JPH08171985A - マイクロ波加熱装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、簡易な電力検出機構を提供すること
を目的とする。 【構成】本発明は、被加熱物を配置する加熱槽と、前記
加熱槽にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前
記マイクロ波供給部と前記加熱槽とを接続する導波管
と、前記導波管と接続する２つの結合孔を介して前記導
波管内を伝搬するマイクロ波の電力を検出する電力検出
部とを備え、前記電力検出部は、前記２つの結合孔上に
所定の長さの伝送路を設けることで前記導波管内を伝搬
するマイクロ波の電力を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波の照射によ
り加熱するマイクロ波加熱装置に関し、特にその電力検
出機構に関する。

【０００２】

【従来の技術】マイクロ波加熱装置においては、加熱装
置内部に設置された物体の水分量に応じて、照射される
マイクロ波の吸収量が異なる。一般に、物体の水分量が
少なくなるに従ってそのマイクロ波吸収量は減少し、マ
グネトロンへの反射量が増大するとされている。このマ
グネトロンへの反射量が大きいと、マグネトロンが加熱
され、マグネトロンの損傷等につながる。従来は、マグ
ネトロンを加熱から保護するために、マグネトロンにサ
−モスタットを取付けていた。つまり、このサ−モスタ
ットにより、マグネトロンの温度を監視し、一定の温度
になるとマグネトロンの駆動を強制的に停止していた。

【０００３】また、サ−モスタットの代わりに電力検出
器によりマグネトロンに反射する反射電力を検出する方
法もとられている。これは、前述の温度検出に比べて、
検出の感度が良いという利点がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の反射電力検出器
は、導波管を組み合わせた構成であるため、その接続機
構として導波管フランジやテ−パ−管を備える必要があ
った。また、検出した電力を検波装置に接続するには同
軸導波管変換等を行う必要があった。

【０００５】一方、マイクロ波加熱装置は、加熱装置内
部に設置された物体に均一にマイクロ波を照射するため
に、マイクロ波照射部を加熱容器の中央に設置されてお
り、このため、マイクロ波加熱装置の給電部を簡易な構
造とするには、この中央に設置されたマイクロ波照射部
とマグネトロンとを接続する導波管は、加熱容器上に蓋
をしたような構造で加熱容器と一体化する必要がある。

【０００６】このような加熱容器と一体化した蓋状の導
波管に、従来の導波管フランジを有する電力検出器を接
続するには、導波管フランジを挿入できるよう給電用導
波管を加熱容器上に浮かして固定する必要があるが、こ
の場合、新たにマイクロ波照射部と接続するためのベン
ド管を設けたり、給電用導波管を保持する構造が必要と
なり構成が複雑になってしまう。

【０００７】従って、このように、装置全体を加熱容器
と一体化した簡易で強度のある構成とするには、電力検
出部をこの給電用導波管と一体化可能な構成にする必要
が生ずる。さらには、電力検出部の出力をマグネトロン
制御用に処理する回路も含めて一体化させたい。

【０００８】本発明の第一の目的は、簡易な電力検出機
構を提供することにある。

【０００９】さらに本発明の第二の目的は、電力検出部
の出力をマグネトロン制御用に処理する回路も含めた加
熱装置全体を加熱容器と一体化させることにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の第一の
目的を達成するため、被加熱物を配置する加熱槽と、前
記加熱槽にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、
前記マイクロ波供給部と前記加熱槽とを接続する導波管
と、前記導波管と接続する２つの結合孔を介して前記導
波管内を伝搬するマイクロ波の電力を検出する電力検出
部とを備え、前記電力検出部は、前記２つの結合孔上に
所定の長さの伝送路を設けることで前記導波管内を伝搬
するマイクロ波の電力を検出する。つまり、給電用導波
管の上面にマイクロ波伝送用基板を設け、そのマイクロ
波伝送用基板の裏面（一部）と給電用導波管とを接続す
る２個の結合孔を設け、例えば、導波管側からみた２個
の結合孔間の距離は導波管の管内波長の１／４、基板上
の伝送路からみた２個の結合孔間の距離は伝播波長の５
／４となるようなに伝送路を設けた。また、マイクロ波
伝送用基板は、金属製導体板の間に誘電体を挟んだ構造
であり、例えばトリプレ−ト構造を用いれば、出力され
るマイクロ波電力を検波器に接続するコネクタをこの基
板の上面に直接設置することができる。

【００１１】さらに、本発明は、上記の第二の目的を達
成するために、被加熱物を配置する加熱槽と、前記加熱
槽にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記マ
イクロ波供給部と前記加熱槽とを接続する導波管と、前
記導波管内を伝搬するマイクロ波の電力を検出する電力
検出部と、前記電力検出部の検出結果に基づいて前記マ
イクロ波供給部を制御する制御部とを一体化させた。つ
まり前述の本発明の簡易な電力検出装置は、基板上に配
置することができるので、さらにその伝送路に出力され
る電力を検波するダイオ−ドや、この出力をマグネトロ
ン駆動電力制御用信号に変換するための電子回路とを同
時に形成した。これにより、よりコンパクトな制御回路
部を実現することが可能となり、その制御回路部も含め
た加熱装置全体を加熱容器と一体化させる。

【００１２】

【作用】本発明のマイクロ波加熱装置は、給電用導波管
に基板状の伝送路を設置し、マグネトロンから負荷側
（加熱容器）に入射するマイクロ波及び、負荷側（加熱
容器）から反射するマイクロ波の一部を上記の基板状伝
送路より出力することで電力の検出を行う。

【００１３】従来は、導波管同士のカップリングであっ
たため、導波管の管内波長λｗのみを考慮すれば良かっ
たが、本発明では導波管に代えて基板を用いるので、導
波管の管内波長λｗと、基板上の伝送路の波長λｐが異
なってしまう。

【００１４】一般に導波管の基本モードの管内波長λｗ
は、導波管の断面の長い方の一辺の長さををａとすると
以下のようになり、 λｗ＝１／√（ｆ／ｃ）²−（１／２ａ）² ………（１） また、基板上の伝送路の波長λｐは、以下のようにな
る。

【００１５】 λｐ＝ｃ／ｆ√ε ………（２） ただし、ｆ：周波数、ε：基板の実効誘電率、ｃ：光速
（定数） そのためマイクロ波の出力を基板上で検出するには、結
合孔ｃ１，ｃ２の距離Ｌｗと、ｃ１，ｃ２の伝送路の長
さＬｐに距離差を設けることが必要となる。

【００１６】この原理について、図５を用いて説明す
る。

【００１７】図５は、マイクロ波の伝搬する導波管１６
と、本発明の電力検出部である基板２と、導波管１６と
基板２とを結合する２つの結合孔１５を拡大した図であ
る。なお、図５においては、マイクロ波供給部（例えば
マグネトロン）から加熱槽にマイクロ波が照射される場
合を示しており、そのマイクロ波は矢印の方向に進むも
のとする。

【００１８】ここで、アンテナ（図示せず；加熱槽へマ
イクロ波を照射するために導波管の開口面に設けられて
いる）への入射電力をｐ１、アンテナからの反射電力を
ｐ２、マイクロ波伝送路用基板２上の出力をｑ１，ｑ
２、結合孔ｃ１，ｃ２の距離をＬｗ、ｃ１，ｃ２の伝送
路の長さをＬｐ、給電用導波管の管内波長をλｗ、伝送
路の波長をλｐとする。

【００１９】マイクロ波が導波管１６を伝搬すると、結
合孔ｃ１，ｃ２から基板２にその一部が伝搬することと
なる。結合孔ｃ１とｃ２にはＬｗの距離差があるため、
図５に示すように、〜のマイクロ波の流れが生ず
る。

【００２０】まず、基板２におけるとの位相差θ_A
およびとの位相差θ_Bを式（３）および（４）に示
す。

【００２１】 θ_A＝Ｋp・Ｌp＋Ｋw・Ｌw ＝２π（Ｌｐ／λｐ＋Ｌｗ／λｗ） ……… （３） θ_B＝Ｋp・Ｌp−Ｋw・Ｌw ＝２π（Ｌｐ／λｐ−Ｌｗ／λｗ） ……… （４） なお、Ｋp＝２π／λｐ、Ｋw＝２π／λｗ また、物理的に、結合孔ｃ１，ｃ２の距離をＬｗに対し
て、ｃ１，ｃ２の伝送路の長さＬｐはＬｗより短くなる
ことはなく、必ずＬｐ≧Ｌｗとなる。同様に給電用導波
管の管内波長λｗに対して、基板上の伝送路の波長λｐ
は一般にλｐ＜λｗとなる。

【００２２】次に、位相差θ_Aを同相に、位相差θ_Bを逆
相にする。この関係を式（５）および（６）に示す。θ
_Aが同相とは、とが互いに強め合うことを意味し、
θ_Bが逆相とは、とが互いに打ち消し合うことを意
味する。このような条件を満たすように、Ｌｐ、Ｌｗ、
λｐ、λｗを設定すれば、マイクロ波伝送路用基板２上
の出力ｑ１、ｑ２を得ることが可能となる。つまり、位
相差θ_Aを同相に、位相差θ_Bを逆相にすることで、マイ
クロ波の入射電力ｐ１を出力ｑ１の値として検出する
（出力ｑ２は、その出力がでないよう位相差θ_Bを逆相
にしているため）。

【００２３】 θ_A＝２π（Ｌｐ／λｐ−Ｌｗ／λｗ）＝２ｎπ （ｎ：整数） ……… （５） θ_B＝２π（Ｌｐ／λｐ＋Ｌｗ／λｗ）＝（２ｍ＋１）π （ｍ：整数） ……… （６） さらに、式（５）および（６）は、以下のようになる。

【００２４】 Ｌｐ／λｐ−Ｌｗ／λｗ＝ｎ ……… （７） Ｌｐ／λｐ＋Ｌｗ／λｗ＝（２ｍ＋１）／２ ……… （８） ここで、式（７）と式（８）を加算、減算する。

【００２５】 ２Ｌｐ／λｐ＝ｎ＋ｍ＋１／２＞０ ……… （９） ２Ｌｗ／λｗ＝ｍ＋１／２−ｎ＞０ ……… （１０） なお、Ｌｐ＞Ｌｗ 以上のように、式（９）、（１０）を満たすように、Ｌ
ｐ、Ｌｗ、λｐ、λｗを設定すれば、マイクロ波伝送路
用基板２上の出力ｑ１を検出することができる。これに
より、アンテナへの入射電力ｐ１が、結合孔からどのく
らいの割合で漏れ込むのかを予め算出しておけば、検出
したマイクロ波伝送路用基板２上の出力ｑ１からアンテ
ナへの入射電力ｐ１が求まる。

【００２６】同様にして、アンテナからの反射電力ｐ２
についても算出できる。この場合、加熱槽からマイクロ
波供給部（例えばマグネトロン）にマイクロ波が照射さ
れるので（図示せず）、マイクロ波伝送路用基板２上の
出力ｑ２にその値が検出できるようにすれば、前述の入
射電力ｐ１と反射電力ｐ２が同時に求めることが可能と
なる。

【００２７】このような電力検出機構を実現することに
より、電力検出部を基板上に配置することが可能とな
り、さらには蓋状の構造で加熱容器と一体化が図られた
給電用導波管上にマグネトロンの制御回路を構成するこ
とができ、コンパクトなマイクロ波加熱装置となる。こ
こで言う制御回路とは、電力検出結果に基づいて、マグ
ネトロンを強制的に停止させてマグネトロンを加熱から
保護したり、非加熱物の水分量を算出し、マグネトロン
の駆動を制御する回路のことである。

【００２８】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。第１図は本発明の給電用導波管の上面に２個の
結合孔を設け、この上に金属製導体板の間に誘電体を挟
んだ構造のマイクロ波伝送路用基板を設置して電力検出
部を構成した一実施例を示し、第１図（ａ）は平面図、
第１図（ｂ）は側面図である。

【００２９】この装置は、給電用導波管１、マイクロ波
照射部２、マイクロ波伝送路用基板３、加熱容器４、結
合孔ｃ１，ｃ２等より構成される。ここで、アンテナへ
の入射電力をｐ１、アンテナからの反射電力をｐ２、マ
イクロ波伝送路用基板上の出力をｑ１，ｑ２、結合孔ｃ
１，ｃ２の距離をＬｗ、ｃ１，ｃ２の伝送路の長さをＬ
ｐ、給電用導波管の管内波長をλｗ、伝送路の波長をλ
ｐとする。

【００３０】本実施例では、結合孔ｃ１，ｃ２の距離Ｌ
ｗ、ｃ１，ｃ２の伝送路の長さＬｐを、式（９）、（１
０）の条件を満たすよう設定した。

【００３１】まず、式（９）、（１０）は以下のように
変形できる。

【００３２】 λｐ（ｎ＋ｍ＋１／２）＞λｗ（ｍ＋１／２−ｎ） ……… （１１） ここで、給電用導波管１、マイクロ波伝送路用基板３と
して、ｆ＝２．４５ＧＨｚ、Ｃ＝３×１０¹¹、ａ＝９
５．３（断面のもう一辺ｂ＝５４．６）、ε＝４を採用
するとそれぞれの波長は式（１）及び（２）より、λｗ
＝１７３．６、λｐ＝６１．２となる。これより式（１
１）は以下のようになる。

【００３３】 ｎ＋ｍ＋１／２＞２．８（ｍ＋１／２−ｎ） ……… （１２） この条件を満たすようＬｗ、Ｌｐを決定すれば良いので
あるが、電力検出部を小型化するには、ｎとｍの組合せ
を最も小さい値にしたい。

【００３４】従って、式（１２）を満たす最も小さな組
合せであるｎ＝ｍ＝１を採用する。

【００３５】この値から、Ｌｗ、Ｌｐは以下のように導
きだされる。

【００３６】Ｌｗ ＝ λｗ／４ Ｌｐ ＝ ５×λｐ／４ ただし、これは、λｗ＝１７３．６、λｐ＝６１．２の
特性を持つ装置において小型化を図った一例であるの
で、加熱装置の大きさや、加熱装置に採用される給電用
導波管およびマイクロ波伝送路用基板の特性に応じて値
が変わることは言うまでもない。

【００３７】一般に、従来、結合孔ｃ１，ｃ２の距離Ｌ
ｗは、Ｌｗ ＝ λｗ／４となるように設定されている
ことから、本実施例のようにＬｐ ＝ ５×λｐ／４と
することが、マイクロ波の伝搬特性などからしても最適
なものと考える。つまり従来、導波管で構成される電力
検出器は、構造上、Ｌｗ＝Ｌｐ＝λｗ／４であったが、
本実施例のように構造上、Ｌｐ＞Ｌｗの関係である場合
は、Ｌｐ ＝ ５×λｐ／４としなければならない。

【００３８】また、本実施例では、このようなＬｗ、Ｌ
ｐを持たせるために、図１に示すごとく、Ｌｐは２つの
結合孔を結ぶようにＵ字型に配線している。

【００３９】このような条件とした場合、入射電力ｐ１
および反射電力ｐ２は以下のようになる。

【００４０】まず、結合孔ｃ１より伝送路に入射しｑ１
へ出力するものと、結合孔ｃ２より伝送路に入射しｑ１
へ出力するものとに生じる位相差を求める。式（３）に
前述のＬｗ＝λｗ／４、Ｌｐ＝５×λｐ／４を代入す
る。

【００４１】 θ_A＝２π（Ｌｐ／λｐ＋Ｌｗ／λｗ） ＝２π（５／４＋１／４） ＝３π ………（１３） その位相差θ_Aは式（１３）で表されるように、位相が
反転しており、ｑ１に出力されないことを示している。

【００４２】次に、結合孔ｃ１より伝送路に入射しｑ２
へ出力するものと、結合孔ｃ２より伝送路に入射しｑ２
へ出力するものとに生じる位相差を求める。式（４）に
前述のＬｗ＝λｗ／４、Ｌｐ＝５×λｐ／４を代入す
る。

【００４３】 θ_B＝２π（Ｌｐ／λｐ−Ｌｗ／λｗ） ＝２π（５／４−１／４） ＝２π ………（１４） その位相差θ_Bは式（１４）で表されるように、位相が
同相にて入力しており、ｑ２に出力が発生することを示
している。

【００４４】以上のように、入射電力ｐ１は、一部が結
合してｑ２のみから出力され、ｑ１からは出力されない
ことがわかる。

【００４５】同様にして、反射電力ｐ２は、一部が結合
してｑ１のみから出力され、ｑ２からは出力されないこ
とがわかる。

【００４６】第３図は、本発明のマイクロ波伝送用基板
としてトリプレ−ト構造を用い、出力されるマイクロ波
電力を検波器に接続するコネクタをこの基板の上面に直
接設置した一実施例を示す。

【００４７】２は導波管、１１は基板、１２は基板に設
けられた伝送路、１０は基板に取り付けるコネクタ、１
３はコネクタの同軸部、１４はコネクタの芯線、１５は
結合孔である。

【００４８】この実施例では、コネクタ１０の外部導体
を基板１１の導体板に固定し、コネクタの芯線１４をト
リプレ−ト中の伝送路１２と接続している。これにより
伝送路から得られる出力電力は、コネクタを介して測定
装置もしくは制御回路に送出される。

【００４９】次に、本発明の電力検出部を構成するマイ
クロ波伝送用基板上に、マグネトロン駆動電力制御回路
を設けた一実施例について第４図を用いて説明する。

【００５０】第４図において、同一の基板１６上に、電
力検出器、検波ダイオ−ド、制御用信号に変換するため
の電子回路を形成する一体化した制御回路として導波管
上に設置しており、コンパクトなマイクロ波乾燥装置を
構成している。

【００５１】つまり、被加熱物を配置する加熱槽６と、
前記加熱槽にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部４
と、前記マイクロ波供給部と前記加熱槽とを接続する導
波管２と、前記導波管内を伝搬するマイクロ波の電力を
検出する電力検出部および前記電力検出部の検出結果に
基づいて前記マイクロ波供給部を制御する制御部を備え
た基板１６とを一体化した加熱装置を実現している。当
然、マイクロ波供給部４とマイクロ波供給部を制御する
制御部との回路は接続されている。

【００５２】マイクロ波供給部４、電力検出回路及び制
御回路を備えた基板１６、加熱槽２の電気的な接続関係
を第６図及び第７図を用いて説明する。

【００５３】第６図は、加熱槽が過度に加熱された場合
の保護についての回路構成、特に電力検出部からの信号
をアナログ的に処理してマイクロ波発生装置を制御する
例を示す。

【００５４】本加熱装置は、マイクロ波を発生するマイ
クロ波発生装置４、そのマイクロ波により加熱される加
熱槽６、マイクロ波発生装置４と加熱槽６との間を伝搬
するマイクロ波の入射電力もしくは反射電力を検出する
本発明の電力検出部１７、電力検出部により検出された
入射電力を測定する出力電力信号処理回路２６、電力検
出部１７と出力電力信号処理回路２６とを接続する検波
ダイオード１８ｂ、マイクロ波発生装置４への供給電源
をｏｎ／ｏｆｆするリレー回路２５、電力検出部により
検出された反射電力が所定値になった場合にリレー回路
２５を動作させるためのスイッチ用のトランジスタ２
０、電力検出部１７とスイッチ用のトランジスタ２０と
を接続する検波ダイオード１８ａおよびその検出値をト
ランジスタの動作範囲の値まで増幅する増幅器１９とか
ら構成される。

【００５５】このように構成することで、本発明の電力
検出部により検出された結果に基づき、その値が所定値
を超した場合に、リレーを動作させ、マイクロ波供給部
４となるマグネトロンの動作を停止させる。

【００５６】例えば、本制御方式を、乾燥制御に適用す
る場合は以下のようすれば良い。

【００５７】（１） マグネトロンの出力電力を検出し
マグネトロンが正常に駆動しているかの監視を行う。

【００５８】（２） マグネトロンからの反射電力を検
出し加熱容器内部の乾燥状態を監視し、反射電力がある
一定以上になるとマグネトロンの駆動を停止させる乾燥
判定の処理を行う。

【００５９】（３） なんらかの異常により反射電力が
増大した場合、反射電力がある一定以上になるとマグネ
トロンの駆動を停止させることとし、反射電力の増大に
対するマグネトロンの保護を行う。

【００６０】これにより加熱槽内が必要以上に加熱され
た場合、例えば誤って非加熱物が配置されてなかった場
合や、非加熱物の水分がほとんど無くなってしまった場
合等においては、マイクロ波の反射電力が急激に増加す
るので、制御回路に所定値を設定することで、加熱装置
を保護することとなる。

【００６１】なお本加熱装置では、入射電力を検出し、
出力信号処理回路に導いているが、このようにすること
で、マイクロ波の出力の確認が可能となり、マイクロ波
の使用状況を監視することもできる。

【００６２】次に第７図は、マイコンを利用して、電力
検出装置により検出される電力値に対応させて非加熱物
の状態を記憶させたものであり、これにより加熱装置に
おいて非加熱物の状態に応じた制御が可能となる。

【００６３】第７図において、第６図と異なる点は、電
力検出装置により検出した入射電力と出力電力とをセレ
クタ２１、およびＡ／Ｄ変換器２２を介してマイコン２
３に導いたことである。なおセレクタ２１は入射電力と
出力電力を適宜選択してＡ／Ｄ変換器２２の入力とす
る。マイコンでは、入射電力／出力電力を算出し、その
算出結果が所定値になったら、第６図同様にリレーを動
作させ、マイクロ波供給部４となるマグネトロンの動作
を停止させる。マイコンに記憶させる状態としては、電
力（入射電力、反射電力）と水分量の関係などが挙げら
れる。ここで入射電力／出力電力を求めた理由は、マグ
ネトロン自体が経時的に劣化するので、入射電力と出力
電力との比をとることで、加熱装置内の状態（特に乾燥
状態）を精度良く検出できるからである。

【００６４】これにより、第６図同様に検出される電力
値が、所定値になった場合にマグネトロンのｏｎ／ｏｆ
ｆ等の動作を細かに制御することができる。

【００６５】以上のような制御回路を基板上に取り付け
ることで、本発明の期待する一体化を実現した。

【００６６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板を用
いた簡易な電力検出機構を実現できる。また、この電力
検出機構を加熱装置に適用することで、電力検出部の出
力をマグネトロン制御用に処理する回路も含めた加熱装
置全体を加熱容器と一体化させることができる。また、
この制御回路により、水分が少なくなると反射電力が増
加することを利用してマイクロ波加熱装置の乾燥制御を
実施したり、マグネトロンの保護に用いたりすることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明の電力検出部の平面図 （ｂ）本発明の電力検出部の側面図

【図２】給電用導波管を加熱容器と一体化した図

【図３】マイクロ波伝送路用基板としてトリ一プレート
基板を用いた一実施例の断面図である。

【図４】制御回路を有するマイクロ波加熱装置の一実施
例の射視図

【図５】本発明の原理図

【図６】制御回路を有するマイクロ波加熱装置の一実施
例

【図７】制御回路を有するマイクロ波加熱装置の一実施
例

【符号の説明】

１ … マイクロ波照射部（アンテナ） ２ … 導
波管 ３ … マイクロ波伝送路 ４ … マ
グネトロン ５ … 電源トランス ６ … 加
熱容器 ７ … マイクロ波の照射 ８ … 被
乾燥物 ９ … 導波管固定要のつば １０ … コ
ネクタ− １１ … 基板 １２ …
トリプレ−トの導体 １３ … コネクタ−の同軸部 １４ …
コネクタ−の芯線 １５ … 結合孔 １６ …
制御用回路 １７ … 電力検出部 １８ａ，ｂ
… 検波ダイオード １９ … 増幅器 ２０ …
トランジスタ ２１ … セレクタ ２２ …
ＡＤ変換器 ２３ … マイコン ２４ …
ＤＣ電源 ２５ … リレー ２６ …
信号処理回路

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】被加熱物を配置する加熱槽と、前記加熱槽
   にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記マイ
   クロ波供給部と前記加熱槽とを接続する導波管と、前記
   導波管と接続する２つの結合孔を介して前記導波管内を
   伝搬するマイクロ波の電力を検出する電力検出部とを備
   え、前記電力検出部は、前記２つの結合孔上に所定の長
   さの伝送路を設けることで前記導波管内を伝搬するマイ
   クロ波の電力を検出することを特徴とするマイクロ波加
   熱装置。
2. 【請求項２】 前記伝送路の長さＬpは、以下の式を満たす ２Ｌp／λp＝ｎ＋ｍ＋１／２＞０ ２Ｌw／λw＝ｍ＋１／２−ｎ＞０ Ｌp＞Ｌw Ｌw：２つの結合孔間の距離 λp：伝送路における波長 λw：導波管内における波長 ｎ、ｍ：整数 ことを特徴とする請求項１記載のマイクロ波加熱装置。
3. 【請求項３】前記伝送路の長さＬp、２つの結合孔間の
   距離Ｌw、伝送路における波長λp、および導波管内にお
   ける波長λwの関係が以下の式を満たす Ｌw＝λw／４ Ｌp＝５λp／４ ことを特徴とする請求項２記載のマイクロ波加熱装置
4. 【請求項４】前記電力検出部は、前記伝送路に出力され
   る電力に基づいて前記マイクロ波供給部の駆動を制御す
   る制御部を含むことを特徴とする請求項１、２及び３記
   載のマイクロ波加熱装置。
5. 【請求項５】被加熱物を配置する加熱槽と、前記加熱槽
   にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記マイ
   クロ波供給部と前記加熱槽とを接続する導波管と、前記
   導波管内を伝搬するマイクロ波の電力を検出する電力検
   出部と、前記電力検出部の検出結果に基づいて前記マイ
   クロ波供給部を制御する制御部とを一体化させたことを
   特徴とするマイクロ波加熱装置。