JPH0815544A - 光導波路と光ファイバの接続方法 - Google Patents
光導波路と光ファイバの接続方法Info
- Publication number
- JPH0815544A JPH0815544A JP6151065A JP15106594A JPH0815544A JP H0815544 A JPH0815544 A JP H0815544A JP 6151065 A JP6151065 A JP 6151065A JP 15106594 A JP15106594 A JP 15106594A JP H0815544 A JPH0815544 A JP H0815544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical fiber
- optical waveguide
- optical
- core
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Mechanical Coupling Of Light Guides (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 作業効率の良い光導波路と光ファイバの接続
方法を提供する。 【構成】 光導波路（１１０）の基板（１０）にはＶ溝
（７０）が高精度に形成されており、このＶ溝（７０）
に光ファイバ（２００）をすれば、光導波路（１１０）
の突起形状の端部（８０）に含まれるコア部との光軸調
整が完了する。この後、光ファイバ（２００）と突起形
状の端部（８０）を融着するなどすれば、光導波路（１
１０）と光ファイバ（２００）の接続が完了する。
方法を提供する。 【構成】 光導波路（１１０）の基板（１０）にはＶ溝
（７０）が高精度に形成されており、このＶ溝（７０）
に光ファイバ（２００）をすれば、光導波路（１１０）
の突起形状の端部（８０）に含まれるコア部との光軸調
整が完了する。この後、光ファイバ（２００）と突起形
状の端部（８０）を融着するなどすれば、光導波路（１
１０）と光ファイバ（２００）の接続が完了する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信の分野で用いら
れる光導波路と光ファイバの接続に関するものである。
れる光導波路と光ファイバの接続に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信の分野では、通信用光ファイバか
らの光信号を分岐、結合等させる目的から、光導波路と
光ファイバを接続して用いる必要が生じる。従来の光導
波路と光ファイバの接続方法としては、例えば、次のよ
うなものが知られている。これは、多分岐のコア部を含
む導波路層が基板上に形成された光導波路を導波路ホル
ダに収容して導波路ユニットを作製し、これを光ファイ
バが保持されている光コネクタと端面同士を突き合わせ
て樹脂接着剤で接着する方法である。
らの光信号を分岐、結合等させる目的から、光導波路と
光ファイバを接続して用いる必要が生じる。従来の光導
波路と光ファイバの接続方法としては、例えば、次のよ
うなものが知られている。これは、多分岐のコア部を含
む導波路層が基板上に形成された光導波路を導波路ホル
ダに収容して導波路ユニットを作製し、これを光ファイ
バが保持されている光コネクタと端面同士を突き合わせ
て樹脂接着剤で接着する方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法で
は、接着に際して、導波路ユニットや光コネクタをステ
ージ上に載置して双方の位置を調整することにより光導
波路と光ファイバとの光軸調整を行う必要があり、この
ため接続作業に手間がかかっていた。また、接着前に光
ファイバや光導波路の端面を研磨する作業が必要で、こ
れにも手間がかかっていた。
は、接着に際して、導波路ユニットや光コネクタをステ
ージ上に載置して双方の位置を調整することにより光導
波路と光ファイバとの光軸調整を行う必要があり、この
ため接続作業に手間がかかっていた。また、接着前に光
ファイバや光導波路の端面を研磨する作業が必要で、こ
れにも手間がかかっていた。
【０００４】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、光導波路と光ファイバとの光軸調整を
簡略化でき、さらに光導波路の端面の研磨作業をも省略
することのできる、作業効率の良い光導波路と光ファイ
バの接続方法を提供することを目的とする。
なされたもので、光導波路と光ファイバとの光軸調整を
簡略化でき、さらに光導波路の端面の研磨作業をも省略
することのできる、作業効率の良い光導波路と光ファイ
バの接続方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、本発明の光導波路と光ファイバとの接続方法
は、光導波部であるコア部と、このコア部が埋設され、
このコア部より低屈折率のクラッド層とが基板上に形成
された光導波路、および光ファイバを用意する第１の工
程と、光導波路の端部においてクラッド層のうちコア部
を被覆するクラッド部の両側部をコア部に沿って除去す
る第２の工程と、クラッド層の除去により露出する基板
の表面から異方性エッチングを進行させ、基板のうちコ
ア部の下方に位置する部分にガイド溝を形成して、コア
部の端部をクラッド部とともに基板から分離することに
より、光導波路に突起形状の端部を形成する第３の工程
と、突起形状の端部の少なくとも一部を除去する第４の
工程と、ガイド溝に光ファイバを設置して、この光ファ
イバと光導波路とを端面同士で接続する第５の工程とを
備えている。
ために、本発明の光導波路と光ファイバとの接続方法
は、光導波部であるコア部と、このコア部が埋設され、
このコア部より低屈折率のクラッド層とが基板上に形成
された光導波路、および光ファイバを用意する第１の工
程と、光導波路の端部においてクラッド層のうちコア部
を被覆するクラッド部の両側部をコア部に沿って除去す
る第２の工程と、クラッド層の除去により露出する基板
の表面から異方性エッチングを進行させ、基板のうちコ
ア部の下方に位置する部分にガイド溝を形成して、コア
部の端部をクラッド部とともに基板から分離することに
より、光導波路に突起形状の端部を形成する第３の工程
と、突起形状の端部の少なくとも一部を除去する第４の
工程と、ガイド溝に光ファイバを設置して、この光ファ
イバと光導波路とを端面同士で接続する第５の工程とを
備えている。
【０００６】ここで、第４の工程は突起形状の端部の一
部に傷を付けて切断する工程であり、第５の工程は第４
の工程により露出した突起形状の端部の端面と光ファイ
バの端面とを突き合わせて、この光ファイバと光導波路
とを接続する工程であると良い。この接続は、突起形状
の端部の端面と光ファイバの端面とを突き合わせて双方
を融着することにより行っても良いし、突起形状の端部
の端面と光ファイバの端面とを突き合わせた後、ガイド
溝に固定材料を流入して固化させることにより行っても
良い。
部に傷を付けて切断する工程であり、第５の工程は第４
の工程により露出した突起形状の端部の端面と光ファイ
バの端面とを突き合わせて、この光ファイバと光導波路
とを接続する工程であると良い。この接続は、突起形状
の端部の端面と光ファイバの端面とを突き合わせて双方
を融着することにより行っても良いし、突起形状の端部
の端面と光ファイバの端面とを突き合わせた後、ガイド
溝に固定材料を流入して固化させることにより行っても
良い。
【０００７】また、第１の工程は、表面の面方位が｛１
００｝のシリコン製の板を基板とする光導波路を用意す
る工程であり、第３の工程で形成するガイド溝はＶ字状
の断面を有する溝であると良い。
００｝のシリコン製の板を基板とする光導波路を用意す
る工程であり、第３の工程で形成するガイド溝はＶ字状
の断面を有する溝であると良い。
【０００８】次に、本発明の光導波路は、光導波部であ
るコア部と、このコア部が埋設され、このコア部より低
屈折率のクラッド層とが基板上に形成された光導波路で
あって、コア部の端部がこれを被覆するクラッド部とと
もに基板および周囲のクラッド層から分離された突起形
状となっており、基板には、光ファイバが設置されるこ
とによりこの光ファイバとコア部の端部の光軸がほぼ一
致するガイド溝が形成されていることを特徴としてい
る。このガイド溝はＶ字状の断面を有するものであって
も良い。
るコア部と、このコア部が埋設され、このコア部より低
屈折率のクラッド層とが基板上に形成された光導波路で
あって、コア部の端部がこれを被覆するクラッド部とと
もに基板および周囲のクラッド層から分離された突起形
状となっており、基板には、光ファイバが設置されるこ
とによりこの光ファイバとコア部の端部の光軸がほぼ一
致するガイド溝が形成されていることを特徴としてい
る。このガイド溝はＶ字状の断面を有するものであって
も良い。
【０００９】
【作用】本発明の光導波路と光ファイバの接続方法で
は、エッチングプロセスを制御しして高精度のガイド溝
を基板に形成することにより、このガイド溝に光ファイ
バを設置するだけで光導波路との光軸調整が完了するの
で、光軸調整の作業が簡略化される。
は、エッチングプロセスを制御しして高精度のガイド溝
を基板に形成することにより、このガイド溝に光ファイ
バを設置するだけで光導波路との光軸調整が完了するの
で、光軸調整の作業が簡略化される。
【００１０】さらに、光導波路の突起形状の端部を切断
することにより露出する端面は極めて平滑なので、この
端面と光ファイバの端面を突き合わせて光導波路と光フ
ァイバを接続すれば、光導波路の端面を研磨する作業を
省略することができる。
することにより露出する端面は極めて平滑なので、この
端面と光ファイバの端面を突き合わせて光導波路と光フ
ァイバを接続すれば、光導波路の端面を研磨する作業を
省略することができる。
【００１１】また、本発明の光導波路は、ガイド溝に光
ファイバを設置してこの光ファイバの端面を本発明の光
導波路の端面と突き合わせることで光軸調整が完了する
ので、光ファイバとの接続が容易である。
ファイバを設置してこの光ファイバの端面を本発明の光
導波路の端面と突き合わせることで光軸調整が完了する
ので、光ファイバとの接続が容易である。
【００１２】
【実施例】以下、添付図面を参照しながら本発明の実施
例を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の
要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
例を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の
要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１３】図１〜図７は、本実施例の接続方法を示す
一連の工程図である。まず、接続に用いる光導波路１０
０と光ファイバ２００を用意する。図１のように、光導
波路１００は、表面の面方位が｛１００｝のシリコン基
板１０（厚さ１ｍｍ）と、この上面に積層されたクラッ
ド層２０と、このクラッド層２０に埋設されたコア部３
０とを備えている。
一連の工程図である。まず、接続に用いる光導波路１０
０と光ファイバ２００を用意する。図１のように、光導
波路１００は、表面の面方位が｛１００｝のシリコン基
板１０（厚さ１ｍｍ）と、この上面に積層されたクラッ
ド層２０と、このクラッド層２０に埋設されたコア部３
０とを備えている。
【００１４】クラッド層２０はシリコン基板１０上に積
層された厚さ３０μｍの下部クラッド層２１と、この上
に積層された上部クラッド層２２とから構成されてい
る。コア部３０は、Ｙ分岐部により１本から順次に分岐
した１×８分岐型のもので、８×８μｍの断面を有して
いる。コア部３０の上面から上部クラッド層４２の上面
までの厚さは３０μｍである。
層された厚さ３０μｍの下部クラッド層２１と、この上
に積層された上部クラッド層２２とから構成されてい
る。コア部３０は、Ｙ分岐部により１本から順次に分岐
した１×８分岐型のもので、８×８μｍの断面を有して
いる。コア部３０の上面から上部クラッド層４２の上面
までの厚さは３０μｍである。
【００１５】図１は光導波路１００の８芯側の端部を図
示したもので、８芯のうちの２芯が示されている。この
２芯を第１コア３１および第２コア３２と呼ぶと、これ
らは点線で模式的に示すようなＹ分岐導波路の分岐側導
波路であり、図示される光導波路１００の端部では直線
導波路となっている。なお、図示されない他の芯につい
ても第１コア３１や第２コア３２と同様に光ファイバ２
００との接続を行うことができる。
示したもので、８芯のうちの２芯が示されている。この
２芯を第１コア３１および第２コア３２と呼ぶと、これ
らは点線で模式的に示すようなＹ分岐導波路の分岐側導
波路であり、図示される光導波路１００の端部では直線
導波路となっている。なお、図示されない他の芯につい
ても第１コア３１や第２コア３２と同様に光ファイバ２
００との接続を行うことができる。
【００１６】クラッド層２０およびコア部３０はともに
石英（ＳｉＯ2 ）ガラスからなり、クラッド層２０には
Ｂ2 Ｏ3 およびＰ2 Ｏ5 がドープされ、コア部３０には
クラッド層２０より屈折率を高めるべく、さらにＧｅＯ
2 がドープされている。
石英（ＳｉＯ2 ）ガラスからなり、クラッド層２０には
Ｂ2 Ｏ3 およびＰ2 Ｏ5 がドープされ、コア部３０には
クラッド層２０より屈折率を高めるべく、さらにＧｅＯ
2 がドープされている。
【００１７】この光導波路１００は、シリコン基板１０
上に火炎堆積法を用いて下部クラッド層２１およびコア
部３０を形成した後、これらの上に火炎堆積法を用いて
上部クラッド層２２を形成して作製することができる。
コア部３０のパターン形成は反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）により行うことができる。
上に火炎堆積法を用いて下部クラッド層２１およびコア
部３０を形成した後、これらの上に火炎堆積法を用いて
上部クラッド層２２を形成して作製することができる。
コア部３０のパターン形成は反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）により行うことができる。
【００１８】一方、本実施例で用意する光ファイバ２０
０は、コアおよびこれを被覆するクラッドが石英ガラス
から構成されている石英系光ファイバであり、光導波路
と接続する端面は平滑になっている。この平滑な端面
は、光ファイバに小さな傷を付け、この部分を曲げなが
ら引っ張って光ファイバを切断することにより得られ
る。
０は、コアおよびこれを被覆するクラッドが石英ガラス
から構成されている石英系光ファイバであり、光導波路
と接続する端面は平滑になっている。この平滑な端面
は、光ファイバに小さな傷を付け、この部分を曲げなが
ら引っ張って光ファイバを切断することにより得られ
る。
【００１９】次に、図２のように、一般的なフォトリソ
グラフィ技術を用いて光導波路１００の上部クラッド層
２２の上に厚膜レジストのパターン４０を形成する。こ
のレジストパターン４０には光導波路１００の端部にお
いて長方形状の開口４１が設けられている。それぞれの
開口４１の間には各芯（図示されているのは、第１コア
３１および第２コア３２）およびクラッド層２０のうち
この端部を取り囲む部分を次に行う反応性イオンエッチ
ングから保護する帯状部４２がある。この帯状部４２の
幅は、１００μｍである。また、帯状部４２はコア部３
０の端部に対してほぼ左右対称となっている。
グラフィ技術を用いて光導波路１００の上部クラッド層
２２の上に厚膜レジストのパターン４０を形成する。こ
のレジストパターン４０には光導波路１００の端部にお
いて長方形状の開口４１が設けられている。それぞれの
開口４１の間には各芯（図示されているのは、第１コア
３１および第２コア３２）およびクラッド層２０のうち
この端部を取り囲む部分を次に行う反応性イオンエッチ
ングから保護する帯状部４２がある。この帯状部４２の
幅は、１００μｍである。また、帯状部４２はコア部３
０の端部に対してほぼ左右対称となっている。
【００２０】次に、図３のように、反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ）によりクラッド層２０のうち各芯の端部
を取り囲む部分の両側部を各芯の端部に沿って除去す
る。エッチングガスはＣ2 Ｆ6 、その流量は５０ｓｃｃ
ｍ、雰囲気圧は５Ｐａとする。なお、以下では、クラッ
ド層のうち各芯の端部を被覆し、その左右のクラッド層
が除去されている部分をクラッド部５０とよぶ。図３に
おいて、５１は第１コア３１を被覆するクラッド部を示
し、５２は第２コア３２を被覆するクラッド部を示して
いる。
ング（ＲＩＥ）によりクラッド層２０のうち各芯の端部
を取り囲む部分の両側部を各芯の端部に沿って除去す
る。エッチングガスはＣ2 Ｆ6 、その流量は５０ｓｃｃ
ｍ、雰囲気圧は５Ｐａとする。なお、以下では、クラッ
ド層のうち各芯の端部を被覆し、その左右のクラッド層
が除去されている部分をクラッド部５０とよぶ。図３に
おいて、５１は第１コア３１を被覆するクラッド部を示
し、５２は第２コア３２を被覆するクラッド部を示して
いる。
【００２１】コア部３０の端部およびこれを取り囲むク
ラッド部５０からなる柱状ガラス層の幅は１００μｍで
ある。この工程により、シリコン基板１０の表面がこの
柱状ガラス層の両側で露出する。
ラッド部５０からなる柱状ガラス層の幅は１００μｍで
ある。この工程により、シリコン基板１０の表面がこの
柱状ガラス層の両側で露出する。
【００２２】次いで、図４のように、レジストパターン
４０を除去してから、シリコン基板１０にＳｉＮマスク
層６０（ハッチングの施された領域）をプラズマＣＶＤ
により形成する。これは、ウェットエッチングにより断
面がＶ字状のガイド溝（いわゆるＶ溝）をシリコン基板
１０に形成するためのものである。原料ガスにはＳｉＨ
4 とＮ2 を用い、流量比（ＳｉＨ4 ／Ｎ2 ）は１５／３
０ｓｃｃｍとする。また。基板温度を３００℃、雰囲気
圧を５Ｐａ、プラズマ発生電力を１００Ｗとする。
４０を除去してから、シリコン基板１０にＳｉＮマスク
層６０（ハッチングの施された領域）をプラズマＣＶＤ
により形成する。これは、ウェットエッチングにより断
面がＶ字状のガイド溝（いわゆるＶ溝）をシリコン基板
１０に形成するためのものである。原料ガスにはＳｉＨ
4 とＮ2 を用い、流量比（ＳｉＨ4 ／Ｎ2 ）は１５／３
０ｓｃｃｍとする。また。基板温度を３００℃、雰囲気
圧を５Ｐａ、プラズマ発生電力を１００Ｗとする。
【００２３】ＳｉＮマスク層６０には、クラッド部５０
の左右の位置に帯状の開口６１が設けられており、ここ
からシリコン基板１０の表面が露出する。開口６１の幅
は、クラッド部の左右でほぼ同一にする。これにより、
クラッド部５０のほぼ中央に位置するコア部３０の端部
に対して左右対称の断面形状を有するＶ溝を形成するこ
とができる。
の左右の位置に帯状の開口６１が設けられており、ここ
からシリコン基板１０の表面が露出する。開口６１の幅
は、クラッド部の左右でほぼ同一にする。これにより、
クラッド部５０のほぼ中央に位置するコア部３０の端部
に対して左右対称の断面形状を有するＶ溝を形成するこ
とができる。
【００２４】次に、図５のように、異方性ウェットエッ
チングによりシリコン基板１０にＶ溝を形成する。これ
は、シリコン基板１０をエッチング液であるＫＯＨ液に
浸漬して行う。シリコンの｛１１１｝面は基板表面の
｛１００｝面と比較してエッチング速度が極めて遅いの
で、基板表面からエッチングを進行させるとエッチング
による基板除去部の左右に基板表面に対して傾いた｛１
１１｝面が現れる。これにより、シリコン基板１０に二
つの｛１１１｝面を側面とするＶ溝が形成される。ウエ
ットエッチングが終了したら、ＣＦ4 をエッチングガス
としてＲＩＥを行うことにより、ＳｉＮマスク層６０を
除去する。
チングによりシリコン基板１０にＶ溝を形成する。これ
は、シリコン基板１０をエッチング液であるＫＯＨ液に
浸漬して行う。シリコンの｛１１１｝面は基板表面の
｛１００｝面と比較してエッチング速度が極めて遅いの
で、基板表面からエッチングを進行させるとエッチング
による基板除去部の左右に基板表面に対して傾いた｛１
１１｝面が現れる。これにより、シリコン基板１０に二
つの｛１１１｝面を側面とするＶ溝が形成される。ウエ
ットエッチングが終了したら、ＣＦ4 をエッチングガス
としてＲＩＥを行うことにより、ＳｉＮマスク層６０を
除去する。
【００２５】シリコンの結晶構造に起因して最初に現れ
るＶ溝の頂角は約７０度となるが、さらにエッチングを
続けるとわずかずつエッチングが進行して溝が深くなる
ので、これを利用して頂角を微調整することができる。
また、Ｖ溝の深さは、ＳｉＮマスク層に設けられた開口
の幅により調節することができ、幅を大きくするほど深
いＶ溝が形成される。このように、Ｖ溝の形状はエッチ
ングプロセスの制御により高精度に調節することが可能
であり、接続すべき光ファイバをＶ溝に設置するだけ
で、光ファイバと光導波路の光軸を合致させることがで
きるような形状に形成することができる。
るＶ溝の頂角は約７０度となるが、さらにエッチングを
続けるとわずかずつエッチングが進行して溝が深くなる
ので、これを利用して頂角を微調整することができる。
また、Ｖ溝の深さは、ＳｉＮマスク層に設けられた開口
の幅により調節することができ、幅を大きくするほど深
いＶ溝が形成される。このように、Ｖ溝の形状はエッチ
ングプロセスの制御により高精度に調節することが可能
であり、接続すべき光ファイバをＶ溝に設置するだけ
で、光ファイバと光導波路の光軸を合致させることがで
きるような形状に形成することができる。
【００２６】Ｖ溝７０が形成されたことによりクラッド
部５０はシリコン基板１０から分離される。これによ
り、光導波路にコア部３０の端部およびクラッド部５０
からなる突起形状の端部８０が形成される。
部５０はシリコン基板１０から分離される。これによ
り、光導波路にコア部３０の端部およびクラッド部５０
からなる突起形状の端部８０が形成される。
【００２７】次に、図６のように、突起形状端部８０を
切断する。これは、光ファイバの切断に用いられる応力
破断法により行い、具体的には、突起形状端部８０の一
部に超硬合金製の刃で微小な傷を付け、引っ張りと曲げ
応力を同時に加えて切断する。これにより現れる突起形
状端部の端面は、鏡面のように極めて平滑な平面とな
る。この端面と光ファイバの端面とを当接させて光ファ
イバを接続することができるので、突起形状端部の端面
を研磨する工程を省略することができる。
切断する。これは、光ファイバの切断に用いられる応力
破断法により行い、具体的には、突起形状端部８０の一
部に超硬合金製の刃で微小な傷を付け、引っ張りと曲げ
応力を同時に加えて切断する。これにより現れる突起形
状端部の端面は、鏡面のように極めて平滑な平面とな
る。この端面と光ファイバの端面とを当接させて光ファ
イバを接続することができるので、突起形状端部の端面
を研磨する工程を省略することができる。
【００２８】こうして作製されたものが、光ファイバと
の接続が容易な本実施例の光導波路１１０である（図
６）。この光導波路１１０のシリコン基板１０に形成さ
れたＶ溝７０は、用意した接続用の光ファイバ２００が
設置されることにより、この光ファイバ２００とコア部
３０の端部の光軸がほぼ一致するような形状に形成され
ている。
の接続が容易な本実施例の光導波路１１０である（図
６）。この光導波路１１０のシリコン基板１０に形成さ
れたＶ溝７０は、用意した接続用の光ファイバ２００が
設置されることにより、この光ファイバ２００とコア部
３０の端部の光軸がほぼ一致するような形状に形成され
ている。
【００２９】続いて、図７のように、Ｖ溝７０に光ファ
イバ２００を設置して、突起形状端部８０に光ファイバ
２００を接続する。具体的には、突起形状端部の端面に
光ファイバの端面を突き合わせてから、放電電極を用い
て双方の端部を加熱し、溶融状態になったところで端面
同士をくっつけ、加熱を止めて冷却することにより、融
着接続する。融着接続する代わりに、突起形状端部の端
面に光ファイバの端面を当接させてから、Ｖ溝に樹脂接
着剤やハンダ等のゲル状の固定材料を流入し、その後、
これを固化させて当接部を固定することにより、接続を
行っても良い。これにより、光導波路１１０と光ファイ
バ２００の接続が完了する。
イバ２００を設置して、突起形状端部８０に光ファイバ
２００を接続する。具体的には、突起形状端部の端面に
光ファイバの端面を突き合わせてから、放電電極を用い
て双方の端部を加熱し、溶融状態になったところで端面
同士をくっつけ、加熱を止めて冷却することにより、融
着接続する。融着接続する代わりに、突起形状端部の端
面に光ファイバの端面を当接させてから、Ｖ溝に樹脂接
着剤やハンダ等のゲル状の固定材料を流入し、その後、
これを固化させて当接部を固定することにより、接続を
行っても良い。これにより、光導波路１１０と光ファイ
バ２００の接続が完了する。
【００３０】このように、本実施例の接続方法によれ
ば、ガイド溝７０に光ファイバ２００を設置するだけで
この光ファイバ２００と光導波路１１０の光軸調整が完
了し、しかも光導波路１１０の端面を研磨する必要もな
い。したがって、非常に効率良く光導波路１１０と光フ
ァイバ２００の接続作業を実行することができる。
ば、ガイド溝７０に光ファイバ２００を設置するだけで
この光ファイバ２００と光導波路１１０の光軸調整が完
了し、しかも光導波路１１０の端面を研磨する必要もな
い。したがって、非常に効率良く光導波路１１０と光フ
ァイバ２００の接続作業を実行することができる。
【００３１】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、様々な変形が可能である。例えば、クラッ
ド層のうちクラッド部の両側部の除去は、反応性イオン
エッチングによらずに、ダイシング加工によりクラッド
層を研削して行うこともできる。また、ガイド溝の形状
は本実施例のようなＶ字状のものに限られず、例えば断
面が矩形状のものでも良い。
のではなく、様々な変形が可能である。例えば、クラッ
ド層のうちクラッド部の両側部の除去は、反応性イオン
エッチングによらずに、ダイシング加工によりクラッド
層を研削して行うこともできる。また、ガイド溝の形状
は本実施例のようなＶ字状のものに限られず、例えば断
面が矩形状のものでも良い。
【００３２】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明の光
導波路と光ファイバの接続方法では、基板に形成したガ
イド溝に光ファイバを設置するだけでこの光ファイバと
光導波路の光軸調整が完了するので、光軸調整の作業が
簡略化される。
導波路と光ファイバの接続方法では、基板に形成したガ
イド溝に光ファイバを設置するだけでこの光ファイバと
光導波路の光軸調整が完了するので、光軸調整の作業が
簡略化される。
【００３３】さらに、光導波路の突起形状の端部を切断
することにより露出する端面は極めて平滑なので、この
端面と光ファイバの端面を突き合わせて光導波路と光フ
ァイバを接続すれば、光導波路の端面を研磨する作業を
省略することができる。
することにより露出する端面は極めて平滑なので、この
端面と光ファイバの端面を突き合わせて光導波路と光フ
ァイバを接続すれば、光導波路の端面を研磨する作業を
省略することができる。
【００３４】したがって、本発明の接続方法によれば、
非常に効率良く光導波路と光ファイバを接続することが
できる。
非常に効率良く光導波路と光ファイバを接続することが
できる。
【００３５】また、本発明の光導波路は、ガイド溝に光
ファイバを設置してこの光ファイバの端面を本発明の光
導波路の端面と突き合わせることで光軸調整が完了する
ので、この光導波路を用いれば接続作業を効率良く行う
ことができる。
ファイバを設置してこの光ファイバの端面を本発明の光
導波路の端面と突き合わせることで光軸調整が完了する
ので、この光導波路を用いれば接続作業を効率良く行う
ことができる。
【図１】本実施例の接続方法を示す第１の工程図であ
る。
る。
【図２】本実施例の接続方法を示す第２の工程図であ
る。
る。
【図３】本実施例の接続方法を示す第３の工程図であ
る。
る。
【図４】本実施例の接続方法を示す第４の工程図であ
る。
る。
【図５】本実施例の接続方法を示す第５工程図である。
【図６】本実施例の接続方法を示す第６の工程図であ
る。
る。
【図７】本実施例の接続方法を示す第７の工程図であ
る。
る。
１０…シリコン基板、２０…クラッド層、３０…コア
部、４０…レジストパターン、４１…開口、４２…帯状
部、５０…クラッド部、６０…ＳｉＮマスク層、６１…
開口、７０…Ｖ溝、８０…光導波路の突起形状の端部。
部、４０…レジストパターン、４１…開口、４２…帯状
部、５０…クラッド部、６０…ＳｉＮマスク層、６１…
開口、７０…Ｖ溝、８０…光導波路の突起形状の端部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 眞秀 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内
Claims (6)
- 【請求項１】 光導波部であるコア部と、このコア部が
埋設され、このコア部より低屈折率のクラッド層とが基
板上に形成された光導波路、および光ファイバを用意す
る第１の工程と、 前記光導波路の端部において前記クラッド層のうち前記
コア部を被覆するクラッド部の両側部を前記コア部に沿
って除去する第２の工程と、 前記クラッド層の除去により露出する前記基板の表面か
ら異方性エッチングを進行させ、前記基板のうち前記コ
ア部の下方に位置する部分にガイド溝を形成して、前記
コア部の端部を前記クラッド部とともに前記基板から分
離することにより、前記光導波路に突起形状の端部を形
成する第３の工程と、 前記突起形状の端部の少なくとも一部を除去する第４の
工程と、 前記ガイド溝に前記光ファイバを設置して、この光ファ
イバと前記光導波路とを端面同士で接続する第５の工程
と、 を備える光導波路と光ファイバの接続方法。 - 【請求項２】 前記第４の工程は、前記突起形状の端部
の一部に傷を付けて切断する工程であり、 前記第５の工程は、前記第４の工程により露出した前記
突起形状の端部の端面と前記光ファイバの端面とを突き
合わせて、この光ファイバと前記光導波路とを接続する
工程であることを特徴とする請求項１記載の光導波路と
光ファイバの接続方法。 - 【請求項３】 前記第５の工程は、前記第４の工程によ
り露出した前記突起形状の端部の端面と前記光ファイバ
の端面とを突き合わせて双方を融着することにより、前
記光導波路と前記光ファイバとを接続する工程であるこ
とを特徴とする請求項２記載の光導波路と光ファイバの
接続方法。 - 【請求項４】 前記第５の工程は、前記第４の工程によ
り露出した前記突起形状の端部の端面と前記光ファイバ
の端面とを突き合わせた後、前記ガイド溝に固定材料を
流入して固化させることにより、前記光導波路と前記光
ファイバとを接続する工程であることを特徴とする請求
項２記載の光導波路と光ファイバの接続方法。 - 【請求項５】 前記第１の工程は、表面の面方位が｛１
００｝のシリコン製の板を基板とする光導波路を用意す
る工程であり、 前記第３の工程で形成する前記ガイド溝はＶ字状の断面
を有する溝であることを特徴とする請求項１から４まで
のいずれか記載の光導波路と光ファイバの接続方法。 - 【請求項６】 光導波部であるコア部と、このコア部が
埋設され、このコア部より低屈折率のクラッド層とが基
板上に形成された光導波路であって、 前記コア部の端部がこれを被覆するクラッド部とともに
前記基板および周囲のクラッド層から分離された突起形
状となっており、 前記基板には、光ファイバが設置されることによりこの
光ファイバと前記コア部の端部の光軸がほぼ一致するガ
イド溝が形成されていることを特徴とする光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15106594A JP3476095B2 (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 光導波路と光ファイバの接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15106594A JP3476095B2 (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 光導波路と光ファイバの接続方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0815544A true JPH0815544A (ja) | 1996-01-19 |
| JP3476095B2 JP3476095B2 (ja) | 2003-12-10 |
Family
ID=15510540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15106594A Expired - Fee Related JP3476095B2 (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 光導波路と光ファイバの接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3476095B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100650820B1 (ko) * | 2003-09-26 | 2006-11-27 | 엘에스전선 주식회사 | 평면 광도파로 소자의 제조방법 |
| JP2014041189A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-06 | Fujitsu Ltd | 光コネクタおよびその製造方法 |
| JP2015025954A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 日立化成株式会社 | 光ファイバコネクタ及びその製造方法、光ファイバケーブル |
-
1994
- 1994-07-01 JP JP15106594A patent/JP3476095B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100650820B1 (ko) * | 2003-09-26 | 2006-11-27 | 엘에스전선 주식회사 | 평면 광도파로 소자의 제조방법 |
| JP2014041189A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-06 | Fujitsu Ltd | 光コネクタおよびその製造方法 |
| JP2015025954A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 日立化成株式会社 | 光ファイバコネクタ及びその製造方法、光ファイバケーブル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3476095B2 (ja) | 2003-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2032876C (en) | Fused fiber optic coupler | |
| JP2550890B2 (ja) | 光導波路の接続構造およびその製造方法 | |
| JP2862625B2 (ja) | 埋め込み型石英系光導波路およびその製造方法 | |
| JP3476095B2 (ja) | 光導波路と光ファイバの接続方法 | |
| JP2002277661A (ja) | 光導波路デバイスの切り出し方法 | |
| JP3201864B2 (ja) | 石英系光導波路部品の製造方法 | |
| JP2771167B2 (ja) | 光集積回路の実装方法 | |
| JPH0634837A (ja) | 光部品 | |
| JP2006145902A (ja) | 光伝送用チップおよびその製造方法 | |
| JPS61267010A (ja) | 光導波回路及びその製造方法 | |
| JPH08190031A (ja) | 光導波路と光ファイバを接続するための光導波路モジュールとその製造方法 | |
| JPH04313710A (ja) | 光導波路部品の製造方法 | |
| JPH07128545A (ja) | 光導波路と光ファイバとの接続方法 | |
| JPS6017406A (ja) | 光導波路と光フアイバとの結合方法 | |
| JPS58176612A (ja) | 単一偏波光フアイバの接続方法 | |
| JP3228614B2 (ja) | 光ファイバと光導波路の接続部構造 | |
| JPH0829636A (ja) | 光導波路基板と光ファイバの接続方法 | |
| JP2570307B2 (ja) | 光ファイバ接続子 | |
| JPS6365406A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPH0815543A (ja) | 光導波路と光ファイバの接続方法および接続構造 | |
| JPS624682B2 (ja) | ||
| JP3430501B2 (ja) | 光導波路デバイスおよびその製造方法 | |
| JPH05224075A (ja) | 偏波保持光ファイバカプラ | |
| JPH06281837A (ja) | 光ファイバーの接続方法及びそれによるカップラ− | |
| JP3329951B2 (ja) | 光学素子と接続用光部品の接続構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070926 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080926 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090926 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090926 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100926 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |