JPH08162741A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JPH08162741A JPH08162741A JP30258294A JP30258294A JPH08162741A JP H08162741 A JPH08162741 A JP H08162741A JP 30258294 A JP30258294 A JP 30258294A JP 30258294 A JP30258294 A JP 30258294A JP H08162741 A JPH08162741 A JP H08162741A
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- wiring
- wiring board
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高速駆動を行う半導体素子やコンデンサ、抵抗
等の電子部品を強固に搭載接続することができる配線基
板を提供することにある。 【構成】ガラスセラミックス焼結体から成る絶縁基体１
表面に銅から成る配線導体２を形成した配線基板Ａであ
って、前記配線導体２の表面に厚さ０．５乃至３．０μ
ｍのニッケルメッキ層６を被着させた。
等の電子部品を強固に搭載接続することができる配線基
板を提供することにある。 【構成】ガラスセラミックス焼結体から成る絶縁基体１
表面に銅から成る配線導体２を形成した配線基板Ａであ
って、前記配線導体２の表面に厚さ０．５乃至３．０μ
ｍのニッケルメッキ層６を被着させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子やコンデン
サ、抵抗等の電子部品が搭載される配線基板に関するも
のである。
サ、抵抗等の電子部品が搭載される配線基板に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、配線基板は一般に、酸化アルミニ
ウム質焼結体等の電気絶縁材料から成る絶縁基体の内部
及び上面にタングステン、モリブデン、マンガン等の高
融点金属粉末から成る複数個の配線導体を被着させた構
造を有しており、絶縁基体の上面に半導体素子やコンデ
ンサ、抵抗等の電子部品を搭載させるとともに該電子部
品の電極を半田を介し配線導体に接続させることによっ
て絶縁基体上面に搭載された各電子部品はその各々が配
線導体を介して電気的に接続されるようになっている。
ウム質焼結体等の電気絶縁材料から成る絶縁基体の内部
及び上面にタングステン、モリブデン、マンガン等の高
融点金属粉末から成る複数個の配線導体を被着させた構
造を有しており、絶縁基体の上面に半導体素子やコンデ
ンサ、抵抗等の電子部品を搭載させるとともに該電子部
品の電極を半田を介し配線導体に接続させることによっ
て絶縁基体上面に搭載された各電子部品はその各々が配
線導体を介して電気的に接続されるようになっている。
【０００３】しかしながら、この従来の配線基板は、 半導体素子を構成するシリコンと絶縁基体を構成する
酸化アルミニウム質焼結体の熱膨張係数がそれぞれ3.0
×10-6/ ℃〜3.5 ×10-6/ ℃、6.0 ×10-6/ ℃〜7.5 ×
10-6/ ℃であり、大きく相違することから両者に半導体
素子を作動させた際等に発生する熱が印加されると両者
間に大きな熱応力が発生し、該熱応力によって半導体素
子が破損したり、半導体素子が絶縁基体より剥離してし
まう。
酸化アルミニウム質焼結体の熱膨張係数がそれぞれ3.0
×10-6/ ℃〜3.5 ×10-6/ ℃、6.0 ×10-6/ ℃〜7.5 ×
10-6/ ℃であり、大きく相違することから両者に半導体
素子を作動させた際等に発生する熱が印加されると両者
間に大きな熱応力が発生し、該熱応力によって半導体素
子が破損したり、半導体素子が絶縁基体より剥離してし
まう。
【０００４】絶縁基体を構成する酸化アルミニウム質
焼結体の比誘電率が9 〜10( 室温1MHz) と高いため、絶
縁基体に形成した配線導体を伝わる電気信号の伝搬速度
が遅く、そのため電気信号の高速伝搬を要求する半導体
素子はその搭載が不可となる。
焼結体の比誘電率が9 〜10( 室温1MHz) と高いため、絶
縁基体に形成した配線導体を伝わる電気信号の伝搬速度
が遅く、そのため電気信号の高速伝搬を要求する半導体
素子はその搭載が不可となる。
【０００５】配線導体を構成するタングステン、モリ
ブデン等の電気抵抗値が高いため配線導体を伝わる電気
信号の電圧降下が大きく、そのため配線導体を微細とし
配線基板を小型高密度化することができない。
ブデン等の電気抵抗値が高いため配線導体を伝わる電気
信号の電圧降下が大きく、そのため配線導体を微細とし
配線基板を小型高密度化することができない。
【０００６】等の欠点を有していた。
【０００７】そこで上記欠点を解消するために、本願出
願人は先に絶縁基体をアルミナ18.0乃至24.0重量％、石
英8.0 乃至17.0重量％、コージェライト13.0乃至25.0重
量％、残部がホウ珪酸ガラスから成るガラスセラミック
ス焼結体で形成するとともに配線導体を銅で形成した配
線基板を提案した( 特願平6 ー265155号参照) 。
願人は先に絶縁基体をアルミナ18.0乃至24.0重量％、石
英8.0 乃至17.0重量％、コージェライト13.0乃至25.0重
量％、残部がホウ珪酸ガラスから成るガラスセラミック
ス焼結体で形成するとともに配線導体を銅で形成した配
線基板を提案した( 特願平6 ー265155号参照) 。
【０００８】かかる配線基板によれば、絶縁基体がガラ
スセラミックス焼結体から成り、その熱膨張係数が半導
体素子を構成するシリコンの熱膨張係数に近似すること
から配線基板に半導体素子を搭載した後、絶縁基板と半
導体素子の両者に熱が印加されても、両者間には大きな
熱応力が発生することはなく、該熱応力によって半導体
素子が破損したり、絶縁基体より剥離したりすることは
ない。
スセラミックス焼結体から成り、その熱膨張係数が半導
体素子を構成するシリコンの熱膨張係数に近似すること
から配線基板に半導体素子を搭載した後、絶縁基板と半
導体素子の両者に熱が印加されても、両者間には大きな
熱応力が発生することはなく、該熱応力によって半導体
素子が破損したり、絶縁基体より剥離したりすることは
ない。
【０００９】またこの配線基板によれば絶縁基体を構成
するガラスセラミックス焼結体の比誘電率が6.5(室温1M
Hz) と低いことから絶縁基体に形成した配線導体を伝わ
る電気信号の伝搬速度が遅くなることはなく、高速伝搬
を要求する半導体素子の搭載も可能となる。
するガラスセラミックス焼結体の比誘電率が6.5(室温1M
Hz) と低いことから絶縁基体に形成した配線導体を伝わ
る電気信号の伝搬速度が遅くなることはなく、高速伝搬
を要求する半導体素子の搭載も可能となる。
【００１０】更にこの配線基板によれば絶縁基体の焼成
温度が低く、配線導体を導通抵抗の小さい銅で形成する
ことができることから配線導体を伝わる電気信号の電圧
降下も小さく、配線導体を微細として配線基板を小型高
密度化することもできる。
温度が低く、配線導体を導通抵抗の小さい銅で形成する
ことができることから配線導体を伝わる電気信号の電圧
降下も小さく、配線導体を微細として配線基板を小型高
密度化することもできる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記絶
縁基体をガラスセラミックス焼結体で、配線導体を銅で
形成した配線基板は、配線導体を構成する銅が錫との間
で脆弱な金属間化合物を形成してしまう材料であるため
配線導体に半導体素子やコンデンサ、抵抗等の電子部品
の電極を半田（錫ー鉛合金）を介して接続する場合、半
田中の錫が配線導体中に拡散反応し、接続部に脆弱な金
属間化合物を形成して配線導体に対する電子部品の接続
の信頼性が大きく劣化するという欠点を誘発した。
縁基体をガラスセラミックス焼結体で、配線導体を銅で
形成した配線基板は、配線導体を構成する銅が錫との間
で脆弱な金属間化合物を形成してしまう材料であるため
配線導体に半導体素子やコンデンサ、抵抗等の電子部品
の電極を半田（錫ー鉛合金）を介して接続する場合、半
田中の錫が配線導体中に拡散反応し、接続部に脆弱な金
属間化合物を形成して配線導体に対する電子部品の接続
の信頼性が大きく劣化するという欠点を誘発した。
【００１２】また前記配線導体を構成する銅は酸化し易
い材料であるため、配線導体の露出外表面に短時間に酸
化物膜が形成されてしまい、一旦、配線導体の表面に酸
化物膜が形成されると該酸化物膜は半田濡れ性が悪いた
め配線導体に電子部品の電極を半田を介して強固に接続
することができないという欠点も誘発した。
い材料であるため、配線導体の露出外表面に短時間に酸
化物膜が形成されてしまい、一旦、配線導体の表面に酸
化物膜が形成されると該酸化物膜は半田濡れ性が悪いた
め配線導体に電子部品の電極を半田を介して強固に接続
することができないという欠点も誘発した。
【００１３】そこで上記欠点を解消するために、銅から
成る配線導体の表面にニッケルをメッキ法により被着さ
せ、該ニッケルメッキ層で半田中の錫が配線導体に拡散
反応するのを防止するとともに配線導体の酸化を有効に
防止することが考えられる。
成る配線導体の表面にニッケルをメッキ法により被着さ
せ、該ニッケルメッキ層で半田中の錫が配線導体に拡散
反応するのを防止するとともに配線導体の酸化を有効に
防止することが考えられる。
【００１４】しかしながら、銅から成る配線導体の表面
に被着されるニッケルメッキ層は一般にその厚みが配線
導体の酸化を完全に防止するために、また半田中の錫が
銅から成る配線導体に拡散反応するのを完全に防止する
ために５μｍ以上の厚いものとなっており、配線導体の
表面にニッケルを５μｍ以上の厚さにメッキ法により被
着させるとメッキの際の応力がニッケルメッキ層中に蓄
積されて内在し、該内在応力によって銅から成る配線導
体と絶縁基体との被着強度が劣化し、これによって配線
導体に対する電子部品の接続の信頼性が大きく劣化して
しまうという欠点を招来してしまう。
に被着されるニッケルメッキ層は一般にその厚みが配線
導体の酸化を完全に防止するために、また半田中の錫が
銅から成る配線導体に拡散反応するのを完全に防止する
ために５μｍ以上の厚いものとなっており、配線導体の
表面にニッケルを５μｍ以上の厚さにメッキ法により被
着させるとメッキの際の応力がニッケルメッキ層中に蓄
積されて内在し、該内在応力によって銅から成る配線導
体と絶縁基体との被着強度が劣化し、これによって配線
導体に対する電子部品の接続の信頼性が大きく劣化して
しまうという欠点を招来してしまう。
【００１５】
【発明の目的】本発明は上記諸欠点に鑑み案出されたも
ので、その目的は高速駆動を行う半導体素子やコンデン
サ、抵抗等の電子部品を強固に搭載接続することができ
る配線基板を提供することにある。
ので、その目的は高速駆動を行う半導体素子やコンデン
サ、抵抗等の電子部品を強固に搭載接続することができ
る配線基板を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明はガラスセラミッ
クス焼結体から成る絶縁基体表面に銅から成る配線導体
を形成した配線基板であって、前記配線導体の表面に厚
さ０．５乃至３．０μｍのニッケルメッキ層を被着させ
たことを特徴とするものである。
クス焼結体から成る絶縁基体表面に銅から成る配線導体
を形成した配線基板であって、前記配線導体の表面に厚
さ０．５乃至３．０μｍのニッケルメッキ層を被着させ
たことを特徴とするものである。
【００１７】
【作用】本発明の配線基板によれば、銅から成る配線導
体の表面にニッケルメッキ層を被着させたことから配線
導体に半導体素子やコンデンサ、抵抗等の電子部品の電
極を半田（錫ー鉛合金）を介して接続する際、半田中の
錫が配線導体中に拡散反応し、接続部に脆弱な金属間化
合物を形成することはなく、その結果、配線導体に対す
る電子部品の接続の信頼性が大きく向上する。
体の表面にニッケルメッキ層を被着させたことから配線
導体に半導体素子やコンデンサ、抵抗等の電子部品の電
極を半田（錫ー鉛合金）を介して接続する際、半田中の
錫が配線導体中に拡散反応し、接続部に脆弱な金属間化
合物を形成することはなく、その結果、配線導体に対す
る電子部品の接続の信頼性が大きく向上する。
【００１８】また本発明の配線基板によれば、配線導体
の表面にニッケルメッキ層を被着させたことから配線導
体の表面に短時間で酸化物膜が形成されることはなく、
配線導体の半田濡れ性を良好として配線導体に電子部品
の電極を半田を介して強固に接続することができる。
の表面にニッケルメッキ層を被着させたことから配線導
体の表面に短時間で酸化物膜が形成されることはなく、
配線導体の半田濡れ性を良好として配線導体に電子部品
の電極を半田を介して強固に接続することができる。
【００１９】更に本発明の配線基板によれば、配線導体
の表面に被着されるニッケルメッキ層の厚みを０．５乃
至３．０μｍとしたことからニッケルメッキ層中に大き
な応力が内在することはなく、その結果、配線導体は絶
縁基体に強固に被着し、これによって配線導体に対する
電子部品の接続の信頼性を大きく向上させることができ
る。
の表面に被着されるニッケルメッキ層の厚みを０．５乃
至３．０μｍとしたことからニッケルメッキ層中に大き
な応力が内在することはなく、その結果、配線導体は絶
縁基体に強固に被着し、これによって配線導体に対する
電子部品の接続の信頼性を大きく向上させることができ
る。
【００２０】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図１は本発明の配線基板の一実施例を示し、１は絶
縁基体、２は配線導体である。この配線導体２を絶縁基
体１に被着させたものが配線基板Ａとなる。
る。図１は本発明の配線基板の一実施例を示し、１は絶
縁基体、２は配線導体である。この配線導体２を絶縁基
体１に被着させたものが配線基板Ａとなる。
【００２１】前記配線基板Ａの絶縁基体１はその上面に
半導体素子３やコンデンサ４等の電子部品が搭載され、
半導体素子３やコンデンサ４等の電子部品を支持する支
持部材として作用する。
半導体素子３やコンデンサ４等の電子部品が搭載され、
半導体素子３やコンデンサ４等の電子部品を支持する支
持部材として作用する。
【００２２】前記絶縁基体１は例えば、アルミナ18.0〜
24.0重量％、石英8.0 〜17.0重量％、コージェライト1
3.0〜25.0重量％、残部がホウ珪酸ガラスから成るガラ
スセラミックス焼結体から成り、72.0〜76.0重量％の酸
化珪素、15.0〜17.0重量％の酸化ホウ素、2.0 〜4.0 重
量％のアルミナ、1.5 重量％以下の酸化マグネシウム、
1.1 〜1.4 重量％の酸化ジルコニウム、合量が2.0 〜3.
0 重量％の酸化リチウム、酸化カリウム、酸化ナトリウ
ムから成るホウ珪酸ガラス粉末に、18.0〜24.0重量％の
アルミナ粉末、8.0 〜17.0重量％の石英粉末、13.0〜2
5.0重量％のコージェライト粉末及び適当な有機バイン
ダー、有機溶剤、可塑剤、分散剤を添加混合して泥漿状
となすとともに該泥漿物を従来周知のドクターブレード
法やカレンダーロール法によりシート状に成形すること
によってグリーンシートを得、しかる後、前記グリーン
シートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを複数
枚積層し、約９００℃の温度で焼成することによって製
作される。
24.0重量％、石英8.0 〜17.0重量％、コージェライト1
3.0〜25.0重量％、残部がホウ珪酸ガラスから成るガラ
スセラミックス焼結体から成り、72.0〜76.0重量％の酸
化珪素、15.0〜17.0重量％の酸化ホウ素、2.0 〜4.0 重
量％のアルミナ、1.5 重量％以下の酸化マグネシウム、
1.1 〜1.4 重量％の酸化ジルコニウム、合量が2.0 〜3.
0 重量％の酸化リチウム、酸化カリウム、酸化ナトリウ
ムから成るホウ珪酸ガラス粉末に、18.0〜24.0重量％の
アルミナ粉末、8.0 〜17.0重量％の石英粉末、13.0〜2
5.0重量％のコージェライト粉末及び適当な有機バイン
ダー、有機溶剤、可塑剤、分散剤を添加混合して泥漿状
となすとともに該泥漿物を従来周知のドクターブレード
法やカレンダーロール法によりシート状に成形すること
によってグリーンシートを得、しかる後、前記グリーン
シートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを複数
枚積層し、約９００℃の温度で焼成することによって製
作される。
【００２３】前記ガラスセラミック焼結体から成る絶縁
基体１はその熱膨張係数が3.5 ×10-6/ ℃〜5.0 ×10-6
/ ℃であり、半導体素子３を構成するシリコンの熱膨張
係数(3.0×10-6/ ℃〜3.5 ×10-6/ ℃) と近似すること
から絶縁基体１上に半導体素子３を搭載した後、絶縁基
体１と半導体素子３の両者に半導体素子３が作動時に発
する熱等が印加されても両者間には大きな熱応力が発生
することはなく、その結果、前記熱応力によって半導体
素子３が破損したり、半導体素子３が絶縁基体１より剥
離したりすることはない。
基体１はその熱膨張係数が3.5 ×10-6/ ℃〜5.0 ×10-6
/ ℃であり、半導体素子３を構成するシリコンの熱膨張
係数(3.0×10-6/ ℃〜3.5 ×10-6/ ℃) と近似すること
から絶縁基体１上に半導体素子３を搭載した後、絶縁基
体１と半導体素子３の両者に半導体素子３が作動時に発
する熱等が印加されても両者間には大きな熱応力が発生
することはなく、その結果、前記熱応力によって半導体
素子３が破損したり、半導体素子３が絶縁基体１より剥
離したりすることはない。
【００２４】また前記ガラスセラミックス焼結体から成
る絶縁基体１はその比誘電率が6.5(室温1MHz) 以下と低
く、そのため絶縁基体１の内部及び表面に被着させた配
線導体２を伝わる電気信号の伝搬速度が極めて速いもの
となり、その結果、絶縁基体１に電気信号の高速伝搬を
要求する半導体素子３の搭載が可能となる。
る絶縁基体１はその比誘電率が6.5(室温1MHz) 以下と低
く、そのため絶縁基体１の内部及び表面に被着させた配
線導体２を伝わる電気信号の伝搬速度が極めて速いもの
となり、その結果、絶縁基体１に電気信号の高速伝搬を
要求する半導体素子３の搭載が可能となる。
【００２５】前記ガラスセラミックス焼結体から成る絶
縁基体１の上面には更に複数個の配線導体２が被着形成
されており、該配線導体２には絶縁基体１上に搭載され
る半導体素子３やコンデンサ４等の電極が半田５を介し
て接続され、これによって半導体素子３やコンデンサ４
等の電子部品はその各々が配線導体２を介して相互に電
気的に接続されることとなる。
縁基体１の上面には更に複数個の配線導体２が被着形成
されており、該配線導体２には絶縁基体１上に搭載され
る半導体素子３やコンデンサ４等の電極が半田５を介し
て接続され、これによって半導体素子３やコンデンサ４
等の電子部品はその各々が配線導体２を介して相互に電
気的に接続されることとなる。
【００２６】前記配線導体２は銅から成り、例えば銅粉
末にエチルセルロース或いはアクリル樹脂とアルファー
テルピネオール等の溶剤とを添加混合して得た銅ペース
トを絶縁基体１となるグリーンシートに予め従来周知の
スクリーン印刷法等より所定パターンに印刷塗布してお
くことによって絶縁基体１の上面に所定パターンに被着
形成される。
末にエチルセルロース或いはアクリル樹脂とアルファー
テルピネオール等の溶剤とを添加混合して得た銅ペース
トを絶縁基体１となるグリーンシートに予め従来周知の
スクリーン印刷法等より所定パターンに印刷塗布してお
くことによって絶縁基体１の上面に所定パターンに被着
形成される。
【００２７】また前記配線導体２は電気抵抗値の小さい
銅で形成されていることから配線導体２を伝わる電気信
号の電圧降下は極めて小さいものとなり、その結果、配
線導体２を微細化して配線基板Ａの小型化高密度化を達
成することができる。
銅で形成されていることから配線導体２を伝わる電気信
号の電圧降下は極めて小さいものとなり、その結果、配
線導体２を微細化して配線基板Ａの小型化高密度化を達
成することができる。
【００２８】更に前記銅から成る配線導体２はその表面
にニッケルメッキ層６が被着されており、該ニッケルメ
ッキ層６によって配線導体２は完全に被覆されている。
にニッケルメッキ層６が被着されており、該ニッケルメ
ッキ層６によって配線導体２は完全に被覆されている。
【００２９】前記ニッケルメッキ層６は配線導体２の酸
化を有効に防止する作用を為し、これによって配線導体
２はその表面に酸化物膜が形成されることは殆どなく、
その結果、配線導体２の半田濡れ性を良好として配線導
体２に半導体素子３やコンデンサ４の電極を半田５を介
し強固に接続させることが可能となる。
化を有効に防止する作用を為し、これによって配線導体
２はその表面に酸化物膜が形成されることは殆どなく、
その結果、配線導体２の半田濡れ性を良好として配線導
体２に半導体素子３やコンデンサ４の電極を半田５を介
し強固に接続させることが可能となる。
【００３０】また前記ニッケルメッキ層６は銅から成る
配線導体２に半田５に含まれる錫が拡散反応し、脆弱な
金属間化合物を形成するのを有効に防止する作用も為
し、これによって配線導体２に半導体素子３やコンデン
サ４の電極を半田５を介して接続する際、半田５中の錫
が配線導体２中に拡散反応し、接続部に脆弱な金属間化
合物を形成することはなく、その結果、配線導体２に対
する半導体素子３やコンデンサ４の接続の信頼性が大き
く向上する。
配線導体２に半田５に含まれる錫が拡散反応し、脆弱な
金属間化合物を形成するのを有効に防止する作用も為
し、これによって配線導体２に半導体素子３やコンデン
サ４の電極を半田５を介して接続する際、半田５中の錫
が配線導体２中に拡散反応し、接続部に脆弱な金属間化
合物を形成することはなく、その結果、配線導体２に対
する半導体素子３やコンデンサ４の接続の信頼性が大き
く向上する。
【００３１】前記配線導体２の表面に被着されるニッケ
ルメッキ層６は例えば、配線導体２を被着させた絶縁基
体１を硫酸ニッケル３０グラム／リットル、ジ亜リン酸
ナトリウム１０グラム／リットル、酢酸ナトリウム１０
グラム／リットルから成るメッキ浴中に、液温を約９０
℃として５分間浸漬することによって配線導体２の表面
に被着される。
ルメッキ層６は例えば、配線導体２を被着させた絶縁基
体１を硫酸ニッケル３０グラム／リットル、ジ亜リン酸
ナトリウム１０グラム／リットル、酢酸ナトリウム１０
グラム／リットルから成るメッキ浴中に、液温を約９０
℃として５分間浸漬することによって配線導体２の表面
に被着される。
【００３２】また前記ニッケルメッキ層６はその厚みが
０．５μｍ未満であると銅から成る配線導体２の酸化及
び半田５中に含まれる錫の配線導体２への拡散反応を有
効に防止することができず、また３．０μｍを越えると
配線導体２の表面にニッケルメッキ層６を被着させる
際、ニッケルメッキ層６中に大きな応力が内在し、該内
在応力によって銅から成る配線導体２と絶縁基体１との
被着強度が劣化し、これによって配線導体２に対する半
導体素子３やコンデンサ４の接続の信頼性が大きく劣化
してしまう。従って、前記ニッケルメッキ層６はその厚
みが０．５μｍ乃至３．０μｍの範囲に特定される。
０．５μｍ未満であると銅から成る配線導体２の酸化及
び半田５中に含まれる錫の配線導体２への拡散反応を有
効に防止することができず、また３．０μｍを越えると
配線導体２の表面にニッケルメッキ層６を被着させる
際、ニッケルメッキ層６中に大きな応力が内在し、該内
在応力によって銅から成る配線導体２と絶縁基体１との
被着強度が劣化し、これによって配線導体２に対する半
導体素子３やコンデンサ４の接続の信頼性が大きく劣化
してしまう。従って、前記ニッケルメッキ層６はその厚
みが０．５μｍ乃至３．０μｍの範囲に特定される。
【００３３】かくして上述の配線基板Ａによれば、絶縁
基体１の上面に半導体素子３やコンデンサ４等の電子部
品を搭載するとともに該半導体素子３やコンデンサ４等
の電極を半田５を介して配線導体２に接続すれば絶縁基
体１の上面に搭載される半導体素子３やコンデンサ４等
の電子部品はその各々が配線導体２を介して電気的に接
続され、これによって所定の電気回路を形成することと
なる。
基体１の上面に半導体素子３やコンデンサ４等の電子部
品を搭載するとともに該半導体素子３やコンデンサ４等
の電極を半田５を介して配線導体２に接続すれば絶縁基
体１の上面に搭載される半導体素子３やコンデンサ４等
の電子部品はその各々が配線導体２を介して電気的に接
続され、これによって所定の電気回路を形成することと
なる。
【００３４】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
【００３５】
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、銅から成る
配線導体の表面にニッケルメッキ層を被着させたことか
ら配線導体に半導体素子やコンデンサ、抵抗等の電子部
品の電極を半田（錫ー鉛合金）を介して接続する際、半
田中の錫が配線導体中に拡散反応し、接続部に脆弱な金
属間化合物を形成することはなく、その結果、配線導体
に対する電子部品の接続の信頼性が大きく向上する。
配線導体の表面にニッケルメッキ層を被着させたことか
ら配線導体に半導体素子やコンデンサ、抵抗等の電子部
品の電極を半田（錫ー鉛合金）を介して接続する際、半
田中の錫が配線導体中に拡散反応し、接続部に脆弱な金
属間化合物を形成することはなく、その結果、配線導体
に対する電子部品の接続の信頼性が大きく向上する。
【００３６】また本発明の配線基板によれば、配線導体
の表面にニッケルメッキ層を被着させたことから配線導
体の表面に短時間で酸化物膜が形成されることはなく、
配線導体の半田濡れ性を良好として配線導体に電子部品
の電極を半田を介して強固に接続することができる。
の表面にニッケルメッキ層を被着させたことから配線導
体の表面に短時間で酸化物膜が形成されることはなく、
配線導体の半田濡れ性を良好として配線導体に電子部品
の電極を半田を介して強固に接続することができる。
【００３７】更に本発明の配線基板によれば、配線導体
の表面に被着されるニッケルメッキ層の厚みを０．５乃
至３．０μｍとしたことからニッケルメッキ層中に大き
な応力が内在することはなく、その結果、配線導体は絶
縁基体に強固に被着し、これによって配線導体に対する
電子部品の接続の信頼性を大きく向上させることができ
る。
の表面に被着されるニッケルメッキ層の厚みを０．５乃
至３．０μｍとしたことからニッケルメッキ層中に大き
な応力が内在することはなく、その結果、配線導体は絶
縁基体に強固に被着し、これによって配線導体に対する
電子部品の接続の信頼性を大きく向上させることができ
る。
【図１】本発明の配線基板の一実施例を示す断面図であ
る。
る。
１・・・・・・・・・絶縁基体 ２・・・・・・・・・配線導体 ３・・・・・・・・・半導体素子 ４・・・・・・・・・コンデンサ ５・・・・・・・・・半田 ６・・・・・・・・・ニッケルメッキ層 Ａ・・・・・・・・・配線基板
Claims (1)
- 【請求項１】ガラスセラミックス焼結体から成る絶縁基
体表面に銅から成る配線導体を形成した配線基板であっ
て、前記配線導体の表面に厚さ０．５乃至３．０μｍの
ニッケルメッキ層を被着させたことを特徴とする配線基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30258294A JPH08162741A (ja) | 1994-12-07 | 1994-12-07 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30258294A JPH08162741A (ja) | 1994-12-07 | 1994-12-07 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162741A true JPH08162741A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17910720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30258294A Pending JPH08162741A (ja) | 1994-12-07 | 1994-12-07 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08162741A (ja) |
-
1994
- 1994-12-07 JP JP30258294A patent/JPH08162741A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040830 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040921 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041122 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050524 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |