JPH02223733A - 高周波加熱装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、マイクロ波発振装置のキャビティ内部の負荷
状態全検知する装置を備え九高周波加熱装置に関するも
のである。

従来の技術 近年、マイクロ波を利用して加熱、乾燥を行うことが盛
んになってきており、高周波加熱装置におけるさまざま
な改良、改善がなされている。

以下従来の高周波加熱装置の構成について説明する。

第３図は従来の高周波加熱装置の全体構成図を示すもの
である。第３図において、マイクロ波を発生させるマイ
クロ波発振器２１は加熱対象物を収納載置するキャビテ
ィ２２に導波管２３を介して接続され、マイクロ波発振
器２１から発し九マイクロ波は導波管２３　’ｉ通して
キャビティ２２内に導びかれる。

この導波管２３にはマイクロ波発振器２１からの入射電
力とキャビティ２２からの反射電力を検出する検知部２
４が取付けられ、この検知部２４で検出し良信号を出力
表示するモニタ一部２５が設けられている。

以上のように構成された高周波加熱装置について以下動
作を説明する。

まず、マイクロ波発振器２１より発振されたマイクロ波
は導波管２３を通ってキャビティ２２に入り、加熱対象
物を加熱するが、このマイクロ波の一部は反射して前述
と逆の径路ｔ７ｔどリマイクロ波発振器２１のマグネト
ロン（図示せず）へもどる。このとき検知部２４では、
マイクロ波発振器２１からの入射電力とキャビデイ２２
からの反射電力を検出し、モニタ一部２５で表示してい
る。

そこでキャビテイ２２内部に負荷が少ない場合、ま九は
まつ友く無い場合や、装置のミスマツチングなどかあつ
九場合には、入射したマイクロ波のほとんどが反射電力
となってもどってしまう。そのため、モニタ一部２５で
表示される値が入射電力と反射電力とでほぼ同じ値に近
付き、これにより無負荷状ａを判別することができた。

発明が解決しようとする課題 しかしながら上記従来の構成では検知部２４に用いてい
るクリスタルマウントやアッテネータといつ之非常に高
価な部品がモーディングの発生や導波管２３内の高温高
圧といり九異常状態の場合に損傷を受けるために信頼性
と耐久性に欠けるという問題を有していた。さらに検知
部２４を導波管２３に設置するため、導波管路は所定の
長さ以下にはすることができず、検知部２４の取り付け
に際してはたいへん手間を要するものであつ次。

本発明は上記従来の課題を解決するもので、クリスタル
マウントやアッテネータなどの高価な部品を検知部に用
いることなく、キャビティ内負荷状ｌ！ｌｔ−調べる検
知部の取り付けが容易であり、かつその信頼性を耐久性
の優れた高周波加熱装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明の高周波加熱装置は、
加熱室の内壁面にマイクロ波誘電体を配設し、前記誘電
体の加熱室周壁を介した対面に温度検出装置を設け、前
記温度検出装置の出力信号を入力してマグネトロンの作
動制御を行う制御装置を設けたものである。

作用 上記構成によってキャピテイ内部すなわち加熱室内の負
荷状ａを検知する誘電体と温度検出装置からなる負荷検
知部は温度に基づいて測定するものであるので高い信頼
性を有し、まｙｔ　？Ｍ度検出装置は加熱室周壁の外側
に設けられてマイクロ波を直接には受けない九め耐久性
に優れ、ま九前記負荷検知部は加熱室周壁に設ければよ
いため、導波管に設けるものに比べて取り付は上の制約
が少なく、負荷検知部の温度検知装置を制御装置や電源
フィンに電気的に接続することも容易である。

実施例 以下、本発明の一５ｉ！施例について、図面全参照しな
がら説明する。

第１図は本発明の−９８，施例における高周波加熱装置
のＩｉ面図、第２図は同高周波加熱装置の要部ブロック
図である。第１図および＠２図に示すように、負荷とな
る被加熱物８ｔ−収納載置する加熱室１は加熱室周壁２
により区画され、この加熱室周壁２の内壁底面には友と
えばセラミックス材よりなるマイクロ波の誘電体３が配
設されている。

この誘電体３が配設され九加熱室周壁２の外壁部には、
温度センサを備えた温度検出装置４が誘電体３に相対す
るように１個配設され、加熱室１内の電界強度の変化に
よる誘電体３の温度変化を温度検出装置４により検出す
る。温度検出装置４には制御装置５が接続され、この制
御装置５はマグネトロン６と、導波管７に備えられた可
変結合器タイプのインピ−ダンス調整機構部（図示せず
）とにそれぞれ接続されている。そして、制御装置５は
温度検出装置４の出力信号を入力し、この信号に応じて
マグネトロン６の′ｆ！Ｌ源部に対して制御信号を送る
ことによりマグネトロン６の作動をコントローｙすると
ともに前記インピーダンス調整機構部に対して制御信号
を送ることにより前記可変結合器の作動をもコントロー
ルできるようになっている。

以上のように構成されｔ高周波加熱装置について、以下
その動作を説明する。

まず、マグネトロン６よりマイクロ波が発振すれ、導波
管７を通じて加熱室１内にマイクロ波が供給されると、
被加熱物８が負荷となって加熱される。しかし時間の経
過とともに負荷が少なくなるとマイクロ波の供給が過剰
になり、マイクロ波は誘電体３に吸収されるようになる
ため、誘電体３は発熱する。この発熱は温度検出装置４
により検知され、検知信号として制御装置５に出力され
る九め、制御装置５が検知信号の出力に応じてマグネト
ロン６および可変結合器の作動をコントローμする。こ
れにより、加熱室ｌ内の負荷状態によりマグネトロン６
および可変結合器の作動をコントローμできる優れた高
周波加熱装置１ｒ：実現することができる。

まｔ、加熱室ｌ内部の負荷状態を検知するＷｓｔ体３と
温度検出装置ｆ４からなる負荷検知部は温度に基づいて
測定するものであるので、高い信頼性を有し、また温度
検出装置４は加熱室周壁２の外側に設けられてマイクロ
波を直接には受けないため耐久性に優れ、ま九前記負荷
検知部は加熱室周壁２に設ければよいため、導波管に設
けるものに比べて取り付は上の制約が少なく、負荷検知
部の温度検知装置４１に制御装置や１［源フィンに電気
的に接続することも容易である。

発明の詳細 な説明し友ように本発明によれば、加熱室内壁に配設さ
れ比誘電体と、前記誘電体が配設された加熱室外側に備
えられた温度検出装置とによって、加熱室内の負荷状伽
つまり被加熱物の加熱状級の変化を容易に検出できるた
めに、取付が容易で制約全党けず、マグネ）ｓｉン■自
動作動制御を行い、１グネトロンの耐久性能を向上させ
ることができる優れ友高周波加熱装置を実現することが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す高周波加熱装置の断面
図、第２図は同高周波加熱装置の要部ブロック図、第３
図は従来の高周波加熱装置の検出機構を示す構成図であ
る。 １・・・加熱室、２・・・加熱室周壁、３・・・誘電体
、４・・・温度検出装置、５・・・制御装置ａ１６・・
・マグネトロン、７・・・導波管、８・・・被加熱物。 代理人　　　森　　本　　義　　弘 第１図 １−加熱１ ２加妬！間壁 ＠３図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、加熱室の内壁面にマイクロ波誘電体を配設し、前記
   誘電体の加熱室周壁を介した対面に温度検出装置を設け
   、前記温度検出装置の出力信号を入力してマグネトロン
   の作動制御を行う制御装置を設けた高周波加熱装置。