JPH08176326A - 多重真空処理方法、その装置、機能性フィルムの製造方法及び機能性フィルム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 同一の真空チャンバー内において、ある真空
処理が行われた後に、大気圧に戻すことなく継続的に別
の真空処理を行うことができる多重真空処理方法、その
装置、その方法により得られた機能性フィルムを提供す
る。 【構成】 真空チャンバー１内において、走行している
ウェッブ２、例えば、プラスチック基材フィルムに対し
て、複数種類の真空処理の真空条件が同じならばそれら
の処理（例えば、プラズマ処理、プラズマＣＶＤ）を継
続して行う。また真空条件が異なるならば、ウェッブ２
に対してある真空処理を施して巻取り、大気圧に戻すこ
となく真空条件を変え、次いで、次の真空処理に適した
走行速度でウェッブ２を逆走行させ、走行中のウェッブ
２に対して先に施した真空処理とは異なる種類の真空処
理を真空処理機構５、６、７（例えば、プラズマＣＶ
Ｄ、スパッタリング等）により行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、真空蒸着処理、スパッ
タリング処理、イオンプレーティンク、プラズマ処理、
コロナ放電処理、プラズマＣＶＤ等から選ばれた複数種
類の真空処理を一つのチャンバー内で、フィルム等のウ
ェッブに対して真空を破ることなく継続して処理できる
多重真空処理方法及びその装置を提供する方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】真空蒸着処理、スパッタリング処理、プ
ラズマ処理、イオンプレーティング、コロナ放電処理、
プラズマＣＶＤ等の真空処理は、物質表面の被覆或いは
改質等に有効な方法として多用されている。プラスチッ
クフィルムに対してこれらの真空処理をすることによっ
て、そのフィルム上に形成される被膜との密着性を増加
させたり、薄膜を形成させたりして新たな機能の付加さ
れたフィルムが得られている。

【０００３】一方、近年、ワープロ、コンピュータ、テ
レビ等の各種ディスプレイや各種光学レンズ、光学物
品、自動車、電車等の窓ガラスの表面における光の反射
防止をするために、これらの物品の表面に、反射防止フ
ィルムを貼着することが行われている。

【０００４】反射防止膜として、例えば、ガラス上に形
成された膜厚０．１μｍ程度のＭｇＦ₂ の薄膜の場合を
説明する。入射光が薄膜に垂直に入射する場合に、特定
の波長をλ₀ とし、この波長に対する反射防止膜の屈折
率をｎ₀ 、反射防止膜の厚みをｈ、および基板の屈折率
をｎ_g とすると、反射防止膜が光の反射を１００％防止
し、光を１００％透過するための条件は、次の式（１）
および式（２）の関係を満たすことが必要であることは
既に知られている（サイエンスライブラリ 物理学＝９
「光学」７０〜７２頁、昭和５５年，株式会社サイエン
ス社発行）。

【０００５】

【数１】 ガラスの屈折率ｎ_g ＝約１．５であり、ＭｇＦ₂ 膜の屈
折率ｎ₀ ＝１．３８、入射光の波長λ₀ ＝５５００Å
（基準）と既に知られているので、これらの値を前記式
（２）に代入すると、反射防止膜の厚みｈは約０．１μ
ｍ前後の光学薄膜が最適であると計算される。したがっ
て、従来このような厚みの光学薄膜が反射防止膜に使用
されていた。

【０００６】また、前記式（１）によれば、光の反射を
１００％防止するためには、上層塗膜の屈折率がその下
層塗膜の屈折率の約平方根の値になるような材料を選択
すればよいことが分かり、従来、このような原理を利用
して、上層膜の屈折率をその下層膜の屈折率よりも低い
値とすること、即ち、基板上に高屈折率層、低屈折率層
の順に薄膜を設けることにより光の反射防止を行うこと
が行われていた。

【０００７】また、本出願人は、特願平６−２８４４７
２号にて既に低屈折率層／高屈折率層／基材フィルムか
らなる積層構造を基本構成とする反射防止フィルムにお
いて、高屈折率層の膜厚Ｄは次式（３）で示される厚み
を持つ光学薄膜であることが、反射防止に優れているこ
とを提案している。

【０００８】

【数２】 〔ｎは高屈折率層の屈折率、λは可視光線の波長（３８
０≦λ≦７８０ｎｍ）、Ｎは０又は１の整数〕 すなわち、上記に説明される反射防止フィルムは、低屈
折率層及び高屈折率層共に、塗装により形成することが
困難な、極端に膜厚が薄い光学薄膜であることが、反射
防止に優れている。このような光学薄膜の形成には、真
空蒸着処理、スパッタリング処理、イオンプレーティン
グ、プラズマＣＶＤ等の真空処理が適していることが知
られている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の真空処理による薄膜の形成方法において、プラスチ
ックフィルム上に種類の異なる真空処理手段、例えば、
真空蒸着処理とスパッタリング処理を行うとすれば、真
空処理装置において、供給ロールから連続的に走行し
て、真空処理手段の作用部へ供給されて真空処理され、
次いで巻取りロールに巻き取られるので、それらの処理
における真空条件、プラズマＣＶＤでは通常１０^-2〜１
０^-1ｍｍＨｇ程度、スパッタリングでは１０^-3〜１０^-2
ｍｍＨｇ程度であるため、一つの真空チャンバーにおい
て、複数の真空処理を連続して行うことはできなかっ
た。

【００１０】従来、複数の異なる真空処理を行うために
は、例えば、一つの真空処理を行った後に一端、真空条
件を破り、即ち、真空チャンバー内に空気を導入して大
気圧に戻し、処理されたプラスチックフィルムを別の新
たな真空処理ができるようにセットし直し、次いで真空
チャンバーを排気して別の真空条件を設定してから前回
とは異なる真空処理が行われていた。このように、真空
条件の異なる複数の真空処理を行うのに、途中で真空条
件が破られ空気が導入されるので、工程間の段取りの時
間が非常に長くなるという問題があった。また、このよ
うに真空条件が破られることにより、処理された表面が
空気に晒されて、表面の活性種が失活したり、或いは表
面が酸化されたりして、積層される界面が影響を受け、
品質の一定した積層物を得るためには問題があった。

【００１１】そこで、本発明は、同一の真空チャンバー
内において、ある真空処理が行われた後に、大気圧に戻
すことなく継続的に別の真空処理を行うことができる多
重真空処理方法、その装置を提供し、その装置を使用し
て機能性フィルムの製造方法を提供し、さらに得られた
機能性フィルムを提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】前記した問題点を解決す
るために、本発明の多重真空処理方法は、真空チャンバ
ー内において、走行しているウェッブに対して互いに異
なる複数種類の真空処理を大気圧に戻すことなく継続し
て施すことを特徴とする。

【００１３】また、本発明の多重真空処理方法は、真空
チャンバー内において、走行しているウェッブに対して
真空処理を施して巻取り、大気圧に戻すことなく真空条
件を変え、次いで、次に行われる真空処理に適した走行
速度に調整してウェッブを逆に走行させ、走行中のウェ
ッブに対して先に施した真空処理とは異なる種類の真空
処理を施すことを特徴とする。

【００１４】また、本発明の多重真空処理装置は、真空
チャンバー内にウェッブの正走行機能と逆走行機能が付
与された一対のロールからなる巻出巻取機構、及び該巻
出巻取機構の一対のロール間を走行するウェッブに対し
て複数種類の真空処理を継続して施すことができる真空
処理機構を含むことを特徴とする。

【００１５】本明細書において「真空処理」とは、真空
条件下においてウェッブに対して表面処理、被膜形成処
理を行う操作をいい、例えば、真空蒸着、スパッタリン
グ、プラズマ処理、イオンプレーティング、コロナ放電
処理、プラズマＣＶＤ等が挙げられる。

【００１６】図１は、本発明の多重真空処理装置の１構
成例を模式的に示したものである。図１において、１
は、その内部を所望の真空度に設定することができる真
空チャンバーである。該真空チャンバー１内に、ウェッ
ブ２の巻出し及び巻取りを行うことができ、ウェッブ２
の正走行及び逆走行機能が付与された一対のロール３、
４を含む巻出巻取機構が配置されている。ロール３及び
ロール４の間を走行するウェッブ２の面に対して真空処
理を行うために相異なる複数種類の真空処理機構５、
６、７が各々互いに間隔を保つか、或いは互いに連結さ
れた状態で配置されている。このように配置されている
ため、ウエッブ２の走行中に使用したい真空処理機構の
みを選択的に作動させることが可能となる。

【００１７】前記巻出巻取機構において、一方のロール
３が巻出し操作を行っているときに、他方のロール４は
共動して巻取り操作をする。複数の真空処理の真空条件
及びウエッブ２の走行スピードが同一であって、その真
空処理の種類が異なる場合、ウェッブ２の走行中にウェ
ッブ２に対し一つの真空処理（例えば、プラズマ処理に
よるウェッブ２の前処理）を行った後、その下流側で最
初の真空処理機構とは別の種類の真空処理機構にて別の
真空処理（例えば、プラズマＣＶＤによる皮膜化処理）
を行うことができる。

【００１８】また、複数の真空処理の真空条件が異なる
場合、或いは複数の真空処理時のウエッブ２の走行スピ
ードが異なる場合に、複数の真空処理は次のように行わ
れる。すなわち、最初に巻出しロール３及び巻取りロー
ル４間を走行中のウェッブ２に対して、真空処理を施
し、次いで真空チャンバー１内の真空条件を大気圧に戻
すことなく次の真空処理に適するような真空条件に変
え、及び／又はウエッブ２の走行スピードを変えて、ウ
ェッブ２を逆に走行させ、逆走中のウェッブ２に対して
先に施した真空処理とは異なる種類の真空処理を最初の
真空処理機構とは別の種類の真空処理機構にて施す。

【００１９】本発明の多重真空処理方法により、真空処
理されたウェッブは、種々の機能が付与される。例え
ば、プラスチックフィルムに対してプラズマ処理、コロ
ナ放電処理等を行うことにより、表面が活性化され、そ
の上に形成される被膜との密着性が向上される。さら
に、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティン
グ、プラズマＣＶＤ等の薄膜形成手段を用い、被膜材料
として光学機能性材料、例えば、高屈折率材料、低屈折
率材料等を選択して用いて、基材ウェッブ上に高屈折率
層の被膜、低屈折率層の被膜の順に積層すれば反射防止
被膜となる。また、被膜材料として紫外線遮断性、導電
性、帯電防止性、ガスバリヤー性のものを選択すること
により、それらの性質が付与された機能性フィルムを形
成することができる。

【００２０】紫外線遮断性を付与する被膜材料として
は、例えば、Ｓｂ₂ Ｏ₅ 、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂ 等の超微粒
子が挙げられる。導電性又は帯電防止性を付与する被膜
材料としては、ＳｎＯ₂ やＩＴＯ等の超微粒子が挙げら
れる。ガスバリヤー性を付与する被膜材料としては、Ｓ
ｉＯ₂ が挙げられる。特に、プラズマＣＶＤ法により形
成したＳｉＯ_x 膜は、通常の真空蒸着膜と比べて密度が
高く、ガスバリヤー性が高い。

【００２１】反射防止フィルムを構成するための高屈折
率材料には、例えば、ＺｎＯ（屈折率１．９０）、Ｔｉ
Ｏ₂ （屈折率２．３〜２．７）、ＣｅＯ₂ （屈折率１．
９５）、Ｓｂ₂ Ｏ₅ （屈折率１．７１）、ＳｎＯ₂ 、Ｉ
ＴＯ（屈折率１．９５）、Ｙ₂ Ｏ₃ （屈折率１．８
７）、Ｌａ₂ Ｏ₃ （屈折率１．９５）、ＺｒＯ₂ （屈折
率２．０５）、Ａｌ₂ Ｏ₃ （屈折率１．６３）、ＨｆＯ
₂ （屈折率２．００）、Ｔａ₂ Ｏ₃ 等が挙げられる。反
射防止フィルムを構成するための低屈折率材料には、例
えば、ＬｉＦ（屈折率１．４）、ＭｇＦ₂ （屈折率１．
４）、３ＮａＦ・ＡｌＦ₃ （屈折率１．４）、ＡｌＦ₃
（屈折率１．４）、Ｎａ₃ ＡｌＦ₆ （氷晶石、屈折率
１．３３）、ＳｉＯ_X （ｘ：１．５０≦ｘ≦２．００）
（屈折率１．３５〜１．４８）等が挙げられる。

【００２２】本発明の真空処理されるウェッブの材料に
は、ロールからの巻出し、ロールへの巻取りが行え、真
空処理に耐える材料であれば何でも使用できるが、特
に、プラスチックフィルムは、前記作業に適しており、
反射防止フィルム、ガス透過防止フィルム、導電性フィ
ルム、帯電防止フィルム等の用途が多岐にわたっている
ので、種々の機能を付与するには好適なウェッブ材料で
ある。

【００２３】例えば、反射防止フィルムに使用できるウ
ェッブ材料には、トリアセチルセルロースフィルム、ジ
アセチルセルロースフィルム、アセテートブチレートセ
ルロースフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、ポ
リアクリル系樹脂フィルム、ポリウレタン系樹脂フィル
ム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフィル
ム、ポリスルホンフィルム、ポリエーテルフィルム、ト
リメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィル
ム、（メタ）アクリロニトリルフィルム等が使用できる
が、特に、トリアセチルセルロースフィルム、及び一軸
延伸ポリエステルフィルムが透明性に優れ、光学的に異
方性が無い点で好適に用いられる。その厚みは、通常は
８μｍ〜１０００μｍ程度のものが好適に用いられる。

【００２４】

【実施例】本発明を具体的な機能性積層フィルムの製造
例に基づいて以下の実施例１〜１７に説明する。図１９
は下記の実施例１〜１７の各真空処理に共通な真空処理
パスを示す概念図である。図１９において、一端の巻き
出し巻き取りゾーン１０１から他端の巻き出し巻き取り
ゾーン１０５へ走行されるウエッブ１０２はスパッタゾ
ーン１０３に導入され、次いでプラズマゾーン１０４に
導入される。このプラズマゾーン１０４は一つのゾーン
として同一の真空条件を保つことができ、複数のプラズ
マ処理、例えば、前処理又は後処理としてのいわゆるプ
ラズマ処理、或いはプラズマＣＶＤ等ができるように一
個以上の小部屋に別れている。

【００２５】スパッタゾーン１０３とプラズマゾーン１
０４においてはその真空条件及びウエッブの走行速度が
異なる。例えば、スパッタリングでは真空条件は１０^-3
〜１０^-2ｍｍＨｇ及び走行速度は０．８〜３．０ｍ／分
であるのに対して、プラズマ処理或いはプラズマＣＶＤ
では真空条件は１０^-2〜１０^-1ｍｍＨｇ及び走行速度は
スパッタリングより１０〜３０倍は速い。したがって、
スパッタゾーン１０３とプラズマゾーン１０４において
はその真空条件及び走行速度が異なるので、ウェッブ１
０２の一方向への走行中においては、これらのゾーンに
おいて同時に異なった処理を行うことができない。この
ような真空条件及び走行速度が異なる複数の真空処理を
行う場合には、巻き出し巻き取りゾーン１０１から走行
されるウエッブ１０２をスパッタリングゾーン１０３或
いはプラズマゾーン１０４の何れか一方を運転状態（オ
ン）にし、他方を停止状態（オフ）にし、一方の真空処
理が行われた後に巻き取りを完了し、次いで、真空条件
及び走行条件を変更して先のオン・オフ状態を変えて、
ウエッブ１０２を逆走行させて他方の真空処理を行う。

【００２６】〔実施例１〕反射防止フィルムの製造例その１ （真空プロセスによる
薄膜１層の場合） 図２は本実施例１の反射防止フィルムの層構成を示す。
図２において１１は透明プラスチック基材フィルムであ
り、その材質は、トリアセチルセルロースフィルム（略
語：ＴＡＣフィルム）又はポリエチレンテレフタレート
フィルム（略語：ＰＥＴフィルム）である。その透明プ
ラスチック基材フィルム１１上に、接着剤層１２が形成
されている。さらにその接着剤層１２上に透明プラスチ
ック基材フィルム１１の屈折率よりも高い屈折率を持つ
ハードコート層１３が、高屈折率樹脂組成物を用いて塗
布により形成されている。このハードコート層１３に防
眩性を付与する目的でその表面には微細な凹凸が形成さ
れていてもよく、或いはこのハードコート層１３中に防
眩性を発揮することができるビーズ等の粒子が混入され
ていてもよい。

【００２７】さらにハードコート層１３上にそのハード
コート層１３の屈折率よりも低い屈折率を持つプラズマ
ＣＶＤによるＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４が形成されている。
上記の反射防止フィルムにおいて透明プラスチック基材
フィルム１１の材質がＴＡＣである場合、カラー液晶デ
ィスプレー用の反射防止フィルムに適しており、また透
明プラスチック基材フィルム１１の材質がＰＥＴの場
合、ＣＲＴ用の反射防止フィルムに適している。

【００２８】図２の反射防止フィルムの製造方法は次の
ようにして行われる。透明プラスチック基材フィルム１
１に対して、ウエット法により接着剤組成物を塗布して
接着剤層１２を形成する。次いで、透明プラスチック基
材フィルム１１の屈折率よりも高い屈折率を持ち防眩性
のハードコート層用樹脂組成物を塗布し、硬化させてハ
ードコート層１３を形成して積層フィルム（即ち、ハー
ドコート層１３／接着剤層１２／透明プラスチック基材
フィルム１１からなる層構成の積層フィルム）を得る。

【００２９】次いで、この積層フィルムを先に説明した
図１の多重真空処理装置の真空チャンバー１内のロール
３にセットした後、真空チャンバー１内の真空度をプラ
ズマ処理に適した値に調整し、もう一方のロール４に巻
き取らせる。この積層フィルムの走行中に、最初にプラ
ズマ処理を行い積層フィルムの表面を活性化させ密着性
を増大させる。次いでこの活性化された積層フィルムの
表面上にプラズマＣＶＤによりＳｉＯ_x を成膜してＳｉ
Ｏ_x ＣＶＤ膜１４を形成する。

【００３０】図２の反射防止フィルムの上記とは別の製
造方法は次のようにして行われる。前記の透明プラスチ
ック基材フィルム１１上に接着剤層１２及びハードコー
ト層１３が形成されてなる積層フィルムを図１の多重真
空処理装置の真空チャンバー１内のロール３にセットし
た後、真空チャンバー１内の真空度をプラズマ処理に適
するように調整し、プラズマ処理に適した走行速度でも
う一方のロール４に巻き取らせる。この積層フィルムの
正走行中にプラズマ処理を行う。次いで、ロール４を逆
回転させてプラズマ処理済の積層フィルムを逆方向へ走
行させて、この走行中に積層フィルムの表面上にプラズ
マＣＶＤによりＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４を形成し、ロール
３に巻き取る。

【００３１】なお、ＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４上に、さらに
プラズマＣＶＤによりＣＦ₄ 、ＳｉＦ₄ 等のガスを用い
て処理し、表面にフッ素を導入することにより、撥水
性、防汚性を付与してもよい。

【００３２】上記ハードコート層１３に用いられるバイ
ンダー樹脂には、透明性のあるものであればどのような
樹脂（例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化型樹脂、電離放射
線硬化型樹脂等）でも使用することができる。ハード性
能を付与するためには、ハードコート層の厚みは０．５
μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上とすることにより、
硬度を維持することができ、反射防止フィルムにハード
性能を付与することができる。ハードコート層の硬度を
より向上させるために、ハードコート層に使用するバイ
ンダー樹脂には、反応硬化型樹脂、即ち、熱硬化型樹脂
及び／又は電離放射線硬化型樹脂を使用することが好ま
しい。前記熱硬化型樹脂には、フェノール樹脂、尿素樹
脂、ジアリルフタレート樹脂、メラミン樹脂、グアナミ
ン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、
エポキシ樹脂、アミノアルキッド樹脂、メラミン−尿素
共縮合樹脂、珪素樹脂、ポリシロキサン樹脂等が使用さ
れ、これらの樹脂に必要に応じて、架橋剤、重合開始剤
等の硬化剤、重合促進剤、溶剤、粘度調整剤等を加えて
使用する。

【００３３】前記電離放射線硬化型樹脂には、好ましく
は、アクリレート系の官能基を有するもの、例えば、比
較的低分子量のポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、
アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、アルキッ
ド樹脂、スピロアセタール樹脂、ポリブタジエン樹脂、
ポリチオールポリエン樹脂、多価アルコール等の多官能
化合物の（メタ）アクリレート等のオリゴマーまたはプ
レポリマーおよび反応性希釈剤としてエチル（メタ）ア
クリレート、エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ス
チレン、メチルスチレン、Ｎ−ビニルピロリドン等の単
官能モノマー並びに多官能モノマー、例えば、トリメチ
ロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ヘキサンジ
オール（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコー
ルジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メ
タ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メ
タ）アクリレート、１、６−ヘキサンジオールジ（メ
タ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）
アクリレート等を比較的多量に含有するものが使用でき
る。

【００３４】〔実施例２〕反射防止フィルムの製造例その２ （真空プロセスによる
薄膜１層の場合） 図３に本実施例２の反射防止フィルムの層構成を示す。
図３において透明プラスチック基材フィルム１１上に、
接着剤層１２が形成されている。さらにその接着剤層１
２上に透明プラスチック基材フィルム１１の屈折率より
も高い屈折率を持つハードコート層１３が、高屈折率樹
脂組成物を用いて塗布により形成されている。このハー
ドコート層１３に防眩性を付与する目的でその表面には
微細な凹凸が形成されていてもよく、或いはこのハード
コート層３中に防眩性を発揮することができるビーズ等
の微粒子が混入されていてもよい。

【００３５】さらにハードコート層１３上にそのハード
コート層１３の屈折率よりも低い屈折率を持つＳｉＯ₂
スパッタ膜１５が形成されている。上記反射防止フィル
ムにおいて透明プラスチック基材フィルム１１の材質が
ＴＡＣである場合、カラー液晶ディスプレー用の反射防
止フィルムに適しており、また透明プラスチック基材フ
ィルム１１の材質がＰＥＴの場合、ＣＲＴ用の反射防止
フィルムに適している。

【００３６】図３の反射防止フィルムの製造方法は、前
記実施例１で説明したように接着剤層１２及びハードコ
ート層１３の形成された積層フィルム（即ち、ハードコ
ート層１３／接着剤層１２／透明プラスチック基材フィ
ルム１１からなる積層フィルム）を図１の多重真空処理
装置の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、
真空チャンバー１内の真空度をプラズマ処理に適した値
に調整し、プラズマ処理に適した走行速度でもう一方の
ロール４に巻き取らせる。この積層フィルムの走行中に
プラズマ処理を行って、積層フィルム表面を活性化させ
密着性を向上させる。

【００３７】次いで、真空チャンバー１内の真空度をス
パッタリングに適した値となるように調整し、ロール４
及びロール３を前回とは逆に回転させて、スパッタリン
グに適した走行速度でプラズマ処理済の積層フィルムを
逆方向へ走行させ、この走行中に積層フィルムの表面上
にＳｉＯ₂ のスパッタリングによりＳｉＯ₂ スパッタ膜
１５を形成し、ロール３に巻き取る。前記実施例１と同
様に、ＳｉＯ₂ スパッタ膜１５の形成後に、さらにプラ
ズマＣＶＤによりＣＦ₄ 、ＳｉＦ₄ 等のガスを用いて処
理し、表面にフッ素を導入することにより、撥水性、防
汚性を付与してもよい。

【００３８】〔実施例３〕反射防止フィルムの製造例その３ （真空プロセスによる
薄膜１層の場合） 図４に本実施例３の反射防止フィルムの層構成を示す。
図４において透明プラスチック基材フィルム１１上に、
接着剤層１２が形成されている。さらにその接着剤層１
２上に透明プラスチック基材フィルム１１の屈折率と同
等或いはそれよりも高い屈折率を持つハードコート層１
３が高屈折率樹脂組成物を用いて塗布により形成されて
いる。このハードコート層１３に防眩性を付与する目的
でその表面には微細な凹凸が形成されていてもよく、或
いはこのハードコート層１３中に防眩性を発揮すること
ができるビーズ等の微粒子が混入されていてもよい。該
ハードコート層１３上にそのハードコート層１３の屈折
率よりも高い屈折率を持つ高屈折率樹脂層１６が高屈折
率超微粒子を分散したバインダー樹脂を塗布して形成さ
れている。さらに、該高屈折率樹脂層１６の屈折率より
も低い屈折率を持つプラズマＣＶＤによるＳｉＯ_x ＣＶ
Ｄ膜１４が形成されている。

【００３９】上記の反射防止フィルムにおいて透明プラ
スチック基材フィルム１１の材質がＴＡＣである場合、
カラー液晶ディスプレー用の反射防止フィルムに適して
おり、また透明プラスチック基材フィルム１１の材質が
ＰＥＴの場合、ＣＲＴ用の反射防止フィルムに適してい
る。

【００４０】図４の反射防止フィルムの製造方法は次の
ようにして行われる。透明プラスチック基材フィルム１
１に対して、接着剤組成物を塗布して接着剤層１２を形
成する。次いで、透明プラスチック基材フィルム１１の
屈折率と同等或いはそれよりも高い屈折率を持つハード
コート層用樹脂組成物を塗布し、硬化させてハードコー
ト層１３を形成する。次いで、このハードコート層１３
よりも高い屈折率を持つ高屈折率超微粒子とバインダー
樹脂からなる樹脂組成物を塗布し硬化させて高屈折率樹
脂層１６を形成する。この積層フィルムを前記実施例１
と同様にして図１の多重真空処理装置により積層フィル
ムの表面を活性化させ密着性を増大させ、次いで同じ走
行中或いは逆走行中において、この活性化された積層フ
ィルムの表面上にプラズマＣＶＤによりＳｉＯ_x を成膜
してＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４を形成する。

【００４１】前記実施例１と同様に、ＳｉＯ_x ＣＶＤ膜
１４の形成後に、さらにプラズマＣＶＤによりＣＦ₄ 、
ＳｉＦ₄ 等のガスを用いて処理し、表面にフッ素を導入
することにより、撥水性、防汚性を付与してもよい。

【００４２】〔実施例４〕反射防止フィルムの製造例その４ （真空プロセスによる
薄膜２層の場合） 図５に本実施例４の反射防止フィルムの層構成を示す。
図５において、透明プラスチック基材フィルム１１上
に、接着剤層１２が形成され、さらにその接着剤層１２
上に透明プラスチック基材フィルム１１の屈折率と同等
或いはそれよりも高い屈折率を持つハードコート層１３
が高屈折率樹脂組成物を用いて塗布により形成されてい
る。このハードコート層１３に防眩性を付与する目的で
その表面には微細な凹凸が形成されていてもよく、或い
はこのハードコート層１３中に防眩性を発揮することが
できるビーズ等の微粒子が混入されていてもよい。該ハ
ードコート層１３上にＴｉＯ₂ のスパッタリングにより
そのハードコート層１３の屈折率よりも高い屈折率を持
つＴｉＯ₂ スパッタ膜１７が形成されている。さらに、
該ＴｉＯ₂ スパッタ膜１７の屈折率よりも低い屈折率を
持つプラズマＣＶＤによるＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４が形成
されている。

【００４３】本実施例４の反射防止フィルムは、ＴｉＯ
₂ が含まれるため、ＵＶカット性が付与される。また、
透明プラスチック基材フィルム１１の材質がＴＡＣであ
る場合、カラー液晶ディスプレー用の反射防止フィルム
に適しており、また透明プラスチック基材フィルム１１
の材質がＰＥＴの場合、ＣＲＴ用の反射防止フィルムに
適している。

【００４４】図５の反射防止フィルムの製造方法は、前
記実施例１で説明したような接着剤層１２及びハードコ
ート層１３の形成された積層フィルム（即ち、ハードコ
ート層１３／接着剤層１２／透明プラスチック基材フィ
ルム１１からなる積層フィルム）を図１の多重真空処理
装置の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、
真空チャンバー１内の真空度をプラズマ処理に適した値
に調整し、プラズマ処理に適した走行速度でもう一方の
ロール４に巻き取らせる。この積層フィルムの走行中に
プラズマ処理を行って、積層フィルム表面を活性化させ
密着性を向上させる。次いで、真空条件をスパッタリン
グに適するように調整した後、ロール４、ロール３を逆
回転させて、スパッタリングに適した走行速度でプラズ
マ処理済の積層フィルムを逆方向へ走行させ、この走行
中に積層フィルムの表面上にＴｉＯ₂ のスパッタリング
によりハードコート層１３の屈折率よりも高い屈折率を
持つＴｉＯ₂ スパッタ膜１７を形成し、ロール３に巻き
取る。次いで、真空条件をプラズマ処理に適した真空度
に調整した後、ロール３、ロール４を逆回転してプラズ
マ処理に適した走行速度で積層フィルム再び逆走行させ
る過程において、該積層フィルムに対してプラズマＣＶ
ＤによりＳｉＯ_x を成膜してＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４を形
成する。

【００４５】また、前記実施例１と同様に、ＳｉＯ_x Ｃ
ＶＤ膜１４の形成後にさらにプラズマＣＶＤによりＣＦ
₄ 、ＳｉＦ₄ 等のガスを用いて処理し、表面にフッ素を
導入することにより、撥水性、防汚性を付与してもよ
い。なお、本実施例４の反射防止フィルムにおいて、前
記ＴｉＯ₂ の代わりにハードコート層１３の屈折率より
も高い屈折率を持つＩＴＯを用いた場合、本実施例４の
反射防止フィルムは帯電防止性が付与される。

【００４６】上記方法とは別の製造方法として、離型フ
ィルムを図１に示す多重真空処理内の真空チャンバー１
内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内の真
空度をプラズマ処理に適するように調整し、プラズマ処
理に適した走行速度でもう一方のロール４に巻き取ら
せ、この離型フィルムの走行中に、最初にプラズマＣＶ
Ｄを行い離型フィルム上にＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４を形成
させる。次いで、真空条件をスパッタリングに適するよ
うに調整した後、ロール４、ロール３を逆転させてスパ
ッタリングに適した走行速度で離型フィルムを逆走行さ
せ、この離型フィルムの走行中に前記ＳｉＯ_x ＣＶＤ膜
１４上にＴｉＯ₂ をスパッタリングして、ＴｉＯ₂ スパ
ッタ膜１７を形成する。次いで、離型フィルム上に形成
された２層の真空処理による薄膜を、前記ハードコート
層１３／接着剤層１２／透明プラスチック基材フィルム
１１からなる積層フィルム上に転写して、図５に示す層
構成の反射防止フィルムを得ることができる。前記離型
フィルムには微細な凹凸が形成されたものを用いてもよ
く、この場合、転写される表面には微細な凹凸が形成さ
れ、防眩性が付与される。

【００４７】〔実施例５〕反射防止フィルムの製造例その５ （真空プロセスによる
薄膜２層の場合） 図６に本実施例５の反射防止フィルムの層構成を示す。
図６に示す反射防止フィルムは、前記実施例４の反射防
止フィルムの層構成におけるハードコート層１３とＴｉ
Ｏ₂ スパッタ膜１７との間に、超微粒子をバインダー樹
脂で相互に結着した機能性超微粒子層１８を設けたもの
であり、その他の層構成は前記実施例４と同じである。

【００４８】機能性超微粒子層１８に用いられる超微粒
子には、例えば、前記した、高屈折率材料或いは低屈折
率材料等の光学機能性材料、紫外線遮断性材料、導電性
材料、帯電防止性材料、ガスバリヤー性材料、防眩性材
料等の機能性被覆材料を超微粒子としたものが挙げられ
る。本実施例５における機能性超微粒子層１８は、樹脂
バインダー中に分散されたものではなく、機能性超微粒
子自体が相互に結着されているために、樹脂中に分散さ
れたものよりも機能性超微粒子の機能を高めることがで
きる。機能性超微粒子層１８における機能性超微粒子と
バインダー樹脂との比率は、体積比でバインダー樹脂１
に対して、機能性超微粒子が０．２〜２０、好ましくは
１〜１０であることが、機能性超微粒子相互を結着さ
せ、機能性超微粒子の機能を発現させるために好まし
い。

【００４９】図６に示す層構成の反射防止フィルムの製
造方法は、接着剤層１２及びハードコート層１３、機能
性超微粒子層１８の形成された積層フィルム（即ち、機
能性超微粒子層１８／ハードコート層１３／接着剤層１
２／透明プラスチック基材フィルム１１からなる積層フ
ィルム）に対して前記実施例４と同じ真空処理を行うこ
とにより達成される。

【００５０】〔実施例６〕反射防止フィルムの製造例その６ （真空プロセスによる
薄膜３層の場合） 図７に本実施例６の反射防止フィルムの層構成を示す。
図７に示す反射防止フィルムは、前記実施例４の反射防
止フィルムの層構成におけるハードコート層１３とＴｉ
Ｏ₂ スパッタ膜１７との間に、帯電防止層としてのＩＴ
Ｏスパッタ膜１９を設けたものであり、その他の層構成
は前記実施例４と同じである。

【００５１】図７の反射防止フィルムの製造方法は、前
記実施例１で説明した接着剤層１２及びハードコート層
１３の形成された積層フィルム（即ち、ハードコート層
１３／接着剤層１２／透明プラスチック基材フィルム１
１からなる積層フィルム）を図１の多重真空処理装置の
真空チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チ
ャンバー１内の真空度をスパッタリングに適するように
調整し、もう一方のロール４に巻き取らせる。この積層
フィルムの走行中にその表面上にＩＴＯのスパッタリン
グによりＩＴＯスパッタ膜１９を形成し、次いでロール
４とロール３を逆回転して積層フィルムを逆走行させ、
その積層フィルムの表面上にＴｉＯ₂ のスパッタリング
によりＴｉＯ₂ スパッタ膜１７を形成する。次いで、真
空チャンバー１内の真空度をプラズマ処理に適した値に
調整し、プラズマ処理に適した走行速度で積層フィルム
を正走行させてその走行中にプラズマＣＶＤによりＳｉ
Ｏ_x ＣＶＤ膜１４を形成する。

【００５２】上記方法とは別の製造方法として、離型フ
ィルムを図１に示す多重真空処理内の真空チャンバー１
内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内の真
空度をプラズマ処理に適した値に調整し、プラズマ処理
に適した走行速度でもう一方のロール４に巻き取らせ、
この離型フィルムの走行中に、最初にプラズマＣＶＤを
行い離型フィルム上にＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４を形成させ
る。次いで、真空条件をスパッリリングに適するように
調整した後、ロール４、ロール３を逆転させてスパッタ
リングに適した走行速度で離型フィルムを逆走行させ、
この離型フィルムの走行中に離型フィルム上のＳｉＯ_x
ＣＶＤ膜１４上にＴｉＯ₂ をスパッタリングして、Ｔｉ
Ｏ₂ スパッタ膜１７を形成する。次いで、離型フィルム
を正走行させ走行中にＩＴＯのスパッタリングによりＩ
ＴＯスパッタ膜１９を形成する。次いで、離型フィルム
上に形成された３層の真空処理による薄膜を、前記ハー
ドコート層１３／接着剤層１２／透明プラスチック基材
フィルム１１からなる積層フィルム上に転写して、図７
に示す層構成の反射防止フィルムを得ることができる。
前記離型フィルムには微細な凹凸が形成されたものでも
よく、この場合、転写される表面には微細な凹凸が形成
され、防眩性が付与される。

【００５３】プラズマ処理等の前処理、或いはプラズマ
ＣＶＤによるＣＦ₄ 、ＳｉＦ₄ 等のガスを用いた後処理
は、前記実施例１に準じた方法により適宜施すことがで
きる。

【００５４】〔実施例７〕反射防止フィルムの製造例その７ （真空プロセスによる
薄膜多層の場合） 図８に本実施例７の反射防止フィルムの層構成を示す。
図８に示す反射防止フィルムは、前記実施例４の反射防
止フィルムの層構成における最上層のＳｉＯ_xＣＶＤ膜
１４（低屈折率層）上にさらに、ＴｉＯ₂ スパッタ膜１
７（高屈折率層）、ＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４（低屈折率
層）を形成したものであり、最終的に低屈折率層と高屈
折率層との組合せを、（最表面側）低屈折率層／高屈折
率層／低屈折率層／高屈折率層／…（基材側）となるよ
うに何層も繰り返してもよい。本実施例７の反射防止フ
ィルムにおいてＴｉＯ₂ スパッタ膜１７及びＳｉＯ_x Ｃ
ＶＤ膜１４以外の層構成は前記実施例４と同じである。

【００５５】なお、上記高屈折率層の材料であるＴｉＯ
₂ に変えて、前記したような高屈折率材料、例えば、Ｉ
ＴＯ、ＣｅＯ₂ 、ＨｆＯ₂ 、Ｌａ₂ Ｏ₃ 等の材料を使用
してもよい。ＴｉＯ₂ スパッタ膜１７によりＵＶカット
性を付与することができ、またＩＴＯスパッタ膜１９に
より帯電防止性を付与することができる。

【００５６】図８の反射防止フィルムの製造方法は、前
記実施例１で説明したウエット法で形成した接着剤層１
２及びハードコート層１３の形成された積層フィルム
（即ち、ハードコート層１３／接着剤層１２／透明プラ
スチック基材フィルム１１からなる積層フィルム）を図
１の多重真空処理装置の真空チャンバー１内のロール３
にセットした後、真空チャンバー１内の真空度をプラズ
マ処理に適した値に調整し、プラズマ処理に適した走行
速度でもう一方のロール４に巻き取らせる。この積層フ
ィルムの走行中にプラズマ処理を行って、積層フィルム
表面を活性化させ密着性を向上させる。

【００５７】次いで、真空条件をスパッタリングに適す
るように調整した後、ロール４、ロール３を逆回転させ
て、スパッタリングに適する走行速度でプラズマ処理済
の積層フィルムを逆方向へ走行させ、この走行中に積層
フィルムの表面上にＴｉＯ₂のスパッタリングによりハ
ードコート層１３の屈折率よりも高い屈折率を持つＴｉ
Ｏ₂ スパッタ膜１７を形成し、ロール３に巻き取る。

【００５８】次いで、真空チャンバー１内の真空条件を
プラズマ処理に適するように調整した後、ロール３、ロ
ール４を逆回転してプラズマ処理に適する走行速度で積
層フィルム再び逆走行させる過程において、該積層フィ
ルムに対してプラズマＣＶＤによりＳｉＯ_x を成膜して
ＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４を形成する。さらに、同様な操作
を繰り返して、ＴｉＯ₂ スパッタ膜（高屈折率層）１７
及びＳｉＯ_x ＣＶＤ膜（低屈折率層）１４からなる組合
せが複数個となるように、（最表面側）低屈折率層／高
屈折率層／低屈折率層／高屈折率層／…（基材側）なる
層構成を形成する。

【００５９】上記方法とは別の製造方法として、離型フ
ィルムを図１に示す多重真空処理内の真空チャンバー１
内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内の真
空度をプラズマ処理に適した値に調整し、もう一方のロ
ール４にプラズマ処理に適した走行速度で巻き取らせ、
この離型フィルムの走行中に、最初にプラズマＣＶＤを
行い離型フィルム上にＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４を形成させ
る。次いで、真空条件をスパッタリングに適するように
調整した後、ロール４、ロール３を逆転させてスパッタ
リングに適した走行速度で離型フィルムを逆走行させ、
この離型フィルムの走行中に離型フィルム上のＳｉＯ_x
ＣＶＤ膜１４上にＴｉＯ₂ をスパッタリングして、Ｔｉ
Ｏ₂ スパッタ膜１７を形成する。次いで、離型フィルム
を正走行させ、同様に上記のプラズマＣＶＤと上記のス
パッタリングを繰り返して、（最上層側）…ＴｉＯ₂ ス
パッタ膜１７／ＳｉＯ_x ＣＶＤ膜／ＴｉＯ₂ スパッタ膜
１７／離型フィルムなる積層体を形成し、この積層体を
前記ハードコート層１３／接着剤層１２／透明プラスチ
ック基材フィルム１１からな層構成の積層フィルムのハ
ードコート層１３側に積層して、剥離フィルムを剥離し
て、真空処理による薄膜を転写してもよい。

【００６０】プラズマ処理等の前処理、或いはプラズマ
ＣＶＤによるＣＦ₄ 、ＳｉＦ₄ 等のガスを用いた後処理
は、前記実施例１に準じた方法により適宜施すことがで
きる。

【００６１】〔実施例８〕ガスバリアーフィルムの製造例 図９に本実施例８のガスバリアーフィルムの層構成を示
す。図９に示すガスバリアーフィルムは、透明プラスチ
ック基材フィルム１１上にプラズマＣＶＤによりＳｉＯ
_X ＣＶＤ膜１４が形成されたものである。

【００６２】図９のガスバリアーフィルムの製造方法は
次のようにして行われる。透明プラスチック基材フィル
ム１１を図１の多重真空処理装置の真空チャンバー１内
のロール３にセットした後、真空チャンバー１内の真空
度をプラズマ処理に適した値に調整し、プラズマ処理に
適した走行速度でもう一方のロール４に巻き取らせる。
この透明プラスチック基材フィルム１１の走行中に、該
フィルムの表面にプラズマ処理による前処理を施して密
着性を付与する。次いでこのフィルムを逆走行させて、
プラズマＣＶＤによりＳｉＯ_X を成膜してＳｉＯ_X ＣＶ
Ｄ膜１４を形成する。さらに、このフィルムを正走行さ
せて、プラズマ処理による後処理を行う。

【００６３】図９のガスバリアーフィルムの製造方法の
別法としては、前記のガスバリアーフィルムの製造方法
において、プラズマ処理による前処理、プラズマＣＶ
Ｄ、プラズマ処理による後処理のゾーンを走行ラインに
並べ、それらのゾーンを区画することにより、透明プラ
スチック基材フィルム１１を逆走行することなく、一回
の正走行のみで、全ての真空処理を行うことができる。

【００６４】〔実施例９〕透明導電性フィルムの製造例その１ （タッチパネル用） 図１０に本実施例９のタッチパネル等に使用される透明
導電性フィルムの層構成を示す。図１０に示す透明導電
性フィルムは、透明プラスチック基材フィルム１１の一
方の面にＩＴＯのスパッタリングによりＩＴＯスパッタ
膜１９が形成され、透明プラスチック基材フィルム１１
の他方の面に接着剤層１２を介してハードコート層１３
が形成されたものである。このＩＴＯスパッタ膜１９に
より帯電防止性が付与される。

【００６５】図１０の透明導電性フィルムの製造方法は
次のようにして行われる。透明プラスチック基材フィル
ム１１上に接着剤を塗布して接着剤層１２を形成し、次
いでその接着剤層１２上に前記実施例１で説明した防眩
性が付与されるハードコート層用樹脂組成物を塗布して
ハードコート層１３を形成する。次に、この積層フィル
ムを図１の多重真空処理装置の真空チャンバー１内のロ
ール３にセットした後、真空チャンバー１内の真空度を
プラズマ処理に適した値に調整し、もう一方のロール４
にプラズマ処理に適した走行速度で巻き取る。この積層
フィルムの走行中に、該フィルムの透明プラスチック基
材フィルム１１側（ハードコート層１３側とは反対側）
にプラズマ処理による前処理をして密着性を付与する。
次いで、真空チャンバー１内をスパッタリングに適した
真空度に調整し、該積層フィルムをスパッタリングに適
した走行速度で逆走行させて、前記のプラズマ処理面に
ＩＴＯのスパッタリングによりＩＴＯスパッタ膜１９を
形成する。

【００６６】〔実施例１０〕透明導電性フィルムの製造例その２ （タッチパネル用） 図１１は反射防止性を付与した本実施例１０の透明導電
性フィルムの層構成を示す。図１１において、ＳｉＯ_X
ＣＶＤ膜１４／ハードコート層１３／接着剤層１２／透
明プラスチック基材フィルム１１からなる積層フィルム
は、前記実施例１の反射防止フィルムと同一であり、図
１１の積層フィルムは、前記実施例１の反射防止フィル
ムの基材の裏面にプライマー層２０と導電性を有するＩ
ＴＯスパッタ膜１９が形成されて帯電防止層となってい
る。

【００６７】本実施例１０の反射防止性を付与した透明
導電性フィルム製造方法は、前記実施例１と同一の工程
で、図１に示す多重真空処理装置を用いＳｉＯ_X ＣＶＤ
膜１４／ハードコート層１３／接着剤層１２／透明プラ
スチック基材フィルム１からなる層構成の反射防止性を
有する積層フィルムを製造する。次いでこの積層フィル
ムの透明プラスチック基材フィルム１１側に、プライマ
ーを塗布して接着性が付与されたプライマー層２０を形
成する。次いで、この積層フィルムを再び図１に示す多
重真空処理内のロール３にセットしロール４に巻き取
る。この積層フィルムの走行過程において、前記プライ
マー層２０側にＩＴＯのスパッタリングを行い、ＩＴＯ
スパッタ膜１９を形成する。

【００６８】〔実施例１１〕透明導電性フィルムの製造例その３ （タッチパネル用） 図１２に本実施例１１の透明導電性フィルムの層構成を
示す。本実施例１１の透明導電性フィルムは、前記実施
例１０の透明導電性フィルムの層構成において、プライ
マー層２０を省略したものである。

【００６９】本実施例１１の反射防止性を付与した透明
導電性フィルムの製造方法は、前記実施例１と同一の製
造方法で、図１に示す多重真空処理装置を用いＳｉＯ_X
ＣＶＤ膜１４（低屈折率層）／ハードコート層１３（高
屈折率層）／接着剤層１２／透明プラスチック基材フィ
ルム１１からなる反射防止性を有する積層フィルムを得
る。ついで、この積層フィルムを図１の多重真空処理装
置の真空チャンバー１内のロール３にセットした後、真
空チャンバー１内の真空度をプラズマ処理に適した値に
調整し、もう一方のロール４にプラズマ処理に適した走
行速度で巻き取る。この積層フィルムの走行中に、該フ
ィルムの透明プラスチック基材フィルム１１側（ＳｉＯ
_X ＣＶＤ膜１４側とは反対側）に対してプラズマ処理に
よる前処理をして密着性を付与する。次いでスパッタリ
ングに適した真空度に調整し、該積層フィルムをスパッ
タリングに適した走行速度で逆走行させて、前記のプラ
ズマ処理面にＩＴＯのスパッタリングによりＩＴＯスパ
ッタ膜１９を形成する。

【００７０】〔実施例１２〕フィルム液晶基板の製造例その１ 図１３に本実施例１２のフィルム液晶基板の層構成を示
す。本実施例１２のフィルム液晶基板は、透明プラスチ
ック基材フィルム１１上にガスバリアー層としてＳｉＯ
_X ＣＶＤ膜１４を形成し、そのＳｉＯ_X ＣＶＤ膜１４上
に保護のためにハードコート層１３を形成し、一方、透
明プラスチック基材フィルム１１の裏面にプライマー層
２０を介して導電性のＩＴＯスパッタ膜１９を設けたも
のである。本発明におけるハードコート層１３は、防眩
性を付与する目的でその表面には微細な凹凸が形成され
ていてもよく、或いはこのハードコート層１３中に防眩
性を発揮することができるビーズ等の微粒子が混入され
ていてもよい。

【００７１】本実施例１２のフィルム液晶基板の製造方
法は、透明プラスチック基材フィルム１１上にプライマ
ーを塗布してプライマー層２０を形成する。得られた積
層フィルムを図１の多重真空処理装置の真空チャンバー
１内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内を
プラズマＣＶＤに適した真空度に調整し、もう一方のロ
ール４にプラズマ処理に適した走行速度で巻き取る。こ
の積層フィルムの走行中に、該積層フィルムのプライマ
ー層２０側とは反対側の透明プラスチック基材フィルム
１１の面に対してプラズマＣＶＤによりＳｉＯ_x ＣＶＤ
膜１４を形成する。

【００７２】次いで、スパッタリングに適するように真
空チャンバー１内の真空度を調整し、積層フィルムをス
パッタリングに適した走行速度で逆走行させてＩＴＯを
スパッタリングしてＩＴＯスパッタ膜１９を形成する。
次いで、真空チャンバー１内をプラズマ処理に適した真
空度に調整し、積層フィルムをプラズマ処理に適した走
行速度で正走行させて前記のＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４に対
してプラズマ処理をして接着性を向上させる。真空チャ
ンバー１から処理された積層フィルムを取出し、この積
層フィルムのＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４上に、前記実施例１
に示したハードコート用樹脂組成物を塗布し、硬化させ
てハードコート層１３を成形する。

【００７３】〔実施例１３〕フィルム液晶基板の製造例その２ 図１４に本実施例１３のフィルム液晶基板の層構成を示
す。本実施例１３のフィルム液晶基板は、前記実施例１
２のフィルム液晶基板の層構成においてプライマー層２
０を除き、その位置にＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４を設けたの
もである。本実施例１３のフィルム液晶基板は、ガスバ
リアー層としてのＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４がプラスチック
基材フィルム１１の上下に２層形成されるので、ガスバ
リアー性がさらに強化され、且つＩＴＯスパッタ膜２０
に接触するＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４はプライマー機能を持
つ。

【００７４】本実施例１３の反射防止性を付与した透明
導電性フィルム製造方法は、透明プラスチック基材フィ
ルム１１を図１の多重真空処理装置の真空チャンバー１
内のロール３にセットした後、真空チャンバー１内をプ
ラズマＣＶＤに適した真空度に調整し、もう一方のロー
ル４にプラズマ処理に適した走行速度で巻き取る。この
積層フィルムの走行中に、透明プラスチック基材フィル
ム１１の一方の片面にプラズマＣＶＤによりＳｉＯ_x Ｃ
ＶＤ膜１４を形成し、同時或いは連続して他方の片面に
さらにプラズマＣＶＤによりＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４を形
成する。

【００７５】次いで、真空チャンバー１内の真空度をス
パッタリングに適すように調整し、積層フィルムをスパ
ッタリングに適した走行速度で逆走行させて、走行中に
ＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４の一方にスパッタリングにより導
電性膜としてのＩＴＯスパッタ膜１９を形成する。次い
で、真空チャンバー１からこの積層フィルムを取出し、
もう一方のコーティングがなされていない方のＳｉＯ_x
ＣＶＤ膜１４の面に、防眩性を有するハードコート層樹
脂組成物を塗布してハードコート層１３を形成する。こ
のハードコート層１３に防眩性を付与するには、ハード
コート層１３が形成された表面に微細な凹凸を有する賦
型板により押圧するか、或いは微細なビーズ等の粒子を
バインダー樹脂中に分散させることによって達成され
る。

【００７６】〔実施例１４〕熱線反射フィルムの製造例その１ 図１５に本実施例１４の熱線反射フィルムの層構成を示
す。本実施例１４の熱線反射フィルムは、透明プラスチ
ック基材フィルム１１上に特に熱線を反射することがで
きる熱線反射層２１を設けたものである。

【００７７】本実施例１４の熱線反射フィルムの製造方
法は、次のように行われる。まず透明プラスチック基材
フィルム１１を、図１に示す多重真空処理装置の真空チ
ャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャンバ
ー１内をプラズマ処理に適した真空度に調整し、もう一
方のロール４にプラズマ処理に適した走行速度で巻き取
る。この積層フィルムの走行中に、透明プラスチック基
材フィルム１１の一方の片面にプラズマ処理を行って、
接着性を増大させる。次いで、真空チャンバー１内の真
空度をスパッタリングに適した値に調整し、前記の透明
プラスチック基材フィルム１１をスパッタリングに適し
た走行速度で逆走行させてプラズマ処理された面上にＰ
ｔ、Ａｕ等の金属をスパッタリングして熱線反射層２１
を形成する。

【００７８】〔実施例１５〕熱線反射フィルムの製造例その２ 図１６に本実施例１５の熱線反射フィルムの層構成を示
す。本実施例１５の熱線反射フィルムは、前記実施例１
４の熱線反射フィルム（図１５参照）の熱線反射層２１
上に、保護のためにハードコート層を設けたものであ
る。

【００７９】本実施例１５の熱線反射フィルムの製造方
法は、前記実施例１４の製造方法により得られた熱線反
射フィルムに対して、その熱線反射層２１上にさらに防
眩性を有する保護層としてハードコート用樹脂組成物を
塗布し、硬化させてハードコート層１３を形成したもの
である。このハードコート層１３に防眩性を付与するに
は、ハードコート層１３が形成された表面に微細な凹凸
を有する賦型板により押圧するか、或いは微細なビーズ
等の粒子をバインダー樹脂中に分散させることによって
達成される。

【００８０】〔実施例１６〕誘電体ミラーの製造例その１ 図１７に本実施例１６の誘電体ミラーの層構成を示す。
本実施例１６の誘電体ミラーは、透明プラスチック基材
フィルム１１上に、接着剤層１２を形成し、次いで上記
実施例１に説明した防眩性を有するハードコート層１３
を設けた積層フィルム上に、高屈折率層としてＴｉＯ₂
スパッタ膜１７を設け、さらに、ＳｉＯ _x ＣＶＤ膜１４
（低屈折率層）とＴｉＯ₂ スパッタ膜１７（高屈折率
層）の組合せからなる層を複数回繰り返したものであ
る。このような層構成とすることにより、前記した反射
防止フィルムとは逆の屈折率の組合せとなるので、ミラ
ー効果を生ずる。

【００８１】本実施例１６の誘電体ミラーは次のように
して製造される。透明プラスチック基材フィルム１１上
に接着剤を塗布して接着剤層１２を形成し、次いでハー
ドコート層用樹脂を塗布し、硬化させて防眩性を有する
ハードコート層１３を形成する。上記のようにして得ら
れた積層フィルムを図１に示す多重真空処理装置の真空
チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャン
バー１内をプラズマ処理に適した真空度に調整し、もう
一方のロール４にプラズマ処理に適した走行速度で巻き
取る。この積層フィルムの走行中に、該積層フィルムの
ハードコート層１３に対してプラズマ処理を行い、接着
性を増大させる。

【００８２】次いで、真空チャンバー１内の真空度をス
パッタリングに適した値に調整し、前記積層フィルムを
スパッタリングに適した走行速度で逆走行させてその走
行中にＴｉＯ₂ をスパッタリングしてＴｉＯ₂ スパッタ
膜１７を形成する。次いで、真空チャンバー１内の真空
度をプラズマＣＶＤに適した真空度に調整して、前記工
程で処理された積層フィルムをプラズマ処理に適した走
行速度で正走行させてその走行中にＳｉＯ_x のプラズマ
ＣＶＤ処理を行いＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４を形成する。引
き続き、再度、スパッタリングに適した真空度に調整
し、積層フィルムをスパッタリングに適した走行速度で
逆走行し、スパッタリングによるＴｉＯ₂スパッタ膜１
７を形成する。前記のＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４（低屈折率
層）とＴｉＯ₂ スパッタ膜１７（高屈折率層）の形成処
理を複数回行うことにより、本実施例１６の誘電ミラー
を得る。

【００８３】さらに、ＴｉＯ₂ スパッタ膜１７（高屈折
率層）の表面に対して、前記実施例１で行った、プラズ
マＣＶＤによるＣＦ₄ 、ＳｉＦ₄ 等のガスを用いた後処
理を適用してもよい。なお、本実施例１６の誘電体ミラ
ーにおける高屈折率層の材料として上記のＴｉＯ₂ に代
えて、ＩＴＯ、ＺｒＯ₂ 、ＣｅＯ₂ 、ＨｆＯ₂ 、Ｌａ₂
Ｏ₃ 等の材料を使用してもよい。また本実施例１６の層
構成の誘電体ミラーは、そのＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４（低
屈折率層）とＴｉＯ₂ スパッタ膜１７（高屈折率層）の
膜厚を調整することによって、干渉フィルターとするこ
ともできる。

【００８４】〔実施例１７〕誘電体ミラーの製造例その２ 図１８に本実施例１７の誘電体ミラーの層構成を示す。
本実施例１７の誘電体ミラーは、透明プラスチック基材
フィルム１１上に接着剤層１２を介してハードコート層
１３が形成され、さらにその上に、順次ＳｉＯ_x ＣＶＤ
膜１４と、Ａｇスパッタ膜２２と、ＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１
４を形成したものである。

【００８５】本実施例１７の誘電体ミラーは次のように
して製造される。透明プラスチック基材フィルム１１上
に接着剤を塗布して接着剤層１２を形成し、次いでハー
ドコート層用樹脂を塗布し、硬化させて防眩性を有する
ハードコート層１３を形成する。上記のようにして得ら
れた積層フィルムを図１に示す多重真空処理装置の真空
チャンバー１内のロール３にセットした後、真空チャン
バー１内をプラズマ処理に適した真空度に調整し、プラ
ズマ処理に適した走行速度でもう一方のロール４に巻き
取る。

【００８６】この積層フィルムの走行中に、該積層フィ
ルムのハードコート層１３に対してプラズマ処理を行
い、接着性を増大させ、同じ走行中においてＳｉＯ_x の
プラズマＣＶＤ処理を行いＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４を形成
する。次いで、真空チャンバー１内の真空度をスパッタ
リングに適した値に調整し、前記の積層フィルムをスパ
ッタリングに適した走行速度で逆走行させ、その走行中
にＡｇをスパッタリングしてＡｇスパッタ膜２２を形成
する。次いで、真空チャンバー１内の真空度をプラズマ
ＣＶＤに適した真空度に調整して、前記工程で処理され
た積層フィルムをプラズマ処理に適した走行速度で正走
行させてその走行中にＳｉＯ_x のプラズマＣＶＤ処理を
行いＳｉＯ_x ＣＶＤ膜１４を形成する。

【００８７】

【発明の効果】本発明の多重真空処理方法及びその装置
によれば、同一の真空チャンバー内において、ある真空
処理が行われた後にさらに真空処理が必要とされる場
合、継続して真空処理を行うのに、真空チャンバー内を
大気圧に戻すことなく別の真空処理を行うことができ
る。したがって、本発明の多重真空処理では、その処理
中に、中間段階の真空処理面が空気に晒されて表面の活
性種が失活したり、或いは表面が酸化されたりして積層
される界面が影響を受けることが無いので、品質の一定
した積層物を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多重真空処理装置の１構成例の模式図
である。

【図２】実施例１の反射防止フィルムの層構成を示す。

【図３】実施例２の反射防止フィルムの層構成を示す。

【図４】実施例３の反射防止フィルムの層構成を示す。

【図５】実施例４の反射防止フィルムの層構成を示す。

【図６】実施例５の反射防止フィルムの層構成を示す。

【図７】実施例６の反射防止フィルムの層構成を示す。

【図８】実施例７の反射防止フィルムの層構成を示す。

【図９】実施例８のガスバリアーフィルムの層構成を示
す。

【図１０】実施例９のタッチパネル等に使用される透明
導電性フィルムの層構成を示す。

【図１１】実施例１０の反射防止性を付与した透明導電
性フィルムの層構成を示す。

【図１２】実施例１１の透明導電性フィルムの層構成を
示す。

【図１３】実施例１２のフィルム液晶基板の層構成を示
す。

【図１４】実施例１３のフィルム液晶基板の層構成を示
す。

【図１５】実施例１４の熱線反射フィルムの層構成を示
す。

【図１６】実施例１５の熱線反射フィルムの層構成を示
す。

【図１７】実施例１６の誘電体ミラーの層構成を示す。

【図１８】実施例１７の誘電体ミラーの層構成を示す。

【図１９】実施例１〜１７の各真空処理に共通な真空処
理パスを示す概念図である。

【符号の説明】

１ 真空チャンバー ２ ウェッブ ３，４ ロール ５，６，７ 真空処理機構 １１ 透明プラスチック基材フィルム １２ 接着剤層 １３ ハードコート層 １４ ＳｉＯ_x ＣＶＤ膜 １５ ＳｉＯ₂ スパッタ膜 １６ 高屈折率樹脂層 １７ ＴｉＯ₂ スパッタ膜 １８ 機能性超微粒子層 １９ ＩＴＯスパッタ膜 ２０ プライマー層 ２１ 熱線反射層 ２２ Ａｇスパッタ膜 １０１，１０５ 巻き取り巻き出しゾーン １０２ ウエッブ １０３ スパッタゾーン １０４ プラズマゾーン

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空チャンバー内において、走行してい
   るウェッブに対して互いに異なる複数種類の真空処理を
   大気圧に戻すことなく継続して施すことを特徴とする多
   重真空処理方法。
2. 【請求項２】 （１）真空チャンバー内において、走行
   しているウェッブに対して真空処理を施して巻取り、 （２）大気圧に戻すことなく真空条件を変え、 （３）次いで次に行われる真空処理に適した走行速度に
   調整してウェッブを逆に走行させ、走行中のウェッブに
   対して先に施した真空処理とは異なる種類の真空処理を
   施すことを特徴とする多重真空処理方法。
3. 【請求項３】 前記、ウェッブを逆に走行させ走行中の
   ウェッブに対して先に施した真空処理とは異なる種類の
   真空処理を施す操作を、複数回継続して行うことを特徴
   とする請求項２記載の多重真空処理方法。
4. 【請求項４】 前記真空処理が、真空蒸着処理、スパッ
   タリング処理、プラズマ処理、イオンプレーティング、
   コロナ放電処理、プラズマＣＶＤから選ばれたものであ
   る請求項１、２又は３記載の多重真空処理方法。
5. 【請求項５】 請求項１、２、３又は４記載の多重真空
   処理方法をプラスチックフィルムに適用することを特徴
   とする機能性プラスチックフィルムの製造方法。
6. 【請求項６】 請求項５記載の方法により得られた機能
   性プラスチックフィルム。
7. 【請求項７】 請求項６記載の機能性プラスチックフィ
   ルムが、反射防止フィルム、ガスバリアーフィルム、タ
   ッチパネル用導電性フィルム、フィルム液晶基板、熱線
   反射フィルム、又は誘電体ミラーであることを特徴とす
   る機能性プラスチックフィルム。
8. 【請求項８】 真空チャンバー内に、ウェッブの正走行
   機能と逆走行機能が付与された一対のロールからなる巻
   出巻取機構、及び該巻出巻取機構の一対のロール間を走
   行するウェッブに対して複数種類の真空処理を継続して
   施すことができる真空処理機構を含むことを特徴とする
   多重真空処理装置。
9. 【請求項９】 前記真空処理機構が、真空蒸着処理装
   置、スパッタリング処理装置、プラズマ処理装置、イオ
   ンプレーティング装置、コロナ放電処理装置、及びプラ
   ズマＣＶＤ装置から選ばれたものである請求項８記載の
   多重真空処理装置。