JPH0815574A - 光伝送モジュール及びその光結合構造の実装方法 - Google Patents
光伝送モジュール及びその光結合構造の実装方法Info
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- JPH0815574A JPH0815574A JP14933094A JP14933094A JPH0815574A JP H0815574 A JPH0815574 A JP H0815574A JP 14933094 A JP14933094 A JP 14933094A JP 14933094 A JP14933094 A JP 14933094A JP H0815574 A JPH0815574 A JP H0815574A
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光通信、光ローカルエリアネットワーク、光
インターフェイス等に利用される光伝送モジュールにお
いて、隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロ
ストークを低減させ、信頼性の高い光伝送モジュールを
提供することである。 【構成】 回路基板２上に端面発光型半導体光素子アレ
イ１ａを固定し、その端面発光型半導体光素子アレイ１
ａと回路基板２とを金属細線３により接続するととも
に、端面発光型半導体光素子アレイ１ａとマルチモード
光ファイバアレイ６を対向させて光結合する光伝送モジ
ュールにおいて、それら端面発光型半導体光素子アレイ
１ａと金属細線３との間及びその周囲に遮光部７を形成
することでマルチモード光ファイバアレイ６方向への反
射を防止する。
インターフェイス等に利用される光伝送モジュールにお
いて、隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロ
ストークを低減させ、信頼性の高い光伝送モジュールを
提供することである。 【構成】 回路基板２上に端面発光型半導体光素子アレ
イ１ａを固定し、その端面発光型半導体光素子アレイ１
ａと回路基板２とを金属細線３により接続するととも
に、端面発光型半導体光素子アレイ１ａとマルチモード
光ファイバアレイ６を対向させて光結合する光伝送モジ
ュールにおいて、それら端面発光型半導体光素子アレイ
１ａと金属細線３との間及びその周囲に遮光部７を形成
することでマルチモード光ファイバアレイ６方向への反
射を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大容量及び高速な画像
データ伝送、及び、光インターコネクション等に応用さ
れる光通信、光ローカルエリアネットワーク、光インタ
ーフェイス等における光伝送モジュール及びその光結合
構造の実装方法に関するものである。
データ伝送、及び、光インターコネクション等に応用さ
れる光通信、光ローカルエリアネットワーク、光インタ
ーフェイス等における光伝送モジュール及びその光結合
構造の実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光伝送モジュールにおいて、その光伝送
モジュールに用いる発光素子アレイの発光素子として、
一般的に端面発光型半導体光素子が用いられる。それ
は、この端面発光型半導体光素子が活性層と平行方向に
光を取り出す発光素子であり、その取り出した光のスペ
クトル幅が狭いことと、放射角が狭いことから、光ファ
イバとの結合効率を高くできるためである。また、端面
発光型半導体光素子アレイは原理的に各端面ごとに全て
の端面から光を発するので、その光は下方向を除く前後
左右の四方向、及び、上方向に発せられる。ところが、
光伝送モジュールでは、光ファイバに対向する一端面か
ら発せられる光のみを伝送光信号として利用しているの
で、他の端面から発せられる光は不必要である。さら
に、端面発光型半導体光素子アレイとしては、駆動回路
より電流を流入する接続領域と発光領域とを一体に形成
する端面発光型半導体光素子アレイと、駆動回路より電
流を流入する接続領域とその接続領域より電流を注入す
る発光領域とを区別して形成する端面発光型半導体光素
子アレイとがある。
モジュールに用いる発光素子アレイの発光素子として、
一般的に端面発光型半導体光素子が用いられる。それ
は、この端面発光型半導体光素子が活性層と平行方向に
光を取り出す発光素子であり、その取り出した光のスペ
クトル幅が狭いことと、放射角が狭いことから、光ファ
イバとの結合効率を高くできるためである。また、端面
発光型半導体光素子アレイは原理的に各端面ごとに全て
の端面から光を発するので、その光は下方向を除く前後
左右の四方向、及び、上方向に発せられる。ところが、
光伝送モジュールでは、光ファイバに対向する一端面か
ら発せられる光のみを伝送光信号として利用しているの
で、他の端面から発せられる光は不必要である。さら
に、端面発光型半導体光素子アレイとしては、駆動回路
より電流を流入する接続領域と発光領域とを一体に形成
する端面発光型半導体光素子アレイと、駆動回路より電
流を流入する接続領域とその接続領域より電流を注入す
る発光領域とを区別して形成する端面発光型半導体光素
子アレイとがある。
【０００３】発光領域と接続領域とを一体に形成する端
面発光型半導体光素子アレイは、光通信用端面発光型半
導体光素子アレイの一般的な構造であり、発光領域の各
発光ビット上面に配線パッドが形成されている。そし
て、発光領域の配線パッドに直接ボンディングを行なう
ことにより、回路基板上の駆動回路と発光領域の各発光
ビットとが電気的に接続されている。
面発光型半導体光素子アレイは、光通信用端面発光型半
導体光素子アレイの一般的な構造であり、発光領域の各
発光ビット上面に配線パッドが形成されている。そし
て、発光領域の配線パッドに直接ボンディングを行なう
ことにより、回路基板上の駆動回路と発光領域の各発光
ビットとが電気的に接続されている。
【０００４】また、発光領域と接続領域とを区別して形
成する端面発光型半導体光素子アレイは、発光領域の各
発光ビット上面に上部電極面が形成されており、接続領
域に配線パッドが形成されている。そして、発光領域と
接続領域とを区別して形成したうえで、それら発光領域
の上部電極面と接続領域の配線パッドが端面発光型半導
体光素子アレイ上の金属配線によって接続されている。
そして、接続領域の配線パッドに直接ボンディングを行
なうことにより、回路基板上の駆動回路と発光領域の各
発光ビットとが電気的に接続されている。
成する端面発光型半導体光素子アレイは、発光領域の各
発光ビット上面に上部電極面が形成されており、接続領
域に配線パッドが形成されている。そして、発光領域と
接続領域とを区別して形成したうえで、それら発光領域
の上部電極面と接続領域の配線パッドが端面発光型半導
体光素子アレイ上の金属配線によって接続されている。
そして、接続領域の配線パッドに直接ボンディングを行
なうことにより、回路基板上の駆動回路と発光領域の各
発光ビットとが電気的に接続されている。
【０００５】上述のような端面発光型半導体光素子アレ
イを駆動させるためには駆動回路と電気的に接続する必
要があり、そのための実装方法としてボンディングワイ
ヤーを用いたワイヤーボンディング方式が一般的に採用
されている。ここで、端面発光型半導体光素子アレイの
光ファイバアレイと対向する方向を前方とする。端面発
光型半導体光素子アレイと光ファイバアレイは同一の配
列ピッチで列状に配列されているうえに、端面発光型半
導体光素子アレイと光ファイバアレイとは対向するよう
に実装する必要があるので、ボンディングワイヤーは端
面発光型半導体光素子アレイの後部に実装され、駆動回
路は端面発光型半導体光素子アレイの後方に実装され
る。また、端面発光型半導体光素子アレイ上の接続領域
と駆動回路のリード配線とをＡｕ線やＡｌ線などのボン
ディングワイヤーで接続するワイヤーボンディング方式
の代表的なものとして、超音波方式、熱圧着方式、サー
モソニック方式（超音波熱圧着併用）がある。これらの
方式は、ボンディングワイヤーの線材の金属原子が、駆
動回路又は端面発光型半導体光素子アレイの配線パッド
の金属組織へ拡散し、線材の金属原子と配線パッドの金
属組織とが連続的な原子構造を形成することにより接合
が行なわれるので、線材の金属原子が配線パッドの金属
組織へ拡散する際に要するエネルギーを熱、加工圧、超
音波の形で与える。このとき、塑性変形された接合部分
はそのエネルギーの与え方の違いにより、ボール状にな
ったり、扁平な形になったりする。たとえば、現在主流
となっているＡｕ製のボンディングワイヤーを用いたサ
ーモソニック方式においては、１st. 側で熱圧着と超音
波によってボール状に、２nd. 側で超音波によって扁平
な形状となる。この方式によって、端面発光型半導体光
素子アレイ上の接続領域に１st. 側の方法を行なったと
き、接合部分が外形９０〜１１０μｍ程度にコントロー
ルされボンディングされたボール状となり、一般にネー
ルヘッドボンディングと呼ばれるボールボンディングの
実装形態であるＡｕ製の金属ボール面を形成する。
イを駆動させるためには駆動回路と電気的に接続する必
要があり、そのための実装方法としてボンディングワイ
ヤーを用いたワイヤーボンディング方式が一般的に採用
されている。ここで、端面発光型半導体光素子アレイの
光ファイバアレイと対向する方向を前方とする。端面発
光型半導体光素子アレイと光ファイバアレイは同一の配
列ピッチで列状に配列されているうえに、端面発光型半
導体光素子アレイと光ファイバアレイとは対向するよう
に実装する必要があるので、ボンディングワイヤーは端
面発光型半導体光素子アレイの後部に実装され、駆動回
路は端面発光型半導体光素子アレイの後方に実装され
る。また、端面発光型半導体光素子アレイ上の接続領域
と駆動回路のリード配線とをＡｕ線やＡｌ線などのボン
ディングワイヤーで接続するワイヤーボンディング方式
の代表的なものとして、超音波方式、熱圧着方式、サー
モソニック方式（超音波熱圧着併用）がある。これらの
方式は、ボンディングワイヤーの線材の金属原子が、駆
動回路又は端面発光型半導体光素子アレイの配線パッド
の金属組織へ拡散し、線材の金属原子と配線パッドの金
属組織とが連続的な原子構造を形成することにより接合
が行なわれるので、線材の金属原子が配線パッドの金属
組織へ拡散する際に要するエネルギーを熱、加工圧、超
音波の形で与える。このとき、塑性変形された接合部分
はそのエネルギーの与え方の違いにより、ボール状にな
ったり、扁平な形になったりする。たとえば、現在主流
となっているＡｕ製のボンディングワイヤーを用いたサ
ーモソニック方式においては、１st. 側で熱圧着と超音
波によってボール状に、２nd. 側で超音波によって扁平
な形状となる。この方式によって、端面発光型半導体光
素子アレイ上の接続領域に１st. 側の方法を行なったと
き、接合部分が外形９０〜１１０μｍ程度にコントロー
ルされボンディングされたボール状となり、一般にネー
ルヘッドボンディングと呼ばれるボールボンディングの
実装形態であるＡｕ製の金属ボール面を形成する。
【０００６】ところで、端面発光型半導体光素子アレイ
と光ファイバアレイとの光結合構造を有する光伝送モジ
ュールにおいて、使用する端面発光型半導体光素子アレ
イと光ファイバアレイとの組み合わせの一つとして、端
面発光型発光ダイオードアレイとマルチモード光ファイ
バアレイとの組み合わせがある。この組み合わせにより
構成された光伝送モジュールは、マルチモード光ファイ
バアレイのコア径が５０μｍ程度と大きいために位置合
わせが容易であるが、隣接するマルチモード光ファイバ
間の光学的クロストークによる大きな問題がある。それ
は、マルチモード光ファイバのコア径が大きいことによ
って、実装されたボンディングワイヤー等によりマルチ
モード光ファイバ方向へ反射された光がマルチモード光
ファイバの開口端面内へ入射しやすくなり、さらに、端
面発光型発光ダイオードアレイの各発光ビットが原理的
に前後左右の四方向に発光していることによって、その
各発光ビットより発せられた光が実装されているボンデ
ィングワイヤー等によって反射されるとともに、各発光
ビットからの光学的クロストーク成分が発せられる等の
理由により隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的
クロストークが強くなるためである。このように、５０
μｍ程度のコア径の大きいマルチモード光ファイバアレ
イと端面発光型発光ダイオードアレイとを使用するとき
には、隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロ
ストークが強い。
と光ファイバアレイとの光結合構造を有する光伝送モジ
ュールにおいて、使用する端面発光型半導体光素子アレ
イと光ファイバアレイとの組み合わせの一つとして、端
面発光型発光ダイオードアレイとマルチモード光ファイ
バアレイとの組み合わせがある。この組み合わせにより
構成された光伝送モジュールは、マルチモード光ファイ
バアレイのコア径が５０μｍ程度と大きいために位置合
わせが容易であるが、隣接するマルチモード光ファイバ
間の光学的クロストークによる大きな問題がある。それ
は、マルチモード光ファイバのコア径が大きいことによ
って、実装されたボンディングワイヤー等によりマルチ
モード光ファイバ方向へ反射された光がマルチモード光
ファイバの開口端面内へ入射しやすくなり、さらに、端
面発光型発光ダイオードアレイの各発光ビットが原理的
に前後左右の四方向に発光していることによって、その
各発光ビットより発せられた光が実装されているボンデ
ィングワイヤー等によって反射されるとともに、各発光
ビットからの光学的クロストーク成分が発せられる等の
理由により隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的
クロストークが強くなるためである。このように、５０
μｍ程度のコア径の大きいマルチモード光ファイバアレ
イと端面発光型発光ダイオードアレイとを使用するとき
には、隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロ
ストークが強い。
【０００７】さらに、マルチモード光ファイバアレイと
端面発光型発光ダイオードアレイとを組み合わせて構成
する光伝送モジュールにおいては、その実装形態により
隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロストー
クのクロストークレベルが大小に変動する。そこで、端
面発光型発光ダイオードアレイが、発光領域と接続領域
とを一体に形成する場合と、発光領域と接続領域とを区
別して形成する場合における隣接するマルチモード光フ
ァイバ間の光学的クロストークについて述べる。
端面発光型発光ダイオードアレイとを組み合わせて構成
する光伝送モジュールにおいては、その実装形態により
隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロストー
クのクロストークレベルが大小に変動する。そこで、端
面発光型発光ダイオードアレイが、発光領域と接続領域
とを一体に形成する場合と、発光領域と接続領域とを区
別して形成する場合における隣接するマルチモード光フ
ァイバ間の光学的クロストークについて述べる。
【０００８】まず、端面発光型発光ダイオードアレイ
が、発光領域と接続領域とを一体に形成する場合におけ
る隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロスト
ークについて述べる。この端面発光型発光ダイオードア
レイの発光領域上には接続領域があり、その発光領域の
各発光ビットの上部電極面のパッド部に金属製の配線パ
ッドがある。そして、これら配線パッドと駆動回路とを
ワイヤーボンディング方式によってボンディングする。
この実装されたボンディングワイヤーの細線部分により
マルチモード光ファイバアレイ方向へ反射した光が、隣
接するマルチモード光ファイバの開口端面内へ入射する
と、隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロス
トークとなる。また、発光領域の各発光ビットの周囲に
形成されたものによって、マルチモード光ファイバアレ
イ方向へ反射した光も隣接するマルチモード光ファイバ
の開口端面内へ入射すると、隣接するマルチモード光フ
ァイバ間の光学的クロストークとなる。
が、発光領域と接続領域とを一体に形成する場合におけ
る隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロスト
ークについて述べる。この端面発光型発光ダイオードア
レイの発光領域上には接続領域があり、その発光領域の
各発光ビットの上部電極面のパッド部に金属製の配線パ
ッドがある。そして、これら配線パッドと駆動回路とを
ワイヤーボンディング方式によってボンディングする。
この実装されたボンディングワイヤーの細線部分により
マルチモード光ファイバアレイ方向へ反射した光が、隣
接するマルチモード光ファイバの開口端面内へ入射する
と、隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロス
トークとなる。また、発光領域の各発光ビットの周囲に
形成されたものによって、マルチモード光ファイバアレ
イ方向へ反射した光も隣接するマルチモード光ファイバ
の開口端面内へ入射すると、隣接するマルチモード光フ
ァイバ間の光学的クロストークとなる。
【０００９】つぎに、端面発光型発光ダイオードアレイ
が、発光領域と接続領域とを区別して形成する場合にお
ける隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロス
トークについて述べる。この端面発光型発光ダイオード
アレイの接続領域にある金属製の配線パッドと駆動回路
とをワイヤーボンディング方式によってボンディングす
る。そして、ワイヤーボンディング方式としてサーモソ
ニック方式を用い、配線パッド側をサーモソニック方式
の１st. 側とする、ボールボンディングの実装形態が一
般的にとられている。このとき形成された金属ボール面
によりマルチモード光ファイバアレイ方向へ反射した光
が、隣接するマルチモード光ファイバ光の開口端面内へ
入射すると、隣接するマルチモード光ファイバ間の光学
的クロストークとなる。また、各発光ビットの周囲に形
成されたものによりマルチモード光ファイバアレイ方向
へ反射した光も、隣接するマルチモード光ファイバの開
口端面内へ入射すると、隣接するマルチモード光ファイ
バ間の光学的クロストークとなる。
が、発光領域と接続領域とを区別して形成する場合にお
ける隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロス
トークについて述べる。この端面発光型発光ダイオード
アレイの接続領域にある金属製の配線パッドと駆動回路
とをワイヤーボンディング方式によってボンディングす
る。そして、ワイヤーボンディング方式としてサーモソ
ニック方式を用い、配線パッド側をサーモソニック方式
の１st. 側とする、ボールボンディングの実装形態が一
般的にとられている。このとき形成された金属ボール面
によりマルチモード光ファイバアレイ方向へ反射した光
が、隣接するマルチモード光ファイバ光の開口端面内へ
入射すると、隣接するマルチモード光ファイバ間の光学
的クロストークとなる。また、各発光ビットの周囲に形
成されたものによりマルチモード光ファイバアレイ方向
へ反射した光も、隣接するマルチモード光ファイバの開
口端面内へ入射すると、隣接するマルチモード光ファイ
バ間の光学的クロストークとなる。
【００１０】そして、端面発光型発光ダイオードアレイ
が、発光領域と接続領域とを一体に形成する場合と、発
光領域と接続領域とを区別して形成する場合における隣
接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロストーク
の強さを比較すると、その光学的クロストークの強さは
端面発光型発光ダイオードアレイが発光領域と接続領域
とを区別して形成する場合の方が大きい。それは、端面
発光型発光ダイオードアレイが発光領域と接続領域とを
一体に形成し保持している場合には、端面発光型発光ダ
イオードアレイから発せられる光が、その光を発する各
発光ビットと駆動回路とを接続するボンディングワイヤ
ーにより主に反射されるが、端面発光型発光ダイオード
アレイが発光領域と接続領域とを区別して形成する場合
には、端面発光型発光ダイオードアレイから発せられる
光が、その光を発する発光ビットと駆動回路とを電気的
に接続する金属ボール面のみでなく、隣接する金属ボー
ル面等によっても反射されるためである。もちろん、反
射光全てが隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的
クロストークとなるわけではなく、マルチモード光ファ
イバアレイ方向へ反射された光が、隣接するマルチモー
ド光ファイバの開口端面内へ入射したとき、隣接するマ
ルチモード光ファイバ間の光学的クロストークとなる。
が、発光領域と接続領域とを一体に形成する場合と、発
光領域と接続領域とを区別して形成する場合における隣
接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロストーク
の強さを比較すると、その光学的クロストークの強さは
端面発光型発光ダイオードアレイが発光領域と接続領域
とを区別して形成する場合の方が大きい。それは、端面
発光型発光ダイオードアレイが発光領域と接続領域とを
一体に形成し保持している場合には、端面発光型発光ダ
イオードアレイから発せられる光が、その光を発する各
発光ビットと駆動回路とを接続するボンディングワイヤ
ーにより主に反射されるが、端面発光型発光ダイオード
アレイが発光領域と接続領域とを区別して形成する場合
には、端面発光型発光ダイオードアレイから発せられる
光が、その光を発する発光ビットと駆動回路とを電気的
に接続する金属ボール面のみでなく、隣接する金属ボー
ル面等によっても反射されるためである。もちろん、反
射光全てが隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的
クロストークとなるわけではなく、マルチモード光ファ
イバアレイ方向へ反射された光が、隣接するマルチモー
ド光ファイバの開口端面内へ入射したとき、隣接するマ
ルチモード光ファイバ間の光学的クロストークとなる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、端面発
光型発光ダイオードアレイとマルチモード光ファイバア
レイとの組み合わせにより構成された光伝送モジュール
では、５０μｍ程度のコア径の大きいマルチモード光フ
ァイバアレイを用いたとき、コア径が５０μｍ程度と大
きいために位置合わせは容易であるが、隣接するマルチ
モード光ファイバ間の光学的クロストークがある。
光型発光ダイオードアレイとマルチモード光ファイバア
レイとの組み合わせにより構成された光伝送モジュール
では、５０μｍ程度のコア径の大きいマルチモード光フ
ァイバアレイを用いたとき、コア径が５０μｍ程度と大
きいために位置合わせは容易であるが、隣接するマルチ
モード光ファイバ間の光学的クロストークがある。
【００１２】さらに、発光領域と接続領域とを一体に形
成する端面発光型発光ダイオードアレイである場合に
は、端面発光型発光ダイオードアレイから発せられる光
が、その光を発した発光ビットと駆動回路とを接続する
ボンディングワイヤーによってマルチモード光ファイバ
アレイ方向へ反射し、隣接するマルチモード光ファイバ
の開口端面内へ入射すると、隣接するマルチモード光フ
ァイバ間の光学的クロストークとなる。
成する端面発光型発光ダイオードアレイである場合に
は、端面発光型発光ダイオードアレイから発せられる光
が、その光を発した発光ビットと駆動回路とを接続する
ボンディングワイヤーによってマルチモード光ファイバ
アレイ方向へ反射し、隣接するマルチモード光ファイバ
の開口端面内へ入射すると、隣接するマルチモード光フ
ァイバ間の光学的クロストークとなる。
【００１３】また、発光領域と接続領域とを区別して形
成する端面発光型発光ダイオードアレイである場合に
は、端面発光型発光ダイオードアレイから発せられる光
が、その光を発した各発光ビットと電気的に接続した金
属ボール面及び隣接する金属ボール面等によって、マル
チモード光ファイバアレイ方向へ反射し、隣接するマル
チモード光ファイバの開口端面内へ入射すると、隣接す
るマルチモード光ファイバ間の光学的クロストークとな
る。
成する端面発光型発光ダイオードアレイである場合に
は、端面発光型発光ダイオードアレイから発せられる光
が、その光を発した各発光ビットと電気的に接続した金
属ボール面及び隣接する金属ボール面等によって、マル
チモード光ファイバアレイ方向へ反射し、隣接するマル
チモード光ファイバの開口端面内へ入射すると、隣接す
るマルチモード光ファイバ間の光学的クロストークとな
る。
【００１４】この隣接するマルチモード光ファイバ間の
光学的クロストークの存在、及び、その強さは、データ
通信上の伝送品質の劣化、つまり、信号の誤り率を悪化
させる原因となる。そのため、隣接するマルチモード光
ファイバ間の光学的クロストークの存在、及び、その強
さは、データ通信上の問題点となる。
光学的クロストークの存在、及び、その強さは、データ
通信上の伝送品質の劣化、つまり、信号の誤り率を悪化
させる原因となる。そのため、隣接するマルチモード光
ファイバ間の光学的クロストークの存在、及び、その強
さは、データ通信上の問題点となる。
【００１５】本発明は上述した問題点に鑑みなされたも
ので、将来における大容量のデータ伝送時代に備えて、
隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロストー
クを防止し、さらには位置合わせの容易な信頼性の高い
光伝送モジュール及びその光結合構造の実装方法を提供
することを目的とする。
ので、将来における大容量のデータ伝送時代に備えて、
隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロストー
クを防止し、さらには位置合わせの容易な信頼性の高い
光伝送モジュール及びその光結合構造の実装方法を提供
することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、駆動回路が搭載された基板上に端面発光型半導体光
素子アレイを固定し、端面発光型半導体光素子アレイの
半導体光素子と駆動回路とを金属細線により接続すると
ともに、端面発光型半導体光素子アレイとマルチモード
光ファイバアレイを対向させて光結合する光伝送モジュ
ールにおいて、マルチモード光ファイバアレイ方向への
反射光を防止する遮光手段を設ける。
は、駆動回路が搭載された基板上に端面発光型半導体光
素子アレイを固定し、端面発光型半導体光素子アレイの
半導体光素子と駆動回路とを金属細線により接続すると
ともに、端面発光型半導体光素子アレイとマルチモード
光ファイバアレイを対向させて光結合する光伝送モジュ
ールにおいて、マルチモード光ファイバアレイ方向への
反射光を防止する遮光手段を設ける。
【００１７】請求項２記載の発明では、端面発光型半導
体光素子アレイの発光領域と接続領域とを一体に形成す
る。
体光素子アレイの発光領域と接続領域とを一体に形成す
る。
【００１８】請求項３記載の発明では、端面発光型半導
体光素子アレイの発光領域と接続領域とを区別して形成
する。
体光素子アレイの発光領域と接続領域とを区別して形成
する。
【００１９】請求項４記載の発明では、端面発光型半導
体光素子アレイの発光領域の層構造と同一の層構造を成
す遮光ブロック層により遮光手段を形成する。
体光素子アレイの発光領域の層構造と同一の層構造を成
す遮光ブロック層により遮光手段を形成する。
【００２０】請求項５記載の発明では、前記発光領域よ
り発せられる光が前記マルチモード光アレイ方向へ反射
しない方向を向く前記接続領域上の金属細線の接合部分
の反射面により遮光手段を形成する。
り発せられる光が前記マルチモード光アレイ方向へ反射
しない方向を向く前記接続領域上の金属細線の接合部分
の反射面により遮光手段を形成する。
【００２１】請求項６記載の発明では、駆動回路が搭載
された基板上に端面発光型半導体光素子アレイを固定
し、端面発光型半導体光素子アレイの半導体光素子と駆
動回路とを金属細線により接続するとともに、端面発光
型半導体光素子アレイとマルチモード光ファイバアレイ
を対向させて光結合する光伝送モジュールにおいて、マ
ルチモード光ファイバアレイの配列ピッチを規定する溝
を形成した複数の光ファイバ整列用ガイド基板によりマ
ルチモード光ファイバアレイを挾むようにして固定する
とともに、少なくとも一つの光ファイバ整列用ガイド基
板の端面をマルチモード光ファイバアレイの端面より端
面発光型半導体光素子アレイ方向へずらして固定する。
された基板上に端面発光型半導体光素子アレイを固定
し、端面発光型半導体光素子アレイの半導体光素子と駆
動回路とを金属細線により接続するとともに、端面発光
型半導体光素子アレイとマルチモード光ファイバアレイ
を対向させて光結合する光伝送モジュールにおいて、マ
ルチモード光ファイバアレイの配列ピッチを規定する溝
を形成した複数の光ファイバ整列用ガイド基板によりマ
ルチモード光ファイバアレイを挾むようにして固定する
とともに、少なくとも一つの光ファイバ整列用ガイド基
板の端面をマルチモード光ファイバアレイの端面より端
面発光型半導体光素子アレイ方向へずらして固定する。
【００２２】
【作用】請求項１記載の発明においては、駆動回路が搭
載された基板上に端面発光型半導体光素子アレイを固定
し、端面発光型半導体光素子アレイの半導体光素子と駆
動回路とを金属細線により接続するとともに、端面発光
型半導体光素子アレイとマルチモード光ファイバアレイ
を対向させて光結合する光伝送モジュールにおいて、端
面発光型半導体光素子アレイ上の発光素子より発せられ
る光が金属細線等によりマルチモード光ファイバアレイ
方向へ反射して隣接するマルチモード光ファイバの開口
端面内へ入射することにより隣接するマルチモード光フ
ァイバ間の光学的クロストークが発生しうるが、遮光手
段を設けることによって、発光領域から発せられる光が
マルチモード光ファイバアレイ方向へ反射するのを防ぐ
ので、隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロ
ストークを防止することが可能となる。
載された基板上に端面発光型半導体光素子アレイを固定
し、端面発光型半導体光素子アレイの半導体光素子と駆
動回路とを金属細線により接続するとともに、端面発光
型半導体光素子アレイとマルチモード光ファイバアレイ
を対向させて光結合する光伝送モジュールにおいて、端
面発光型半導体光素子アレイ上の発光素子より発せられ
る光が金属細線等によりマルチモード光ファイバアレイ
方向へ反射して隣接するマルチモード光ファイバの開口
端面内へ入射することにより隣接するマルチモード光フ
ァイバ間の光学的クロストークが発生しうるが、遮光手
段を設けることによって、発光領域から発せられる光が
マルチモード光ファイバアレイ方向へ反射するのを防ぐ
ので、隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロ
ストークを防止することが可能となる。
【００２３】請求項２記載の発明においては、発光領域
と接続領域とを一体に形成する端面発光型半導体光素子
アレイ上の発光素子より発せられる光が金属細線の細線
部分等によりマルチモード光ファイバアレイ方向へ反射
して隣接するマルチモード光ファイバの開口端面内へ入
射することにより隣接するマルチモード光ファイバ間の
光学的クロストークが発生しうるが、遮光手段を設ける
ことによって、発光領域から発せられる光がマルチモー
ド光ファイバアレイ方向へ反射するのを防ぐので、隣接
するマルチモード光ファイバ間の光学的クロストークを
防止することが可能となる。
と接続領域とを一体に形成する端面発光型半導体光素子
アレイ上の発光素子より発せられる光が金属細線の細線
部分等によりマルチモード光ファイバアレイ方向へ反射
して隣接するマルチモード光ファイバの開口端面内へ入
射することにより隣接するマルチモード光ファイバ間の
光学的クロストークが発生しうるが、遮光手段を設ける
ことによって、発光領域から発せられる光がマルチモー
ド光ファイバアレイ方向へ反射するのを防ぐので、隣接
するマルチモード光ファイバ間の光学的クロストークを
防止することが可能となる。
【００２４】請求項３記載の発明においては、発光領域
と接続領域とを区別して形成する端面発光型半導体光素
子アレイ上の発光素子より発せられる光が金属細線の接
合部分に形成される金属ボール面等によりマルチモード
光ファイバアレイ方向へ反射して隣接するマルチモード
光ファイバの開口端面内へ入射することにより隣接する
マルチモード光ファイバ間の光学的クロストークが発生
しうるが、遮光手段を設けることによって、発光領域か
ら発せられる光がマルチモード光ファイバアレイ方向へ
反射するのを防ぐので、隣接するマルチモード光ファイ
バ間の光学的クロストークを防止することが可能とな
る。
と接続領域とを区別して形成する端面発光型半導体光素
子アレイ上の発光素子より発せられる光が金属細線の接
合部分に形成される金属ボール面等によりマルチモード
光ファイバアレイ方向へ反射して隣接するマルチモード
光ファイバの開口端面内へ入射することにより隣接する
マルチモード光ファイバ間の光学的クロストークが発生
しうるが、遮光手段を設けることによって、発光領域か
ら発せられる光がマルチモード光ファイバアレイ方向へ
反射するのを防ぐので、隣接するマルチモード光ファイ
バ間の光学的クロストークを防止することが可能とな
る。
【００２５】請求項４記載の発明においては、発光領域
の層構成と同一の層構成を成す遮光ブロック層を形成す
ることによって、発光領域から発せられる光がマルチモ
ード光ファイバアレイ方向へ反射するのを防ぐので、隣
接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロストーク
を防止することが可能となる。
の層構成と同一の層構成を成す遮光ブロック層を形成す
ることによって、発光領域から発せられる光がマルチモ
ード光ファイバアレイ方向へ反射するのを防ぐので、隣
接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロストーク
を防止することが可能となる。
【００２６】請求項５記載の発明においては、発光領域
より発せられる光がマルチモード光ファイバアレイ方向
へ反射しない方向に向けて接続領域にある金属細線の接
合部分の反射面を形成することによって、その光がマル
チモード光ファイバアレイ方向へ反射するのを防ぐの
で、隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロス
トークを防止することが可能となる。
より発せられる光がマルチモード光ファイバアレイ方向
へ反射しない方向に向けて接続領域にある金属細線の接
合部分の反射面を形成することによって、その光がマル
チモード光ファイバアレイ方向へ反射するのを防ぐの
で、隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロス
トークを防止することが可能となる。
【００２７】請求項６記載の発明においては、駆動回路
が搭載された基板上に端面発光型半導体光素子アレイを
固定し、端面発光型半導体光素子アレイの半導体光素子
と駆動回路とを金属細線により接続するとともに、端面
発光型半導体光素子アレイとマルチモード光ファイバア
レイを対向させて光結合する光伝送モジュールにおい
て、端面発光型半導体光素子アレイ上の発光素子より発
せられる光が金属細線の結合部分に形成される金属ボー
ル面等によりマルチモード光ファイバアレイ方向へ反射
して隣接するマルチモード光ファイバの開口端面内へ入
射することにより隣接するマルチモード光ファイバ間の
光学的クロストークが発生しうるが、マルチモード光フ
ァイバアレイの配列ピッチを規定する溝を形成した複数
の光ファイバ整列用ガイド基板によりマルチモード光フ
ァイバアレイを挾むようにして固定することで、端面発
光型半導体光素子アレイとマルチモード光ファイバアレ
イとの高精度な位置合わせが容易にできるうえ、少なく
とも一つの光ファイバ整列用ガイド基板の端面をマルチ
モード光ファイバアレイの端面より端面発光型半導体光
素子アレイ方向へずらして固定することによって、金属
細線の接合部分によりマルチモード光ファイバアレイ方
向へ反射した光が隣接するマルチモード光ファイバの開
口端面内へ入射するのを防ぐので、隣接するマルチモー
ド光ファイバ間の光学的クロストークを防止することが
可能となる。
が搭載された基板上に端面発光型半導体光素子アレイを
固定し、端面発光型半導体光素子アレイの半導体光素子
と駆動回路とを金属細線により接続するとともに、端面
発光型半導体光素子アレイとマルチモード光ファイバア
レイを対向させて光結合する光伝送モジュールにおい
て、端面発光型半導体光素子アレイ上の発光素子より発
せられる光が金属細線の結合部分に形成される金属ボー
ル面等によりマルチモード光ファイバアレイ方向へ反射
して隣接するマルチモード光ファイバの開口端面内へ入
射することにより隣接するマルチモード光ファイバ間の
光学的クロストークが発生しうるが、マルチモード光フ
ァイバアレイの配列ピッチを規定する溝を形成した複数
の光ファイバ整列用ガイド基板によりマルチモード光フ
ァイバアレイを挾むようにして固定することで、端面発
光型半導体光素子アレイとマルチモード光ファイバアレ
イとの高精度な位置合わせが容易にできるうえ、少なく
とも一つの光ファイバ整列用ガイド基板の端面をマルチ
モード光ファイバアレイの端面より端面発光型半導体光
素子アレイ方向へずらして固定することによって、金属
細線の接合部分によりマルチモード光ファイバアレイ方
向へ反射した光が隣接するマルチモード光ファイバの開
口端面内へ入射するのを防ぐので、隣接するマルチモー
ド光ファイバ間の光学的クロストークを防止することが
可能となる。
【００２８】
【実施例】本発明の第一の実施例を図１に基づいて説明
する。図１は本実施例を示す光伝送モジュールの縦断側
面図である。端面発光型発光ダイオードアレイ１ａは回
路基板２上に固定されており、前記端面発光型発光ダイ
オードアレイ１ａの各発光ビットの上部電極と前記回路
基板２上のリード配線とがＡｕ製のボンディングワイヤ
ー３により接続されている。前記ボンディングワイヤー
３は、前記端面発光型発光ダイオードアレイ１ａの上部
電極上に金属ボール面４を形成し、前記回路基板２上の
リード配線上に金属扁平面５を形成している。また、コ
ア径が５０μｍのマルチモード光ファイバアレイ６と前
記端面発光型発光ダイオードアレイ１ａとが対向して光
結合されている。そして、遮光手段としての遮光部７が
前記端面発光型発光ダイオードアレイ１ａと前記ボンデ
ィングワイヤー３との間に山形状に形成されている。
する。図１は本実施例を示す光伝送モジュールの縦断側
面図である。端面発光型発光ダイオードアレイ１ａは回
路基板２上に固定されており、前記端面発光型発光ダイ
オードアレイ１ａの各発光ビットの上部電極と前記回路
基板２上のリード配線とがＡｕ製のボンディングワイヤ
ー３により接続されている。前記ボンディングワイヤー
３は、前記端面発光型発光ダイオードアレイ１ａの上部
電極上に金属ボール面４を形成し、前記回路基板２上の
リード配線上に金属扁平面５を形成している。また、コ
ア径が５０μｍのマルチモード光ファイバアレイ６と前
記端面発光型発光ダイオードアレイ１ａとが対向して光
結合されている。そして、遮光手段としての遮光部７が
前記端面発光型発光ダイオードアレイ１ａと前記ボンデ
ィングワイヤー３との間に山形状に形成されている。
【００２９】さて、前記端面発光型発光ダイオードアレ
イ１ａは、下部のｎ側電極が前記回路基板２と接触し、
下部のｎ側電極から上へ、ｎ型基板、ｎ型閉じ込め層、
ｎ型又はｐ型活性層、ｐ型閉じ込め層、ｐ型キャップ
層、絶縁層、そしてｐ側電極と順次形成された各層によ
り構成され、さらに、ｎ型基板とｎ型基板上の各層によ
り積層構造の発光ビットが形成されている。そして、前
記端面発光型発光ダイオードアレイ１ａは、各発光ビッ
トの活性層の端面から平行方向に光を出力するものであ
り、スペクトル幅が狭く、放射角が狭いので、光ファイ
バとの結合効率が高くできる。この前記端面発光型発光
ダイオードアレイ１ａはｐ側電極に直接前記ボンディン
グワイヤー３によりボンディングを行なうので、ｐ側電
極のパッド部の面積はある程度（例えば、１００μｍ2
であるというように）大きい。
イ１ａは、下部のｎ側電極が前記回路基板２と接触し、
下部のｎ側電極から上へ、ｎ型基板、ｎ型閉じ込め層、
ｎ型又はｐ型活性層、ｐ型閉じ込め層、ｐ型キャップ
層、絶縁層、そしてｐ側電極と順次形成された各層によ
り構成され、さらに、ｎ型基板とｎ型基板上の各層によ
り積層構造の発光ビットが形成されている。そして、前
記端面発光型発光ダイオードアレイ１ａは、各発光ビッ
トの活性層の端面から平行方向に光を出力するものであ
り、スペクトル幅が狭く、放射角が狭いので、光ファイ
バとの結合効率が高くできる。この前記端面発光型発光
ダイオードアレイ１ａはｐ側電極に直接前記ボンディン
グワイヤー３によりボンディングを行なうので、ｐ側電
極のパッド部の面積はある程度（例えば、１００μｍ2
であるというように）大きい。
【００３０】また、前記遮光部７の材料には、遮光用の
材料か、吸収材料を使用する。例えば、シリコンゲル樹
脂や、エポキシ樹脂などである。それらの材料の中に
は、光透過率が波長０．３μｍ〜１μｍにおいて０．０
００１％以下である黒色顔料をフィラ−としているエポ
キシ樹脂もある。また、遮光用の材料を用いたときに
は、前記端面発光型ダイオードアレイ１ａの活性層の端
面より発せられた光が前記遮光部７により乱反射しない
ように前記遮光部７の形状を山形状に形成し、前記端面
発光型ダイオードアレイ１ａの活性層より発生し前記遮
光部７で反射した光を上方向へ向かわせる。
材料か、吸収材料を使用する。例えば、シリコンゲル樹
脂や、エポキシ樹脂などである。それらの材料の中に
は、光透過率が波長０．３μｍ〜１μｍにおいて０．０
００１％以下である黒色顔料をフィラ−としているエポ
キシ樹脂もある。また、遮光用の材料を用いたときに
は、前記端面発光型ダイオードアレイ１ａの活性層の端
面より発せられた光が前記遮光部７により乱反射しない
ように前記遮光部７の形状を山形状に形成し、前記端面
発光型ダイオードアレイ１ａの活性層より発生し前記遮
光部７で反射した光を上方向へ向かわせる。
【００３１】このような構成において、回路基板２上の
駆動回路より電流が、金属細線であるボンディングワイ
ヤー３を介して、発光領域と接続領域とが一体に形成さ
れた端面発光型半導体光素子アレイである端面発光型発
光ダイオードアレイ１ａの各発光ビットへ注入される。
これによって端面発光型発光ダイオードアレイ１ａの各
発光ビットの活性層の端面から光が発せられる。そし
て、マルチモード光ファイバアレイ６方向以外へ発せら
れた光のうちボンディングワイヤー３方向へ発せられた
光は、遮光部７により遮光、または、吸収され、ボンデ
ィングワイヤー３によりマルチモード光ファイバアレイ
６方向へ反射されることはない。
駆動回路より電流が、金属細線であるボンディングワイ
ヤー３を介して、発光領域と接続領域とが一体に形成さ
れた端面発光型半導体光素子アレイである端面発光型発
光ダイオードアレイ１ａの各発光ビットへ注入される。
これによって端面発光型発光ダイオードアレイ１ａの各
発光ビットの活性層の端面から光が発せられる。そし
て、マルチモード光ファイバアレイ６方向以外へ発せら
れた光のうちボンディングワイヤー３方向へ発せられた
光は、遮光部７により遮光、または、吸収され、ボンデ
ィングワイヤー３によりマルチモード光ファイバアレイ
６方向へ反射されることはない。
【００３２】このように、発光領域と接続領域とが一体
に形成された端面発光型発光ダイオードアレイ１ａにお
いて、遮光部７を端面発光型発光ダイオードアレイ１ａ
とボンディングワイヤー３との間に山形状に設け、ボン
ディングワイヤー３方向へ発せられた光を遮光、また
は、吸収させることによって、その光がボンディングワ
イヤー３によりマルチモード光ファイバアレイ６方向へ
反射しないので、隣接するマルチモード光ファイバの開
口端面内へ入射する伝送光信号に無関係な光が削減され
クロスト−ク光を防止することが可能である。
に形成された端面発光型発光ダイオードアレイ１ａにお
いて、遮光部７を端面発光型発光ダイオードアレイ１ａ
とボンディングワイヤー３との間に山形状に設け、ボン
ディングワイヤー３方向へ発せられた光を遮光、また
は、吸収させることによって、その光がボンディングワ
イヤー３によりマルチモード光ファイバアレイ６方向へ
反射しないので、隣接するマルチモード光ファイバの開
口端面内へ入射する伝送光信号に無関係な光が削減され
クロスト−ク光を防止することが可能である。
【００３３】また、本発明の第二の実施例を図２に基づ
いて説明する。図２は本実施例を示す光伝送モジュール
の縦断側面図である。図１に基づいて説明した第一の実
施例と同一部分については同一符号を用い、その説明を
省略する。第一の実施例において、前記端面発光型発光
ダイオードアレイ１ａと前記ボンディングワイヤー３と
の間に山形状に形成されている前記遮光部７が、前記ボ
ンディングワイヤー３を一部埋め込むとともに、前記端
面発光型ダイオードアレイ１ａの各発光ビットの活性層
の前記ボンディングワイヤー３側の端面に接触するよう
に形成されている。
いて説明する。図２は本実施例を示す光伝送モジュール
の縦断側面図である。図１に基づいて説明した第一の実
施例と同一部分については同一符号を用い、その説明を
省略する。第一の実施例において、前記端面発光型発光
ダイオードアレイ１ａと前記ボンディングワイヤー３と
の間に山形状に形成されている前記遮光部７が、前記ボ
ンディングワイヤー３を一部埋め込むとともに、前記端
面発光型ダイオードアレイ１ａの各発光ビットの活性層
の前記ボンディングワイヤー３側の端面に接触するよう
に形成されている。
【００３４】このような構成において、遮光部７が端面
発光型ダイオードアレイ１ａの各発光ビットの活性層の
前記ボンディングワイヤー３側の一端面に接触するよう
に形成されていることにより、光がボンディングワイヤ
ー３方向へ発せられないので、隣接するマルチモード光
ファイバの開口端面内へ入射する伝送光信号に無関係な
光が削減されクロスト−ク光を防止することが可能であ
る。
発光型ダイオードアレイ１ａの各発光ビットの活性層の
前記ボンディングワイヤー３側の一端面に接触するよう
に形成されていることにより、光がボンディングワイヤ
ー３方向へ発せられないので、隣接するマルチモード光
ファイバの開口端面内へ入射する伝送光信号に無関係な
光が削減されクロスト−ク光を防止することが可能であ
る。
【００３５】つぎに、本発明の第三の実施例を図３に基
づいて説明する。図３は本実施例を示す光伝送モジュー
ルの縦断側面図である。図１に基づいて説明した第一の
実施例と同一部分については同一符号を用い、その説明
を省略する。端面発光型発光ダイオードアレイ１ｂは回
路基板２上に固定されており、前記端面発光型発光ダイ
オードアレイ１ｂ上には発光領域１ｃと接続領域１ｄと
が区別して形成されている。そして、前記接続領域１ｄ
と前記発光領域１ｃとが対向して設けられており、前記
接続領域１ｄには金属製の配線パッドが形成されてい
る。そして、前記端面発光型発光ダイオードアレイ１ｂ
上の金属配線によって各発光ビットと各配線パッドとが
接続されている。そして、前記接続領域１ｄの配線パッ
ドと前記回路基板２上のリード配線とがＡｕ製のボンデ
ィングワイヤー３により接続されている。前記ボンディ
ングワイヤー３は、前記接続領域１ｄの配線パッド上に
金属ボール面４を形成し、前記回路基板２上のリード配
線上に金属扁平面５を形成している。また、コア径が５
０μｍのマルチモード光ファイバアレイ６と前記発光領
域１ｃとが対向して光結合されている。そして、遮光部
７が、前記発光領域１ｃと前記接続領域１ｄとの間に山
形状に形成されている。
づいて説明する。図３は本実施例を示す光伝送モジュー
ルの縦断側面図である。図１に基づいて説明した第一の
実施例と同一部分については同一符号を用い、その説明
を省略する。端面発光型発光ダイオードアレイ１ｂは回
路基板２上に固定されており、前記端面発光型発光ダイ
オードアレイ１ｂ上には発光領域１ｃと接続領域１ｄと
が区別して形成されている。そして、前記接続領域１ｄ
と前記発光領域１ｃとが対向して設けられており、前記
接続領域１ｄには金属製の配線パッドが形成されてい
る。そして、前記端面発光型発光ダイオードアレイ１ｂ
上の金属配線によって各発光ビットと各配線パッドとが
接続されている。そして、前記接続領域１ｄの配線パッ
ドと前記回路基板２上のリード配線とがＡｕ製のボンデ
ィングワイヤー３により接続されている。前記ボンディ
ングワイヤー３は、前記接続領域１ｄの配線パッド上に
金属ボール面４を形成し、前記回路基板２上のリード配
線上に金属扁平面５を形成している。また、コア径が５
０μｍのマルチモード光ファイバアレイ６と前記発光領
域１ｃとが対向して光結合されている。そして、遮光部
７が、前記発光領域１ｃと前記接続領域１ｄとの間に山
形状に形成されている。
【００３６】さて、前記端面発光型発光ダイオードアレ
イ１ｂでは、前記発光領域１ｃと前記接続領域１ｄとが
区別してｐ型基板に形成されており、そのｐ型基板が前
記回路基板２と接触している下部のｐ側電極上に構成さ
れている。そのｐ型基板上の前記発光領域１ｃは、ＭＯ
ＶＰＥ法により作成され、ダブルヘテロ構造と呼ばれる
積層構造をしており、それは、ｐ型ＧａＡｓ基板から上
に、ｐ型ＧａＡｓバッファー層、バンドギャップの大き
いｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層、発光層である
Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層、ｎＡｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ
型クラッド層、ｎ型ＧａＡｓキャップ層、そしてｎ+ 型
ＧａＡｓコンタクト層と順次構成されている。このよう
に構成された前記端面発光型発光ダイオードアレイ１ｂ
は、膜特性の均一性に優れているため、１チップ内にお
いては、光出力のバラツキが±５％以下になっている。
なお、このような半導体光素子アレイの形成に用いられ
る材料としては、 III−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡ
ｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＰ、ＩｎＧａ
ＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＡｌＰ、ＧａＡｓＰ、Ｇａ
Ｎ、ＩｎＡｓ、ＩｎＡｓＰ、ＩｎＡｓＳｂ等、あるい
は、II−VI族化合物半導体であるＺｅＳｅ、ＺｅＳ、Ｚ
ｅＳＳｅ、ＣｄＳｅ、ＣｄＳＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＣｄ
Ｔｅ等、さらには、IV-VI族化合物半導体であるＰｂＳ
ｅ、ＰｂＴｅ、ＰｂＳｎＳｅ、ＰｂＳｎＴｅ等であり、
それぞれの材料の長所を生かして積層構造に適用するこ
とが可能である。そして、活性層としてＡｌＧａＡｓ系
の材料を用いたときには、ＡｌＧａまたはＡｓ組成が０
より大きく０．４５より小さい値を持つＡｌＧａＡｓが
用いられるとともに、クラッド層には活性層より禁制帯
幅の広いＡｌＧａＡｓが用いられる。このような積層構
造を持つ前記端面発光型発光ダイオードアレイ１ｂにお
いて、塩素ガスを用いたドライエッチング法によって形
成された分離溝が、アレイ方向に対して直角に、その積
層構造の表面であるコンタクト層上面からｐ型基板の表
面まで達している。この分離溝が発光領域１ｃの各発光
ビット同士を電気的に分離している。そして、この発光
領域１ｃでは、並列な伝送光信号に必要なチャンネルの
数だけ１チップ上に発光ビットが形成されており、その
発光ビットの大きさは３５μｍ×３５μｍである。この
発光ビットの大きさは、マスクの設計を変更することに
より、さらに小さくすることが可能である。そして、発
光ビットの大きさを小さくすればするほど、発光ビット
において、大きな発光パワーを得ることが可能である。
勿論このときの発光ビットの大きさは、前記ボンディン
グワイヤー３の接合部分より小さい。
イ１ｂでは、前記発光領域１ｃと前記接続領域１ｄとが
区別してｐ型基板に形成されており、そのｐ型基板が前
記回路基板２と接触している下部のｐ側電極上に構成さ
れている。そのｐ型基板上の前記発光領域１ｃは、ＭＯ
ＶＰＥ法により作成され、ダブルヘテロ構造と呼ばれる
積層構造をしており、それは、ｐ型ＧａＡｓ基板から上
に、ｐ型ＧａＡｓバッファー層、バンドギャップの大き
いｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓクラッド層、発光層である
Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ活性層、ｎＡｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ
型クラッド層、ｎ型ＧａＡｓキャップ層、そしてｎ+ 型
ＧａＡｓコンタクト層と順次構成されている。このよう
に構成された前記端面発光型発光ダイオードアレイ１ｂ
は、膜特性の均一性に優れているため、１チップ内にお
いては、光出力のバラツキが±５％以下になっている。
なお、このような半導体光素子アレイの形成に用いられ
る材料としては、 III−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡ
ｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＰ、ＩｎＧａ
ＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＡｌＰ、ＧａＡｓＰ、Ｇａ
Ｎ、ＩｎＡｓ、ＩｎＡｓＰ、ＩｎＡｓＳｂ等、あるい
は、II−VI族化合物半導体であるＺｅＳｅ、ＺｅＳ、Ｚ
ｅＳＳｅ、ＣｄＳｅ、ＣｄＳＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＣｄ
Ｔｅ等、さらには、IV-VI族化合物半導体であるＰｂＳ
ｅ、ＰｂＴｅ、ＰｂＳｎＳｅ、ＰｂＳｎＴｅ等であり、
それぞれの材料の長所を生かして積層構造に適用するこ
とが可能である。そして、活性層としてＡｌＧａＡｓ系
の材料を用いたときには、ＡｌＧａまたはＡｓ組成が０
より大きく０．４５より小さい値を持つＡｌＧａＡｓが
用いられるとともに、クラッド層には活性層より禁制帯
幅の広いＡｌＧａＡｓが用いられる。このような積層構
造を持つ前記端面発光型発光ダイオードアレイ１ｂにお
いて、塩素ガスを用いたドライエッチング法によって形
成された分離溝が、アレイ方向に対して直角に、その積
層構造の表面であるコンタクト層上面からｐ型基板の表
面まで達している。この分離溝が発光領域１ｃの各発光
ビット同士を電気的に分離している。そして、この発光
領域１ｃでは、並列な伝送光信号に必要なチャンネルの
数だけ１チップ上に発光ビットが形成されており、その
発光ビットの大きさは３５μｍ×３５μｍである。この
発光ビットの大きさは、マスクの設計を変更することに
より、さらに小さくすることが可能である。そして、発
光ビットの大きさを小さくすればするほど、発光ビット
において、大きな発光パワーを得ることが可能である。
勿論このときの発光ビットの大きさは、前記ボンディン
グワイヤー３の接合部分より小さい。
【００３７】このような構成において、回路基板２上の
駆動回路より電流が、金属細線であるボンディングワイ
ヤー３を介して、接続領域１ｄと発光領域１ｃとが区別
して形成された端面発光型半導体光素子アレイである端
面発光型ダイオードアレイ１ｂの接続領域１ｄへ、さら
に、金属配線を介して発光領域１ｃの各発光ビットのｎ
側電極に注入される。これによって端面発光型ダイオー
ドアレイ１ｂの各発光ビットの活性層の各端面から光が
発せられる。そして、マルチモード光ファイバアレイ６
方向以外に発せられた光のうちボンディングワイヤー３
の金属ボール面４のある方向へ発せられた光は、遮光部
７により遮光、または、吸収され、金属ボール面４及び
ボンディングワイヤー３によりマルチモード光ファイバ
方向へ反射されることはない。
駆動回路より電流が、金属細線であるボンディングワイ
ヤー３を介して、接続領域１ｄと発光領域１ｃとが区別
して形成された端面発光型半導体光素子アレイである端
面発光型ダイオードアレイ１ｂの接続領域１ｄへ、さら
に、金属配線を介して発光領域１ｃの各発光ビットのｎ
側電極に注入される。これによって端面発光型ダイオー
ドアレイ１ｂの各発光ビットの活性層の各端面から光が
発せられる。そして、マルチモード光ファイバアレイ６
方向以外に発せられた光のうちボンディングワイヤー３
の金属ボール面４のある方向へ発せられた光は、遮光部
７により遮光、または、吸収され、金属ボール面４及び
ボンディングワイヤー３によりマルチモード光ファイバ
方向へ反射されることはない。
【００３８】このように、発光領域１ｃと接続領域１ｄ
とが区別して形成された端面発光型発光ダイオードアレ
イ１ｂにおいて、遮光部７を発光領域１ｃと接続領域１
ｄとの間に山形状に設け、ボンディングワイヤー３の金
属ボール面４方向へ発せられた光を遮光、または、吸収
させることによって、その光がボンディングワイヤー３
によりマルチモード光ファイバアレイ６方向へ反射しな
いので、隣接するマルチモード光ファイバの開口端面内
へ入射する伝送光信号に無関係な光が削減されクロスト
−ク光を防止することが可能である。
とが区別して形成された端面発光型発光ダイオードアレ
イ１ｂにおいて、遮光部７を発光領域１ｃと接続領域１
ｄとの間に山形状に設け、ボンディングワイヤー３の金
属ボール面４方向へ発せられた光を遮光、または、吸収
させることによって、その光がボンディングワイヤー３
によりマルチモード光ファイバアレイ６方向へ反射しな
いので、隣接するマルチモード光ファイバの開口端面内
へ入射する伝送光信号に無関係な光が削減されクロスト
−ク光を防止することが可能である。
【００３９】また、本発明の第四の実施例を図４に基づ
いて説明する。図４は、本実施例である光伝送モジュー
ルの縦断側面図である。図１及び図３に基づいて説明し
た第一の実施例及び第三の実施例と同一部分については
同一符号を用い、その説明を省略する。第三の実施例に
おいて、前記発光領域１ｃと前記接続領域１ｄとの間に
山形状に形成されている前記遮光部７が、前記接続領域
１ｄの一部と前記ボンディングワイヤー３とを埋め込む
ような形で形成されている。
いて説明する。図４は、本実施例である光伝送モジュー
ルの縦断側面図である。図１及び図３に基づいて説明し
た第一の実施例及び第三の実施例と同一部分については
同一符号を用い、その説明を省略する。第三の実施例に
おいて、前記発光領域１ｃと前記接続領域１ｄとの間に
山形状に形成されている前記遮光部７が、前記接続領域
１ｄの一部と前記ボンディングワイヤー３とを埋め込む
ような形で形成されている。
【００４０】このような構成において、遮光部７を接続
領域１ｄの一部とボンディングワイヤー３とを埋め込む
ように設けて接続領域１ｄ方向へ発せられた光を遮光、
または、吸収させることによって、その光が金属ボール
面４及びボンディングワイヤー３によりマルチモード光
ファイバアレイ６方向へ反射しないので、隣接するマル
チモード光ファイバの開口端面内へ入射する伝送光信号
に無関係な光が削減されクロスト−ク光を防止すること
が可能である。
領域１ｄの一部とボンディングワイヤー３とを埋め込む
ように設けて接続領域１ｄ方向へ発せられた光を遮光、
または、吸収させることによって、その光が金属ボール
面４及びボンディングワイヤー３によりマルチモード光
ファイバアレイ６方向へ反射しないので、隣接するマル
チモード光ファイバの開口端面内へ入射する伝送光信号
に無関係な光が削減されクロスト−ク光を防止すること
が可能である。
【００４１】ここで、上述の図３及び図４に基づいて説
明した第三の実施例及び第四の実施例に対する隣接する
マルチモード光ファイバ間の光学的クロストークの実験
について述べる。図３及び図４に示される上述した構成
の光伝送モジュールにおいて、遮光部７を設けていない
端面発光型発光ダイオードアレイ１ｂの各発光ビットと
マルチモード光ファイバアレイ６のマルチモード光ファ
イバの配列ピッチを２５０μｍとし、端面発光型発光ダ
イオードアレイ１ｂの各発光ビットとマルチモード光フ
ァイバアレイ６のマルチモード光ファイバとの間隔を３
５μｍとし、マルチモード光ファイバアレイ６を整列用
のＳｉ製Ｖ溝ガイド基板で固定した。このような光伝送
モジュールでは、発光ビットに対向するマルチモード光
ファイバへの光ファイバ出力に対するそのマルチモード
光ファイバに隣接するマルチモード光ファイバ間の光学
的クロストークは、約−２７ｄＢであった。
明した第三の実施例及び第四の実施例に対する隣接する
マルチモード光ファイバ間の光学的クロストークの実験
について述べる。図３及び図４に示される上述した構成
の光伝送モジュールにおいて、遮光部７を設けていない
端面発光型発光ダイオードアレイ１ｂの各発光ビットと
マルチモード光ファイバアレイ６のマルチモード光ファ
イバの配列ピッチを２５０μｍとし、端面発光型発光ダ
イオードアレイ１ｂの各発光ビットとマルチモード光フ
ァイバアレイ６のマルチモード光ファイバとの間隔を３
５μｍとし、マルチモード光ファイバアレイ６を整列用
のＳｉ製Ｖ溝ガイド基板で固定した。このような光伝送
モジュールでは、発光ビットに対向するマルチモード光
ファイバへの光ファイバ出力に対するそのマルチモード
光ファイバに隣接するマルチモード光ファイバ間の光学
的クロストークは、約−２７ｄＢであった。
【００４２】この光伝送モジュールに対し、遮光用の材
料に一般的なエポキシ系の接着剤を用いて、端面発光型
発光ダイオードアレイ１ｂの接続領域１ｄに形成された
金属ボール面４及びボンディングワイヤー３の一部を被
覆して遮光部７を形成した同じ実験系で同様の実験を行
なった。このとき、隣接するマルチモード光ファイバ間
の光学的クロストークが−３７ｄＢとなり、約１０ｄＢ
程度改善された。
料に一般的なエポキシ系の接着剤を用いて、端面発光型
発光ダイオードアレイ１ｂの接続領域１ｄに形成された
金属ボール面４及びボンディングワイヤー３の一部を被
覆して遮光部７を形成した同じ実験系で同様の実験を行
なった。このとき、隣接するマルチモード光ファイバ間
の光学的クロストークが−３７ｄＢとなり、約１０ｄＢ
程度改善された。
【００４３】この結果、上述したように、発光領域１ｃ
と接続領域１ｄとが区別して形成された端面発光型発光
ダイオードアレイ１ｂにおいて、遮光部７を設け、光を
遮光、または、吸収させることによって、金属ボール面
４及びボンディングワイヤー３によりマルチモード光フ
ァイバアレイ６方向へ反射する光が削減されるので、隣
接するマルチモード光ファイバへの光伝送上のクロスト
−ク光を防止することが可能であることがわかる。
と接続領域１ｄとが区別して形成された端面発光型発光
ダイオードアレイ１ｂにおいて、遮光部７を設け、光を
遮光、または、吸収させることによって、金属ボール面
４及びボンディングワイヤー３によりマルチモード光フ
ァイバアレイ６方向へ反射する光が削減されるので、隣
接するマルチモード光ファイバへの光伝送上のクロスト
−ク光を防止することが可能であることがわかる。
【００４４】さらに、本発明の第五の実施例を図５に基
づいて説明する。図５は本実施例である光伝送モジュー
ルの斜視図である。図１及び図３に基づいて説明した第
一の実施例及び第三の実施例と同一部分については同一
符号を用い、その説明を省略する。本実施例では、第三
の実施例に示した前記遮光部７に代えて遮光ブロック層
８が前記発光領域１ｃの各発光ビット間、及び、各発光
ビットと各配線パッドとの間に形成されている。
づいて説明する。図５は本実施例である光伝送モジュー
ルの斜視図である。図１及び図３に基づいて説明した第
一の実施例及び第三の実施例と同一部分については同一
符号を用い、その説明を省略する。本実施例では、第三
の実施例に示した前記遮光部７に代えて遮光ブロック層
８が前記発光領域１ｃの各発光ビット間、及び、各発光
ビットと各配線パッドとの間に形成されている。
【００４５】さて、前記遮光ブロック層８は、前記遮光
部７と異なり、遮光用のブロックが、前記端面発光型発
光ダイオードアレイ１ｂ上に発光ビット作製時に形成さ
れており、しかも、外部材料を用いずに作成されてい
る。上述したように前記端面発光型発光ダイオードアレ
イ１ｂでは、その積層構造の表面であるコンタクト層上
面からｐ型基板の表面までアレイ方向に対して直角にｐ
型基板に達する分離溝が、塩素ガスを用いたドライエッ
チング法によって形成される。そこで、この分離溝によ
って各発光ビット同士を電気的に分離する際に各発光ビ
ットの周囲にも各発光ビットと同じ層構成のものを分離
作成し、遮蔽壁、及び、吸収壁として利用する前記遮光
ブロック層８を形成した。この工程は、半導体のマスク
変更だけで良く、新たな工程を必要としない。ただし、
実際に前記遮光ブロック層８を形成するときには、各発
光ビットと前記遮光ブロック層８との間隔をあけすぎて
分離させると各発光ビットから発せられ隣接するマルチ
モード光ファイバの開口端面内へ入射する光学的クロス
トーク成分が十分に遮られなくなってしまうので、各発
光ビットと前記遮光ブロック層８との間隔をある程度は
近付ける必要がある。
部７と異なり、遮光用のブロックが、前記端面発光型発
光ダイオードアレイ１ｂ上に発光ビット作製時に形成さ
れており、しかも、外部材料を用いずに作成されてい
る。上述したように前記端面発光型発光ダイオードアレ
イ１ｂでは、その積層構造の表面であるコンタクト層上
面からｐ型基板の表面までアレイ方向に対して直角にｐ
型基板に達する分離溝が、塩素ガスを用いたドライエッ
チング法によって形成される。そこで、この分離溝によ
って各発光ビット同士を電気的に分離する際に各発光ビ
ットの周囲にも各発光ビットと同じ層構成のものを分離
作成し、遮蔽壁、及び、吸収壁として利用する前記遮光
ブロック層８を形成した。この工程は、半導体のマスク
変更だけで良く、新たな工程を必要としない。ただし、
実際に前記遮光ブロック層８を形成するときには、各発
光ビットと前記遮光ブロック層８との間隔をあけすぎて
分離させると各発光ビットから発せられ隣接するマルチ
モード光ファイバの開口端面内へ入射する光学的クロス
トーク成分が十分に遮られなくなってしまうので、各発
光ビットと前記遮光ブロック層８との間隔をある程度は
近付ける必要がある。
【００４６】このような構成において、遮光ブロック層
８を遮蔽壁、及び、吸収壁として各発光ビットの周囲に
設け、発光領域１ｃより発せられる光を遮光、または、
吸収させることによって、その光がマルチモード光ファ
イバアレイ６方向へ反射しないので、隣接するマルチモ
ード光ファイバの開口端面内へ入射する伝送光信号に無
関係な光が削減されクロスト−ク光を防止することが可
能である。
８を遮蔽壁、及び、吸収壁として各発光ビットの周囲に
設け、発光領域１ｃより発せられる光を遮光、または、
吸収させることによって、その光がマルチモード光ファ
イバアレイ６方向へ反射しないので、隣接するマルチモ
ード光ファイバの開口端面内へ入射する伝送光信号に無
関係な光が削減されクロスト−ク光を防止することが可
能である。
【００４７】さらにまた、本発明の第六の実施例を図６
に基づいて説明する。図６は本実施例を示す光伝送モジ
ュールの縦断側面図である。図１及び図３に基づいて説
明した第一の実施例及び第三の実施例と同一部分につい
ては同一符号を用い、その説明を省略する。本実施例で
は、第三の実施例に示した前記遮光部７に代えて、前記
ボンディングワイヤー３の接合部分に前記接続領域１ｄ
のＡｕ製の配線パッド上にＡｕ製の前記金属ボール面４
を形成せずに前記金属扁平面５を形成するとともに、前
記回路基板２上に前記金属ボール面４を形成し実装され
ている。
に基づいて説明する。図６は本実施例を示す光伝送モジ
ュールの縦断側面図である。図１及び図３に基づいて説
明した第一の実施例及び第三の実施例と同一部分につい
ては同一符号を用い、その説明を省略する。本実施例で
は、第三の実施例に示した前記遮光部７に代えて、前記
ボンディングワイヤー３の接合部分に前記接続領域１ｄ
のＡｕ製の配線パッド上にＡｕ製の前記金属ボール面４
を形成せずに前記金属扁平面５を形成するとともに、前
記回路基板２上に前記金属ボール面４を形成し実装され
ている。
【００４８】このとき、前記回路基板２上のリード配線
と端面発光型発光ダイオードアレイ１ｂとをボンディン
グする際の前記ボンディングワイヤー３の実装方法につ
いて説明する。前記ボンディングワイヤー３の接合部分
により前記接続領域１ｄ上に前記金属扁平面５を形成
し、また、前記ボンディングワイヤー３の接合部分によ
り前記回路基板２上に前記金属ボール面４を形成するた
めに、ワイヤーボンディング方式の代表的なサーモソニ
ック方式（超音波熱圧着併用）を用い、金属ボール面４
を形成する１st. 側を回路基板２上のリード配線上に行
ない、金属扁平面５を形成する２nd. 側を端面発光型発
光ダイオードアレイ１ｂの接続領域１ｄの配線パッド上
に行なう。
と端面発光型発光ダイオードアレイ１ｂとをボンディン
グする際の前記ボンディングワイヤー３の実装方法につ
いて説明する。前記ボンディングワイヤー３の接合部分
により前記接続領域１ｄ上に前記金属扁平面５を形成
し、また、前記ボンディングワイヤー３の接合部分によ
り前記回路基板２上に前記金属ボール面４を形成するた
めに、ワイヤーボンディング方式の代表的なサーモソニ
ック方式（超音波熱圧着併用）を用い、金属ボール面４
を形成する１st. 側を回路基板２上のリード配線上に行
ない、金属扁平面５を形成する２nd. 側を端面発光型発
光ダイオードアレイ１ｂの接続領域１ｄの配線パッド上
に行なう。
【００４９】このような構成において、接続領域１ｄ上
のボンディングワイヤー３の接合部分に金属扁平面５を
反射面として設け、ボンディングワイヤー３方向へ発せ
られた光の反射を削減するとともに、金属扁平面５に反
射したその光をマルチモード光ファイバアレイ６方向以
外の方向へ向かわせることによって、その光がボンディ
ングワイヤー３及び金属扁平面５によりマルチモード光
ファイバアレイ６方向へ反射しないので、隣接するマル
チモード光ファイバの開口端面内へ入射する伝送光信号
に無関係な光が削減されクロスト−ク光を防止すること
が可能である。
のボンディングワイヤー３の接合部分に金属扁平面５を
反射面として設け、ボンディングワイヤー３方向へ発せ
られた光の反射を削減するとともに、金属扁平面５に反
射したその光をマルチモード光ファイバアレイ６方向以
外の方向へ向かわせることによって、その光がボンディ
ングワイヤー３及び金属扁平面５によりマルチモード光
ファイバアレイ６方向へ反射しないので、隣接するマル
チモード光ファイバの開口端面内へ入射する伝送光信号
に無関係な光が削減されクロスト−ク光を防止すること
が可能である。
【００５０】ここで、上述の図６に示される第六の実施
例における隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的
クロストークの実験について述べる。ただし、本実験に
おいては、端面発光型発光ダイオードアレイ１ｂの各発
光ビットの配列ピッチとマルチモード光ファイバアレイ
６のマルチモード光ファイバの配列ピッチを２５０μｍ
とし、端面発光型発光ダイオードアレイ１ｂの各発光ビ
ットとマルチモード光ファイバアレイ６のマルチモード
光ファイバとの間隔を３５μｍとし、マルチモード光フ
ァイバアレイ６を整列用のＳｉ製Ｖ溝ガイド基板で固定
し、本実施例に示される実装方法によってボンディング
した光伝送モジュールに代わり、１st.側を接続領域１
ｄの配線パッド上に行ない、接続領域１ｄ上に金属ボー
ル面４を形成したときには、発光ビットに対向するマル
チモード光ファイバアレイ６のマルチモード光ファイバ
への光ファイバ出力に対するそのマルチモード光ファイ
バに隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロス
トークは、約−２７ｄＢであった。
例における隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的
クロストークの実験について述べる。ただし、本実験に
おいては、端面発光型発光ダイオードアレイ１ｂの各発
光ビットの配列ピッチとマルチモード光ファイバアレイ
６のマルチモード光ファイバの配列ピッチを２５０μｍ
とし、端面発光型発光ダイオードアレイ１ｂの各発光ビ
ットとマルチモード光ファイバアレイ６のマルチモード
光ファイバとの間隔を３５μｍとし、マルチモード光フ
ァイバアレイ６を整列用のＳｉ製Ｖ溝ガイド基板で固定
し、本実施例に示される実装方法によってボンディング
した光伝送モジュールに代わり、１st.側を接続領域１
ｄの配線パッド上に行ない、接続領域１ｄ上に金属ボー
ル面４を形成したときには、発光ビットに対向するマル
チモード光ファイバアレイ６のマルチモード光ファイバ
への光ファイバ出力に対するそのマルチモード光ファイ
バに隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロス
トークは、約−２７ｄＢであった。
【００５１】それに対して、本実施例に示される実装方
法によってボンディングした光伝送モジュールのよう
に、２nd. 側を接続領域１ｄの配線パッド上に行ない、
接続領域１ｄ上に金属扁平面５を形成したときには、発
光ビットに対向するマルチモード光ファイバアレイ６の
マルチモード光ファイバへの光ファイバ出力に対するそ
のマルチモード光ファイバに隣接するマルチモード光フ
ァイバ間の光学的クロストークは、平均で約−５２ｄＢ
程度になり、２０ｄＢ以上も改善された。そして、この
−５２ｄＢという値は、通信上では特に問題のないレベ
ルであり、十分、実用に耐えうるものである。
法によってボンディングした光伝送モジュールのよう
に、２nd. 側を接続領域１ｄの配線パッド上に行ない、
接続領域１ｄ上に金属扁平面５を形成したときには、発
光ビットに対向するマルチモード光ファイバアレイ６の
マルチモード光ファイバへの光ファイバ出力に対するそ
のマルチモード光ファイバに隣接するマルチモード光フ
ァイバ間の光学的クロストークは、平均で約−５２ｄＢ
程度になり、２０ｄＢ以上も改善された。そして、この
−５２ｄＢという値は、通信上では特に問題のないレベ
ルであり、十分、実用に耐えうるものである。
【００５２】この結果、上述したように、発光領域１ｃ
と接続領域１ｄとが区別して形成された端面発光型発光
ダイオードアレイ１ｂにおいて、ボンディングワイヤー
３の接合部分により接続領域１ｄ上に金属扁平面５を形
成し、ボンディングワイヤー３の接合部分による反射光
を削減するとともに、金属扁平面５に反射した光をマル
チモード光ファイバアレイ６方向以外の方向へ向かわせ
ることによって、ボンディングワイヤー３によりマルチ
モード光ファイバアレイ６方向へ反射する光が削減され
るので、隣接するマルチモード光ファイバへの光伝送上
のクロスト−ク光を防止することが可能であることがわ
かる。
と接続領域１ｄとが区別して形成された端面発光型発光
ダイオードアレイ１ｂにおいて、ボンディングワイヤー
３の接合部分により接続領域１ｄ上に金属扁平面５を形
成し、ボンディングワイヤー３の接合部分による反射光
を削減するとともに、金属扁平面５に反射した光をマル
チモード光ファイバアレイ６方向以外の方向へ向かわせ
ることによって、ボンディングワイヤー３によりマルチ
モード光ファイバアレイ６方向へ反射する光が削減され
るので、隣接するマルチモード光ファイバへの光伝送上
のクロスト−ク光を防止することが可能であることがわ
かる。
【００５３】また、本発明の第七の実施例を図７に基づ
いて説明する。図７は本実施例を示す縦断側面図であ
る。図１、図３、及び、図６に基づいて説明した第一の
実施例、第三の実施例、及び、第六の実施例と同一部分
については同一符号を用い、その説明を省略する。第六
の実施例において、前記ボンディングワイヤー３として
Ｓｉを１％含有するＡｌ線を使用し、ボンディング方式
として超音波によるウェッジボンディング方式を用い
て、前記回路基板２上のリード配線と端面発光型発光ダ
イオードアレイ１ｂとを接続し、前記接続領域１ｄのボ
ンディング領域を形成する配線パッド上に金属ボール面
４を形成することなく実装する。
いて説明する。図７は本実施例を示す縦断側面図であ
る。図１、図３、及び、図６に基づいて説明した第一の
実施例、第三の実施例、及び、第六の実施例と同一部分
については同一符号を用い、その説明を省略する。第六
の実施例において、前記ボンディングワイヤー３として
Ｓｉを１％含有するＡｌ線を使用し、ボンディング方式
として超音波によるウェッジボンディング方式を用い
て、前記回路基板２上のリード配線と端面発光型発光ダ
イオードアレイ１ｂとを接続し、前記接続領域１ｄのボ
ンディング領域を形成する配線パッド上に金属ボール面
４を形成することなく実装する。
【００５４】このような構成において、接続領域１ｄの
配線パッド上に、光の反射を削減するようなボンディン
グワイヤー３の接合形状を形成する実装方式を採用する
ことによって、光がマルチモード光ファイバアレイ６方
向へ反射しないので、隣接するマルチモード光ファイバ
の開口端面内へ入射する伝送信号に無関係な光が削減さ
れクロスト−ク光を防止することが可能である。
配線パッド上に、光の反射を削減するようなボンディン
グワイヤー３の接合形状を形成する実装方式を採用する
ことによって、光がマルチモード光ファイバアレイ６方
向へ反射しないので、隣接するマルチモード光ファイバ
の開口端面内へ入射する伝送信号に無関係な光が削減さ
れクロスト−ク光を防止することが可能である。
【００５５】本発明の第八の実施例を図８に基づいて説
明する。図８（ａ）は本実施例である光伝送モジュール
の側面図であり、図８（ｂ）は本実施例を示す光伝送モ
ジュールの正面図である。図１及び図３に基づいて説明
した第一の実施例及び第三の実施例と同一部分について
は同一符号を用い、その説明を省略する。端面発光型発
光ダイオードアレイ１ｂは回路基板２上に固定されてお
り、前記端面発光型発光ダイオードアレイ１ｂ上には発
光領域１ｃと接続領域１ｄとが区別して形成されてい
る。そして、前記接続領域１ｄの各配線パッドと前記回
路基板２上のリード配線とがＡｕ製のボンディングワイ
ヤー３により接続されている。また、コア径が５０μｍ
のマルチモード光ファイバアレイ６と前記発光領域１ｃ
とが対向して光結合されている。そして、前記マルチモ
ード光ファイバアレイ６は、光ファイバアレイの配列ピ
ッチを規定する光ファイバ整列用の下側ガイド基板９と
上側ガイド基板１０によって上下から挾むようにして固
定されている。前記上側ガイド基板１０は、前記端面発
光型発光ダイオードアレイ１ｂ側へ突き出すように前記
下側ガイド基板９と少しずれて前記発光領域１ｃの各発
光ビットを覆うように固定されている。このとき、前記
上側ガイド基板１０には前記発光領域１ｃの各発光ビッ
トと個々に対応する逆Ｖ字形状のＶ字溝が形成されてい
るので、その各Ｖ字溝内に発光ビットを配置すること
で、前記上側ガイド基板１０は前記発光領域１ｃの各発
光ビットに接触しないように固定することが可能であ
る。
明する。図８（ａ）は本実施例である光伝送モジュール
の側面図であり、図８（ｂ）は本実施例を示す光伝送モ
ジュールの正面図である。図１及び図３に基づいて説明
した第一の実施例及び第三の実施例と同一部分について
は同一符号を用い、その説明を省略する。端面発光型発
光ダイオードアレイ１ｂは回路基板２上に固定されてお
り、前記端面発光型発光ダイオードアレイ１ｂ上には発
光領域１ｃと接続領域１ｄとが区別して形成されてい
る。そして、前記接続領域１ｄの各配線パッドと前記回
路基板２上のリード配線とがＡｕ製のボンディングワイ
ヤー３により接続されている。また、コア径が５０μｍ
のマルチモード光ファイバアレイ６と前記発光領域１ｃ
とが対向して光結合されている。そして、前記マルチモ
ード光ファイバアレイ６は、光ファイバアレイの配列ピ
ッチを規定する光ファイバ整列用の下側ガイド基板９と
上側ガイド基板１０によって上下から挾むようにして固
定されている。前記上側ガイド基板１０は、前記端面発
光型発光ダイオードアレイ１ｂ側へ突き出すように前記
下側ガイド基板９と少しずれて前記発光領域１ｃの各発
光ビットを覆うように固定されている。このとき、前記
上側ガイド基板１０には前記発光領域１ｃの各発光ビッ
トと個々に対応する逆Ｖ字形状のＶ字溝が形成されてい
るので、その各Ｖ字溝内に発光ビットを配置すること
で、前記上側ガイド基板１０は前記発光領域１ｃの各発
光ビットに接触しないように固定することが可能であ
る。
【００５６】前記上側ガイド基板１０と前記下側ガイド
基板９は、ＫＯＨ溶液による単結晶シリコンの異方性エ
ッチングで製作されるＶ字溝を有するシリコン性のガイ
ド基板（Ｓｉ−Ｖ溝基板）である。そのガイド基板上の
Ｖ字溝の配列ピッチのピッチ精度等に問題はなく、前記
端面発光型発光ダイオードアレイ上の発光領域１ｃにお
ける発光ビットのピッチにガイド基板上のＶ字溝の配列
ピッチを精度良く合わせることは可能である。ところ
で、光ファイバアレイの配列ピッチを規定する光ファイ
バ整列用のガイド基板としては、シリコン性のガイド基
板のほかに、他の切削加工によるガラスやセラミック製
のもの、あるいは、プラスチック成形によるものでも良
い。そして、ガイド基板を固定する際には、ループの高
さを低くする等を施した前記ボンディングワイヤー３に
できるだけ接触しないようにする。このとき前記ボンデ
ィングワイヤー３の材料を工夫すればループの高さを１
０５μｍぐらいには設定できる。
基板９は、ＫＯＨ溶液による単結晶シリコンの異方性エ
ッチングで製作されるＶ字溝を有するシリコン性のガイ
ド基板（Ｓｉ−Ｖ溝基板）である。そのガイド基板上の
Ｖ字溝の配列ピッチのピッチ精度等に問題はなく、前記
端面発光型発光ダイオードアレイ上の発光領域１ｃにお
ける発光ビットのピッチにガイド基板上のＶ字溝の配列
ピッチを精度良く合わせることは可能である。ところ
で、光ファイバアレイの配列ピッチを規定する光ファイ
バ整列用のガイド基板としては、シリコン性のガイド基
板のほかに、他の切削加工によるガラスやセラミック製
のもの、あるいは、プラスチック成形によるものでも良
い。そして、ガイド基板を固定する際には、ループの高
さを低くする等を施した前記ボンディングワイヤー３に
できるだけ接触しないようにする。このとき前記ボンデ
ィングワイヤー３の材料を工夫すればループの高さを１
０５μｍぐらいには設定できる。
【００５７】このような構成において、回路基板２上の
駆動回路より電流が、金属細線であるボンディングワイ
ヤー３を介して、接続領域１ｄと発光領域１ｃとが区別
して形成された端面発光型半導体光素子アレイである端
面発光型ダイオードアレイ１ｂの接続領域１ｄへ、さら
に、金属配線を介して発光領域１ｃの各発光ビットのｎ
側電極に注入される。これによって端面発光型ダイオー
ドアレイ１ｂの各発光ビットの活性層の各端面から光が
発せられる。そして、マルチモード光ファイバアレイ６
方向以外に発せられた光のうちボンディングワイヤー３
のある方向へ発せられた光は、ボンディングワイヤー３
等によりマルチモード光ファイバ方向へ反射される。し
かし、このマルチモード光ファイバアレイ方向へ反射し
た光は、上側ガイド基板１０により遮られる。
駆動回路より電流が、金属細線であるボンディングワイ
ヤー３を介して、接続領域１ｄと発光領域１ｃとが区別
して形成された端面発光型半導体光素子アレイである端
面発光型ダイオードアレイ１ｂの接続領域１ｄへ、さら
に、金属配線を介して発光領域１ｃの各発光ビットのｎ
側電極に注入される。これによって端面発光型ダイオー
ドアレイ１ｂの各発光ビットの活性層の各端面から光が
発せられる。そして、マルチモード光ファイバアレイ６
方向以外に発せられた光のうちボンディングワイヤー３
のある方向へ発せられた光は、ボンディングワイヤー３
等によりマルチモード光ファイバ方向へ反射される。し
かし、このマルチモード光ファイバアレイ方向へ反射し
た光は、上側ガイド基板１０により遮られる。
【００５８】このように、発光領域１ｃと接続領域１ｄ
とが区別して形成された端面発光型発光ダイオードアレ
イ１ｂにおいて、上側ガイド基板１０を端面発光型発光
ダイオードアレイ１ｂ側へ突き出すように下側ガイド基
板９と少しずれて発光領域１ｃの各発光ビットを覆うよ
うに設け、マルチモード光ファイバアレイ６方向へ反射
した光を遮ることによって、隣接するマルチモード光フ
ァイバの開口端面内に入射する伝送光信号に無関係な光
が削減され隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的
クロストークを防止することが可能であり、さらに、前
記ボンディングワイヤー３側の上側ガイド基板１０のＶ
字溝をふさぐことによって、発光領域１ｃが密閉される
ので、隣接するマルチモード光ファイバの開口端面内に
入射する伝送光信号に無関係な光が削減され隣接するマ
ルチモード光ファイバ間の光学的クロストークを防止す
る効果を上げることもできる。
とが区別して形成された端面発光型発光ダイオードアレ
イ１ｂにおいて、上側ガイド基板１０を端面発光型発光
ダイオードアレイ１ｂ側へ突き出すように下側ガイド基
板９と少しずれて発光領域１ｃの各発光ビットを覆うよ
うに設け、マルチモード光ファイバアレイ６方向へ反射
した光を遮ることによって、隣接するマルチモード光フ
ァイバの開口端面内に入射する伝送光信号に無関係な光
が削減され隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的
クロストークを防止することが可能であり、さらに、前
記ボンディングワイヤー３側の上側ガイド基板１０のＶ
字溝をふさぐことによって、発光領域１ｃが密閉される
ので、隣接するマルチモード光ファイバの開口端面内に
入射する伝送光信号に無関係な光が削減され隣接するマ
ルチモード光ファイバ間の光学的クロストークを防止す
る効果を上げることもできる。
【００５９】
【発明の効果】請求項１記載の発明は、駆動回路が搭載
された基板上に端面発光型半導体光素子アレイを固定
し、端面発光型半導体光素子アレイの半導体光素子と駆
動回路とを金属細線により接続するとともに、端面発光
型半導体光素子アレイとマルチモード光ファイバアレイ
を対向させて光結合する光伝送モジュールにおいて、遮
光手段を設けることによって、発光領域から発せられる
光がマルチモード光ファイバアレイ方向へ反射するのを
防ぐので、隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的
クロストークを防止することができ、信頼性の高い光伝
送モジュールを実現することが可能となる。
された基板上に端面発光型半導体光素子アレイを固定
し、端面発光型半導体光素子アレイの半導体光素子と駆
動回路とを金属細線により接続するとともに、端面発光
型半導体光素子アレイとマルチモード光ファイバアレイ
を対向させて光結合する光伝送モジュールにおいて、遮
光手段を設けることによって、発光領域から発せられる
光がマルチモード光ファイバアレイ方向へ反射するのを
防ぐので、隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的
クロストークを防止することができ、信頼性の高い光伝
送モジュールを実現することが可能となる。
【００６０】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、端面発光型半導体光素子アレイの発光領域
と接続領域とを一体に形成するとき、遮光手段を設ける
ことによって、発光領域から発せられる光がマルチモー
ド光ファイバアレイ方向へ反射するのを防ぐので、隣接
するマルチモード光ファイバ間の光学的クロストークを
防止することができ、信頼性の高い光伝送モジュールを
実現することが可能となる。
明において、端面発光型半導体光素子アレイの発光領域
と接続領域とを一体に形成するとき、遮光手段を設ける
ことによって、発光領域から発せられる光がマルチモー
ド光ファイバアレイ方向へ反射するのを防ぐので、隣接
するマルチモード光ファイバ間の光学的クロストークを
防止することができ、信頼性の高い光伝送モジュールを
実現することが可能となる。
【００６１】請求項３記載の発明は、請求項１記載の発
明において、端面発光型半導体光素子アレイの発光領域
と接続領域とを区別して形成するとき、遮光手段を設け
ることによって、発光領域から発せられる光がマルチモ
ード光ファイバアレイ方向へ反射するのを防ぐので、隣
接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロストーク
を防止することができ、信頼性の高い光伝送モジュール
を実現することが可能となる。
明において、端面発光型半導体光素子アレイの発光領域
と接続領域とを区別して形成するとき、遮光手段を設け
ることによって、発光領域から発せられる光がマルチモ
ード光ファイバアレイ方向へ反射するのを防ぐので、隣
接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロストーク
を防止することができ、信頼性の高い光伝送モジュール
を実現することが可能となる。
【００６２】請求項４記載の発明は、請求項３記載の発
明において、発光領域の層構造と同一の層構造を成す遮
光ブロック層を形成することによって、発光領域から発
せられる光がマルチモード光ファイバアレイ方向へ反射
するのを防ぐので、特別な形成工程を追加することな
く、隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロス
トークを防止することができ、信頼性の高い光伝送モジ
ュールを実現することが可能となる。
明において、発光領域の層構造と同一の層構造を成す遮
光ブロック層を形成することによって、発光領域から発
せられる光がマルチモード光ファイバアレイ方向へ反射
するのを防ぐので、特別な形成工程を追加することな
く、隣接するマルチモード光ファイバ間の光学的クロス
トークを防止することができ、信頼性の高い光伝送モジ
ュールを実現することが可能となる。
【００６３】請求項５記載の発明は、請求項３記載の発
明において、発光領域より発せられる光がマルチモード
光ファイバアレイ方向へ反射しない方向に向けて接続領
域にある金属細線の接合部分の反射面を形成することに
よって、その光がマルチモード光ファイバアレイ方向へ
反射するのを防ぐので、隣接するマルチモード光ファイ
バ間の光学的クロストークを防止することができ、信頼
性の高い光伝送モジュールを実現することが可能とな
る。
明において、発光領域より発せられる光がマルチモード
光ファイバアレイ方向へ反射しない方向に向けて接続領
域にある金属細線の接合部分の反射面を形成することに
よって、その光がマルチモード光ファイバアレイ方向へ
反射するのを防ぐので、隣接するマルチモード光ファイ
バ間の光学的クロストークを防止することができ、信頼
性の高い光伝送モジュールを実現することが可能とな
る。
【００６４】請求項６記載の発明は、駆動回路が搭載さ
れた基板上に端面発光型半導体光素子アレイを固定し、
端面発光型半導体光素子アレイの半導体光素子と駆動回
路とを金属細線により接続するとともに、端面発光型半
導体光素子アレイとマルチモード光ファイバアレイを対
向させて光結合する光伝送モジュールにおいて、マルチ
モード光ファイバアレイの配列ピッチを規定する溝を形
成した複数の光ファイバ整列用ガイド基板によりマルチ
モード光ファイバアレイを挾むようにして固定すること
によって、半導体光素子アレイとマルチモード光ファイ
バアレイとの高精度な位置合わせができるうえ、少なく
とも一つの光ファイバ整列用ガイド基板の端面をマルチ
モード光ファイバアレイの端面より端面発光型半導体光
素子アレイ方向へずらして固定することによって、その
接続領域にある金属細線の接合部分の表面により反射し
た伝送信号に無関係な光が隣接するマルチモード光ファ
イバの開口端面内に入射するのを防ぐので、隣接するマ
ルチモード光ファイバ間の光学的クロストークを防止す
ることができるとともに、信頼性の高い光伝送モジュー
ルを実現することが可能となる。
れた基板上に端面発光型半導体光素子アレイを固定し、
端面発光型半導体光素子アレイの半導体光素子と駆動回
路とを金属細線により接続するとともに、端面発光型半
導体光素子アレイとマルチモード光ファイバアレイを対
向させて光結合する光伝送モジュールにおいて、マルチ
モード光ファイバアレイの配列ピッチを規定する溝を形
成した複数の光ファイバ整列用ガイド基板によりマルチ
モード光ファイバアレイを挾むようにして固定すること
によって、半導体光素子アレイとマルチモード光ファイ
バアレイとの高精度な位置合わせができるうえ、少なく
とも一つの光ファイバ整列用ガイド基板の端面をマルチ
モード光ファイバアレイの端面より端面発光型半導体光
素子アレイ方向へずらして固定することによって、その
接続領域にある金属細線の接合部分の表面により反射し
た伝送信号に無関係な光が隣接するマルチモード光ファ
イバの開口端面内に入射するのを防ぐので、隣接するマ
ルチモード光ファイバ間の光学的クロストークを防止す
ることができるとともに、信頼性の高い光伝送モジュー
ルを実現することが可能となる。
【図１】本発明の第一の実施例を示す光伝送モジュール
の縦断側面図である。
の縦断側面図である。
【図２】本発明の第二の実施例を示す光伝送モジュール
の縦断側面図である。
の縦断側面図である。
【図３】本発明の第三の実施例を示す光伝送モジュール
の縦断側面図である。
の縦断側面図である。
【図４】本発明の第四の実施例を示す光伝送モジュール
の縦断側面図である。
の縦断側面図である。
【図５】本発明の第五の実施例を示す光伝送モジュール
の斜視図である。
の斜視図である。
【図６】本発明の第六の実施例を示す光伝送モジュール
の縦断側面図である。
の縦断側面図である。
【図７】本発明の第七の実施例を示す光伝送モジュール
の縦断側面図である。
の縦断側面図である。
【図８】（ａ）は本発明の第八の実施例を示す光伝送モ
ジュールの側面図であり、（ｂ）本発明の第八の実施例
を示す光伝送モジュールの正面図である。
ジュールの側面図であり、（ｂ）本発明の第八の実施例
を示す光伝送モジュールの正面図である。
１ａ 発光領域と接続領域とを一体に形成した端面
発光型半導体光素子アレイ １ｂ 発光領域と接続領域とを区別して形成した端
面発光型半導体光素子アレイ １ｃ 発光領域 １ｄ 接続領域 ２ 基板 ３ 金属細線 ６ マルチモード光ファイバアレイ ７ 遮光手段 ８ 遮光ブロック層 ９、１０ 光ファイバ整列用ガイド基板
発光型半導体光素子アレイ １ｂ 発光領域と接続領域とを区別して形成した端
面発光型半導体光素子アレイ １ｃ 発光領域 １ｄ 接続領域 ２ 基板 ３ 金属細線 ６ マルチモード光ファイバアレイ ７ 遮光手段 ８ 遮光ブロック層 ９、１０ 光ファイバ整列用ガイド基板
Claims (6)
- 【請求項１】 駆動回路が搭載された基板上に端面発光
型半導体光素子アレイを固定し、前記端面発光型半導体
光素子アレイの半導体光素子と前記駆動回路とを金属細
線により接続するとともに、前記端面発光型半導体光素
子アレイとマルチモード光ファイバアレイを対向させて
光結合する光伝送モジュールにおいて、前記マルチモー
ド光ファイバアレイ方向への反射光を防止する遮光手段
を設けたことを特徴とする光伝送モジュール。 - 【請求項２】 前記端面発光型半導体光素子アレイの発
光領域と接続領域とを一体に形成したことを特徴とする
請求項１記載の光伝送モジュール。 - 【請求項３】 前記端面発光型半導体光素子アレイの発
光領域と接続領域とを区別して形成したことを特徴とす
る請求項１記載の光伝送モジュール。 - 【請求項４】 前記端面発光型半導体光素子アレイの発
光領域の層構造と同一の層構造を成す遮光ブロック層に
より遮光手段を形成したことを特徴とする請求項３記載
の光伝送モジュール。 - 【請求項５】 前記発光領域より発せられる光が前記マ
ルチモード光アレイ方向へ反射しない方向を向く前記接
続領域上の金属細線の接合部分の反射面により遮光手段
を形成したことを特徴とする請求項３記載の光伝送モジ
ュール。 - 【請求項６】 駆動回路が搭載された基板上に端面発光
型半導体光素子アレイを固定し、前記端面発光型半導体
光素子アレイの半導体光素子と前記駆動回路とを金属細
線により接続するとともに、前記端面発光型半導体光素
子アレイとマルチモード光ファイバアレイを対向させて
光結合する光伝送モジュールにおいて、前記マルチモー
ド光ファイバアレイの配列ピッチを規定する溝を形成し
た複数の光ファイバ整列用ガイド基板により前記マルチ
モード光ファイバアレイを挾むようにして固定するとと
もに、少なくとも一つの前記光ファイバ整列用ガイド基
板の端面を前記マルチモード光ファイバアレイの端面よ
り前記端面発光型半導体光素子アレイ方向へずらして固
定することを特徴とする光伝送モジュールの光結合構造
の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14933094A JP3337320B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 光伝送モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14933094A JP3337320B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 光伝送モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0815574A true JPH0815574A (ja) | 1996-01-19 |
| JP3337320B2 JP3337320B2 (ja) | 2002-10-21 |
Family
ID=15472757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14933094A Expired - Fee Related JP3337320B2 (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 光伝送モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3337320B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10727373B2 (en) | 2016-02-29 | 2020-07-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode, method for manufacturing light emitting diode, light emitting diode display device, and method for manufacturing light emitting diode display device |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP14933094A patent/JP3337320B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10727373B2 (en) | 2016-02-29 | 2020-07-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode, method for manufacturing light emitting diode, light emitting diode display device, and method for manufacturing light emitting diode display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3337320B2 (ja) | 2002-10-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |