JP3021877B2 - 光磁気ディスクの記録再生方法及び装置 - Google Patents
光磁気ディスクの記録再生方法及び装置Info
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- JP3021877B2 JP3021877B2 JP3320346A JP32034691A JP3021877B2 JP 3021877 B2 JP3021877 B2 JP 3021877B2 JP 3320346 A JP3320346 A JP 3320346A JP 32034691 A JP32034691 A JP 32034691A JP 3021877 B2 JP3021877 B2 JP 3021877B2
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- laser
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は光磁気ディスクの記録
再生方法と装置に関し、特に、応答速度の遅い光励起レ
ーザ発振器を用いた場合の上記方法と装置に関するもの
である。
再生方法と装置に関し、特に、応答速度の遅い光励起レ
ーザ発振器を用いた場合の上記方法と装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクの記録再生装置によるデ
ータの記録は、レーザスポットを光磁気媒体に照射し、
その部分をキューリ点以上の温度にし、該光磁気ディス
クに対して垂直に外部磁界を与えることによって、記録
データに対応した磁気ドメインを形成することによって
行われる。
ータの記録は、レーザスポットを光磁気媒体に照射し、
その部分をキューリ点以上の温度にし、該光磁気ディス
クに対して垂直に外部磁界を与えることによって、記録
データに対応した磁気ドメインを形成することによって
行われる。
【０００３】この記録の方法として、レーザ光をＯＮ，
ＯＦＦして記録データに対応したパルスを形成し、外部
磁界を一定にする光変調方式と、レーザ光のパワーを一
定に保ち、外部磁界を記録データに応じて正逆に切り換
える磁界変調方式がある。
ＯＦＦして記録データに対応したパルスを形成し、外部
磁界を一定にする光変調方式と、レーザ光のパワーを一
定に保ち、外部磁界を記録データに応じて正逆に切り換
える磁界変調方式がある。
【０００４】ところで、光磁気ディスクの記録密度は、
上記レーザ光のビーム径によって決定され、ビーム径は
照射されるレーザ光の波長によって決まる。光磁気ディ
スク用のレーザ光源としては、従来より小型で制御し易
い半導体レーザが用いられる。
上記レーザ光のビーム径によって決定され、ビーム径は
照射されるレーザ光の波長によって決まる。光磁気ディ
スク用のレーザ光源としては、従来より小型で制御し易
い半導体レーザが用いられる。
【０００５】上記半導体レーザの波長は７８０ｎｍ、あ
るいは８３０ｎｍと比較的長くなり、より高密度の記録
をしようとする場合には更に波長の短いレーザを用いる
必要がある。ガスレーザ等ではＸ線に近い波長の発振器
も開発されているが、容積が大きく、光磁気ディスクの
記録再生装置に適用するのは不都合である。そこで、Ｎ
ｄ：ＹＡＧ素子（以下ＹＡＧ素子という）から発射され
るレーザ（以下ＹＡＧレーザという）を非線形光学素子
（ＳＨＧ素子）を通して得られる上記ＹＡＧレーザの１
／２の波長のレーザ（以下ＳＨＧレーザという）を用い
ることが試みられている。このＳＨＧレーザは上記のよ
うにＹＡＧレーザ（波長１０６４ｎｍ）の半分、すなわ
ち５３２ｎｍの波長となり、上記半導体レーザを用いた
場合よりトラック密度及び周方向のデータ密度が向上
し、理論上２倍程度の高密度の記録が期待できることに
なる。
るいは８３０ｎｍと比較的長くなり、より高密度の記録
をしようとする場合には更に波長の短いレーザを用いる
必要がある。ガスレーザ等ではＸ線に近い波長の発振器
も開発されているが、容積が大きく、光磁気ディスクの
記録再生装置に適用するのは不都合である。そこで、Ｎ
ｄ：ＹＡＧ素子（以下ＹＡＧ素子という）から発射され
るレーザ（以下ＹＡＧレーザという）を非線形光学素子
（ＳＨＧ素子）を通して得られる上記ＹＡＧレーザの１
／２の波長のレーザ（以下ＳＨＧレーザという）を用い
ることが試みられている。このＳＨＧレーザは上記のよ
うにＹＡＧレーザ（波長１０６４ｎｍ）の半分、すなわ
ち５３２ｎｍの波長となり、上記半導体レーザを用いた
場合よりトラック密度及び周方向のデータ密度が向上
し、理論上２倍程度の高密度の記録が期待できることに
なる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記ＹＡＧ素子等の光
励起レーザは励起光の強さを変化させることによって、
ＹＡＧ素子の出力を変えることができるが、その応答が
１０-5秒程度と非常に遅いため、光変調記録に必要な短
い幅のパルスを形成することはできない。一方、ＹＡＧ
素子の出力に対してＡＯＭ（音響光学素子）等の変調素
子を介在させることによって、該ＹＡＧ素子の出力レー
ザにパルス変調をかけることはできる。
励起レーザは励起光の強さを変化させることによって、
ＹＡＧ素子の出力を変えることができるが、その応答が
１０-5秒程度と非常に遅いため、光変調記録に必要な短
い幅のパルスを形成することはできない。一方、ＹＡＧ
素子の出力に対してＡＯＭ（音響光学素子）等の変調素
子を介在させることによって、該ＹＡＧ素子の出力レー
ザにパルス変調をかけることはできる。
【０００７】しかしながら、ＹＡＧ素子は光励起レーザ
であり、励起光源として半導体レーザ発振器を用いた場
合、装置の小型化が図れる一方で、出力パワーが小さく
なる。そこで、ＡＯＭを用いると更にレーザパワーを低
下せしめることになり、必要なパワーを備えたレーザパ
ルスを形成することはできない。ＹＡＧ素子にＳＨＧ素
子を組み合わせるとレーザパワーは更に小さくなり、Ａ
ＯＭを用いることはできなくなる。
であり、励起光源として半導体レーザ発振器を用いた場
合、装置の小型化が図れる一方で、出力パワーが小さく
なる。そこで、ＡＯＭを用いると更にレーザパワーを低
下せしめることになり、必要なパワーを備えたレーザパ
ルスを形成することはできない。ＹＡＧ素子にＳＨＧ素
子を組み合わせるとレーザパワーは更に小さくなり、Ａ
ＯＭを用いることはできなくなる。
【０００８】そこで、ＹＡＧ素子を用いた場合記録に際
してはレーザパワーを一定にしてデータに対応して外部
磁界を変調する磁界変調方式がとられることになる。と
ころで、記録時あるいは消去時のレーザパワーは、再生
時のレーザパワーの倍程度にする必要がある。したがっ
て、上記のように磁界変調方式を採ったとしても、再生
から記録に、あるいは記録から再生に移行する過程で
は、レーザパワーの変調が必要となる。
してはレーザパワーを一定にしてデータに対応して外部
磁界を変調する磁界変調方式がとられることになる。と
ころで、記録時あるいは消去時のレーザパワーは、再生
時のレーザパワーの倍程度にする必要がある。したがっ
て、上記のように磁界変調方式を採ったとしても、再生
から記録に、あるいは記録から再生に移行する過程で
は、レーザパワーの変調が必要となる。
【０００９】上記のように光励起レーザでは励起光源の
出力を変化させることによって、ＹＡＧ素子の出力を変
化させるようになっているが、その応答速度が１０-5秒
オーダと低く、例えば、再生から記録に移行する際に光
ヘッドが記録対象セクタの記録エリアに移行してからパ
ワーを上げるようにしても、記録の初期の段階では記録
に必要な充分なパワーにならないことになり、不都合で
ある。
出力を変化させることによって、ＹＡＧ素子の出力を変
化させるようになっているが、その応答速度が１０-5秒
オーダと低く、例えば、再生から記録に移行する際に光
ヘッドが記録対象セクタの記録エリアに移行してからパ
ワーを上げるようにしても、記録の初期の段階では記録
に必要な充分なパワーにならないことになり、不都合で
ある。
【００１０】この発明は上記従来の事情に鑑みて提案さ
れたものであって、半導体励起レーザのパワー変調の応
答性を勘案した光磁気ディスクの記録再生方法と装置を
提供することを目的とするものである。
れたものであって、半導体励起レーザのパワー変調の応
答性を勘案した光磁気ディスクの記録再生方法と装置を
提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は上記目的を達
成するために以下の手段を採用している。すなわち、図
１に示すように、レーザ光を光磁気ディスク２上にスポ
ット状に照射して記録再生消去を行う光磁気ディスクの
記録再生方法において、レーザ光源として、光励起レー
ザ発振器１を用い、該光励起レーザ発振器１に対し、ス
ポット位置でのレーザパワーが記録レベルと再生レベル
になるようにセクタ単位で変調をかけ、記録は上記記録
パワーの下で外部磁界を記録データに応じて変調するこ
とによって行うようにする。
成するために以下の手段を採用している。すなわち、図
１に示すように、レーザ光を光磁気ディスク２上にスポ
ット状に照射して記録再生消去を行う光磁気ディスクの
記録再生方法において、レーザ光源として、光励起レー
ザ発振器１を用い、該光励起レーザ発振器１に対し、ス
ポット位置でのレーザパワーが記録レベルと再生レベル
になるようにセクタ単位で変調をかけ、記録は上記記録
パワーの下で外部磁界を記録データに応じて変調するこ
とによって行うようにする。
【００１２】光励起レーザ発振器１は励起光の変化に対
する出射レーザの応答が遅いため、再生から記録に移行
する際に、光磁気ディスク２の記録対象セクタＳの記録
セクションＳｗより、励起光に対する光励起レーザ発振
器１の応答遅れを勘案した所定距離手前でスポット位置
でのレーザパワーが記録パワーとなるように変調をかけ
るようにする。
する出射レーザの応答が遅いため、再生から記録に移行
する際に、光磁気ディスク２の記録対象セクタＳの記録
セクションＳｗより、励起光に対する光励起レーザ発振
器１の応答遅れを勘案した所定距離手前でスポット位置
でのレーザパワーが記録パワーとなるように変調をかけ
るようにする。
【００１３】本発明では、光励起レーザ発振器１の出力
するレーザ光のパワーに変調をかけるための変調手段６
を用いる必要がある。励起光源１２として半導体レーザ
発振器を用いる場合には該半導体レーザ発振器を上記変
調手段６として利用する。
するレーザ光のパワーに変調をかけるための変調手段６
を用いる必要がある。励起光源１２として半導体レーザ
発振器を用いる場合には該半導体レーザ発振器を上記変
調手段６として利用する。
【００１４】更に、上記変調手段６をセクタ単位で作動
させるコントロール手段７が必要となる。該コントロー
ル手段７は、記録対象セクタＳの記録セクションＳｗよ
り、励起光に対する光励起レーザ発振器１の応答遅れを
勘案した所定距離手前で、スポット位置でのレーザパワ
ーが記録パワーとなるように変調手段６を制御する。
させるコントロール手段７が必要となる。該コントロー
ル手段７は、記録対象セクタＳの記録セクションＳｗよ
り、励起光に対する光励起レーザ発振器１の応答遅れを
勘案した所定距離手前で、スポット位置でのレーザパワ
ーが記録パワーとなるように変調手段６を制御する。
【００１５】
【作用】光磁気ディスクは一周２５程度のセクタに分割
されて管理されている。スポット位置でのレーザパワー
が記録レベルと再生レベルになるようにセクタ単位で変
調をかけ、記録は上記記録パワーの下で外部磁界を記録
データに応じて変調することによって、励起光に対する
応答が遅い光励起レーザ発振器１であっても光磁気ディ
スクの記録再生装置に適用できる。
されて管理されている。スポット位置でのレーザパワー
が記録レベルと再生レベルになるようにセクタ単位で変
調をかけ、記録は上記記録パワーの下で外部磁界を記録
データに応じて変調することによって、励起光に対する
応答が遅い光励起レーザ発振器１であっても光磁気ディ
スクの記録再生装置に適用できる。
【００１６】光ディスクは２５／周程度のセクタＳに分
割されて管理されており、各セクタＳには管理領域であ
るＩＤセクションＳｉと記録領域である記録セクション
Ｓｗが含まれている。従って、再生レベルから記録レベ
ルへの移行は励起光に対する出射光の遅れを勘案して、
記録セクションＳｗの始端位置より所定距離手前位置
（ＩＤセクションＳｉの特定ピットを検出した時）より
おこなわれる。
割されて管理されており、各セクタＳには管理領域であ
るＩＤセクションＳｉと記録領域である記録セクション
Ｓｗが含まれている。従って、再生レベルから記録レベ
ルへの移行は励起光に対する出射光の遅れを勘案して、
記録セクションＳｗの始端位置より所定距離手前位置
（ＩＤセクションＳｉの特定ピットを検出した時）より
おこなわれる。
【００１７】
【実施例】図１は本発明に係る装置概念図であり、図２
はそのタイミング図である。光励起レーザ発振器１は半
導体の励起光源１２とＹＡＧ素子１１とよりなり、上記
励起光源１２が励起光をＹＡＧ素子１１に入力すること
によって、ＹＡＧ素子１１より１０６４ｎｍの波長のレ
ーザ光が出射するようになっており、このレーザ光はＳ
ＨＧ素子１３を介して波長５３４ｎｍの入射光Ｌ0 とさ
れる。この入射光Ｌ0 は更に偏光ミラー４と集光レンズ
５を介して光磁気ディスク２上にスポットを形成する。
該光磁気ディスク２よりの反射光は入射光Ｌ0 と同じ光
路を逆進し、偏光ミラー４で再生光Ｌ1 として取り出さ
れる。
はそのタイミング図である。光励起レーザ発振器１は半
導体の励起光源１２とＹＡＧ素子１１とよりなり、上記
励起光源１２が励起光をＹＡＧ素子１１に入力すること
によって、ＹＡＧ素子１１より１０６４ｎｍの波長のレ
ーザ光が出射するようになっており、このレーザ光はＳ
ＨＧ素子１３を介して波長５３４ｎｍの入射光Ｌ0 とさ
れる。この入射光Ｌ0 は更に偏光ミラー４と集光レンズ
５を介して光磁気ディスク２上にスポットを形成する。
該光磁気ディスク２よりの反射光は入射光Ｌ0 と同じ光
路を逆進し、偏光ミラー４で再生光Ｌ1 として取り出さ
れる。
【００１８】上記ＹＡＧ素子１１の出射パワーは変調手
段６としての、励起光源１２のパワーを制御することに
よって調整することができ、励起光源１２のパワーを制
御するためにコントローラ７１が備えられている。
段６としての、励起光源１２のパワーを制御することに
よって調整することができ、励起光源１２のパワーを制
御するためにコントローラ７１が備えられている。
【００１９】一方、上記再生光Ｌ1 はディテクタ２１で
光電変換され、アンプ２２と波形等価器２３を介して再
生回路２４に入力される。この再生回路２４では以下に
詳しく説明するように、図２に示す各セクタＳのＩＤセ
クションＳｉより得られるアドレス信号Ｖａと、記録セ
クションＳｗの終わりを示す信号Ｖｅを抽出して、コン
トローラ７１に入力するようになっている。
光電変換され、アンプ２２と波形等価器２３を介して再
生回路２４に入力される。この再生回路２４では以下に
詳しく説明するように、図２に示す各セクタＳのＩＤセ
クションＳｉより得られるアドレス信号Ｖａと、記録セ
クションＳｗの終わりを示す信号Ｖｅを抽出して、コン
トローラ７１に入力するようになっている。
【００２０】上記回路において、再生時には入射レーザ
Ｌ0 のパワーが再生パワーになるように励起光源１２の
出力パワーをコントローラ７１によって調整する。そし
て、上位の制御部１０からライト指令信号Ｖｗが出力さ
れたときであって、再生回路８が記録対象セクタＳのＩ
Ｄ部のアドレス信号Ｖａを出力したとき、コントローラ
７１は励起光源１２のパワーを上げ、ＳＨＧ素子１３の
出力（入射光Ｌ0 ）が記録パワーになるように変調をか
ける。
Ｌ0 のパワーが再生パワーになるように励起光源１２の
出力パワーをコントローラ７１によって調整する。そし
て、上位の制御部１０からライト指令信号Ｖｗが出力さ
れたときであって、再生回路８が記録対象セクタＳのＩ
Ｄ部のアドレス信号Ｖａを出力したとき、コントローラ
７１は励起光源１２のパワーを上げ、ＳＨＧ素子１３の
出力（入射光Ｌ0 ）が記録パワーになるように変調をか
ける。
【００２１】各セクタＳのＩＤセクションＳｉにおい
て、アドレスピットＰａはほぼ中央部に位置していると
ころから、ディテクタ２１によってアドレスピットＰａ
が検出されてから記録セクションＳｗの始端にまで光ス
ポットが移動するまでに充分な余裕があるところから、
ＹＡＧ素子１１の励起光の変化に対応する応答速度が１
０-5秒オーダであっても光スポットがＩＤセクションＳ
ｉの記録セクションＳｗの始端に位置したときには、入
射光Ｌ0 は記録するに充分な大きさのレーザパワーとな
っている。そして、光スポットが、記録セクションＳｗ
の始端に位置した時点で磁気ヘッド３によって記録デー
タに応じて外部磁界を正逆させ、データの記録が行える
ことになる。
て、アドレスピットＰａはほぼ中央部に位置していると
ころから、ディテクタ２１によってアドレスピットＰａ
が検出されてから記録セクションＳｗの始端にまで光ス
ポットが移動するまでに充分な余裕があるところから、
ＹＡＧ素子１１の励起光の変化に対応する応答速度が１
０-5秒オーダであっても光スポットがＩＤセクションＳ
ｉの記録セクションＳｗの始端に位置したときには、入
射光Ｌ0 は記録するに充分な大きさのレーザパワーとな
っている。そして、光スポットが、記録セクションＳｗ
の始端に位置した時点で磁気ヘッド３によって記録デー
タに応じて外部磁界を正逆させ、データの記録が行える
ことになる。
【００２２】この記録パワーは記録対象セクタの記録セ
クションＳｗが終了（記録セクションの長さが一定であ
るので、クロック信号の数より終了位置が検出できる）
すると、再生回路４の出力する終了信号Ｖｅを受けてコ
ントローラ７１が励起光源６のパワーを下げ、ＳＨＧ素
子１３の出力が再生パワーになるように変調をかけるよ
うになっている。
クションＳｗが終了（記録セクションの長さが一定であ
るので、クロック信号の数より終了位置が検出できる）
すると、再生回路４の出力する終了信号Ｖｅを受けてコ
ントローラ７１が励起光源６のパワーを下げ、ＳＨＧ素
子１３の出力が再生パワーになるように変調をかけるよ
うになっている。
【００２３】上記波形等価回路２３は、ディテクタ２１
の検出する信号の均等化を図る機能をそなえている。特
にＩＤセクションＳｉでレーザパワーが再生パワーから
記録パワーに増加するとき、あるいは、記録終了時に記
録パワーから再生パワーに減少するときに、増加分ある
いは減少分を補償するようになっている。
の検出する信号の均等化を図る機能をそなえている。特
にＩＤセクションＳｉでレーザパワーが再生パワーから
記録パワーに増加するとき、あるいは、記録終了時に記
録パワーから再生パワーに減少するときに、増加分ある
いは減少分を補償するようになっている。
【００２４】以上のようにすると、励起光に対する応答
が遅い光励起レーザであっても記録が可能となる。尚、
再生から記録へのレーザパワー変調タイミングをアドレ
スピットを検出した時点としたが、励起光に対する入射
光の応答遅れさえ勘案されていれば、光スポットがＩＤ
セクションＳｉ内にあるときのどの時点でもよい。ま
た、記録から再生へのパワーの変更も、上記のように記
録セクションＳｗの終了時点だけでなく、種々の選択が
できる。例えば、上記再生から記録へのパワー変調と同
様にＩＤセクションＳｉのアドレスを検出した時点であ
ってもよい。
が遅い光励起レーザであっても記録が可能となる。尚、
再生から記録へのレーザパワー変調タイミングをアドレ
スピットを検出した時点としたが、励起光に対する入射
光の応答遅れさえ勘案されていれば、光スポットがＩＤ
セクションＳｉ内にあるときのどの時点でもよい。ま
た、記録から再生へのパワーの変更も、上記のように記
録セクションＳｗの終了時点だけでなく、種々の選択が
できる。例えば、上記再生から記録へのパワー変調と同
様にＩＤセクションＳｉのアドレスを検出した時点であ
ってもよい。
【００２５】尚、上記では記録についてのみ説明した
が、同様の制御で消去も行うことができる。但し、この
場合に印加される外部磁界は消去方向に一定となる。光
励起レーザであっても上記のように半導体レーザで励起
するのではなく、ハロゲンランプ等パワーの大きなラン
プで励起する場合には、大型にはなるがＳＨＧ素子１３
を介在させても大きな出力を得ることができる。そこ
で、励起光源としてのランプを変調手段６として用いる
のではなく、ＳＨＧ素子１３の出力に対してＡＯＭ等の
変調素子を介在させることによって、光変調方式を採用
することができる。
が、同様の制御で消去も行うことができる。但し、この
場合に印加される外部磁界は消去方向に一定となる。光
励起レーザであっても上記のように半導体レーザで励起
するのではなく、ハロゲンランプ等パワーの大きなラン
プで励起する場合には、大型にはなるがＳＨＧ素子１３
を介在させても大きな出力を得ることができる。そこ
で、励起光源としてのランプを変調手段６として用いる
のではなく、ＳＨＧ素子１３の出力に対してＡＯＭ等の
変調素子を介在させることによって、光変調方式を採用
することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明は、記録対
象セクタのＩＤセクションの特定ピットの信号を再生し
たときにレーザパワーを記録パワーとしているので、記
録対象セクタの記録セクションにスポットが位置したと
きには、記録に十分なレーザパワーを確保することがで
きる効果がある。
象セクタのＩＤセクションの特定ピットの信号を再生し
たときにレーザパワーを記録パワーとしているので、記
録対象セクタの記録セクションにスポットが位置したと
きには、記録に十分なレーザパワーを確保することがで
きる効果がある。
【図１】本発明の概念を示すブロック図である。
【図２】本発明のタイミング図である。
１ 光励起レーザ発振器 ２ 光磁気ディスク ３ 磁気ヘッド ６ 変調手段 ７ コントロール手段 １２ 半導体レーザ発振器 Ｓ 記録対象セクタ Ｓｗ 記録セクション
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−100902（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−256383（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−236532（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−82683（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザ光を光磁気ディスク上にスポット
状に照射して記録再生消去を行う光磁気ディスクの記録
再生方法において、 レーザ光源として、光励起レーザ発振器を用い、該光励
起レーザ発振器に対し、スポット位置でのレーザパワー
が記録レベルと再生レベルになるようにセクタ単位で変
調をかけ、記録は上記記録パワーの下で外部磁界を記録
データに応じて変調することによって行うとともに、 再生から記録に移行する際に、上記光磁気ディスクの記
録対象セクタの記録セクションより、励起光に対する上
記光励起レーザ発振器の応答遅れを勘案した所定距離手
前でスポット位置でのレーザパワーが記録パワーとなる
ように変調する ことを特徴とする光磁気ディスクの記録
再生方法。 - 【請求項２】 レーザ光を光磁気ディスク上にスポット
状に照射して記録再生消去を行う光磁気ディスクの記録
再生装置において、 上記レーザ光源となる光励起レーザ発振器と、 スポット位置でのレーザパワーを記録レベルと再生レベ
ルで切り換える変調手段と、 記録時に記録データに従って磁界方向を切り変える磁気
ヘッドと、 上記変調手段をセクタ単位で作動させるとともに、記録
対象セクタの記録セクションより、励起光に対する上記
光励起レーザ発振器の応答遅れを勘案した所定距離手前
で、スポット位置でのレーザパワーが記録パワーとなる
ように上記変調手段を制御するコントロール手段とを備
えたことを特徴とする光磁気ディスクの記録再生装置。 - 【請求項３】 上記光励起レーザ発振器の励起光源が半
導体レーザ発振器である請求項２に記載の光磁気ディス
クの記録再生装置。 - 【請求項４】 上記光励起レーザ発振器よりの出力レー
ザが更に非線型光学素子を介して光磁気ディスクに入射
される請求項３に記載の光磁気ディスクの記録再生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3320346A JP3021877B2 (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 光磁気ディスクの記録再生方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3320346A JP3021877B2 (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 光磁気ディスクの記録再生方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05159401A JPH05159401A (ja) | 1993-06-25 |
| JP3021877B2 true JP3021877B2 (ja) | 2000-03-15 |
Family
ID=18120452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3320346A Expired - Fee Related JP3021877B2 (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | 光磁気ディスクの記録再生方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3021877B2 (ja) |
-
1991
- 1991-12-04 JP JP3320346A patent/JP3021877B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05159401A (ja) | 1993-06-25 |
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