JPH08167680A - 電子回路モジュール - Google Patents

電子回路モジュール

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JPH08167680A
JPH08167680A JP33207794A JP33207794A JPH08167680A JP H08167680 A JPH08167680 A JP H08167680A JP 33207794 A JP33207794 A JP 33207794A JP 33207794 A JP33207794 A JP 33207794A JP H08167680 A JPH08167680 A JP H08167680A
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JP
Japan
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resin
semiconductor electronic
substrate
electronic component
circuit module
Prior art date
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Pending
Application number
JP33207794A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Kimura
崇 木村
Mamoru Yamaki
衛 山木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP33207794A priority Critical patent/JPH08167680A/ja
Publication of JPH08167680A publication Critical patent/JPH08167680A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高周波用パワーアンプ等のモジュールにおけ
る放熱効果を向上すること、すなわち、電子回路モジュ
ールにおける、半導体電子部品からの発熱の放熱効果を
大きくすることを目的とする。 【構成】 絶縁性基板と、その上面に形成されている配
線回路と、この配線回路に実装されている半導体電子部
品と、これら基板、配線回路および半導体電子部品をほ
ぼ覆う金属ケースとを有してなる電子回路モジュールに
おいて、金属ケースの適所に樹脂注入用の孔を形成し、
基板と金属ケースとの間の空間に熱伝導性の良い樹脂を
配置する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波用パワーアンプ
等の電子回路モジュールに関する。
【0002】言い換えると、本発明は、回路の表面に実
装するように設計された受動素子や能動素子などの電子
部品を配線して組み合わせて、ひとつのパッケージ内に
まとめた電子回路のモジュールに関する。
【0003】本発明をさらに具体的に述べると、本発明
は、電子回路モジュールの放熱構造に関する。
【0004】
【従来の技術】電子回路モジュールの作成は、まず、ア
ルミナ・セラミックスなどからなる絶縁性の集合基板
に、配線回路パターンを印刷、焼成などして複数個を形
成する。
【0005】こののち、配線回路パターンごとに、配線
回路の表面に実装するように設計された、面実装デバイ
ス(Surface Mounting Device: SMD)の電子部品を実装
する。
【0006】具体的には、図2の模式断面図に示される
ように、基板1に、たとえば、抵抗器、コンデンサなど
の受動素子であるSMD部品2を実装すると共に、ダイ
オード、トランジスタなどの能動素子である電子部品、
たとえば、ベア・チップ、モールド・トランジスタなど
の面実装タイプの半導体電子部品3を実装する。
【0007】なお、半導体電子部品3はワイヤ4により
配線回路に接続されると共に、樹脂によるモールド部5
が形成されている。
【0008】これらの部品を実装したのち、図2に示さ
れるように、配線回路パターンごとに単品の基板1に分
割する。
【0009】この分割された基板1に、端子用のリード
6を取り付けると共に、放熱板7を取り付け、さらに金
属ケース8を取り付けている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ベア・
チツプ等の半導体電子部品3を覆うモールド部5は、流
動性のある樹脂によって形成するため、モールド部5の
高さがまちまちになって、モールド部5の高さにバラツ
キが発生することになる。
【0011】このため、基板1に取り付けられた金属ケ
ース8と、この基板1との間には、隙間11が必要とな
り、結果として、半導体電子部品3のモールド部5から
の放熱が小さくなってしまうという欠点があった。
【0012】また、モールド・トランジスタの場合、モ
ールド部5を必要としないが(図示省略)、基板に取り
付けられた金属ケースと、この基板との間には、わずか
でも隙間が生じることになり、結果として、半導体電子
部品からの放熱が小さくなってしまうという欠点があっ
た。
【0013】本発明は、高周波用パワーアンプのモジュ
ール等における放熱効果を向上する目的のため、言い換
えると、電子回路モジュールにおける半導体電子部品の
放熱効果を大きくする目的のために、開発されたもので
ある。
【0014】
【課題を解決するための手段】上述の問題点を解消する
ため、本発明は絶縁性基板と、この基板の上面に形成さ
れている配線回路と、この配線回路に実装されている半
導体電子部品と、前記基板、前記配線回路ならびに前記
半導体電子部品をほぼ覆う金属ケースとを有する電子回
路モジュールにおいて、前記金属ケースの適所に開設さ
れた樹脂注入用の孔と、前記基板と前記金属ケースとの
間の空間に配置された熱伝導性の良い樹脂と、をそれぞ
れ備えていることを特徴としている。さらに本発明の電
子回路モジュールは、前記半導体電子部品の位置に近
い、前記金属ケースの適所に開設された樹脂注入用の孔
と、この孔と前記半導体電子部品との隙間に配置された
熱伝導性の良い樹脂と、をそれぞれ備えていることを特
徴としている。
【0015】言い換えると、本発明は、高周波用パワー
アンプのモジュール等における放熱効果を向上するた
め、すなわち、半導体電子部品の放熱を大きくするた
め、ベア・チップのモールド部上面とモジュールの金属
ケースとの間を、あるいは、モールド・トランジスタ上
面とモジュールの金属ケースとの間を、熱伝導性の良い
樹脂によって接着することである。
【0016】
【作用】この結果、金属ケースとベア・チツプのモール
ド部とが、言い換えると、金属ケースと半導体電子部品
とが、放熱性の良い樹脂によって連結されることになる
ため、従来、ベア・チツプなど半導体電子部品の下方に
ある放熱板のみが放熱経路であったが、これに加えて、
本発明によると、放熱性の良い樹脂を介在して、上方の
金属ケースからも放熱できることになる。
【0017】
【実施例】以下に本発明を、その実施例について、添付
の図面を参照して説明する。
【0018】図1は、本発明によるモジュールMの実施
例を示す断面端面図で、絶縁性のある矩形の基板1の上
面には、図示省略の配線回路パターンが形成されてお
り、この配線回路には、受動素子であるSMD部品2が
実装されていると共に、能動素子である面実装タイプの
半導体電子部品3が実装されている。
【0019】なお、半導体電子部品3は回路に配線4さ
れると共に、樹脂によるモールド部5が形成されてい
る。
【0020】端子用のリード6は、基板1の一端縁に、
外嵌めして取り付けられると共に、全体がL字状になる
放熱板7が、基板1の他端縁部ならびに底面を囲むよう
にして取り付けられ、さらに箱蓋状の金属ケース8が、
これらの全体を覆うように取り付けられている。
【0021】金属ケース8の樹脂注入用の孔9は、直径
がほぼ1mmで、金属ケース8を取り付けたときに、半
導体電子部品3を覆うモールド部5の中央上方に位置す
るように、あらかじめ金属ケース8に開設されている。
【0022】モールド部5と孔9との隙間にある樹脂1
0は、モジュールMの組立て後に、孔9から注入がコン
トロールされて形成されたもので、放熱性のある熱伝導
性の良いシリコーン樹脂などであり、注入後、樹脂硬化
される。
【0023】なお、樹脂10は、モジュールMの金属ケ
ース8内の空間全体わたって充填されても良いことは、
もちろんであり、また、金属ケース8内の空間の必要箇
所に形成されても良いことは勿論である。
【0024】
【発明の効果】以上のごとくなる本発明は、高周波用パ
ワーアンプのモジュール等における放熱効果を向上する
ために、言い換えると、電子回路モジュールにおける半
導体電子部品の放熱を大きくするために、半導体電子部
品とモジュールの金属ケースとの間を、熱伝導性の良い
樹脂によって連結することにより、結果として、半導体
電子部品の熱暴走が未然に抑えられることになり、電子
回路モジュールの電気的特性ならびに品質が向上すると
いう大きな効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子回路モジュールの一実施例を示す
模式断面図である。
【図2】従来例の電子回路モジュールの一例を示す模式
断面図である。
【符号の説明】
M モジュール 1 基板 2 SMD部品 3 半導体電子部品 4 ワイヤ 5 モールド部 6 リード 7 放熱板 8 ケース 9 孔 10 樹脂

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁性基板と、この基板に形成されてい
    る配線回路と、この配線回路に実装されている半導体電
    子部品と、前記基板、前記配線回路ならびに前記半導体
    電子部品を覆う金属ケースとを有してなる電子回路モジ
    ュールであって、 前記金属ケースの適所に開設された樹脂注入用の孔と、 前記基板と前記金属ケースとの間の空間に形成された熱
    伝導性の良い樹脂と、をさらに有していることを特徴と
    する電子回路モジュール。
  2. 【請求項2】 絶縁性基板と、この基板に形成されてい
    る配線回路と、この配線回路に実装されている半導体電
    子部品と、前記基板、前記配線回路ならびに前記半導体
    電子部品を覆う金属ケースとを有してなる電子回路モジ
    ュールであって、 前記金属ケースの適所かつ前記半導体電子部品に近い位
    置に樹脂注入用の孔が開設され、 この孔と前記半導体電子部品との隙間に熱伝導性の良い
    樹脂が充填されていることを特徴とする電子回路モジュ
    ール。
JP33207794A 1994-12-12 1994-12-12 電子回路モジュール Pending JPH08167680A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6826053B2 (en) 2002-04-05 2004-11-30 Murata Manufacturing Co., Ltd Electronic device
JP2014049516A (ja) * 2012-08-30 2014-03-17 Mitsubishi Electric Corp シャント抵抗器の冷却構造及びそれを用いたインバータ装置
DE102016205966A1 (de) * 2016-04-11 2017-10-12 Zf Friedrichshafen Ag Elektronische Einheit mit ESD-Schutzanordnung

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6826053B2 (en) 2002-04-05 2004-11-30 Murata Manufacturing Co., Ltd Electronic device
CN100456471C (zh) * 2002-04-05 2009-01-28 株式会社村田制作所 电子装置
JP2014049516A (ja) * 2012-08-30 2014-03-17 Mitsubishi Electric Corp シャント抵抗器の冷却構造及びそれを用いたインバータ装置
US9338926B2 (en) 2012-08-30 2016-05-10 Mitsubishi Electric Corporation Cooling structure for electronic circuit component and inverter apparatus using the same
DE102016205966A1 (de) * 2016-04-11 2017-10-12 Zf Friedrichshafen Ag Elektronische Einheit mit ESD-Schutzanordnung

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Effective date: 20010717