JPH08178667A - 半導体角速度センサ - Google Patents
半導体角速度センサInfo
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- JPH08178667A JPH08178667A JP6320336A JP32033694A JPH08178667A JP H08178667 A JPH08178667 A JP H08178667A JP 6320336 A JP6320336 A JP 6320336A JP 32033694 A JP32033694 A JP 32033694A JP H08178667 A JPH08178667 A JP H08178667A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 生産性、経済性及び温度変化、経時に対する
安定性を向上させる。 【構成】 検出用基板２０とモニタ用基板３０とスペー
サ４０と駆動用圧電セラミック基板５０とが接着剤層で
接合される。検出用基板２０及びモニタ用基板３０には
それぞれシリコンのような半導体基板の異方性エッチン
グによって、第１、第２枠部、第１、第２フレクチャ、
第１、第２振動部がそれぞれ形成される。第１フレクチ
ャ上に、入力角速度により第１振動部が受けるコリオリ
力を歪として検出する圧電素子のような歪検出素子２５
が形成される。第２フレクチャ上に第２振動部の振動状
態を検出するピエゾ抵抗ブリッジのような振動検出素子
が形成される。第１枠部及び第１振動部が第２枠部及び
第２振動部とそれぞれ接合され、第２枠部の底面がスペ
ーサ４０を介してセラミック基板５０に接合される。
安定性を向上させる。 【構成】 検出用基板２０とモニタ用基板３０とスペー
サ４０と駆動用圧電セラミック基板５０とが接着剤層で
接合される。検出用基板２０及びモニタ用基板３０には
それぞれシリコンのような半導体基板の異方性エッチン
グによって、第１、第２枠部、第１、第２フレクチャ、
第１、第２振動部がそれぞれ形成される。第１フレクチ
ャ上に、入力角速度により第１振動部が受けるコリオリ
力を歪として検出する圧電素子のような歪検出素子２５
が形成される。第２フレクチャ上に第２振動部の振動状
態を検出するピエゾ抵抗ブリッジのような振動検出素子
が形成される。第１枠部及び第１振動部が第２枠部及び
第２振動部とそれぞれ接合され、第２枠部の底面がスペ
ーサ４０を介してセラミック基板５０に接合される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、飛行体、車両、ロボッ
ト、人体などの位置、姿勢観測／制御などに利用できる
角速度センサに関し、特に小型、安価で特性の安定した
半導体角速度センサに関する。
ト、人体などの位置、姿勢観測／制御などに利用できる
角速度センサに関し、特に小型、安価で特性の安定した
半導体角速度センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の振動型角速度センサ１は、図４に
示すようなビーム型のものと、図５に示すような音叉型
のものがある。 ビーム型の場合 代表的なものとして図４のように振動子２とそれを支持
する支持部材３とＸ軸に垂直に設けた駆動用の圧電素子
６ａ及びその対面の駆動状態のモニタ用の圧電素子６ｂ
とＹ軸に垂直な面に設けた検出用の圧電素子６ｃにより
構成される。圧電素子６（６ａ，６ｂ，６ｃ）は圧電体
４（４ａ，４ｂ，４ｃ）の表面に電極５（５ａ，５ｂ，
５ｃ）を形成したものである。
示すようなビーム型のものと、図５に示すような音叉型
のものがある。 ビーム型の場合 代表的なものとして図４のように振動子２とそれを支持
する支持部材３とＸ軸に垂直に設けた駆動用の圧電素子
６ａ及びその対面の駆動状態のモニタ用の圧電素子６ｂ
とＹ軸に垂直な面に設けた検出用の圧電素子６ｃにより
構成される。圧電素子６（６ａ，６ｂ，６ｃ）は圧電体
４（４ａ，４ｂ，４ｃ）の表面に電極５（５ａ，５ｂ，
５ｃ）を形成したものである。
【０００３】振動子２をＸ軸方向に屈曲振動させている
時（理想的には、直線振動）、Ｚ軸方向にΩの入力角速
度があった場合、Ｙ軸方向にコリオリ力（Ｆ＝−２ｍＶ
Ω；ｍは振動子の質量、Ｖは振動速度）を受け、屈曲振
動はＸ軸及びＹ軸方向の合成振動となり、楕円状にビー
ム変位を起こす。このときの振動子２のＹ軸に垂直な面
の歪（応力）を検出することによってコリオリ力、従っ
て、入力角速度Ωに比例した出力が得られる。なお、振
動子用のビーム７の材質は、エリンバーや石英などの高
弾性材を用い、支持部材３にピアノ線などのワイヤーを
用い、圧電体４として圧電セラミックを使用する。図６
に、ビーム７が駆動されてＸ軸方向に屈曲振動をしてい
るときに、入力角速度ΩがＺ軸方向に加えられた場合の
変位（振動）状態を示してある。
時（理想的には、直線振動）、Ｚ軸方向にΩの入力角速
度があった場合、Ｙ軸方向にコリオリ力（Ｆ＝−２ｍＶ
Ω；ｍは振動子の質量、Ｖは振動速度）を受け、屈曲振
動はＸ軸及びＹ軸方向の合成振動となり、楕円状にビー
ム変位を起こす。このときの振動子２のＹ軸に垂直な面
の歪（応力）を検出することによってコリオリ力、従っ
て、入力角速度Ωに比例した出力が得られる。なお、振
動子用のビーム７の材質は、エリンバーや石英などの高
弾性材を用い、支持部材３にピアノ線などのワイヤーを
用い、圧電体４として圧電セラミックを使用する。図６
に、ビーム７が駆動されてＸ軸方向に屈曲振動をしてい
るときに、入力角速度ΩがＺ軸方向に加えられた場合の
変位（振動）状態を示してある。
【０００４】 音叉型の場合 代表的なものとして図５のように音叉型の振動子２とそ
の各振動片上に駆動用圧電素子６ａ及びモニタ用圧電素
子６ｂを有し、音叉８の振動方向と同一方向に屈曲可能
な板状の支持部材９とその上の検出用の圧電素子６ｃを
有する構造により形成される。
の各振動片上に駆動用圧電素子６ａ及びモニタ用圧電素
子６ｂを有し、音叉８の振動方向と同一方向に屈曲可能
な板状の支持部材９とその上の検出用の圧電素子６ｃを
有する構造により形成される。
【０００５】図７に示すように音叉８の振動に対して垂
直方向（Ｚ軸方向）に入力角速度Ωが入った場合、音叉
８の各振動片の振動方向が互いに逆向きであるため、音
叉８を支持する前記支持部材９に曲げモーメントが発生
し、支持部材９を屈曲させ、そのときの支持部材９上の
歪（応力）を圧電素子６ｃで検出することによって入力
角速度Ωに比例した出力が得られる。音叉８が駆動され
てＸ軸方向に振動しているときに、入力角速度ΩがＺ軸
方向に加えられた場合の変位（振動）状態を図７に示し
てある。
直方向（Ｚ軸方向）に入力角速度Ωが入った場合、音叉
８の各振動片の振動方向が互いに逆向きであるため、音
叉８を支持する前記支持部材９に曲げモーメントが発生
し、支持部材９を屈曲させ、そのときの支持部材９上の
歪（応力）を圧電素子６ｃで検出することによって入力
角速度Ωに比例した出力が得られる。音叉８が駆動され
てＸ軸方向に振動しているときに、入力角速度ΩがＺ軸
方向に加えられた場合の変位（振動）状態を図７に示し
てある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来の角速度センサ１は、ビーム型／音叉型と大きく２つ
のタイプがある。ビーム型の場合には支持部材３と振動
子２とを各々別々に作製し、スポット溶接あるいは接着
などによって組立てる必要があった。また、圧電素子６
もビーム作製後接着等により張り付けるなどの工程が必
要であり、複数個同時に作製しづらいという欠点があっ
た。
来の角速度センサ１は、ビーム型／音叉型と大きく２つ
のタイプがある。ビーム型の場合には支持部材３と振動
子２とを各々別々に作製し、スポット溶接あるいは接着
などによって組立てる必要があった。また、圧電素子６
もビーム作製後接着等により張り付けるなどの工程が必
要であり、複数個同時に作製しづらいという欠点があっ
た。
【０００７】音叉型の場合にも、圧電素子６の張り付け
などの組立てや音叉８の加工が３次元であるため複数個
を同時に作製しづらく、個別に調整が必要であるなどの
欠点があった。また、検出用の素子６ｃを振動面に対し
て垂直な方向へ配置する必要があり、作製が煩雑となる
欠点があった。
などの組立てや音叉８の加工が３次元であるため複数個
を同時に作製しづらく、個別に調整が必要であるなどの
欠点があった。また、検出用の素子６ｃを振動面に対し
て垂直な方向へ配置する必要があり、作製が煩雑となる
欠点があった。
【０００８】加えて、振動のモニタとして圧電素子を使
用し、その圧電素子は温度特性及び経時変化特性が劣っ
ており、このモニタ出力に応じてセンサを駆動している
ため、駆動振動状態を一定に保つのが困難であった。本
発明は、従来の欠点を除去し、個別に組み立てることな
く、複数個を同時に精度よく作製できる、つまり生産性
に優れ、安価で、温度や経時に対して性能の安定した角
速度センサを提供しようとするものである。
用し、その圧電素子は温度特性及び経時変化特性が劣っ
ており、このモニタ出力に応じてセンサを駆動している
ため、駆動振動状態を一定に保つのが困難であった。本
発明は、従来の欠点を除去し、個別に組み立てることな
く、複数個を同時に精度よく作製できる、つまり生産性
に優れ、安価で、温度や経時に対して性能の安定した角
速度センサを提供しようとするものである。
【０００９】
（１）請求項１の半導体角速度センサは、検出用基板と
モニタ用基板とを有し、その検出用基板は、半導体基板
の異方性エッチングによりそれぞれ形成され、第１枠部
と、その第１枠部内に空隙を介して島状に配された第１
振動部と、その第１振動部を第１枠部に橋絡して支持す
る薄肉の第１フレクチャとを有し、その第１フレクチャ
上に、入力角速度により第１振動部が受けるコリオリ力
を歪として検出する歪検出素子が形成されている。
モニタ用基板とを有し、その検出用基板は、半導体基板
の異方性エッチングによりそれぞれ形成され、第１枠部
と、その第１枠部内に空隙を介して島状に配された第１
振動部と、その第１振動部を第１枠部に橋絡して支持す
る薄肉の第１フレクチャとを有し、その第１フレクチャ
上に、入力角速度により第１振動部が受けるコリオリ力
を歪として検出する歪検出素子が形成されている。
【００１０】また、モニタ用基板は、半導体基板の異方
性エッチングによりそれぞれ形成された、第２枠部と、
その第２枠部内に空隙を介して島状に配された第２振動
部と、その第２振動部を第２枠部に橋絡して支持する薄
肉の第２フレクチャとを有し、その第２フレクチャ上
に、第２振動部の振動状態を検出する振動検出素子が形
成されている。検出用基板の第１枠部及び第１振動部
は、モニタ用基板の第２枠部及び第２振動部とそれぞれ
接着剤層により張り合わされている。
性エッチングによりそれぞれ形成された、第２枠部と、
その第２枠部内に空隙を介して島状に配された第２振動
部と、その第２振動部を第２枠部に橋絡して支持する薄
肉の第２フレクチャとを有し、その第２フレクチャ上
に、第２振動部の振動状態を検出する振動検出素子が形
成されている。検出用基板の第１枠部及び第１振動部
は、モニタ用基板の第２枠部及び第２振動部とそれぞれ
接着剤層により張り合わされている。
【００１１】（２）請求項２の発明では、前記（１）に
おいて、検出用基板とモニタ用基板の接合体に、更に駆
動用圧電セラミック基板がスペーサを介して接合されて
いる。 （３）請求項３の発明では、前記（１）または（２）に
おいて、検出用基板の歪検出素子が圧電素子とされる。
おいて、検出用基板とモニタ用基板の接合体に、更に駆
動用圧電セラミック基板がスペーサを介して接合されて
いる。 （３）請求項３の発明では、前記（１）または（２）に
おいて、検出用基板の歪検出素子が圧電素子とされる。
【００１２】（４）請求項４の発明では、前記（１）ま
たは（２）において、モニタ用基板の振動検出素子がピ
エゾ抵抗素子により形成される。 （５）請求項５の発明では、前記（２）において、スペ
ーサが半導体基板の異方性エッチングにより形成された
枠部で構成される。 （６）請求項６の発明では、前記（１）または（２）に
おいて、検出用基板の第１フレクチャとモニタ用基板の
第２フレクチャとは互いに重ならないようにずらされて
いる。
たは（２）において、モニタ用基板の振動検出素子がピ
エゾ抵抗素子により形成される。 （５）請求項５の発明では、前記（２）において、スペ
ーサが半導体基板の異方性エッチングにより形成された
枠部で構成される。 （６）請求項６の発明では、前記（１）または（２）に
おいて、検出用基板の第１フレクチャとモニタ用基板の
第２フレクチャとは互いに重ならないようにずらされて
いる。
【００１３】（７）請求項７の発明では、前記（１）ま
たは（２）において、検出用基板及びモニタ用基板がシ
リコン単結晶基板により構成される。
たは（２）において、検出用基板及びモニタ用基板がシ
リコン単結晶基板により構成される。
【００１４】
【実施例】この発明の実施例を図１〜図３を参照して説
明する。この発明の角速度センサは検出用基板２０とモ
ニタ用基板３０とを張り合せた構造をもっている。検出
用基板２０はシリコン単結晶基板のような半導体基板の
異方性エッチングによりそれぞれ形成された、第１枠部
２１と、その第１枠部２１内に空隙を介して島状に配さ
れた第１振動部２２と、その第１振動部２２を第１枠部
２１に橋絡して支持する薄肉の第１フレクチャ２４とを
有し、その第１フレクチャ２４上に、第１振動部２２が
入力角速度により受けるコリオリ力を歪（応力）として
検出する歪検出素子２５が形成されている。
明する。この発明の角速度センサは検出用基板２０とモ
ニタ用基板３０とを張り合せた構造をもっている。検出
用基板２０はシリコン単結晶基板のような半導体基板の
異方性エッチングによりそれぞれ形成された、第１枠部
２１と、その第１枠部２１内に空隙を介して島状に配さ
れた第１振動部２２と、その第１振動部２２を第１枠部
２１に橋絡して支持する薄肉の第１フレクチャ２４とを
有し、その第１フレクチャ２４上に、第１振動部２２が
入力角速度により受けるコリオリ力を歪（応力）として
検出する歪検出素子２５が形成されている。
【００１５】モニタ用基板３０は、シリコン単結晶基板
のような半導体基板の異方性エッチングによりそれぞれ
形成された、第２枠部３１と、その第２枠部３１内に空
隙を介して島状に配された第２振動部３２と、その第２
振動部３２を第２枠部３１に橋絡して支持する薄肉の第
２フレクチャ３４とを有し、その第２フレクチャ３４上
に、第２振動部３２の振動状態を検出する振動検出素子
３６が形成されている。検出用基板２０の第１枠部２１
及び第１振動部２２はモニタ用基板３０の第２枠部３１
及び第２振動部３２とそれぞれ接着剤層６１により張り
合されている。
のような半導体基板の異方性エッチングによりそれぞれ
形成された、第２枠部３１と、その第２枠部３１内に空
隙を介して島状に配された第２振動部３２と、その第２
振動部３２を第２枠部３１に橋絡して支持する薄肉の第
２フレクチャ３４とを有し、その第２フレクチャ３４上
に、第２振動部３２の振動状態を検出する振動検出素子
３６が形成されている。検出用基板２０の第１枠部２１
及び第１振動部２２はモニタ用基板３０の第２枠部３１
及び第２振動部３２とそれぞれ接着剤層６１により張り
合されている。
【００１６】この例では、モニタ用基板３０の第２枠部
３１の底面に、枠状のスペーサ４０が接着剤層６２によ
り張り合され、更にそのスペーサ４０の底面に駆動用圧
電セラミック基板５０が接着剤層６３により張り合され
る。モニタ用基板３０は、両端支持型の加速度センサと
して知られており、ピエゾ抵抗素子をブリッジ接続して
成る振動検出素子３５により振動部（加速度センサでは
質量部）の変位状態を検出する事ができる。シリコン単
結晶基板のような半導体基板は導電性があるので、モニ
タ用基板３０の表面には絶縁性の酸化膜（ＳｉＯ2 ）３
３が形成され、その上に電極、配線パターン、外部接続
用の第２ボンディングパッド３７が形成される。ただ
し、第２基板用電極３６は、半導体基板をアースするた
めに直接その上に形成されている。
３１の底面に、枠状のスペーサ４０が接着剤層６２によ
り張り合され、更にそのスペーサ４０の底面に駆動用圧
電セラミック基板５０が接着剤層６３により張り合され
る。モニタ用基板３０は、両端支持型の加速度センサと
して知られており、ピエゾ抵抗素子をブリッジ接続して
成る振動検出素子３５により振動部（加速度センサでは
質量部）の変位状態を検出する事ができる。シリコン単
結晶基板のような半導体基板は導電性があるので、モニ
タ用基板３０の表面には絶縁性の酸化膜（ＳｉＯ2 ）３
３が形成され、その上に電極、配線パターン、外部接続
用の第２ボンディングパッド３７が形成される。ただ
し、第２基板用電極３６は、半導体基板をアースするた
めに直接その上に形成されている。
【００１７】検出用基板２０はシリコン基板上に酸化亜
鉛などの圧電膜２３をスパッタ等により形成し、第１フ
レクチャ２４の圧電膜２３上に電極２５ａを形成する事
によって、第１フレクチャ２４の受ける歪（応力）を検
出する歪検出素子２５が形成される。第１フレクチャ２
４上で電極２５ａを配置する位置と、それをブリッジ結
線する仕方により、第１振動部２２の傾き成分や変位成
分を検出する事ができる。このように検出用基板２０
は、圧電型の多軸加速度センサの構造をとっている。な
お本実施例においては、第１振動部（加速度センサでは
質量部）２２の傾きを検出するように結線を施してあ
る。圧電膜２３上には、電極２５ａ以外に配線パター
ン、第１ボンディングパッド２７が形成される。ただし
第１基板用電極２６は半導体基板上に直接形成され、外
部で共通電位点に接続される。
鉛などの圧電膜２３をスパッタ等により形成し、第１フ
レクチャ２４の圧電膜２３上に電極２５ａを形成する事
によって、第１フレクチャ２４の受ける歪（応力）を検
出する歪検出素子２５が形成される。第１フレクチャ２
４上で電極２５ａを配置する位置と、それをブリッジ結
線する仕方により、第１振動部２２の傾き成分や変位成
分を検出する事ができる。このように検出用基板２０
は、圧電型の多軸加速度センサの構造をとっている。な
お本実施例においては、第１振動部（加速度センサでは
質量部）２２の傾きを検出するように結線を施してあ
る。圧電膜２３上には、電極２５ａ以外に配線パター
ン、第１ボンディングパッド２７が形成される。ただし
第１基板用電極２６は半導体基板上に直接形成され、外
部で共通電位点に接続される。
【００１８】以上の検出用基板とモニタ用基板とを接合
したものに、更に圧電セラミック基板５０を張り合わせ
ることにより、圧電セラミック基板５０の振動により、
第１，第２振動部２２，３２が一体となった振動部が図
中で上下方向に共振する周波数で圧電セラミック基板５
０の両電極５０ａ，５０ｂ間に電圧を印加する。この
時、振動部の共振の状態はモニタ用基板上の振動検出素
子（ピエゾ抵抗ブリッジ）３５によりモニタされ、圧電
セラミック基板５０に加える電圧を制御し、一定の振動
状態を維持する。このとき、振動方向に対し垂直に角速
度が入力すると、振動部２２，２３はコリオリ力によっ
て傾き、その傾きは、検出用基板上の第１フレクチャ２
４の歪を介して発生する電荷と対応するピエゾ抵抗ブリ
ッジの出力電圧により検出される。
したものに、更に圧電セラミック基板５０を張り合わせ
ることにより、圧電セラミック基板５０の振動により、
第１，第２振動部２２，３２が一体となった振動部が図
中で上下方向に共振する周波数で圧電セラミック基板５
０の両電極５０ａ，５０ｂ間に電圧を印加する。この
時、振動部の共振の状態はモニタ用基板上の振動検出素
子（ピエゾ抵抗ブリッジ）３５によりモニタされ、圧電
セラミック基板５０に加える電圧を制御し、一定の振動
状態を維持する。このとき、振動方向に対し垂直に角速
度が入力すると、振動部２２，２３はコリオリ力によっ
て傾き、その傾きは、検出用基板上の第１フレクチャ２
４の歪を介して発生する電荷と対応するピエゾ抵抗ブリ
ッジの出力電圧により検出される。
【００１９】なお、スペーサ４０は例えばシリコン単結
晶基板のような半導体基板の異方性エッチングにより枠
状に形成すれば、検出用基板２０、モニタ用基板３０と
同じ製造設備を利用できるので望ましい。検出用基板の
第１フレクチャ２４とモニタ用基板の第２フレクチャ３
４とを図１Ｂに示すように、互いに重ならないようにず
らして形成すると、第２フレクチャ３４を上より顕微鏡
等を用いて検査することができて望ましい。
晶基板のような半導体基板の異方性エッチングにより枠
状に形成すれば、検出用基板２０、モニタ用基板３０と
同じ製造設備を利用できるので望ましい。検出用基板の
第１フレクチャ２４とモニタ用基板の第２フレクチャ３
４とを図１Ｂに示すように、互いに重ならないようにず
らして形成すると、第２フレクチャ３４を上より顕微鏡
等を用いて検査することができて望ましい。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、振動の
モニタをピエゾ抵抗ブリッジのような温度変化、経時に
対して安定した振動検出素子により構成する事によって
安定した振動のモニタを実現し、そのモニタ出力に応じ
てセンサを駆動するようにしたので角速度センサの安定
性を向上させる事ができる。また、モニタ用基板と検出
用基板を別々に、バッチにて作製後、接着／接合する
為、複雑な製造工程を必要とせず、安価で量産に適する
センサが得られる。
モニタをピエゾ抵抗ブリッジのような温度変化、経時に
対して安定した振動検出素子により構成する事によって
安定した振動のモニタを実現し、そのモニタ出力に応じ
てセンサを駆動するようにしたので角速度センサの安定
性を向上させる事ができる。また、モニタ用基板と検出
用基板を別々に、バッチにて作製後、接着／接合する
為、複雑な製造工程を必要とせず、安価で量産に適する
センサが得られる。
【図１】この発明の実施例を示す図で、Ａは断面模式
図、Ｂは平面模式図。
図、Ｂは平面模式図。
【図２】図１の検出用基板２０を示す図で、Ａは断面模
式図、Ｂは平面模式図。
式図、Ｂは平面模式図。
【図３】図１のモニタ用基板３０を示す図で、Ａは断面
模式図、Ｂは平面模式図。
模式図、Ｂは平面模式図。
【図４】従来のビーム型角速度センサを示す図で、Ａは
斜視図、Ｂは断面図。
斜視図、Ｂは断面図。
【図５】従来の音叉型角速度センサを示す図で、Ａは斜
視図、Ｂは平面図。
視図、Ｂは平面図。
【図６】図４のビーム型角速度センサの振動モードを示
す原理図。
す原理図。
【図７】図５の音叉型角速度センサの振動モードを示す
原理図。
原理図。
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体基板の異方性エッチングによりそ
れぞれ形成され、第１枠部と、その第１枠部内に空隙を
介して島状に配された第１振動部と、その第１振動部を
第１枠部に橋絡して支持する薄肉の第１フレクチャとを
有し、その第１フレクチャ上に、入力角速度により第１
振動部が受けるコリオリ力を歪として検出する歪検出素
子が形成されて成る検出用基板と、 半導体基板の異方性エッチングによりそれぞれ形成され
た、第２枠部と、その第２枠部内に空隙を介して島状に
配された第２振動部と、その第２振動部を第２枠部に橋
絡して支持する薄肉の第２フレクチャとを有し、その第
２フレクチャ上に、第２振動部の振動状態を検出する振
動検出素子が形成されて成るモニタ用基板とを有し、 前記検出用基板の第１枠部及び第１振動部は、前記モニ
タ用基板の第２枠部及び第２振動部とそれぞれ接着剤層
により張り合されていることを特徴とする半導体角速度
センサ。 - 【請求項２】 請求項１において、前記検出用基板とモ
ニタ用基板との接合体に、更に駆動用圧電セラミック基
板がスペーサを介して接合されていることを特徴とする
半導体角速度センサ。 - 【請求項３】 請求項１または２において、前記検出用
基板の歪検出素子が圧電素子であることを特徴とする半
導体角速度センサ。 - 【請求項４】 請求項１または２において、前記モニタ
用基板の振動検出素子がピエゾ抵抗素子より成ることを
特徴とする半導体角速度センサ。 - 【請求項５】 請求項２において、前記スペーサが半導
体基板の異方性エッチングにより形成された枠部より成
ることを特徴とする半導体角速度センサ。 - 【請求項６】 請求項１または２において、前記検出用
基板の第１フレクチャと前記モニタ用基板の第２フレク
チャとは互いに重ならないようにずらされていることを
特徴とする半導体角速度センサ。 - 【請求項７】 請求項１または２において、前記検出用
基板及びモニタ用基板がシリコン単結晶基板により構成
されていることを特徴とする半導体角速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6320336A JPH08178667A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 半導体角速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6320336A JPH08178667A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 半導体角速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08178667A true JPH08178667A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18120350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6320336A Withdrawn JPH08178667A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 半導体角速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08178667A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997037195A1 (fr) * | 1996-03-29 | 1997-10-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Capteur gyroscopique d'oscillations, capteur composite et procede de production d'un capteur gyroscopique |
| WO1998041818A1 (fr) * | 1997-03-19 | 1998-09-24 | Hitachi, Ltd. | Detecteur avec gyroscope et camera video l'utilisant |
| US6786094B2 (en) | 2000-05-02 | 2004-09-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Process of making an acceleration detecting element |
-
1994
- 1994-12-22 JP JP6320336A patent/JPH08178667A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997037195A1 (fr) * | 1996-03-29 | 1997-10-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Capteur gyroscopique d'oscillations, capteur composite et procede de production d'un capteur gyroscopique |
| US6065339A (en) * | 1996-03-29 | 2000-05-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Vibration gyro sensor, combined sensor and method for producing vibration gyro sensor |
| US6244110B1 (en) | 1996-03-29 | 2001-06-12 | Ngk Insulators, Ltd. | Vibration gyro sensor, combined sensor, and method for producing vibration gyro sensor |
| US6321599B2 (en) | 1996-03-29 | 2001-11-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Vibration gyro sensor, combined sensor, and method for producing vibration gyro sensor |
| WO1998041818A1 (fr) * | 1997-03-19 | 1998-09-24 | Hitachi, Ltd. | Detecteur avec gyroscope et camera video l'utilisant |
| US6786094B2 (en) | 2000-05-02 | 2004-09-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Process of making an acceleration detecting element |
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