JPH08162568A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH08162568A JPH08162568A JP28054993A JP28054993A JPH08162568A JP H08162568 A JPH08162568 A JP H08162568A JP 28054993 A JP28054993 A JP 28054993A JP 28054993 A JP28054993 A JP 28054993A JP H08162568 A JPH08162568 A JP H08162568A
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 接合された半導体素子搭載基板の領域に位置
する部材中の残留応力を低減すると共に、端子リードと
半導体素子の電極端子との位置関係を保持する。 【構成】 リードフレーム本体と半導体素子搭載基板と
を構成部材とする樹脂封止型半導体装置10において、
端子リード12を連結支持する光硬化性のドライフィル
ムレジスト等の絶縁性部材で形成された複数の枠体16
を備え、且つ、その一つの枠体16の一部が樹脂封止部
22の領域から露出する位置Bに形成され、樹脂封止の
内部に位置する他端部側には切り曲げ形状のカシメ用突
起15aが形成された先端部を有し、樹脂封止部の外周
側面の角部14に位置する一端部側において切断面を有
する固定用リード15が使用されており、固定リードに
接合固定される素子搭載基板部19にはカシメ用突起に
対応する位置に貫通孔15bが穿孔され、貫通孔にカシ
メ突起が挿入され素子搭載基板部を固定用リード15に
係合される。
する部材中の残留応力を低減すると共に、端子リードと
半導体素子の電極端子との位置関係を保持する。 【構成】 リードフレーム本体と半導体素子搭載基板と
を構成部材とする樹脂封止型半導体装置10において、
端子リード12を連結支持する光硬化性のドライフィル
ムレジスト等の絶縁性部材で形成された複数の枠体16
を備え、且つ、その一つの枠体16の一部が樹脂封止部
22の領域から露出する位置Bに形成され、樹脂封止の
内部に位置する他端部側には切り曲げ形状のカシメ用突
起15aが形成された先端部を有し、樹脂封止部の外周
側面の角部14に位置する一端部側において切断面を有
する固定用リード15が使用されており、固定リードに
接合固定される素子搭載基板部19にはカシメ用突起に
対応する位置に貫通孔15bが穿孔され、貫通孔にカシ
メ突起が挿入され素子搭載基板部を固定用リード15に
係合される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、放熱機能を有する半導
体素子搭載基板を備えた樹脂封止型半導体装置に係り、
詳細には、端子リードを相互に連結すると共に、封止樹
脂の流出を防ぐ機能を有する枠体に光硬化性ドライフィ
ルムレジストを用いて構成されたリードフレーム本体の
裏面に、半導体素子を搭載する領域を備えた高熱伝導性
の部材を用いた半導体素子搭載基板をカシメ方式で係合
して構成した樹脂封止型半導体装置に関する。
体素子搭載基板を備えた樹脂封止型半導体装置に係り、
詳細には、端子リードを相互に連結すると共に、封止樹
脂の流出を防ぐ機能を有する枠体に光硬化性ドライフィ
ルムレジストを用いて構成されたリードフレーム本体の
裏面に、半導体素子を搭載する領域を備えた高熱伝導性
の部材を用いた半導体素子搭載基板をカシメ方式で係合
して構成した樹脂封止型半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、図5に示すように、この種の樹脂
封止型半導体装置51は、放熱機能を有する金属製部材
の半導体素子搭載基板52と、該搭載基板52の表面上
に熱良導性のマウント剤53を介在させて接合された半
導体素子54と、該素子54から離間してその周辺に配
設され、且つ、前記搭載基板52から電気的に絶縁して
設けられた複数の端子リード55と、該端子リード55
の一端部と前記素子54の電極端子とを接続するボンデ
ングワイヤ56と、前記基板52、前記素子54、前記
端子リード55の一端部側及びボンディングワイヤ56
を封止した樹脂封止部57とを具備し、該樹脂封止部5
7から外部に露出した前記端子リード55の他端部を、
前記端子リード55を連結保持して封止樹脂の流出を防
ぐダムバー部58を除去して後、下方に折り曲げた構成
としている。
封止型半導体装置51は、放熱機能を有する金属製部材
の半導体素子搭載基板52と、該搭載基板52の表面上
に熱良導性のマウント剤53を介在させて接合された半
導体素子54と、該素子54から離間してその周辺に配
設され、且つ、前記搭載基板52から電気的に絶縁して
設けられた複数の端子リード55と、該端子リード55
の一端部と前記素子54の電極端子とを接続するボンデ
ングワイヤ56と、前記基板52、前記素子54、前記
端子リード55の一端部側及びボンディングワイヤ56
を封止した樹脂封止部57とを具備し、該樹脂封止部5
7から外部に露出した前記端子リード55の他端部を、
前記端子リード55を連結保持して封止樹脂の流出を防
ぐダムバー部58を除去して後、下方に折り曲げた構成
としている。
【0003】図6に示すように、上記の従来技術に用い
た積層型リードフレーム60は、銅系またはFe系合金
等の電気導電性の金属条材からプレス加工またはエッチ
ング加工法をにより、順次不要部分の除去を行って半導
体素子載置予定の空間領域61を取り囲むようにその周
辺に配列された前記端子リード55と該リード55を相
互に連結し封止樹脂の流出を防止する同一部材のダムバ
ー58と前記リード55の他端部を連結支持する外枠6
2を具備して構成された図7に示すリードフレーム本体
63が使用されており、その裏面の所定領域に、銅、ア
ルミニュウム(Al)、或いはこれらの合金等の高熱伝
導性金属部材59を用いた半導体素子搭載基板52を電
気絶縁部材からなる接着剤層50を介在させて接合した
構成とされている。
た積層型リードフレーム60は、銅系またはFe系合金
等の電気導電性の金属条材からプレス加工またはエッチ
ング加工法をにより、順次不要部分の除去を行って半導
体素子載置予定の空間領域61を取り囲むようにその周
辺に配列された前記端子リード55と該リード55を相
互に連結し封止樹脂の流出を防止する同一部材のダムバ
ー58と前記リード55の他端部を連結支持する外枠6
2を具備して構成された図7に示すリードフレーム本体
63が使用されており、その裏面の所定領域に、銅、ア
ルミニュウム(Al)、或いはこれらの合金等の高熱伝
導性金属部材59を用いた半導体素子搭載基板52を電
気絶縁部材からなる接着剤層50を介在させて接合した
構成とされている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術の積層型リードフレーム60を用いた樹脂封止型半導
体装置51では、樹脂封止部内に位置する複数の端子リ
ード55の裏面に半導体素子搭載基板52が電気絶縁部
材からなる接着剤層50を介して接合された構成として
いるので、半導体素子搭載基板52の安定性が悪いた
め、図示しない樹脂封止金型の上、下キャビティ間に載
置し、封止樹脂を注入して樹脂封止する際に、前記半導
体素子搭載基板52が注入される封止樹脂に押されてそ
の位置が変動し、ボンディングワイヤ56を切断するな
どの不都合が生じるという問題があった。
術の積層型リードフレーム60を用いた樹脂封止型半導
体装置51では、樹脂封止部内に位置する複数の端子リ
ード55の裏面に半導体素子搭載基板52が電気絶縁部
材からなる接着剤層50を介して接合された構成として
いるので、半導体素子搭載基板52の安定性が悪いた
め、図示しない樹脂封止金型の上、下キャビティ間に載
置し、封止樹脂を注入して樹脂封止する際に、前記半導
体素子搭載基板52が注入される封止樹脂に押されてそ
の位置が変動し、ボンディングワイヤ56を切断するな
どの不都合が生じるという問題があった。
【0005】さらに、前記半導体素子搭載基板52の接
合領域部分の構成部材に残留応力が滞有すると共に、前
記接着剤層50が水分を吸湿して樹脂封止部57にクラ
ックを発生させて長期信頼性を低下させるという問題が
あった。
合領域部分の構成部材に残留応力が滞有すると共に、前
記接着剤層50が水分を吸湿して樹脂封止部57にクラ
ックを発生させて長期信頼性を低下させるという問題が
あった。
【0006】また、前記リードフレーム本体63の裏面
に、半導体素子54を搭載した素子搭載基板52を接合
する際の位置決めに多くの工数と高度の設備を必要とし
生産効率を低下させる。その結果として樹脂封止型半導
体装置51の製造コストを増加させるという問題があっ
た。
に、半導体素子54を搭載した素子搭載基板52を接合
する際の位置決めに多くの工数と高度の設備を必要とし
生産効率を低下させる。その結果として樹脂封止型半導
体装置51の製造コストを増加させるという問題があっ
た。
【0007】また、端子リード55を連結し、封止樹脂
の流出を防止する同一部材のダムバー58を備えている
から、半導体装置の組立の際に、前記ダムバー58を除
去して前記端子リード55を分離する必要がある、しか
しながら、端子リード55の間隔が極めて狭いためダム
バー58を除去することが極めて難しく高精度の設備を
必要とするなど樹脂封止型半導体装置51の多ピン化に
即応できないという問題があった。
の流出を防止する同一部材のダムバー58を備えている
から、半導体装置の組立の際に、前記ダムバー58を除
去して前記端子リード55を分離する必要がある、しか
しながら、端子リード55の間隔が極めて狭いためダム
バー58を除去することが極めて難しく高精度の設備を
必要とするなど樹脂封止型半導体装置51の多ピン化に
即応できないという問題があった。
【0008】
【発明の目的】本発明は、上記の実情に鑑みてなされた
もので、特に、半導体素子搭載基板の接合領域の部材に
滞有する残留応力を低減すると共に、端子リードと半導
体素子の電極端子との所定の位置関係を容易に保持する
ことがでる経済的且つ長期信頼性の高い樹脂封止型半導
体装置を提供することにある。さらに、他の目的は、高
精度の設備を必要せず樹脂封止型半導体装置51の多ピ
ン化に容易に即応した樹脂封止型半導体装置を提供する
ことにある。
もので、特に、半導体素子搭載基板の接合領域の部材に
滞有する残留応力を低減すると共に、端子リードと半導
体素子の電極端子との所定の位置関係を容易に保持する
ことがでる経済的且つ長期信頼性の高い樹脂封止型半導
体装置を提供することにある。さらに、他の目的は、高
精度の設備を必要せず樹脂封止型半導体装置51の多ピ
ン化に容易に即応した樹脂封止型半導体装置を提供する
ことにある。
【0009】
【問題を解決するための手段】前記目的に沿う請求項1
記載の樹脂封止型半導体装置は、回路の表面領域に複数
の電極端子を備えた半導体素子と、該半導体素子を載置
固定する素子搭載領域を備えた半導体素子搭載基板と、
前記半導体素子搭載領域の周辺に隣接して配列され、前
記半導体素子の電極端子と接続される複数の端子リード
を備え、電気導通回路を形成するリードフレーム本体
と、前記半導体素子と前記半導体素子搭載基板及び前記
端子リードの一端部側とを樹脂封止した略四辺形の樹脂
封止部とを構成部材とする樹脂封止型半導体装置におい
て、前記端子リードを相互に連結支持する光硬化性のド
ライフィルムレジストの絶縁性部材で形成された枠体
(タイバー)を複数箇所に設け、且つ、その一つの枠体
の一部が前記樹脂封止部の領域から露出する位置に形成
され、前記樹脂封止部の内部に位置する一端部側には切
り曲げ形状のカシメ用突起が形成された先端部を有し、
前記樹脂封止部の外周側面の角部に向かって延在する他
端部側に於いて最終的に除去されて切断面を形成する固
定用リードが複数設けられたリードフレーム本体が使用
されており、前記固定用リードに接合固定される素子搭
載基板には前記カシメ用突起に対応する位置に貫通孔が
設けられ、該貫通孔に前記カシメ用突起を挿入して前記
素子搭載基板を前記固定用リードに係合した構成とされ
ている。
記載の樹脂封止型半導体装置は、回路の表面領域に複数
の電極端子を備えた半導体素子と、該半導体素子を載置
固定する素子搭載領域を備えた半導体素子搭載基板と、
前記半導体素子搭載領域の周辺に隣接して配列され、前
記半導体素子の電極端子と接続される複数の端子リード
を備え、電気導通回路を形成するリードフレーム本体
と、前記半導体素子と前記半導体素子搭載基板及び前記
端子リードの一端部側とを樹脂封止した略四辺形の樹脂
封止部とを構成部材とする樹脂封止型半導体装置におい
て、前記端子リードを相互に連結支持する光硬化性のド
ライフィルムレジストの絶縁性部材で形成された枠体
(タイバー)を複数箇所に設け、且つ、その一つの枠体
の一部が前記樹脂封止部の領域から露出する位置に形成
され、前記樹脂封止部の内部に位置する一端部側には切
り曲げ形状のカシメ用突起が形成された先端部を有し、
前記樹脂封止部の外周側面の角部に向かって延在する他
端部側に於いて最終的に除去されて切断面を形成する固
定用リードが複数設けられたリードフレーム本体が使用
されており、前記固定用リードに接合固定される素子搭
載基板には前記カシメ用突起に対応する位置に貫通孔が
設けられ、該貫通孔に前記カシメ用突起を挿入して前記
素子搭載基板を前記固定用リードに係合した構成とされ
ている。
【0010】請求項2記載の樹脂封止型半導体装置は、
請求項1記載の樹脂封止型半導体装置において、前記固
定用リードは、前記素子搭載基板の貫通孔に係合するV
字形状、逆台形形状叉は舌形状等のカシメ用突起を設け
た構成とされている。
請求項1記載の樹脂封止型半導体装置において、前記固
定用リードは、前記素子搭載基板の貫通孔に係合するV
字形状、逆台形形状叉は舌形状等のカシメ用突起を設け
た構成とされている。
【0011】請求項3記載の樹脂封止型半導体装置は、
請求項1記載の樹脂封止型半導体装置において、前記リ
ードフレーム本体が、前記端子リードの一端部の最上層
にAl蒸着被覆した第1の被覆層を有し、他端部の最上
層にSnを含む低溶融金属で被覆した第2の被覆層を有
し、前記第1、第2の被覆層を除く全領域叉はその一部
がアルミナ層(Al2O3)の第3の被覆層を有してなる
構成とされている。
請求項1記載の樹脂封止型半導体装置において、前記リ
ードフレーム本体が、前記端子リードの一端部の最上層
にAl蒸着被覆した第1の被覆層を有し、他端部の最上
層にSnを含む低溶融金属で被覆した第2の被覆層を有
し、前記第1、第2の被覆層を除く全領域叉はその一部
がアルミナ層(Al2O3)の第3の被覆層を有してなる
構成とされている。
【0012】
【作用】請求項1記載の樹脂封止型半導体装置において
は、半導体素子搭載基板がカシメ突起を設けた固定用リ
ードに係合された構成とされているので、従来技術の電
気絶縁性部材からなる接着剤層を介在させて接合したも
のに比べて、接合が強固となり封止樹脂を注入する際に
生じる半導体素子搭載基板位置の変動を防止することが
できる。
は、半導体素子搭載基板がカシメ突起を設けた固定用リ
ードに係合された構成とされているので、従来技術の電
気絶縁性部材からなる接着剤層を介在させて接合したも
のに比べて、接合が強固となり封止樹脂を注入する際に
生じる半導体素子搭載基板位置の変動を防止することが
できる。
【0013】さらに、前記固定用リードに設けたカシメ
用突起が接合機能と位置決め機能を有しているので、従
来技術に比べ、接合と位置決めとが一連として行うこと
ができる。
用突起が接合機能と位置決め機能を有しているので、従
来技術に比べ、接合と位置決めとが一連として行うこと
ができる。
【0014】また、搭載基板を固定用リードで接合する
ので、従来技術の接着剤の接合に比べ、端子リードが自
由端となり、部材内に発生する残留応力を防止すること
ができる。
ので、従来技術の接着剤の接合に比べ、端子リードが自
由端となり、部材内に発生する残留応力を防止すること
ができる。
【0015】また、端子リードの上、下面側からドライ
フィルムレジストの枠体を形成して端子リードを連結し
ているので、従来技術で必要としたダムバーの除去の必
要がなくなり、リード間の狭い半導体装置の多ピン化に
即応することができる。
フィルムレジストの枠体を形成して端子リードを連結し
ているので、従来技術で必要としたダムバーの除去の必
要がなくなり、リード間の狭い半導体装置の多ピン化に
即応することができる。
【0016】請求項2記載の樹脂封止型半導体装置にお
いては、固定用リードがV字、逆台形、舌状の形状のカ
シメ用突起を備えているから、搭載基板に設けた貫通孔
との係合、位置決めが容易になり、端子リードと離間し
た状態で接合することがでると共に、熱変形に即応する
ことができる。
いては、固定用リードがV字、逆台形、舌状の形状のカ
シメ用突起を備えているから、搭載基板に設けた貫通孔
との係合、位置決めが容易になり、端子リードと離間し
た状態で接合することがでると共に、熱変形に即応する
ことができる。
【0017】請求項3記載の樹脂封止型半導体装置にお
いては、第1と第2の被覆層を除く領域にアルミナ層の
第3の被覆層を備えているので、封止樹脂との密着性が
向上すると共に、電気絶縁性部材からなる接着剤層を介
在させる必要が無くなり、生産効率を向上させることが
できる。
いては、第1と第2の被覆層を除く領域にアルミナ層の
第3の被覆層を備えているので、封止樹脂との密着性が
向上すると共に、電気絶縁性部材からなる接着剤層を介
在させる必要が無くなり、生産効率を向上させることが
できる。
【0018】
【実施例】次に、上記構成及び作用を有する本発明の一
実施例について、添付した図面に基づき詳細に説明す
る。ここで、図1は本発明の樹脂封止型半導体装置の一
実施例を示す断面図、図2は本発明の樹脂封止型半導体
装置に用いた積層型リードフレームであって、リードフ
レーム本体と半導体素子搭載基板との接合及び半導体素
子を載置固定した状態を示す断面図、図3は上記の積層
型リードフレームに用いたリードフレーム本体の一例を
示す平面図、図4は上記の積層型リードフレームに用い
た半導体素子搭載基板の一例を示す平面図、図5は従来
の樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面図、図6は従
来の樹脂封止型半導体装置に用いた積層型リードフレー
ムを示す断面図、図7は従来の積層型リードフレームに
用いたリードフレーム本体の一例を示す平面図である。
以下、本発明を具体化した一例であるQFP(クワット
・フラット・パッケージ)型の樹脂封止型半導体装置に
ついて、添付した図1、図2、図3、図4に基づき説明
する。
実施例について、添付した図面に基づき詳細に説明す
る。ここで、図1は本発明の樹脂封止型半導体装置の一
実施例を示す断面図、図2は本発明の樹脂封止型半導体
装置に用いた積層型リードフレームであって、リードフ
レーム本体と半導体素子搭載基板との接合及び半導体素
子を載置固定した状態を示す断面図、図3は上記の積層
型リードフレームに用いたリードフレーム本体の一例を
示す平面図、図4は上記の積層型リードフレームに用い
た半導体素子搭載基板の一例を示す平面図、図5は従来
の樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面図、図6は従
来の樹脂封止型半導体装置に用いた積層型リードフレー
ムを示す断面図、図7は従来の積層型リードフレームに
用いたリードフレーム本体の一例を示す平面図である。
以下、本発明を具体化した一例であるQFP(クワット
・フラット・パッケージ)型の樹脂封止型半導体装置に
ついて、添付した図1、図2、図3、図4に基づき説明
する。
【0019】図1に示すように、前記樹脂封止型半導体
装置10は、内部表面領域の外周辺に沿って設けられた
信号用、電源用、及び接地用の図示しない複数の電極端
子(パット)を有する半導体素子11と、該半導体素子
11の電極端子とボンディングワイヤ20を介して接続
して電気的導通回路を形成する端子リード12と該端子
リード12の端部を連結支持する外枠13(13a、1
3b、13c、13d)(図3参照)を備え、該外枠1
3が形成する略四辺形の各角部14にV形状のカシメ用
突起15aを備えた固定用リード15を設けると共に、
前記端子リード12と前記固定用リード15の上、下面
側から前記リードを挟むように光硬化性のドライフィル
ムレジスの絶縁性部材で形成した複数の枠体16を所定
箇所に設けた該枠体で一体化されたリードフレーム本体
17(図3参照)と、該リードフレーム本体17の下面
に、前記固定用リード15に形成されたカシメ用突起1
5aと係合する貫通孔15bと半導体素子11を載置固
定する領域を設けた半導体素子搭載基板19(図4参
照)と、これらを封止樹脂で封止した樹脂封止部21と
を構成部材としている。また、半導体素子の載置固定
は、積層型リードフレーム23の形成を行った後であっ
てもよい。
装置10は、内部表面領域の外周辺に沿って設けられた
信号用、電源用、及び接地用の図示しない複数の電極端
子(パット)を有する半導体素子11と、該半導体素子
11の電極端子とボンディングワイヤ20を介して接続
して電気的導通回路を形成する端子リード12と該端子
リード12の端部を連結支持する外枠13(13a、1
3b、13c、13d)(図3参照)を備え、該外枠1
3が形成する略四辺形の各角部14にV形状のカシメ用
突起15aを備えた固定用リード15を設けると共に、
前記端子リード12と前記固定用リード15の上、下面
側から前記リードを挟むように光硬化性のドライフィル
ムレジスの絶縁性部材で形成した複数の枠体16を所定
箇所に設けた該枠体で一体化されたリードフレーム本体
17(図3参照)と、該リードフレーム本体17の下面
に、前記固定用リード15に形成されたカシメ用突起1
5aと係合する貫通孔15bと半導体素子11を載置固
定する領域を設けた半導体素子搭載基板19(図4参
照)と、これらを封止樹脂で封止した樹脂封止部21と
を構成部材としている。また、半導体素子の載置固定
は、積層型リードフレーム23の形成を行った後であっ
てもよい。
【0020】ここで、図2に示すように本発明では、前
記半導体素子搭載基板19の所定領域に、予め、熱良導
性のマウント剤24を介在させて半導体素子11を固定
した後、この半導体素子搭載基板19を前記リードフレ
ーム本体の下面側に、前記固定用リード15に設けた前
記カシメ用突起15aを前記基板19に設けた貫通孔1
5bに挿入して係合された積層型リードフレーム23が
構成されている。
記半導体素子搭載基板19の所定領域に、予め、熱良導
性のマウント剤24を介在させて半導体素子11を固定
した後、この半導体素子搭載基板19を前記リードフレ
ーム本体の下面側に、前記固定用リード15に設けた前
記カシメ用突起15aを前記基板19に設けた貫通孔1
5bに挿入して係合された積層型リードフレーム23が
構成されている。
【0021】そして、図1に示すように、ボンディング
ワイヤ20の一端部が前記素子11の電極端子の一つに
接続され、他端部が所定の前記端とリード12のワイヤ
ボンディング領域21に接続されて電気的導通回路を形
成した後、図示しない樹脂封止用金型の上型と下型のキ
ャビティ間に載置し、封止樹脂を前記キャビティ内に注
入し、前記半導体素子11、前記基板19、ボンディン
グワイヤ20及び前記端子リード12(内部リード12
a)の一端部側を封止して樹脂封止部22を形成し、該
樹脂封止部22の各側面から突出した端子リード12
(外部リード12b)を前記外枠13の各辺13a、1
3b、13c、13dから分離する加工を行い、該外部
リード12bを下方向に折り曲げた後、固定用リード1
5を封止部22の角部14で切断除去して図1に示すよ
うな樹脂封止型半導体装置10が構成されている。 続
いて、上記の半導体装置10の構成部材について説明す
る。
ワイヤ20の一端部が前記素子11の電極端子の一つに
接続され、他端部が所定の前記端とリード12のワイヤ
ボンディング領域21に接続されて電気的導通回路を形
成した後、図示しない樹脂封止用金型の上型と下型のキ
ャビティ間に載置し、封止樹脂を前記キャビティ内に注
入し、前記半導体素子11、前記基板19、ボンディン
グワイヤ20及び前記端子リード12(内部リード12
a)の一端部側を封止して樹脂封止部22を形成し、該
樹脂封止部22の各側面から突出した端子リード12
(外部リード12b)を前記外枠13の各辺13a、1
3b、13c、13dから分離する加工を行い、該外部
リード12bを下方向に折り曲げた後、固定用リード1
5を封止部22の角部14で切断除去して図1に示すよ
うな樹脂封止型半導体装置10が構成されている。 続
いて、上記の半導体装置10の構成部材について説明す
る。
【0022】図3に示す前記リードフレーム本体17
は、図示しない銅系またはFe系合金等の電気導電性の
金属条材からプレス加工叉は/及びエッチング加工など
慣用の形状加工方法によって、略四辺形の外枠13の各
辺13a、13b、13c、13dから内方向に延在
し、半導体素子11の電極端子を囲むように隣接して配
列した端子リード12(内部リード12a及び外部リー
ド12bから成る)と、前記外枠13の各角部から内方
向に延在し、前記内部リード12aの先端の包絡線より
も後退した位置には、後述する半導体素子搭載基板19
(図4参照)に設けた貫通孔と係合するV字形状のカシ
メ用突起15aを備えた広幅の先端部を有する固定用リ
ード15が設けられている。このような構成を採用する
ことによって、前記素子搭載基板19と前記リードフレ
ーム本体17との接合が接着剤層の介在なしに行うこと
ができるから、前記素子搭載基板19の領域に位置する
端子リード12などの部材が自由端となり部材中に滞有
する残留応力を著しく低減することができると共に、接
続が簡単になり作業時間を短縮することができる。さら
に、前記カシメ用突起15aが前記素子搭載基板19と
内部リード先端との位置決め及び固着の機能を備えてい
るから、半導体素子11の電極端子と内部リード先端部
との所定の位置関係を高精度に維持できる。
は、図示しない銅系またはFe系合金等の電気導電性の
金属条材からプレス加工叉は/及びエッチング加工など
慣用の形状加工方法によって、略四辺形の外枠13の各
辺13a、13b、13c、13dから内方向に延在
し、半導体素子11の電極端子を囲むように隣接して配
列した端子リード12(内部リード12a及び外部リー
ド12bから成る)と、前記外枠13の各角部から内方
向に延在し、前記内部リード12aの先端の包絡線より
も後退した位置には、後述する半導体素子搭載基板19
(図4参照)に設けた貫通孔と係合するV字形状のカシ
メ用突起15aを備えた広幅の先端部を有する固定用リ
ード15が設けられている。このような構成を採用する
ことによって、前記素子搭載基板19と前記リードフレ
ーム本体17との接合が接着剤層の介在なしに行うこと
ができるから、前記素子搭載基板19の領域に位置する
端子リード12などの部材が自由端となり部材中に滞有
する残留応力を著しく低減することができると共に、接
続が簡単になり作業時間を短縮することができる。さら
に、前記カシメ用突起15aが前記素子搭載基板19と
内部リード先端との位置決め及び固着の機能を備えてい
るから、半導体素子11の電極端子と内部リード先端部
との所定の位置関係を高精度に維持できる。
【0023】また、本実施例では、図3に示すように、
前記リードフレーム本体17には、前記内部リード12
aと前記固定用リード15の上下両面側からこれを相互
に連結すると共に、封止樹脂の流出を防ぐ光硬化性ドラ
イフィルムレジストの電気絶縁性の枠体16が、ワイヤ
ボンディング領域21に隣接する位置Aと樹脂封止部の
境界領域の位置B及び中間位置Cに設けられている。こ
のような構成を採用することによって、前記素子搭載基
板19と内部リードとを離間して接続でき、且つ、ワイ
ヤボンディング時の内部リード12aの撓みを防止する
ことができる。さらに、従来の技術で必要としたダムバ
ー58(図7参照)の除去を必要としなくなるから、リ
ード間隔の極めて狭い多ピン系の半導体装置の要求に即
応することができる。
前記リードフレーム本体17には、前記内部リード12
aと前記固定用リード15の上下両面側からこれを相互
に連結すると共に、封止樹脂の流出を防ぐ光硬化性ドラ
イフィルムレジストの電気絶縁性の枠体16が、ワイヤ
ボンディング領域21に隣接する位置Aと樹脂封止部の
境界領域の位置B及び中間位置Cに設けられている。こ
のような構成を採用することによって、前記素子搭載基
板19と内部リードとを離間して接続でき、且つ、ワイ
ヤボンディング時の内部リード12aの撓みを防止する
ことができる。さらに、従来の技術で必要としたダムバ
ー58(図7参照)の除去を必要としなくなるから、リ
ード間隔の極めて狭い多ピン系の半導体装置の要求に即
応することができる。
【0024】さらにまた、図1に示すように、前記リー
ドフレーム本体17には、前記内部リード12a先端の
ワイヤボンデング領域21の最上層にAl蒸着した第1
の被覆層26を、外部リードの端部の最上層に低溶融合
金等の第2の被膜層27を、そして、第1と第2の被膜
層との中間領域の全て叉は一部の最上層にアルミナ層
(Al2O3)を備えた第3の被覆層28をが形成されて
いる。このような構成を採用することにより、従来技術
で用いた絶縁層の介在の必要がなくなり、生産効率が向
上すると共に、封止樹脂との密着性を向上することがで
きる。ここで、表面被覆処理を形状加工後に行ったが、
予め、Al蒸着した電気導伝性金属材から第1、2、3
の被覆層の形成を行うこともできる。
ドフレーム本体17には、前記内部リード12a先端の
ワイヤボンデング領域21の最上層にAl蒸着した第1
の被覆層26を、外部リードの端部の最上層に低溶融合
金等の第2の被膜層27を、そして、第1と第2の被膜
層との中間領域の全て叉は一部の最上層にアルミナ層
(Al2O3)を備えた第3の被覆層28をが形成されて
いる。このような構成を採用することにより、従来技術
で用いた絶縁層の介在の必要がなくなり、生産効率が向
上すると共に、封止樹脂との密着性を向上することがで
きる。ここで、表面被覆処理を形状加工後に行ったが、
予め、Al蒸着した電気導伝性金属材から第1、2、3
の被覆層の形成を行うこともできる。
【0025】つぎに、図4に示すように、前記リードフ
レームに係合する半導体素子搭載基板19は、高熱伝導
性部材の一例であるアルミニュウムの条材からプレス加
工叉はエッチング加工により、中央部に半導体素子11
を搭載する所要の搭載領域18と前記固定用リード15
に備えた前記カシメ用突起15aに係合する位置に設け
た所要の貫通孔15bと前記内部リード12a間に位置
する領域に透孔25を設けた略四辺形の放熱機能を備え
た半導体素子搭載用部材の形状加工を行い、該部材の表
面最上層にアルミナ層29を形成した構成としたもので
ある。このような構成を採用することによって、予め、
前記基板19に前記素子11を搭載した状態で前記リー
ドフレーム本体17に接合することができる。更に、素
子11の発熱を効率よく拡散することができる。以上、
本発明の実施例を説明したが、本発明はこのような実施
例に限定されるものではなく細部の構成部材において、
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で変更することがで
きる
レームに係合する半導体素子搭載基板19は、高熱伝導
性部材の一例であるアルミニュウムの条材からプレス加
工叉はエッチング加工により、中央部に半導体素子11
を搭載する所要の搭載領域18と前記固定用リード15
に備えた前記カシメ用突起15aに係合する位置に設け
た所要の貫通孔15bと前記内部リード12a間に位置
する領域に透孔25を設けた略四辺形の放熱機能を備え
た半導体素子搭載用部材の形状加工を行い、該部材の表
面最上層にアルミナ層29を形成した構成としたもので
ある。このような構成を採用することによって、予め、
前記基板19に前記素子11を搭載した状態で前記リー
ドフレーム本体17に接合することができる。更に、素
子11の発熱を効率よく拡散することができる。以上、
本発明の実施例を説明したが、本発明はこのような実施
例に限定されるものではなく細部の構成部材において、
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で変更することがで
きる
【0026】
【発明の効果】以上の実施例に基づいて説明したよう
に、本発明の半導体装置を用いると、素子搭載基板19
に設けた貫通孔15bにリードフレーム本体17に備え
たカシメ用突起15aを挿入して前記基板と前記本体1
7とを係合した構成とされているので、従来技術で接着
剤層を介して接合したものに比べて、半導体素子搭載基
板19の領域内に位置する部材中に生じるに残留応力が
著しく減少するとともに、接合強度が増し、端子リード
12と半導体素子の電極端子との位置関係を高精度に維
持した経済的且つ長期信頼性の高い樹脂封止型半導体装
置を得ることができる。
に、本発明の半導体装置を用いると、素子搭載基板19
に設けた貫通孔15bにリードフレーム本体17に備え
たカシメ用突起15aを挿入して前記基板と前記本体1
7とを係合した構成とされているので、従来技術で接着
剤層を介して接合したものに比べて、半導体素子搭載基
板19の領域内に位置する部材中に生じるに残留応力が
著しく減少するとともに、接合強度が増し、端子リード
12と半導体素子の電極端子との位置関係を高精度に維
持した経済的且つ長期信頼性の高い樹脂封止型半導体装
置を得ることができる。
【図1】本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図2】本発明の樹脂封止型半導体装置に用いた積層型
リードフレームを示す断面図である。
リードフレームを示す断面図である。
【図3】上記の積層型リードフレームを構成するリード
フレーム本体の一例を示す平面図である。
フレーム本体の一例を示す平面図である。
【図4】上記の積層型リードフレームに用いた半導体素
子搭載基板の一例を示す平面図である。
子搭載基板の一例を示す平面図である。
【図5】従来の樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面
図である。
図である。
【図6】従来の樹脂封止型半導体装置に用いた積層型リ
ードフレームを示す断面図である。
ードフレームを示す断面図である。
【図7】従来の積層型リードフレームを構成するリード
フレーム本体の一例を示す平面図である。
フレーム本体の一例を示す平面図である。
10 樹脂封止型半導体装置 11 半導体素子 12 端子リード 12a 内部リード 12b 外部リード 13 外枠 14 角部 15 固定用リード 15a カシメ用突起 15b 貫通孔 16 光硬化性ドライフィルムレジストの枠体 17 リードフレーム本体 18 半導体素子搭載領域 19 半導体素子搭載基板 20 ボンデングワイヤ 21 ワイヤボンディング領域 22 樹脂封止部 23 積層型リードフレーム 24 マウント剤 25 透孔 26 第1の被覆層 27 第2の被覆層 28 第3の被覆層 29 アルミナ層(Al2O3)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/50 F
Claims (3)
- 【請求項1】 回路の表面領域に複数の電極端子を備え
た半導体素子と、該半導体素子を載置固定する領域を備
えた半導体素子搭載基板と、前記半導体素子搭載領域の
周辺に隣接して配列され、前記半導体素子の電極端子と
接続される複数の端子リードを備えた電気導通回路を形
成するリードフレーム本体と、前記半導体素子と前記半
導体素子搭載基板及び前記端子リードの一端部側とを封
止した略四辺形の樹脂封止部とを構成部材とする樹脂封
止型半導体装置において、 前記端子リードを相互に連結支持する光硬化性のドライ
フィルムレジストの絶縁性の部材で形成された枠体(タ
イバー)を複数箇所に設け、且つ、その一つの枠体の一
部が前記樹脂封止部の領域から露出する位置に形成さ
れ、前記樹脂封止部の内部に位置する一端部側には切り
曲げ形状のカシメ用突起が形成された先端部を有し、前
記樹脂封止部の外周側面の角部に向かって延在する他端
部側に於いて最終的に除去されて切断面を形成する固定
用リードが複数設けられたリードフレーム本体が使用さ
れており、前記固定用リードに接合固定される前記半導
体素子搭載基板には前記カシメ用突起に対応する位置に
貫通孔が設けられ、該貫通孔に前記カシメ用突起を挿入
して前記素子搭載基板を前記固定用リードに係合した構
成とされたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項2】 前記固定用リードは、前記素子搭載基板
の貫通孔に係合するV字形状、逆台形形状叉は舌形状等
のカシメ用突起を設けた構成としたことを特徴とする請
求項1記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項3】 前記リードフレーム本体が、前記端子リ
ードの一端部の最上層にAl蒸着被覆した第1の被覆層
を有し、他端部の最上層にSnを含む低溶融金属で被覆
した第2の被覆層を有し、前記第1、第2の被覆層を除
く全領域叉はその一部がアルミナ層(Al2O3)の第3
の被覆層を有してなることを特徴とする請求項1記載の
樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28054993A JPH08162568A (ja) | 1993-10-13 | 1993-10-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28054993A JPH08162568A (ja) | 1993-10-13 | 1993-10-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08162568A true JPH08162568A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17626609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28054993A Pending JPH08162568A (ja) | 1993-10-13 | 1993-10-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08162568A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120127693A1 (en) * | 2010-11-23 | 2012-05-24 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Light-permeating cover board, method of fabricating the same, and package having the same |
-
1993
- 1993-10-13 JP JP28054993A patent/JPH08162568A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120127693A1 (en) * | 2010-11-23 | 2012-05-24 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Light-permeating cover board, method of fabricating the same, and package having the same |
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