JPH0815371A - Ic測定方法及び測定機構 - Google Patents

Ic測定方法及び測定機構

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JPH0815371A
JPH0815371A JP6152062A JP15206294A JPH0815371A JP H0815371 A JPH0815371 A JP H0815371A JP 6152062 A JP6152062 A JP 6152062A JP 15206294 A JP15206294 A JP 15206294A JP H0815371 A JPH0815371 A JP H0815371A
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JP
Japan
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lead
contactor
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measuring mechanism
leads
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JP6152062A
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English (en)
Inventor
Takeshi Okuyama
武 奥山
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明はIC測定方法及び測定機構に関し、
ICの電気的特性試験を行う場合にリードの変形を発生
させることなく、良好な状態で測定を行うことができる
IC測定方法及び測定機構を実現することを目的とす
る。 【構成】 表面実装型ICの電気的特性試験において、
接触子14がIC12のリード15の下面又は上面の全
面に対して接触することにより接触抵抗を低減させるよ
うに構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はICの電気的特性試験を
行う場合のIC測定方法及び測定機構に関する。
【0002】半導体ICでは、その高集積化に伴って入
出力端子数が増加しているが、特に表面実装型ICに関
してはその傾向が顕著である。それに従って個々の端子
(リード)は細くなり、強度も極端に低下する為、当然
のことながら端子(リード)の変形は起き易くなってい
る。
【0003】このため、ICの回路実装の自動化が進ん
でいる現在、端子が変形しているICが実装されてしま
うと、その発見と修復に膨大な時間と労力を要すること
になる。また、最悪の場合は市場で重大事故を発生させ
る可能性もある。
【0004】一方、電気的特性試験の測定の面において
は、ICの高速化に伴い、インピーダンス整合の最適化
が課題となっている。以上の理由から、IC測定時にお
ける端子(リード)の変形防止、測定時の接触部分での
インピーダンス整合が重要な課題となっている。
【0005】
【従来の技術】一般に表面実装型ICはICソケットに
嵌合された状態で、LSIテストシステムによって電気
的特性試験が行われる。図6は従来のICソケットを示
す図である。同図において、1は絶縁体のソケット本体
であり、該ソケット本体1には多数の接触子2が設けら
れており、該接触子2の終端はプリント基板3に半田付
けされ、さらに、LSIテストシステムに接続させる為
の測定配線4が半田付けされている。
【0006】そして、方形状に整列した接触子2にリー
ド5を接触させたIC6は、ソケット本体1に対して垂
直方向に圧力が加えられリード5が接触子2に弾接され
る。(なおピン7を中心として回転する上蓋8の閉塞に
よって接触子2に弾接するタイプもあるが、何れにして
もソケット本体に対し垂直方向に圧力を加えて接触させ
る。)このように接触子2にリード5が弾接した状態で
IC6の電気的特性試験が行なわれる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のICソケッ
トでは次のような問題がある。即ち、ソケットへICを
押圧するのに自動機を使用する場合は垂直方向に加える
圧力が必ずしも適当でない場合があり、圧力が強すぎる
とリードを変形させてしまうことがある。また測定上に
おいても、接触子2が弾性変形を可能とするため複雑な
形状をしており、そのためインピーダンス整合などの問
題があった。
【0008】本発明は、ICの電気的特性試験を行う場
合にリードの変形を発生させることなく、良好な状態で
測定を行うことができるIC測定方法及び測定機構を実
現しようとする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明のIC測定方法に
於いては、表面実装型ICの電気的特性試験において、
接触子14がIC12のリード15の下面又は上面の全
面に対して接触することにより接触抵抗を低減させたこ
とを特徴とする。
【0010】また、本発明のIC測定機構に於いては、
電気的特性試験を行いながらIC12のリード15の形
状の成形又は変形を修正する機構を有することを特徴と
する。また、それに加えて、上記IC12のリード15
の形状の成形又は変形を修正する機構は、リード15の
下面又は上面の全面に接触可能なブロック状の接触子1
4と該接触子14に対応してリード15を押圧できる突
起19とよりなることを特徴とする。また、上記接触子
14の外周に絶縁層21を介してシールド層22を設け
たことを特徴とする。
【0011】この構成を採ることにより、ICの電気的
特性試験を行う場合にリードの変形を発生させることな
く、良好な状態で測定を行うことができるIC測定方法
及び測定機構が得られる。
【0012】
【作用】本発明では、図1及び図2の如くIC12の所
定の形状に折曲形成されたリード15の下面に全面接触
できる形状に上面を形成された接触子14を有する下型
10と、IC12のリード15の上面に全面接触できる
突起19を有する上型11とによりIC測定機構を構成
し、該IC測定機構により図3(a)の如く下型10と
上型11との間にIC12を挿入し、上型11を押圧す
ることにより、IC12のリード15の下面は接触子1
4に全面接触する。
【0013】これにより、リード15の変形防止又は変
形したものの修正が可能となり、さらに予め所定の形状
に形成されていないリードの成形も可能となる。またリ
ード15の下面全面に接触子14が接触することによ
り、接触抵抗は低減し、インピーダンス整合性の向上が
可能となる。
【0014】
【実施例】図1、図2、及び図3(a)は本発明のIC
測定方法を実施できるIC測定機構の第1の実施例を示
す図で、図1は斜視図、図2はICと共に示す正面図、
図3(a)はICと共に示す断面図である。本実施例の
IC測定機構は、図1及び図2に示されるように下型1
0と上型11により構成されている。
【0015】そして、下型10は接触子14以外は絶縁
物で形成され、IC12を収容する凹部13と、その周
囲にIC12のリード15に接触する金属製の多数の接
触子14が設けられている。この接触子14は図3
(a)に示すようにブロック状(ばね性を有しない)を
なし、その上面はICのリード15の下面に全面接触で
きる形状となっている。また該接触子14にはテスター
へ接続するための測定配線16が取付けられている。ま
た、接触子14と接触子14との間には三角形状の突起
18が形成されており、凹部13の中央にはICパッケ
ージ保護用の緩衝材17が設けられている。
【0016】また、上型11は図1及び図2に示すよう
に絶縁物で形成され、下面にICを収容する凹部(図示
なし)が形成され、その外周にIC12のリード15を
押圧する多数の突起19が下型10の接触子14に対応
して形成されている。この突起19は図3(a)に示す
ように、ICのリード15の上面全面を押圧できる形状
となっている。また該上型11の上部には押圧用のシャ
フト20が設けられ、下面の凹部には下型10と同様に
ICパッケージ保護用の緩衝材21が設けられている。
【0017】このように構成されたIC測定機構を用い
た本発明のIC測定方法を図2及び図3により説明す
る。図3(b)に示すような、予めリード15が所定の
形状に折曲形成されたIC12、又は図3(c)に示す
ような予めリード15が所定の形状に折曲形成されてい
ないIC12の何れを測定する場合でも、IC12の本
体を下型10の凹部13に、各リード15は突起18と
突起18の間にそれぞれ挿入し、上型11を下型10に
合わせて被せ、シャフト20を介して押圧する。
【0018】このように下型10と上型11とにより上
下から押圧されたIC12は、図3(a)の如く、IC
本体はその上下を緩衝材17,21で柔かく支持され、
リード15は下型10の接触子14と上型11の突起1
9とにより押圧され、それぞれに全面接触する。これに
より変形のあったリードは矯正され、図3(c)のIC
の場合は、リード15は所定の形状に折曲形成される。
また、リード15の下面が接触子14に全面接触するた
め接触抵抗が小さくなり、接触部と測定配線16間の距
離が小さいことと相まってインピーダンスの整合が可能
となる。
【0019】図4は本発明のIC測定機構の第2の実施
例を示す図である。本実施例は、基本的には第1の実施
例と同様であり、異なるところは、接触子14を上型1
1に設けたことである。このように構成された本実施例
は第1の実施例と同様な作用を行うことができ、従って
同様な効果が得られる。
【0020】図5は本発明のIC測定機構の第3の実施
例の要部を示す図である。本実施例は、基本的には第1
の実施例と同様であり、異なるところは、接触子14の
外周に絶縁層21を介してシールド層22を設けたこと
である。このように構成された本実施例は、シールド層
22を測定配線16のシールド線23に接続して用いら
れる。本実施例の作用・効果は第1の実施例と同様に得
られる上、対ノイズ性の向上が得られる。
【0021】
【発明の効果】本発明に依れば、ICのリードを型に嵌
めるIC測定機構により、リード形状の成形、変形の防
止、及び変形したりリードの修正が可能となる。また、
リードの下面又は上面の全面に接触子が接触することに
より、接触抵抗の低減、インピーダンス整合性の向上が
可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のIC測定機構の第1の実施例を示す斜
視図である。
【図2】本発明のIC測定機構の第1の実施例をICと
共に示す図である。
【図3】本発明のIC測定機構の第1の実施例をICと
共に示す断面図である。
【図4】本発明のIC測定機構の第2の実施例を示す図
である。
【図5】本発明のIC測定機構の第3の実施例の要部を
示す図である。
【図6】従来のICソケットを示す図である。
【符号の説明】
10…下型 11…上型 12…IC 13…凹部 14…接触子 15…リード 16…測定配線 17,21…緩衝材 18,19…突起 20…シャフト 21…絶縁層 22…シールド層

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面実装型ICの電気的特性試験におい
    て、接触子(14)がIC(12)のリード(15)の
    下面又は上面の全面に対して接触することにより接触抵
    抗を低減させたことを特徴とするIC測定方法。
  2. 【請求項2】 電気的特性試験を行いながらIC(1
    2)のリード(15)の形状の成形又は変形を修正する
    機構を有することを特徴とするIC測定機構。
  3. 【請求項3】 上記IC(12)のリード(15)の形
    状の成形又は変形を修正する機構は、リード(15)の
    下面又は上面の全面に接触可能なブロック状の接触子
    (14)と該接触子(14)に対応してリード(15)
    を押圧できる突起(19)とよりなることを特徴とする
    請求項2のIC測定機構。
  4. 【請求項4】 上記接触子(14)の外周に絶縁層(2
    1)を介してシールド層(22)を設けたことを特徴と
    する請求項3のIC測定機構。
JP6152062A 1994-07-04 1994-07-04 Ic測定方法及び測定機構 Withdrawn JPH0815371A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002056040A1 (en) * 2001-01-09 2002-07-18 Advantest Corporation Pusher and electronic part tester with the pusher

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002056040A1 (en) * 2001-01-09 2002-07-18 Advantest Corporation Pusher and electronic part tester with the pusher
KR100747076B1 (ko) * 2001-01-09 2007-08-07 가부시키가이샤 아드반테스트 푸숴 및 이것을 갖춘 전자부품시험장치

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