JPH08167188A - 半導体レーザ制御回路 - Google Patents
半導体レーザ制御回路Info
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- JPH08167188A JPH08167188A JP6333094A JP33309494A JPH08167188A JP H08167188 A JPH08167188 A JP H08167188A JP 6333094 A JP6333094 A JP 6333094A JP 33309494 A JP33309494 A JP 33309494A JP H08167188 A JPH08167188 A JP H08167188A
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- circuit
- output
- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録や再生等の切換え時に半導体レーザの性
能を越えるような電圧が加わらないようにするレーザ制
御回路を提供する。 【構成】 磁界変調記録方式による光磁気情報記録再生
装置のライトゲート信号で半導体レーザの出力の発光モ
ードを記録・消去モードと再生モードとに切り換えると
ともに高周波重畳回路のＯＮ／ＯＦＦを同時制御する半
導体レーザ制御回路において、高周波重畳回路は、ライ
トゲート信号が発光モードを記録・消去モードから再生
モードに切り換わる時間より遅延させるタイミング回路
を介して制御するようにしたものである。
能を越えるような電圧が加わらないようにするレーザ制
御回路を提供する。 【構成】 磁界変調記録方式による光磁気情報記録再生
装置のライトゲート信号で半導体レーザの出力の発光モ
ードを記録・消去モードと再生モードとに切り換えると
ともに高周波重畳回路のＯＮ／ＯＦＦを同時制御する半
導体レーザ制御回路において、高周波重畳回路は、ライ
トゲート信号が発光モードを記録・消去モードから再生
モードに切り換わる時間より遅延させるタイミング回路
を介して制御するようにしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、記録時のレーザパワー
と再生時のレーザパワーが異なる光磁気ディスク記録再
生装置において、再生時の半導体レーザ発光時に高周波
重畳を行う半導体レーザ制御回路に関する。
と再生時のレーザパワーが異なる光磁気ディスク記録再
生装置において、再生時の半導体レーザ発光時に高周波
重畳を行う半導体レーザ制御回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】書き換え可能型の光磁気ディスクの記録
方式としては、記録層に直流磁界を加えておき、記録層
に照射するレーザ光を記録する信号で変調する光変調方
式と、連続して出力しているレーザ光を記録層に照射し
ておき、記録層に加える磁界を記録信号で変調する磁界
変調方式が知られている。図４は、磁界変調方式の記録
方法を説明するための模式図である。
方式としては、記録層に直流磁界を加えておき、記録層
に照射するレーザ光を記録する信号で変調する光変調方
式と、連続して出力しているレーザ光を記録層に照射し
ておき、記録層に加える磁界を記録信号で変調する磁界
変調方式が知られている。図４は、磁界変調方式の記録
方法を説明するための模式図である。
【０００３】図において、書き換え型の光磁気ディスク
１２は、ポリカーボネート等の透明な基板１３の上にテ
ルビウム（Ｔｂ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）等の
記録材料からなる記録層１４を設けている。例えば、記
録層１４がこの記録層に対し垂直・上向きに磁化されて
いるとする。連続発振しているレーザ光を光路系を介し
て、対物レンズ１６によって集光し光磁気ディスク１２
に照射すると、記録層１４がキュリー温度以上に高めら
れるので、レーザ光の照射されたスポット部分は磁気ヘ
ッド１７の磁界の方向に容易に変化させることができ
る。図の場合、磁気ヘッド１７の磁界を下向き方向に反
転すると、記録層１４は記録層１４に対して垂直・下向
きに磁化されて記録ができる。
１２は、ポリカーボネート等の透明な基板１３の上にテ
ルビウム（Ｔｂ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）等の
記録材料からなる記録層１４を設けている。例えば、記
録層１４がこの記録層に対し垂直・上向きに磁化されて
いるとする。連続発振しているレーザ光を光路系を介し
て、対物レンズ１６によって集光し光磁気ディスク１２
に照射すると、記録層１４がキュリー温度以上に高めら
れるので、レーザ光の照射されたスポット部分は磁気ヘ
ッド１７の磁界の方向に容易に変化させることができ
る。図の場合、磁気ヘッド１７の磁界を下向き方向に反
転すると、記録層１４は記録層１４に対して垂直・下向
きに磁化されて記録ができる。
【０００４】磁界変調手段は、磁気ヘッド１７のコイル
に供給する電流の向きを、記録データに対応して高速に
切り換えることで変調磁場を発生する。また、記録した
データの再生は、記録層１４がキューリー点に達しない
レベルにレーザ光の強度を下げ、情報が記録された部分
の記録膜４のカー効果による再生レーザ光の偏光面の回
転を検出して行うため、光磁気ディスク１２からの再生
信号出力が小さい。したがって読み取りの精度を向上さ
せるためには、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を向上させるこ
とが必要となる。
に供給する電流の向きを、記録データに対応して高速に
切り換えることで変調磁場を発生する。また、記録した
データの再生は、記録層１４がキューリー点に達しない
レベルにレーザ光の強度を下げ、情報が記録された部分
の記録膜４のカー効果による再生レーザ光の偏光面の回
転を検出して行うため、光磁気ディスク１２からの再生
信号出力が小さい。したがって読み取りの精度を向上さ
せるためには、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を向上させるこ
とが必要となる。
【０００５】そこで、Ｓ／Ｎを向上させるための手段と
して、特公昭５９−９０８６号公報では、半導体レーザ
の駆動電流に高周波電流を重畳させる方法の記載があ
り、それによると、半導体レーザのノイズが低減し、再
生信号のＳ／Ｎを上げることができると開示されてい
る。しかし、記録する場合は、レーザ光の照射強度を強
める必要があるが、重畳される高周波のピークレベルで
半導体レーザが発光すると、半導体レーザがレーザ出力
の規格値を越えるため、半導体レーザが破壊したり、劣
化して寿命が短くなったりするおそれがあった。
して、特公昭５９−９０８６号公報では、半導体レーザ
の駆動電流に高周波電流を重畳させる方法の記載があ
り、それによると、半導体レーザのノイズが低減し、再
生信号のＳ／Ｎを上げることができると開示されてい
る。しかし、記録する場合は、レーザ光の照射強度を強
める必要があるが、重畳される高周波のピークレベルで
半導体レーザが発光すると、半導体レーザがレーザ出力
の規格値を越えるため、半導体レーザが破壊したり、劣
化して寿命が短くなったりするおそれがあった。
【０００６】そのため、特開昭６２−１１９７４３号公
報では、再生の場合のみ高周波を重畳させて半導体レー
ザを駆動させ、記録・消去の場合には、高周波重畳を休
止させることが開示されている。ここでは記録モード信
号がオンと同時に、高周波重畳信号をオフし、記録モー
ド信号がオフと同時に高周波重畳信号をオンにしてい
る。しかし、高周波重畳信号は動作の追従性が悪いた
め、半導体レーザの発光出力が再生から記録・消去に移
る場合、再生を終了すると同時に高周波重畳をオフにし
ても高周波はそれと同時にオフとはならず、減衰時間を
要する。完全に減衰する前に記録の状態になると、半導
体レーザは大きな光量発光時に高周波が重畳されるため
に、半導体レーザの出力は規格値を越える危険性があ
る。
報では、再生の場合のみ高周波を重畳させて半導体レー
ザを駆動させ、記録・消去の場合には、高周波重畳を休
止させることが開示されている。ここでは記録モード信
号がオンと同時に、高周波重畳信号をオフし、記録モー
ド信号がオフと同時に高周波重畳信号をオンにしてい
る。しかし、高周波重畳信号は動作の追従性が悪いた
め、半導体レーザの発光出力が再生から記録・消去に移
る場合、再生を終了すると同時に高周波重畳をオフにし
ても高周波はそれと同時にオフとはならず、減衰時間を
要する。完全に減衰する前に記録の状態になると、半導
体レーザは大きな光量発光時に高周波が重畳されるため
に、半導体レーザの出力は規格値を越える危険性があ
る。
【０００７】そのため、特開昭６４−７６４３２号公報
では、レーザ駆動回路の記録・消去用出力と再生用出力
とを切り換えるタイミング回路を制御信号系とライトゲ
ート信号系それぞれに備えることで、これらの問題を解
決している。
では、レーザ駆動回路の記録・消去用出力と再生用出力
とを切り換えるタイミング回路を制御信号系とライトゲ
ート信号系それぞれに備えることで、これらの問題を解
決している。
【０００８】前記従来例のタイミング回路は、半導体レ
ーザを記録信号で変調させる光変調方式によるもので、
半導体レーザは光変調による記録出力の尖頭値に対して
耐えられる仕様のものが用いられる。それに対して磁界
変調記録方式では、記録時と再生時で半導体レーザの出
力が変化するだけなので、それに耐えられるだけの性能
があれば良い。
ーザを記録信号で変調させる光変調方式によるもので、
半導体レーザは光変調による記録出力の尖頭値に対して
耐えられる仕様のものが用いられる。それに対して磁界
変調記録方式では、記録時と再生時で半導体レーザの出
力が変化するだけなので、それに耐えられるだけの性能
があれば良い。
【０００９】そのため、磁界変調記録方式の光磁気情報
記録再生装置では、図５のブロック図に示すように、図
示していないシステムコントローラからのレーザ制御信
号ａとライトゲート信号ｂとが送出され、そのうちのレ
ーザ制御信号ａは、半導体レーザ１のレーザ駆動回路２
に接続している。一方、ライトゲート信号ｂは、高周波
重畳回路８とオートパワーコントロール（ＡＰＣ）回路
７のＡＰＣ基準電圧発生回路５に接続している。
記録再生装置では、図５のブロック図に示すように、図
示していないシステムコントローラからのレーザ制御信
号ａとライトゲート信号ｂとが送出され、そのうちのレ
ーザ制御信号ａは、半導体レーザ１のレーザ駆動回路２
に接続している。一方、ライトゲート信号ｂは、高周波
重畳回路８とオートパワーコントロール（ＡＰＣ）回路
７のＡＰＣ基準電圧発生回路５に接続している。
【００１０】そして、ＡＰＣ基準電圧発生回路５の出力
は所定の時定数を有するＲ1とＣ1とによるローパスフィ
ルタ６を介して、切り換え時の突発的なスパイクノイズ
や電圧の急激な変化を防止し、ＡＰＣ回路７にＡＰＣの
基準電圧ｃを入力している。ＡＰＣ回路７によって、レ
ーザ駆動回路２を制御して、半導体レーザ１の出力を記
録・消去用出力と再生用出力に切り換えている。そし
て、再生時には再生信号のＳ／Ｎを高めるための高周波
重畳回路８によって高周波ｆを重畳している。
は所定の時定数を有するＲ1とＣ1とによるローパスフィ
ルタ６を介して、切り換え時の突発的なスパイクノイズ
や電圧の急激な変化を防止し、ＡＰＣ回路７にＡＰＣの
基準電圧ｃを入力している。ＡＰＣ回路７によって、レ
ーザ駆動回路２を制御して、半導体レーザ１の出力を記
録・消去用出力と再生用出力に切り換えている。そし
て、再生時には再生信号のＳ／Ｎを高めるための高周波
重畳回路８によって高周波ｆを重畳している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ライト
ゲート信号ｂを記録・消去用出力から再生用出力に切り
換える場合、図６の半導体レーザ制御回路のタイミング
チャートに示すように、ＡＰＣの基準電圧ｃは、ローパ
スフィルタ６の働きで、抵抗Ｒ1とコンデンサＣ1の時定
数により半導体レーザの出力は徐々に再生パワーにな
る。しかし、高周波重畳回路８のＯＮ／ＯＦＦはライト
ゲート信号ｂのモード切り換えとほぼ同時にオンとなる
ため、ｔ1の時間の範囲（記録パワーの基準電圧範囲）
内でレーザ出力にに高周波が重畳され、半導体レーザ１
の劣化や破損等を招く恐れがある。本発明はこの点に着
目してなされたものであり、記録・消去用出力から再生
用出力に切り換わる過程で高周波が重畳されて半導体レ
ーザの出力の規格値を越えるような電流が流れないよう
にするレーザ制御回路を提供することを目的としたもの
である。
ゲート信号ｂを記録・消去用出力から再生用出力に切り
換える場合、図６の半導体レーザ制御回路のタイミング
チャートに示すように、ＡＰＣの基準電圧ｃは、ローパ
スフィルタ６の働きで、抵抗Ｒ1とコンデンサＣ1の時定
数により半導体レーザの出力は徐々に再生パワーにな
る。しかし、高周波重畳回路８のＯＮ／ＯＦＦはライト
ゲート信号ｂのモード切り換えとほぼ同時にオンとなる
ため、ｔ1の時間の範囲（記録パワーの基準電圧範囲）
内でレーザ出力にに高周波が重畳され、半導体レーザ１
の劣化や破損等を招く恐れがある。本発明はこの点に着
目してなされたものであり、記録・消去用出力から再生
用出力に切り換わる過程で高周波が重畳されて半導体レ
ーザの出力の規格値を越えるような電流が流れないよう
にするレーザ制御回路を提供することを目的としたもの
である。
【００１２】
【課題を解決する為の手段】請求項１に記載の半導体レ
ーザ制御回路によれば、磁界変調方式による光磁気情報
記録再生装置のライトゲート信号で半導体レーザの出力
の発光出力を記録・消去用出力と再生用出力とに切り換
えるとともに高周波重畳回路の接続・切断（ＯＮ／ＯＦ
Ｆ）を同時制御する半導体レーザ制御回路において、高
周波重畳回路は、ライトゲート信号の発光出力を記録・
消去用出力から再生用出力に切り換える時間より遅延さ
せるタイミング回路を介してを制御することを特徴とし
たものである。
ーザ制御回路によれば、磁界変調方式による光磁気情報
記録再生装置のライトゲート信号で半導体レーザの出力
の発光出力を記録・消去用出力と再生用出力とに切り換
えるとともに高周波重畳回路の接続・切断（ＯＮ／ＯＦ
Ｆ）を同時制御する半導体レーザ制御回路において、高
周波重畳回路は、ライトゲート信号の発光出力を記録・
消去用出力から再生用出力に切り換える時間より遅延さ
せるタイミング回路を介してを制御することを特徴とし
たものである。
【００１３】また、請求項２に記載の半導体レーザ制御
回路によれば、タイミング回路は、半導体レーザをＯＮ
／ＯＦＦする制御信号とライトゲート信号とを入力とす
るアンド回路と、アンド回路の出力に挿入した抵抗とコ
ンデンサによる時定数回路と、時定数回路の抵抗と並列
に加えたダイオードと、時定数回路の出力に接続したゲ
ート回路とによって高周波重畳回路のＯＮ／ＯＦＦを制
御することを特徴としている。
回路によれば、タイミング回路は、半導体レーザをＯＮ
／ＯＦＦする制御信号とライトゲート信号とを入力とす
るアンド回路と、アンド回路の出力に挿入した抵抗とコ
ンデンサによる時定数回路と、時定数回路の抵抗と並列
に加えたダイオードと、時定数回路の出力に接続したゲ
ート回路とによって高周波重畳回路のＯＮ／ＯＦＦを制
御することを特徴としている。
【００１４】
【作用】タイミング回路で高周波重畳回路のＯＮ／ＯＦ
Ｆを制御するので、ＡＰＣの基準電圧が再生用出力から
記録・消去用出力に切り換わるときには、抵抗に並列に
加えたダイオードがスイッチィング動作でオンすること
により時定数が小さくなって高周波重畳をすばやくオフ
にする。逆に半導体レーザが記録・消去用出力から再生
用出力に切り換わるときには、抵抗に並列に加えたダイ
オードがオフになるので時定数が大きくなり、半導体レ
ーザの出力が再生パワーの状態になってから高周波重畳
回路をオンにする。そのため、半導体レーザの記録・消
去用出力から再生用出力への切り換え時に起きる記録パ
ワーでの高周波重畳状態をなくすことができる。
Ｆを制御するので、ＡＰＣの基準電圧が再生用出力から
記録・消去用出力に切り換わるときには、抵抗に並列に
加えたダイオードがスイッチィング動作でオンすること
により時定数が小さくなって高周波重畳をすばやくオフ
にする。逆に半導体レーザが記録・消去用出力から再生
用出力に切り換わるときには、抵抗に並列に加えたダイ
オードがオフになるので時定数が大きくなり、半導体レ
ーザの出力が再生パワーの状態になってから高周波重畳
回路をオンにする。そのため、半導体レーザの記録・消
去用出力から再生用出力への切り換え時に起きる記録パ
ワーでの高周波重畳状態をなくすことができる。
【００１５】
【実施例】図１に本発明の一実施例である半導体レーザ
制御回路のブロック図を、図２にタイミング回路の回路
図を示す。これらの図において、磁界変調記録方式の光
磁気情報記録再生装置の図示していないシステムコント
ローラから、レーザ制御信号ａとライトゲート信号ｂと
が送出されている。レーザ制御信号ａは、半導体レーザ
１のレーザ駆動回路２と高周波重畳のＯＮ／ＯＦＦのタ
イミングを制御するタイミング回路３のアンド回路４に
接続している。一方、ライトゲート信号ｂは、タイミン
グ回路３のアンド回路４とＡＰＣ基準電圧発生回路５に
接続している。
制御回路のブロック図を、図２にタイミング回路の回路
図を示す。これらの図において、磁界変調記録方式の光
磁気情報記録再生装置の図示していないシステムコント
ローラから、レーザ制御信号ａとライトゲート信号ｂと
が送出されている。レーザ制御信号ａは、半導体レーザ
１のレーザ駆動回路２と高周波重畳のＯＮ／ＯＦＦのタ
イミングを制御するタイミング回路３のアンド回路４に
接続している。一方、ライトゲート信号ｂは、タイミン
グ回路３のアンド回路４とＡＰＣ基準電圧発生回路５に
接続している。
【００１６】そして、ＡＰＣ基準電圧発生回路５の出力
は、約３００μs程度の時定数を有するＲ1とＣ1とによ
るローパスフィルタ６を介して、切り換え時の突発的な
スパイクノイズや電圧の急激な変化を防止し、ＡＰＣ回
路７に入力している。高周波重畳ＯＮ／ＯＦＦのタイミ
ング回路３は、レーザ制御信号ａとライトゲート信号ｂ
とを入力とするアンド回路４と、アンド回路４の出力に
直列に接続された抵抗Ｒ2と、抵抗Ｒ2に並列に加えら
れ、カソード側がアンド回路４の出力に接続するダイオ
ードＤ1と、コンデンサＣ2とによる時定数回路９と、時
定数回路９の出力に接続された所定のしきい値の電圧で
反転するインバータ１０とによって構成され、タイミン
グ回路３の出力は高周波重畳回路８に接続している。
は、約３００μs程度の時定数を有するＲ1とＣ1とによ
るローパスフィルタ６を介して、切り換え時の突発的な
スパイクノイズや電圧の急激な変化を防止し、ＡＰＣ回
路７に入力している。高周波重畳ＯＮ／ＯＦＦのタイミ
ング回路３は、レーザ制御信号ａとライトゲート信号ｂ
とを入力とするアンド回路４と、アンド回路４の出力に
直列に接続された抵抗Ｒ2と、抵抗Ｒ2に並列に加えら
れ、カソード側がアンド回路４の出力に接続するダイオ
ードＤ1と、コンデンサＣ2とによる時定数回路９と、時
定数回路９の出力に接続された所定のしきい値の電圧で
反転するインバータ１０とによって構成され、タイミン
グ回路３の出力は高周波重畳回路８に接続している。
【００１７】そしてＡＰＣ回路７によって制御されたレ
ーザ駆動回路２の出力に、高周波重畳回路８の出力を重
畳して半導体レーザ１を駆動する。また、半導体レーザ
１の発光出力は、フォトディテクタ１１で検出され、検
出出力がＡＰＣ回路７にフィードバックされて制御系を
形成する。
ーザ駆動回路２の出力に、高周波重畳回路８の出力を重
畳して半導体レーザ１を駆動する。また、半導体レーザ
１の発光出力は、フォトディテクタ１１で検出され、検
出出力がＡＰＣ回路７にフィードバックされて制御系を
形成する。
【００１８】図３に本発明の半導体レーザ制御回路のタ
イミングチャートを示す。ａはレーザ制御信号、ｂはラ
イトゲート信号、ｃはＡＰＣ基準電圧、ｄはタイミング
回路のインバータ入力信号、ｅは高周波重畳ＯＮ／ＯＦ
Ｆ制御信号（インバータ出力信号）、ｆは高周波重畳信
号を示す。ライトゲート信号ｂが再生用出力から記録用
出力へ切り換わったとき、ＡＰＣ基準電圧ｃはローパス
フィルタ６の時定数によって約６０μs程度のｔ2時間後
に記録パワーの最小値を越える。このとき、タイミング
回路出力信号ｄはすでにオンになっているレーザ制御信
号ａとオフになったライトゲート信号ｂによってアンド
回路４の出力がオフになるので、ダイオードＤ1がスイ
ッチング動作でオンすることによりコンデンサＣ2をす
ばやく放電させ、ライトゲート信号ｂにほとんど遅れる
ことなくタイミング回路のインバータ入力信号ｄをすば
やくハイ（Ｈ）からロウ（Ｌ）にし、高周波重畳ＯＮ／
ＯＦＦ制御信号ｅをオフにすることがでる。そのため、
高周波信号ｅは４μs程度の減衰時間で減衰し、記録パ
ワーに重畳することはない。
イミングチャートを示す。ａはレーザ制御信号、ｂはラ
イトゲート信号、ｃはＡＰＣ基準電圧、ｄはタイミング
回路のインバータ入力信号、ｅは高周波重畳ＯＮ／ＯＦ
Ｆ制御信号（インバータ出力信号）、ｆは高周波重畳信
号を示す。ライトゲート信号ｂが再生用出力から記録用
出力へ切り換わったとき、ＡＰＣ基準電圧ｃはローパス
フィルタ６の時定数によって約６０μs程度のｔ2時間後
に記録パワーの最小値を越える。このとき、タイミング
回路出力信号ｄはすでにオンになっているレーザ制御信
号ａとオフになったライトゲート信号ｂによってアンド
回路４の出力がオフになるので、ダイオードＤ1がスイ
ッチング動作でオンすることによりコンデンサＣ2をす
ばやく放電させ、ライトゲート信号ｂにほとんど遅れる
ことなくタイミング回路のインバータ入力信号ｄをすば
やくハイ（Ｈ）からロウ（Ｌ）にし、高周波重畳ＯＮ／
ＯＦＦ制御信号ｅをオフにすることがでる。そのため、
高周波信号ｅは４μs程度の減衰時間で減衰し、記録パ
ワーに重畳することはない。
【００１９】逆に、ライトゲート信号ｂが記録・消去用
出力から再生用出力に切り換わったときは、ＡＰＣ基準
電圧ｃはローパスフィルタ６の時定数によって、ｔ2よ
り短い約４０μs程度のｔ1時間後に記録パワーの最小値
を通過して再生パワーに到達する。タイミング回路３の
インバータ入力信号ｄは、ライトゲート信号ｂが記録・
消去用出力から再生用出力に切り換わった時点でアンド
回路４の出力がオンになるが、抵抗Ｒ2に並列に加えら
れたダイオードＤ1がオフになり、抵抗Ｒ2とコンデンサ
Ｃ2の時定数により、徐々にロウ（Ｌ）からハイ（Ｈ）
レベルに達するが、この時定数の設定値をインバータの
しきい値電圧レベルに到達するまでの時間の約２倍と
し、約６００μS程度のｔ4時間に設定すれば、高周波重
畳ＯＮ／ＯＦＦ制御信号ｅをｔ3時間後に高周波重畳回
路８をオンする。このようにして、半導体レーザの出力
レベルが再生モードの出力レベルで安定した状態になっ
てから高周波が重畳される。
出力から再生用出力に切り換わったときは、ＡＰＣ基準
電圧ｃはローパスフィルタ６の時定数によって、ｔ2よ
り短い約４０μs程度のｔ1時間後に記録パワーの最小値
を通過して再生パワーに到達する。タイミング回路３の
インバータ入力信号ｄは、ライトゲート信号ｂが記録・
消去用出力から再生用出力に切り換わった時点でアンド
回路４の出力がオンになるが、抵抗Ｒ2に並列に加えら
れたダイオードＤ1がオフになり、抵抗Ｒ2とコンデンサ
Ｃ2の時定数により、徐々にロウ（Ｌ）からハイ（Ｈ）
レベルに達するが、この時定数の設定値をインバータの
しきい値電圧レベルに到達するまでの時間の約２倍と
し、約６００μS程度のｔ4時間に設定すれば、高周波重
畳ＯＮ／ＯＦＦ制御信号ｅをｔ3時間後に高周波重畳回
路８をオンする。このようにして、半導体レーザの出力
レベルが再生モードの出力レベルで安定した状態になっ
てから高周波が重畳される。
【００２０】
【発明の効果】このように本発明によれば、ライトゲー
ト信号をタイミング回路を介して高周波重畳回路に接続
したので、半導体レーザが記録出力レベルにある間に高
周波が重畳されることがなくなり、半導体レーザの劣化
を防止することができる。
ト信号をタイミング回路を介して高周波重畳回路に接続
したので、半導体レーザが記録出力レベルにある間に高
周波が重畳されることがなくなり、半導体レーザの劣化
を防止することができる。
【図１】本発明の一実施例である半導体レーザ制御回路
のブロック図である。
のブロック図である。
【図２】本発明の半導体レーザ制御回路のタイミング回
路の回路図である。
路の回路図である。
【図３】本発明の半導体レーザ制御回路のタイミングチ
ャートである。
ャートである。
【図４】磁界変調方式の記録方法の説明をする模式図で
ある。
ある。
【図５】従来例を示す半導体レーザ制御回路のブロック
図である。
図である。
【図６】従来例を示す半導体レーザ制御回路のタイミン
グチャートである。
グチャートである。
１，１５ 半導体レーザ ２ レーザ駆動回路 ３ タイミング回路 ４ アンド回路 ５ ＡＰＣ基準電圧発生回路 ６ ローパスフィルタ ７ オートパワーコントロール（ＡＰＣ）回路 ８ 高周波重畳回路 ９ 時定数回路 １０ インバータ １１ フォトディテクタ １２ 光磁気ディスク １３ 基板 １４ 記録層 １６ レンズ １７ 磁気ヘッド
Claims (2)
- 【請求項１】 磁界変調記録方式による光磁気情報記録
再生装置のライトゲート信号で半導体レーザの出力の発
光出力を記録・消去用出力と再生用出力とに切り換える
とともに高周波重畳回路の接続・切断（ＯＮ／ＯＦＦ）
を同時制御する半導体レーザ制御回路において、前記高
周波重畳回路は、前記ライトゲート信号の前記発光出力
を記録・消去用出力から再生用出力に切り換える時間を
遅延させるタイミング回路を介して制御することを特徴
とする半導体レーザ制御回路。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザ制御回路に
おいて、タイミング回路は、半導体レーザをＯＮ／ＯＦ
Ｆする制御信号とライトゲート信号とを入力とするアン
ド回路と、該アンド回路の出力に挿入した抵抗とコンデ
ンサとによる時定数回路と、該時定数回路の前記抵抗と
並列に加えたダイオードと、前記時定数回路の出力に接
続したゲート回路とによって高周波重畳回路のＯＮ／Ｏ
ＦＦを制御することを特徴とする半導体レーザ制御回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6333094A JPH08167188A (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 半導体レーザ制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6333094A JPH08167188A (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 半導体レーザ制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08167188A true JPH08167188A (ja) | 1996-06-25 |
Family
ID=18262215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6333094A Withdrawn JPH08167188A (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 半導体レーザ制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08167188A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10677721B2 (en) | 2017-12-22 | 2020-06-09 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Optical concentration measuring device and control method for optical concentration measuring device |
-
1994
- 1994-12-14 JP JP6333094A patent/JPH08167188A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10677721B2 (en) | 2017-12-22 | 2020-06-09 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Optical concentration measuring device and control method for optical concentration measuring device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020305 |