JPH08160064A - 半導体角速度センサとその製造方法 - Google Patents
半導体角速度センサとその製造方法Info
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- JPH08160064A JPH08160064A JP6306463A JP30646394A JPH08160064A JP H08160064 A JPH08160064 A JP H08160064A JP 6306463 A JP6306463 A JP 6306463A JP 30646394 A JP30646394 A JP 30646394A JP H08160064 A JPH08160064 A JP H08160064A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 生産性がよく、安価で性能の安定したセンサ
を得る。 【構成】 シリコン基板により枠部１と振動子２と薄肉
のフレクチャー９とが形成される。各振動子２は板面と
直角な方向の屈曲振動の共振周波数が相等しい片持梁状
に形成されている。各振動子２，フレクチャー９及び枠
部の一辺１ａ上に一面に圧電膜３が形成される。振動子
２上に駆動用圧電素子５の電極５ｄ及びモニタ用圧電素
子６の電極６ｄが、フレクチャー９上に検出用圧電素子
７の電極７ｄがそれぞれ形成される。枠部１に基板用電
極８が形成される。両端の振動子２と中央の振動子２と
では屈曲振動の方向が逆となるように、基板用電極８と
各駆動用電極５ｄとの間に駆動電圧が印加される。その
ときのフレクチャー９ａ，９ｂ上の検出用圧電素子７の
出力Ｖａ，Ｖｂの差値から、振動子２の長手方向に印加
された入力角速度を検出する。
を得る。 【構成】 シリコン基板により枠部１と振動子２と薄肉
のフレクチャー９とが形成される。各振動子２は板面と
直角な方向の屈曲振動の共振周波数が相等しい片持梁状
に形成されている。各振動子２，フレクチャー９及び枠
部の一辺１ａ上に一面に圧電膜３が形成される。振動子
２上に駆動用圧電素子５の電極５ｄ及びモニタ用圧電素
子６の電極６ｄが、フレクチャー９上に検出用圧電素子
７の電極７ｄがそれぞれ形成される。枠部１に基板用電
極８が形成される。両端の振動子２と中央の振動子２と
では屈曲振動の方向が逆となるように、基板用電極８と
各駆動用電極５ｄとの間に駆動電圧が印加される。その
ときのフレクチャー９ａ，９ｂ上の検出用圧電素子７の
出力Ｖａ，Ｖｂの差値から、振動子２の長手方向に印加
された入力角速度を検出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、飛行体、車両、ロボッ
ト、人体などの位置、姿勢観測／制御などに利用できる
角速度センサに関し、特に生産性よく安価に作製するこ
とに適した角速度センサに関する。
ト、人体などの位置、姿勢観測／制御などに利用できる
角速度センサに関し、特に生産性よく安価に作製するこ
とに適した角速度センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の振動型角速度センサ１は、図４に
示すようなビーム型のものと、図５に示すような音叉型
のものがある。 ビーム型の場合 代表的なものとして図４のように振動子２とそれを支持
する支持部材３とＸ軸に垂直に設けた駆動用の圧電素子
６ａ，その対面の駆動状態のモニタ用の圧電素子６ｂ，
Ｙ軸に垂直な面に設けた検出用の圧電素子６ｃにより構
成される。圧電素子６（６ａ，６ｂ，６ｃ）は圧電体４
（４ａ，４ｂ，４ｃ）の表面に電極５（５ａ，５ｂ，５
ｃ）を形成したものである。
示すようなビーム型のものと、図５に示すような音叉型
のものがある。 ビーム型の場合 代表的なものとして図４のように振動子２とそれを支持
する支持部材３とＸ軸に垂直に設けた駆動用の圧電素子
６ａ，その対面の駆動状態のモニタ用の圧電素子６ｂ，
Ｙ軸に垂直な面に設けた検出用の圧電素子６ｃにより構
成される。圧電素子６（６ａ，６ｂ，６ｃ）は圧電体４
（４ａ，４ｂ，４ｃ）の表面に電極５（５ａ，５ｂ，５
ｃ）を形成したものである。
【０００３】振動子２をＸ軸方向に屈曲振動させている
とき、Ｚ軸方向にΩの入力角速度があった場合、Ｙ軸方
向にコリオリ力（Ｆ＝−２ｍＶΩ；ｍは振動子の質量、
Ｖは振動速度）を受け、屈曲振動はＸ軸及びＹ軸方向の
合成振動となり、楕円状にビーム変位を起こす。このと
きの振動子２のＹ軸に垂直な面の歪（応力）を検出する
ことによってコリオリ力、従って入力角速度Ωに比例し
た出力が得られる。なお、振動子用のビーム７の材質
は、エリンバーや石英などの高弾性材を用い、支持部材
３にピアノ線などのワイヤーを用い、圧電体４として圧
電セラミックを使用する。図６に、ビーム７が駆動され
てＸ軸方向に屈曲振動をしているときに、入力角速度Ω
がＺ軸方向に加えられた場合の変位（振動）状態を示し
てある。
とき、Ｚ軸方向にΩの入力角速度があった場合、Ｙ軸方
向にコリオリ力（Ｆ＝−２ｍＶΩ；ｍは振動子の質量、
Ｖは振動速度）を受け、屈曲振動はＸ軸及びＹ軸方向の
合成振動となり、楕円状にビーム変位を起こす。このと
きの振動子２のＹ軸に垂直な面の歪（応力）を検出する
ことによってコリオリ力、従って入力角速度Ωに比例し
た出力が得られる。なお、振動子用のビーム７の材質
は、エリンバーや石英などの高弾性材を用い、支持部材
３にピアノ線などのワイヤーを用い、圧電体４として圧
電セラミックを使用する。図６に、ビーム７が駆動され
てＸ軸方向に屈曲振動をしているときに、入力角速度Ω
がＺ軸方向に加えられた場合の変位（振動）状態を示し
てある。
【０００４】 音叉型の場合 代表的なものとして図５のように音叉型の振動子２とそ
の各振動子２上に駆動用圧電素子６ａ及びモニタ用圧電
素子６ｂを有し、音叉８の振動方向と同一方向に屈曲可
能な板状の支持部材９とその上の検出用の圧電素子６ｃ
を有する構造をもつ。
の各振動子２上に駆動用圧電素子６ａ及びモニタ用圧電
素子６ｂを有し、音叉８の振動方向と同一方向に屈曲可
能な板状の支持部材９とその上の検出用の圧電素子６ｃ
を有する構造をもつ。
【０００５】図７に示すように音叉８の振動に対して垂
直方向（Ｚ軸方向）に入力角速度Ωが入った場合、音叉
８の各振動子２の振動方向が互いに逆向きであるため、
音叉８を支持する前記支持部材９に曲げモーメントが発
生し、支持部材９を屈曲させ、そのときの支持部材９上
の歪（応力）を圧電素子６ｃで検出することによって入
力角速度Ωに比例した出力が得られる。音叉８が駆動さ
れてＸ軸方向に振動しているときに、入力角速度ΩがＺ
軸方向に加えられた場合の変位（振動）状態を図７に示
してある。
直方向（Ｚ軸方向）に入力角速度Ωが入った場合、音叉
８の各振動子２の振動方向が互いに逆向きであるため、
音叉８を支持する前記支持部材９に曲げモーメントが発
生し、支持部材９を屈曲させ、そのときの支持部材９上
の歪（応力）を圧電素子６ｃで検出することによって入
力角速度Ωに比例した出力が得られる。音叉８が駆動さ
れてＸ軸方向に振動しているときに、入力角速度ΩがＺ
軸方向に加えられた場合の変位（振動）状態を図７に示
してある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来の角速度センサ１は、ビーム型／音叉型と大きく２つ
のタイプがある。ビーム型の場合には支持部材３と振動
子２とを各々別々に作製し、スポット溶接あるいは接着
などによって組み立てる必要があった。また、圧電素子
６もビーム作製後接着等により張り付けるなどの工程が
必要であり、複数個同時に作製しづらいという欠点があ
った。
来の角速度センサ１は、ビーム型／音叉型と大きく２つ
のタイプがある。ビーム型の場合には支持部材３と振動
子２とを各々別々に作製し、スポット溶接あるいは接着
などによって組み立てる必要があった。また、圧電素子
６もビーム作製後接着等により張り付けるなどの工程が
必要であり、複数個同時に作製しづらいという欠点があ
った。
【０００７】音叉型の場合にも、圧電素子６の張り付け
などの組立てや音叉８の加工が３次元であるため複数個
を同時に作製しづらく、個別に調整が必要であるなどの
欠点があった。またいずれの場合も、検出用の素子６ｃ
を駆動用圧電素子６ａの形成面と直角な別の面または別
の部材に配置する必要があり、作製が煩雑となる欠点が
あった。
などの組立てや音叉８の加工が３次元であるため複数個
を同時に作製しづらく、個別に調整が必要であるなどの
欠点があった。またいずれの場合も、検出用の素子６ｃ
を駆動用圧電素子６ａの形成面と直角な別の面または別
の部材に配置する必要があり、作製が煩雑となる欠点が
あった。
【０００８】本発明は、従来の欠点を除去し、個別に組
み立てることなく、複数個を同時に精度よく作製でき
る、つまり生産性に優れ、安価で性能の安定した角速度
センサを提供しようとするものである。
み立てることなく、複数個を同時に精度よく作製でき
る、つまり生産性に優れ、安価で性能の安定した角速度
センサを提供しようとするものである。
【０００９】
（１）請求項１の発明の角速度センサは、半導体基板に
より形成され、枠部と、その枠部の一辺より一体に、対
辺の近傍まで突出され、板面と直角方向の屈曲振動の共
振周波数が相等しい片持梁状の複数（３またはそれ以
上）の振動子と、それら隣接する各振動子間を橋絡する
薄肉の複数のフレクチャーとを有する。各振動子上に駆
動用圧電素子（圧電膜とその上に形成された電極とより
成る、他も同じ）が、枠部上に基板用電極が、フレクチ
ャー上に検出用圧電素子がそれぞれ形成される。振動子
の少なくとも１つとその他とは互いに逆方向に屈曲振動
するように、基板用電極と駆動用圧電素子の電極との間
に駆動電圧が印加され、そのときの所定のフレクチャー
上の検出用圧電素子の出力と他の所定のフレクチャー上
の検出用圧電素子の出力との差値から、振動子の長手方
向に印加された入力角速度を検出する。
より形成され、枠部と、その枠部の一辺より一体に、対
辺の近傍まで突出され、板面と直角方向の屈曲振動の共
振周波数が相等しい片持梁状の複数（３またはそれ以
上）の振動子と、それら隣接する各振動子間を橋絡する
薄肉の複数のフレクチャーとを有する。各振動子上に駆
動用圧電素子（圧電膜とその上に形成された電極とより
成る、他も同じ）が、枠部上に基板用電極が、フレクチ
ャー上に検出用圧電素子がそれぞれ形成される。振動子
の少なくとも１つとその他とは互いに逆方向に屈曲振動
するように、基板用電極と駆動用圧電素子の電極との間
に駆動電圧が印加され、そのときの所定のフレクチャー
上の検出用圧電素子の出力と他の所定のフレクチャー上
の検出用圧電素子の出力との差値から、振動子の長手方
向に印加された入力角速度を検出する。
【００１０】（２）請求項２の発明では、前記（１）に
おいて、半導体基板がシリコン単結晶基板より成る。 （３）請求項３の発明では、前記（１）において、検出
用圧電素子の電極が各フレクチャー上のほゞ全面に形成
されている。 （４）請求項４の発明では、前記（１）において、枠部
がロ字状に形成される。
おいて、半導体基板がシリコン単結晶基板より成る。 （３）請求項３の発明では、前記（１）において、検出
用圧電素子の電極が各フレクチャー上のほゞ全面に形成
されている。 （４）請求項４の発明では、前記（１）において、枠部
がロ字状に形成される。
【００１１】（５）請求項５の発明では、前記（１）に
おいて、振動子の総数が３とされる。 （６）請求項６の発明では、前記（１）において、各振
動子上にモニタ用圧電素子が形成されている。 （７）請求項７の発明では、前記（１）において、振動
子及びフレクチャー上に一面に圧電膜（各圧電素子の圧
電膜として用いられる）が形成されている。
おいて、振動子の総数が３とされる。 （６）請求項６の発明では、前記（１）において、各振
動子上にモニタ用圧電素子が形成されている。 （７）請求項７の発明では、前記（１）において、振動
子及びフレクチャー上に一面に圧電膜（各圧電素子の圧
電膜として用いられる）が形成されている。
【００１２】（８）請求項８の発明では、前記（７）に
おいて、圧電膜が、振動子及びフレクチャーのみなら
ず、振動子が突設されている枠部の一辺に亘って形成さ
れ、その圧電膜の形成された枠部の一辺に、各種圧電素
子の電極より導出された外部接続用電極が形成されてい
る。 （９）請求項９の発明の半導体角速度センサの製造方法
では、以下の工程順に製造される。シリコンウエハの両
面に酸化膜を形成し、そのシリコンウエハの枠状の周辺
部（角速度センサの枠部を形成する部分）と、その周辺
部の一辺から突設された複数の片持梁状の振動子を形成
する部分と、隣接する振動子間を橋絡するフレクチャー
を形成する部分とを除いた、シリコンウエハ両面の酸化
膜及びフレクチャーとなる部分の裏面の酸化膜を除去す
る。
おいて、圧電膜が、振動子及びフレクチャーのみなら
ず、振動子が突設されている枠部の一辺に亘って形成さ
れ、その圧電膜の形成された枠部の一辺に、各種圧電素
子の電極より導出された外部接続用電極が形成されてい
る。 （９）請求項９の発明の半導体角速度センサの製造方法
では、以下の工程順に製造される。シリコンウエハの両
面に酸化膜を形成し、そのシリコンウエハの枠状の周辺
部（角速度センサの枠部を形成する部分）と、その周辺
部の一辺から突設された複数の片持梁状の振動子を形成
する部分と、隣接する振動子間を橋絡するフレクチャー
を形成する部分とを除いた、シリコンウエハ両面の酸化
膜及びフレクチャーとなる部分の裏面の酸化膜を除去す
る。
【００１３】そのシリコンウエハを両面の酸化膜をマス
クとして化学的エッチングを行い、枠部と振動子とフレ
クチャーとを作製し、それら枠部、振動子及びフレクチ
ャーの酸化膜を除去し、枠部上に基板用電極を形成す
る。振動子及びフレクチャーに一面に圧電膜を形成し、
各振動子上に駆動用電極及びモニタ用電極を、各フレク
チャー上に検出用電極をそれぞれ形成する。
クとして化学的エッチングを行い、枠部と振動子とフレ
クチャーとを作製し、それら枠部、振動子及びフレクチ
ャーの酸化膜を除去し、枠部上に基板用電極を形成す
る。振動子及びフレクチャーに一面に圧電膜を形成し、
各振動子上に駆動用電極及びモニタ用電極を、各フレク
チャー上に検出用電極をそれぞれ形成する。
【００１４】
【実施例】次に本発明の一実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の実施例であり全体の構成を示す。
本実施例では、３つの片持梁型の振動子をもち各々板面
と直角な方向の屈曲振動の共振周波数が一致するように
設計され、駆動用圧電素子５の電極５ｄと基板用電極８
との間に電圧を印加する事によって、応力を発生させ振
動させる。このとき、中央の振動子と両端の振動子は互
いに逆方向に屈曲するように電圧を与える。その振動状
態はモニタ用圧電素子６の電極６ｄの電圧出力によって
モニタし、駆動用電極５ｄに加える電圧を制御すること
により一定の共振状態を維持する。このとき、振動子２
をつなぐ左右のフレクチャー９ａ，９ｂ上に配置された
検出用圧電素子７の電極７ｄに出力される電圧の差を取
り出す。
する。図１は本発明の実施例であり全体の構成を示す。
本実施例では、３つの片持梁型の振動子をもち各々板面
と直角な方向の屈曲振動の共振周波数が一致するように
設計され、駆動用圧電素子５の電極５ｄと基板用電極８
との間に電圧を印加する事によって、応力を発生させ振
動させる。このとき、中央の振動子と両端の振動子は互
いに逆方向に屈曲するように電圧を与える。その振動状
態はモニタ用圧電素子６の電極６ｄの電圧出力によって
モニタし、駆動用電極５ｄに加える電圧を制御すること
により一定の共振状態を維持する。このとき、振動子２
をつなぐ左右のフレクチャー９ａ，９ｂ上に配置された
検出用圧電素子７の電極７ｄに出力される電圧の差を取
り出す。
【００１５】図２は、図１の構成の出力の原理を説明す
るための図であり、振動子２の１／４周期毎の変位状態
を表している。ではフレクチャー９ａに引っ張り、９
ｂに圧縮のコリオリ力Ｆが作用する。において中央の
振動子２ｂは図中下方に変位し、両端の振動子２ａ，２
ｃは上方に変位する。このとき、フレクチャー上に発生
する歪（応力）は、フレクチャー９ａの左側が引っ張
り、右側が圧縮となり、またフレクチャー９ｂの左側が
圧縮右側が引っ張りとなるが、各フレクチャーでの歪
（応力）の総和は引っ張りの状態となる。検出用電極７
ｄをフレクチャーのほぼ全面に構成すれば各フレクチャ
ー内での歪分布の影響を取り除くことができ、フレクチ
ャーの受ける歪の総和にのみ比例した出力を得ることが
できる。
るための図であり、振動子２の１／４周期毎の変位状態
を表している。ではフレクチャー９ａに引っ張り、９
ｂに圧縮のコリオリ力Ｆが作用する。において中央の
振動子２ｂは図中下方に変位し、両端の振動子２ａ，２
ｃは上方に変位する。このとき、フレクチャー上に発生
する歪（応力）は、フレクチャー９ａの左側が引っ張
り、右側が圧縮となり、またフレクチャー９ｂの左側が
圧縮右側が引っ張りとなるが、各フレクチャーでの歪
（応力）の総和は引っ張りの状態となる。検出用電極７
ｄをフレクチャーのほぼ全面に構成すれば各フレクチャ
ー内での歪分布の影響を取り除くことができ、フレクチ
ャーの受ける歪の総和にのみ比例した出力を得ることが
できる。
【００１６】にてΩの角速度が働いた場合に、各振動
子に発生するコリオリ力は、中央の振動子２ｂと両端の
振動子２ａ，２ｃでは逆方向に働き、フレクチャー９
ａ，９ｂでは互いに逆の圧縮と引っ張りの歪を受けるこ
とになる。左右の検出用圧電素子７の出力をＶａ，Ｖｂ
とすれば、 Ｖａ＝Ｖａ1 ＋Ｖａ2 ； Ｖｂ＝Ｖｂ1 ＋Ｖｂ2 Ｖａ2 ，Ｖｂ2 は振動子が駆動されていることにより発
生する出力で、同振幅、同位相となるが、コリオリ力に
よる出力Ｖａ1 ，Ｖｂ1 は逆位相となるため、Ｖａ，Ｖ
ｂの差を取り出せば、駆動による成分は相殺され、コリ
オリ力によるものだけが検出されるようになる（図２
Ｂ）。
子に発生するコリオリ力は、中央の振動子２ｂと両端の
振動子２ａ，２ｃでは逆方向に働き、フレクチャー９
ａ，９ｂでは互いに逆の圧縮と引っ張りの歪を受けるこ
とになる。左右の検出用圧電素子７の出力をＶａ，Ｖｂ
とすれば、 Ｖａ＝Ｖａ1 ＋Ｖａ2 ； Ｖｂ＝Ｖｂ1 ＋Ｖｂ2 Ｖａ2 ，Ｖｂ2 は振動子が駆動されていることにより発
生する出力で、同振幅、同位相となるが、コリオリ力に
よる出力Ｖａ1 ，Ｖｂ1 は逆位相となるため、Ｖａ，Ｖ
ｂの差を取り出せば、駆動による成分は相殺され、コリ
オリ力によるものだけが検出されるようになる（図２
Ｂ）。
【００１７】図３は、本実施例の製造方法を工程順に図
示したものであり、のシリコンウエハをで熱酸化し
て両面に酸化膜２２，２３を形成し、にて酸化膜にパ
ターニングを施し、での酸化膜をマスクにしてシリ
コンウエハ２１を水酸化カリウムなどのアルカリ性溶液
にてエッチングし、枠部１，振動子２及びフレクチャー
９を構成し、で酸化膜のマスクを取り除き、で枠部
１上に基板用電極８をメカマスクを用い蒸着、シンタリ
ングして形成する。で振動子２，枠部１の振動子が突
出されている一辺１ａ（基板用電極８の周辺を除く）及
びフレクチャー９上に一面に酸化亜鉛等の圧電膜３をス
パッタにより作製し、にて検出用電極７ａ，駆動用電
極５ａ，モニタ用電極６ａをメカマスクを用いて作製す
る。
示したものであり、のシリコンウエハをで熱酸化し
て両面に酸化膜２２，２３を形成し、にて酸化膜にパ
ターニングを施し、での酸化膜をマスクにしてシリ
コンウエハ２１を水酸化カリウムなどのアルカリ性溶液
にてエッチングし、枠部１，振動子２及びフレクチャー
９を構成し、で酸化膜のマスクを取り除き、で枠部
１上に基板用電極８をメカマスクを用い蒸着、シンタリ
ングして形成する。で振動子２，枠部１の振動子が突
出されている一辺１ａ（基板用電極８の周辺を除く）及
びフレクチャー９上に一面に酸化亜鉛等の圧電膜３をス
パッタにより作製し、にて検出用電極７ａ，駆動用電
極５ａ，モニタ用電極６ａをメカマスクを用いて作製す
る。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体基板に化学的エッチングを行って枠部、振動子、フ
レクチャーを形成し、続いて圧電膜及び各種電極を形成
することによってセンサを実現できる。従って、量産が
可能であり、加工精度がよく、性能の安定したバラツキ
の小さな製品を安価に提供することができる。
導体基板に化学的エッチングを行って枠部、振動子、フ
レクチャーを形成し、続いて圧電膜及び各種電極を形成
することによってセンサを実現できる。従って、量産が
可能であり、加工精度がよく、性能の安定したバラツキ
の小さな製品を安価に提供することができる。
【図１】この発明の実施例を示す図で、Ａは平面図、Ｂ
はＡのａ−ａ′断面図。
はＡのａ−ａ′断面図。
【図２】Ａは図１の実施例の振動モードを１／４周期毎
に示した断面図、ＢはＡの検出出力Ｖａ，Ｖｂの波形
図。
に示した断面図、ＢはＡの検出出力Ｖａ，Ｖｂの波形
図。
【図３】図１の実施例の製造工程図。
【図４】従来のビーム型角速度センサを示す図で、Ａは
斜視図、Ｂは断面図。
斜視図、Ｂは断面図。
【図５】従来の音叉型角速度センサを示す図で、Ａは斜
視図、Ｂは平面図。
視図、Ｂは平面図。
【図６】図４のビーム型角速度センサの振動モードを示
す原理図。
す原理図。
【図７】図５の音叉型角速度センサの振動モードを示す
原理図。
原理図。
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体基板により形成され、枠部と、そ
の枠部の一辺より一体に、対辺の近傍まで突出され、板
面と直角方向の屈曲振動の共振周波数が相等しい片持梁
状の複数（３またはそれ以上）の振動子と、それら隣接
する各振動子間を橋絡する薄肉の複数のフレクチャーと
を有し、 前記各振動子上に駆動用圧電素子（圧電膜とその上に形
成された電極とより成る、他も同じ）が、前記枠部上に
基板用電極が、前記フレクチャー上に検出用圧電素子が
それぞれ形成され、 前記振動子の少なくとも１つとその他とは互いに逆方向
に屈曲振動するように、前記基板用電極と前記駆動用圧
電素子の電極との間に駆動電圧が印加され、 そのときの、所定のフレクチャー上の検出用圧電素子の
出力と他の所定のフレクチャー上の検出用圧電素子の出
力との差値から、前記振動子の長手方向に印加された入
力角速度を検出することを特徴とする半導体角速度セン
サ。 - 【請求項２】 請求項１において、前記半導体基板がシ
リコン単結晶基板より成ることを特徴とする半導体角速
度センサ。 - 【請求項３】 請求項１において、前記検出用圧電素子
の電極が前記各フレクチャー上のほゞ全面に形成されて
いることを特徴とする半導体角速度センサ。 - 【請求項４】 請求項１において、前記枠部がロ字状に
形成されていることを特徴とする半導体角速度センサ。 - 【請求項５】 請求項１において、前記振動子の総数が
３であることを特徴とする半導体角速度センサ。 - 【請求項６】 請求項１において、前記各振動子上にモ
ニタ用圧電素子が形成されていることを特徴とする半導
体角速度センサ。 - 【請求項７】 請求項１において、前記振動子及びフレ
クチャー上に一面に圧電膜（前記各圧電素子の圧電膜と
して用いられる）が形成されていることを特徴とする半
導体角速度センサ。 - 【請求項８】 請求項７において、前記圧電膜が、前記
振動子及びフレクチャーのみならず、振動子が突設され
ている前記枠部の一辺に亘って形成され、その圧電膜の
形成された前記枠部の一辺に、前記各種圧電素子の電極
より導出された外部接続用電極が形成されていることを
特徴とする半導体角速度センサ。 - 【請求項９】 シリコンウエハの両面に酸化膜を形成
し、 そのシリコンウエハの枠状の周辺部（角速度センサの枠
部を形成する部分）と、その周辺部の一辺から突設され
た複数の片持梁状の振動子を形成する部分と、隣接する
振動子を橋絡するフレクチャーを形成する部分とを除い
た前記シリコンウエハ両面の前記酸化膜及び前記フレク
チャーとなる部分の裏面の前記酸化膜を除去し、 そのシリコンウエハを両面の酸化膜をマスクとして化学
的エッチングを行い、前記枠部と振動子とフレクチャー
とを作製し、 それら枠部、振動子及びフレクチャーの前記酸化膜を除
去し、 前記枠部上に基板用電極を形成し、 前記振動子及びフレクチャーに一面に圧電膜を形成し、 前記各振動子上に駆動用電極及びモニタ用電極を、前記
各フレクチャー上に検出用電極をそれぞれ形成する半導
体角速度センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6306463A JPH08160064A (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 半導体角速度センサとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6306463A JPH08160064A (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 半導体角速度センサとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08160064A true JPH08160064A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17957321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6306463A Withdrawn JPH08160064A (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 半導体角速度センサとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08160064A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997037195A1 (fr) * | 1996-03-29 | 1997-10-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Capteur gyroscopique d'oscillations, capteur composite et procede de production d'un capteur gyroscopique |
| WO1998041818A1 (fr) * | 1997-03-19 | 1998-09-24 | Hitachi, Ltd. | Detecteur avec gyroscope et camera video l'utilisant |
-
1994
- 1994-12-09 JP JP6306463A patent/JPH08160064A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997037195A1 (fr) * | 1996-03-29 | 1997-10-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Capteur gyroscopique d'oscillations, capteur composite et procede de production d'un capteur gyroscopique |
| US6065339A (en) * | 1996-03-29 | 2000-05-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Vibration gyro sensor, combined sensor and method for producing vibration gyro sensor |
| US6244110B1 (en) | 1996-03-29 | 2001-06-12 | Ngk Insulators, Ltd. | Vibration gyro sensor, combined sensor, and method for producing vibration gyro sensor |
| US6321599B2 (en) | 1996-03-29 | 2001-11-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Vibration gyro sensor, combined sensor, and method for producing vibration gyro sensor |
| WO1998041818A1 (fr) * | 1997-03-19 | 1998-09-24 | Hitachi, Ltd. | Detecteur avec gyroscope et camera video l'utilisant |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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