
る。レーザ出力部１は、Ｌ字型の柱状の台座部１ｂの側
壁面に、レーザダイオードを含むレーザチップ１ａを配
置したものである。レーザチップ１ａの下側近傍にはレ
ーザ出力光の状態を検出するための光出力検出部２が配
置されている。光出力検出部２はフォトダイオードを含
んでいる。また、レーザ出力部１の台座部１ｂの上面に
は、５〜６個程度のフォトダイオードを有し、光ディス
クからの反射光を検出するための信号検出部３が配置さ
れている。
に、半導体レーザ素子を含むレーザ出力部１を備えてい
る。レーザ出力部１は、Ｌ字型の柱状の台座部１ｂの側
壁面に、レーザダイオードを含むレーザチップ１ａを配
置したものである。レーザチップ１ａの下側近傍にはレ
ーザ出力光の状態を検出するための光出力検出部２が配
置されている。光出力検出部２はフォトダイオードを含
んでいる。また、レーザ出力部１の台座部１ｂの上面に
は、５〜６個程度のフォトダイオードを有し、光ディス
クからの反射光を検出するための信号検出部３が配置さ
れている。
【００１９】レーザ出力部１のレーザチップ１ａは、Ga
As，AlGaAs等を接合してなるレーザダイオードであり、
表面には保護膜１ｃが形成されている。保護膜１ｃは、
透光性、湿度等に対する耐性を有するとともに、GaAs等
からなるレーザダイオードと反応しない材料からなり、
例えば、Al2O3 、SiO2、SiＮ、MgF2、Si等からなる。保
護膜１ｃは、レーザチップ１ａの製造工程の最終段階に
おいて、蒸着等の方法により数千〜数万Åの厚みでレー
ザチップ１ａの表面に形成される。ただし、レーザチッ
プ１ａの電極部１ｄには保護膜１ｂを形成しない。この
ため、電極部１ｄは劣化を防止するために金（Au）等の
耐性の良いもので構成される。
As，AlGaAs等を接合してなるレーザダイオードであり、
表面には保護膜１ｃが形成されている。保護膜１ｃは、
透光性、湿度等に対する耐性を有するとともに、GaAs等
からなるレーザダイオードと反応しない材料からなり、
例えば、Al2O3 、SiO2、SiＮ、MgF2、Si等からなる。保
護膜１ｃは、レーザチップ１ａの製造工程の最終段階に
おいて、蒸着等の方法により数千〜数万Åの厚みでレー
ザチップ１ａの表面に形成される。ただし、レーザチッ
プ１ａの電極部１ｄには保護膜１ｂを形成しない。この
ため、電極部１ｄは劣化を防止するために金（Au）等の
耐性の良いもので構成される。
【００２０】また、光出力検出部２，信号検出部３の表
面にも上記レーザチップ１ａと同様に保護膜が形成さ
れ、かつ、それらの電極部はAu等で構成される。
面にも上記レーザチップ１ａと同様に保護膜が形成さ
れ、かつ、それらの電極部はAu等で構成される。
【００２１】ステム５にはリード端子７が通され、リー
ド端子７はステム５部分で接着剤８によって固定されて
いる。そして、各リード端子７は、金線９によって半導
体レーザチップ１ａや、光出力検出部２，信号検出部３
のフォトダイオードと接続されている。なお、リード端
子７、および、レーザチップ１ａ，光出力検出部２，信
号検出部３の電極部は、金（Au）等の安定した材料を用
いることにより、信号の伝達性の劣化を防止することが
できる。
ド端子７はステム５部分で接着剤８によって固定されて
いる。そして、各リード端子７は、金線９によって半導
体レーザチップ１ａや、光出力検出部２，信号検出部３
のフォトダイオードと接続されている。なお、リード端
子７、および、レーザチップ１ａ，光出力検出部２，信
号検出部３の電極部は、金（Au）等の安定した材料を用
いることにより、信号の伝達性の劣化を防止することが
できる。
【００２２】ステム５上のレーザ出力部１、光出力検出
部２、信号検出部３の上方には保護キャップ６が設けら
れ、該保護キャップ６上にホログラム素子４が固定され
る。保護キャップ６は、従来の保護キャップ（図５中１
０６）の対向した側壁面が取り除かれることで、ほぼコ
字型の断面形状を有するブリッジ形状に形成されたもの
で、開放片の端部にステム５への接着固定用の鍔部６ａ
が形成されている。保護キャップ６は、従来の保護キャ
ップと異なり、図１中ｔ方向部分に鍔部を備えない。こ
のため、ｔ方向の厚みを薄くすることができる。具体的
には、従来の保護キャップ（図５中１０６）を設けた構
成であると、半導体レーザ装置の厚みｔは４．８mm程度
であったが、この実施例のように、厚みｔ方向の鍔部
（１０６ａ）を備えない保護キャップ６を設けた構成で
は、鍔部１０６ａ分だけ厚みｔが薄くなって、半導体レ
ーザ装置の厚みｔを３．２mm程度に構成することができ
た。
部２、信号検出部３の上方には保護キャップ６が設けら
れ、該保護キャップ６上にホログラム素子４が固定され
る。保護キャップ６は、従来の保護キャップ（図５中１
０６）の対向した側壁面が取り除かれることで、ほぼコ
字型の断面形状を有するブリッジ形状に形成されたもの
で、開放片の端部にステム５への接着固定用の鍔部６ａ
が形成されている。保護キャップ６は、従来の保護キャ
ップと異なり、図１中ｔ方向部分に鍔部を備えない。こ
のため、ｔ方向の厚みを薄くすることができる。具体的
には、従来の保護キャップ（図５中１０６）を設けた構
成であると、半導体レーザ装置の厚みｔは４．８mm程度
であったが、この実施例のように、厚みｔ方向の鍔部
（１０６ａ）を備えない保護キャップ６を設けた構成で
は、鍔部１０６ａ分だけ厚みｔが薄くなって、半導体レ
ーザ装置の厚みｔを３．２mm程度に構成することができ
た。
【００２３】保護キャップ６の上面には、レーザチップ
１ａに対応する位置にガラス窓１０が形成され、ガラス
窓１０の上方には、ホログラム素子４が配置されてい
る。
１ａに対応する位置にガラス窓１０が形成され、ガラス
窓１０の上方には、ホログラム素子４が配置されてい
る。
【００２４】図２は、以上のように構成される半導体レ
ーザ装置を装着した光ピックアップの構成を示す図であ
る。図において、図５に示した従来の構成と異なる点
は、半導体レーザ装置１１の厚みｔが薄くなったことに
よる光ピックアップの厚みＴであり、全体の構成自体は
図５と同様である。したがって、光ピックアップの構成
を示す部分は図５と同一番号で示している。図示するよ
うに、半導体レーザ装置１１の厚みｔが３．２mmと薄く
なったことにより、光ピックアップ装置自体の厚みＴも
薄く、小型になって重量が軽くなる。この結果、光ピッ
クアップ装置のアクセス時間が短縮され、光ピックアッ
プの性能が向上する。
ーザ装置を装着した光ピックアップの構成を示す図であ
る。図において、図５に示した従来の構成と異なる点
は、半導体レーザ装置１１の厚みｔが薄くなったことに
よる光ピックアップの厚みＴであり、全体の構成自体は
図５と同様である。したがって、光ピックアップの構成
を示す部分は図５と同一番号で示している。図示するよ
うに、半導体レーザ装置１１の厚みｔが３．２mmと薄く
なったことにより、光ピックアップ装置自体の厚みＴも
薄く、小型になって重量が軽くなる。この結果、光ピッ
クアップ装置のアクセス時間が短縮され、光ピックアッ
プの性能が向上する。
【００２５】なお、この実施例では、信号検出部３およ
びホログラム素子４を備えた半導体レーザ装置を例にし
ているが、これらの部品を備えない半導体レーザ装置に
おいても本願発明は適用可能である。
びホログラム素子４を備えた半導体レーザ装置を例にし
ているが、これらの部品を備えない半導体レーザ装置に
おいても本願発明は適用可能である。
【００２６】図３は請求項２の実施例を示す図であり、
リード端子をフリキシブル基板で構成した半導体レーザ
装置の要部構成を示している。
リード端子をフリキシブル基板で構成した半導体レーザ
装置の要部構成を示している。
【００２７】楕円柱状のステム２５の表面にはフレキシ
ブル基板２７が貼付され、該フレキシブル基板２７は、
楕円柱状のステム２５の上面およひ側壁面に沿うように
折り曲げられて下方に垂下されている。フレキシブル基
板２７は、厚さがほぼ１００μｍ以下程度のもので、容
易に折り曲げてステム２５の表面に沿わせることができ
る。また、フレキシブル基板２７は、裏面に貼り付け固
定用の接着剤層が設けられたものであって、ステム２５
の表面に容易に接着固定できるようになっている。フレ
キシブル基板２７の表面には、レーザチップ２１、光出
力検出部２２、信号検出部２３用のリード端子２７ａが
形成されている。
ブル基板２７が貼付され、該フレキシブル基板２７は、
楕円柱状のステム２５の上面およひ側壁面に沿うように
折り曲げられて下方に垂下されている。フレキシブル基
板２７は、厚さがほぼ１００μｍ以下程度のもので、容
易に折り曲げてステム２５の表面に沿わせることができ
る。また、フレキシブル基板２７は、裏面に貼り付け固
定用の接着剤層が設けられたものであって、ステム２５
の表面に容易に接着固定できるようになっている。フレ
キシブル基板２７の表面には、レーザチップ２１、光出
力検出部２２、信号検出部２３用のリード端子２７ａが
形成されている。
【００２８】レーザ出力部２１、光出力検出部２２、信
号検出部２３は、ステム２５上のフレキシブル基板２７
上に配置されている。これらの部品は上記の実施例と同
様に、台座部２１ｂと、この台座部２１ｂの側壁面に配
置されたレーザチップ２１ａとからなるレーザ出力部２
１、台座部２１ｂ上に配置された信号検出部２３、およ
びレーザチップ２１ａの近傍に配置された光出力検出部
２２、である。そして、レーザチップ２１、光出力検出
部２２、信号検出部２３の各電極と、フレキシブル基板
２７上のリード端子２７ａとが金線２９によって接続さ
れており、各々は前述の実施例と同様に、保護層によっ
て外部から保護されている。
号検出部２３は、ステム２５上のフレキシブル基板２７
上に配置されている。これらの部品は上記の実施例と同
様に、台座部２１ｂと、この台座部２１ｂの側壁面に配
置されたレーザチップ２１ａとからなるレーザ出力部２
１、台座部２１ｂ上に配置された信号検出部２３、およ
びレーザチップ２１ａの近傍に配置された光出力検出部
２２、である。そして、レーザチップ２１、光出力検出
部２２、信号検出部２３の各電極と、フレキシブル基板
２７上のリード端子２７ａとが金線２９によって接続さ
れており、各々は前述の実施例と同様に、保護層によっ
て外部から保護されている。
【００２９】レーザ出力部２１、光出力検出部２２、信
号検出部２３上には、上記の実施例と同様に保護キャッ
プ２６が形成され、該保護キャップ２６上にホログラム
素子２４が配置されている。保護キャップ２６，ホログ
ラム素子２４の構成は上記実施例と同様である。
号検出部２３上には、上記の実施例と同様に保護キャッ
プ２６が形成され、該保護キャップ２６上にホログラム
素子２４が配置されている。保護キャップ２６，ホログ
ラム素子２４の構成は上記実施例と同様である。
【００３０】この実施例の半導体レーザ装置では、リー
ド端子をフレキシブル基板で構成したことによって、リ
ード端子自体の厚みが薄くなり、しかも、リード端子を
ステム２５に接着するための接着部（ハーメチックシー
ル等）が不要となる。この結果、レーザ半導体装置の厚
みを薄くできた。具体的には、従来の構成においては、
保護キャップ，リード端子，ハーメチックシールによ
り、ｔ＝４．８mmであったものが、ｔ＝２．８mmとなっ
た。
ド端子をフレキシブル基板で構成したことによって、リ
ード端子自体の厚みが薄くなり、しかも、リード端子を
ステム２５に接着するための接着部（ハーメチックシー
ル等）が不要となる。この結果、レーザ半導体装置の厚
みを薄くできた。具体的には、従来の構成においては、
保護キャップ，リード端子，ハーメチックシールによ
り、ｔ＝４．８mmであったものが、ｔ＝２．８mmとなっ
た。
【００３１】なお、基本的には、リード端子を本実施例
に示すようにフレキシブル基板で構成する構成によって
のみであっても半導体レーザ装置の厚みｔを薄くするこ
とができるが、その場合には保護キャップを用いてレー
ザチップ等の素子を気密封入しなければならず、通常の
保護キャップの固定方法が溶着方法によるものであるた
め、フレキシブル基板に変形を生じてしまうおそれがあ
る。そのため、フレキシブル基板を用いる場合には、レ
ーザチップ等に保護層を設けて保護キャップを用いない
構造とすることが好ましい。
に示すようにフレキシブル基板で構成する構成によって
のみであっても半導体レーザ装置の厚みｔを薄くするこ
とができるが、その場合には保護キャップを用いてレー
ザチップ等の素子を気密封入しなければならず、通常の
保護キャップの固定方法が溶着方法によるものであるた
め、フレキシブル基板に変形を生じてしまうおそれがあ
る。そのため、フレキシブル基板を用いる場合には、レ
ーザチップ等に保護層を設けて保護キャップを用いない
構造とすることが好ましい。
【００３２】図４は、この発明の他の実施例を示した図
である。
である。
【００３３】この実施例のステム３５は、楕円柱状のも
のの一部を切り欠いて構成されている。ステム３５の切
り欠き部３５ａ壁面の上端部付近には、レーザチップ３
１が固定配置され、ステム３５が放熱部として用いられ
ている。また、レーザチップ３１の下方部には光出力検
出部３２が固定配置されている。このように、ステム３
５に切り欠き部３５ａを形成し、この切り欠き部３５ａ
の壁面に、レーザチップ３１，光出力検出部３２を直接
固定配置したことにより、レーザチップ３１を固定する
ための台座部（図３中３１ｂ）を特別に設ける必要がな
くなり、レーザ光出力方向（図中上下方向）の厚みを薄
くできるとともに、軽量化をはかることができる利点が
ある。なお、従来の構成においては図５に示したよう
に、ステム１０５上のレーザチップ１０１等を気密封入
するために保護キャップ１０６を被せる必要があり、ス
テム１０５の形状を切り欠き等によって複雑な構成にす
ることが困難であったため、この実施例のようにレーザ
光出力方向の厚みを薄くすることができなかった。
のの一部を切り欠いて構成されている。ステム３５の切
り欠き部３５ａ壁面の上端部付近には、レーザチップ３
１が固定配置され、ステム３５が放熱部として用いられ
ている。また、レーザチップ３１の下方部には光出力検
出部３２が固定配置されている。このように、ステム３
５に切り欠き部３５ａを形成し、この切り欠き部３５ａ
の壁面に、レーザチップ３１，光出力検出部３２を直接
固定配置したことにより、レーザチップ３１を固定する
ための台座部（図３中３１ｂ）を特別に設ける必要がな
くなり、レーザ光出力方向（図中上下方向）の厚みを薄
くできるとともに、軽量化をはかることができる利点が
ある。なお、従来の構成においては図５に示したよう
に、ステム１０５上のレーザチップ１０１等を気密封入
するために保護キャップ１０６を被せる必要があり、ス
テム１０５の形状を切り欠き等によって複雑な構成にす
ることが困難であったため、この実施例のようにレーザ
光出力方向の厚みを薄くすることができなかった。
【００３４】ステム３５の表面には、リード端子３７ａ
をパターン化したフレキシブル基板３７が貼付されてい
る。そして、フレキシブル基板３７上に信号検出部３３
が配置されている。なお、レーザチップ３１、光出力検
出部３２、信号検出部３３には、前記したように、予め
保護膜が形成されており、環境に対して保護されてい
る。また、各部品３１，３２，３３の電極部は、Au等の
安定した材料で構成されている。そして、各部品３１，
３２，３３は、各々フレキシブル基板３７表面のリード
端子３７ａに金線３９によって接続されている。
をパターン化したフレキシブル基板３７が貼付されてい
る。そして、フレキシブル基板３７上に信号検出部３３
が配置されている。なお、レーザチップ３１、光出力検
出部３２、信号検出部３３には、前記したように、予め
保護膜が形成されており、環境に対して保護されてい
る。また、各部品３１，３２，３３の電極部は、Au等の
安定した材料で構成されている。そして、各部品３１，
３２，３３は、各々フレキシブル基板３７表面のリード
端子３７ａに金線３９によって接続されている。
【００３５】ステム３５上には保護キャップ３６が配置
されている。保護キャップ３６の、レーザ光出力方向の
長さは、上記したようにレーザチップ３１の台座部分が
ない分短くされている。ブリッジ３６の上面には、レー
ザチップ３１に対応する位置にガラス窓４０が形成さ
れ、該ガラス窓４０の上部にホログラム素子３４が配置
されている。
されている。保護キャップ３６の、レーザ光出力方向の
長さは、上記したようにレーザチップ３１の台座部分が
ない分短くされている。ブリッジ３６の上面には、レー
ザチップ３１に対応する位置にガラス窓４０が形成さ
れ、該ガラス窓４０の上部にホログラム素子３４が配置
されている。
【００３６】
【発明の効果】請求項１に記載の半導体レーザ装置によ
れば、ステム上の保護キャップの一方の側壁面がカット
されているため、そのカットされた分、ステムおよび半
導体レーザ装置全体の幅を薄く、軽くでき、これによっ
て例えば、該半導体レーザ装置を光ディスク装置の光ピ
ックアップに適用した場合に、応答性が良くなってアク
セス時間を短縮できる。また、該半導体レーザ装置にお
いては、開口された保護キャップ内の素子に保護層を形
成しているため、それらの素子が湿度等によって劣化し
てしまうことが防止される。
れば、ステム上の保護キャップの一方の側壁面がカット
されているため、そのカットされた分、ステムおよび半
導体レーザ装置全体の幅を薄く、軽くでき、これによっ
て例えば、該半導体レーザ装置を光ディスク装置の光ピ
ックアップに適用した場合に、応答性が良くなってアク
セス時間を短縮できる。また、該半導体レーザ装置にお
いては、開口された保護キャップ内の素子に保護層を形
成しているため、それらの素子が湿度等によって劣化し
てしまうことが防止される。
【００３７】請求項２の記載の発明によれば、リード端
子をフレキシブル基板で構成したこによって半導体レー
ザ装置の厚みを薄くすることができ、それにより、半導
体レーザ装置の軽量化をはかることができる。さらに、
装置の軽量化により、該半導体レーザ装置を光ピックア
ップに適用したときに、アクセス時間を短縮できる利点
が生じる。
子をフレキシブル基板で構成したこによって半導体レー
ザ装置の厚みを薄くすることができ、それにより、半導
体レーザ装置の軽量化をはかることができる。さらに、
装置の軽量化により、該半導体レーザ装置を光ピックア
ップに適用したときに、アクセス時間を短縮できる利点
が生じる。
【図１】請求項１の実施例に係る図であり、半導体レー
ザ装置の構成を示す図である。
ザ装置の構成を示す図である。
【図２】同半導体レーザ装置を適用した、光ディスク装
置の光ピックアップの構成を示す図である。
置の光ピックアップの構成を示す図である。
【図３】請求項２の実施例に係る図であり、半導体レー
ザ装置の要部の構成を示す図である。
ザ装置の要部の構成を示す図である。
【図４】この発明の他の実施例の半導体レーザ装置の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図５】従来の半導体レーザ装置の構成を示す図であ
る。
る。
【図６】同従来の半導体レーザ装置を適用した光ディス
ク装置の光ピックアップの構成を示す図である。
ク装置の光ピックアップの構成を示す図である。
１，２１，３１ レーザチップ（半導体レーザ素子） ２，２２，３２ 光出力検出部 ３，２３，３３ 信号検出部 ４，２４，３４ ホログラム素子 ５，２５，３５ ステム ６，２６，３６ 保護キャップ ７，２７ａ，３７ａ リード端子 ９，２９，３９ 金線 １０，４０ ガラス窓 ２７，３７ フレキシブル基板
Claims (2)
- 【請求項１】ステム上に、少なくとも、半導体レーザ素
子、受光素子等の半導体素子を搭載し、これらの半導体
素子の上方に保護キャップを配置した半導体レ ザ装置
において、 前記保護キャップの側壁面の一部を取り除いて該保護キ
ャップをブリッジ状に構成するとともに、前記半導体レ
ーザ素子等の半導体素子を、保護層でコーティングして
なることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】請求項１に記載の半導体レーザ装置におい
て、 前記ステム上に搭載された半導体素子と、半導体レーザ
装置の外部との信号入出力端子として、フレキシブル基
板型のリード端子を備えたことを特徴とする半導体レー
ザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15118294A JP3815802B2 (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15118294A JP3815802B2 (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0818165A true JPH0818165A (ja) | 1996-01-19 |
| JP3815802B2 JP3815802B2 (ja) | 2006-08-30 |
Family
ID=15513087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15118294A Expired - Fee Related JP3815802B2 (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3815802B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001320158A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-11-16 | Sharp Corp | フレキシブル基板へのリードレス部品の実装方法および光ピックアップ装置の製造方法 |
| JP2007019077A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザユニットおよび光ピックアップ装置 |
| US9588313B2 (en) | 2015-04-01 | 2017-03-07 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Optical device package and optical device apparatus |
| WO2018211636A1 (ja) * | 2017-05-17 | 2018-11-22 | 三菱電機株式会社 | 光モジュールおよびその製造方法 |
| JPWO2020240738A1 (ja) * | 2019-05-29 | 2021-11-18 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール |
-
1994
- 1994-07-01 JP JP15118294A patent/JP3815802B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001320158A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-11-16 | Sharp Corp | フレキシブル基板へのリードレス部品の実装方法および光ピックアップ装置の製造方法 |
| JP2007019077A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザユニットおよび光ピックアップ装置 |
| US9588313B2 (en) | 2015-04-01 | 2017-03-07 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Optical device package and optical device apparatus |
| WO2018211636A1 (ja) * | 2017-05-17 | 2018-11-22 | 三菱電機株式会社 | 光モジュールおよびその製造方法 |
| JPWO2018211636A1 (ja) * | 2017-05-17 | 2019-11-07 | 三菱電機株式会社 | 光モジュールおよびその製造方法 |
| JPWO2020240738A1 (ja) * | 2019-05-29 | 2021-11-18 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3815802B2 (ja) | 2006-08-30 |
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