JPH08153587A - 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子およびその製造方法Info
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- JPH08153587A JPH08153587A JP6315570A JP31557094A JPH08153587A JP H08153587 A JPH08153587 A JP H08153587A JP 6315570 A JP6315570 A JP 6315570A JP 31557094 A JP31557094 A JP 31557094A JP H08153587 A JPH08153587 A JP H08153587A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 駆動電圧を低くし、信頼性の高い発光特性を
得る。 【構成】 薄膜ＥＬ素子１１は、透光性基板１２上に透
明電極１３、絶縁層１４、ＥＬ発光層１５、絶縁層１６
および金属電極１７をこの順に積層して形成される。絶
縁層１４，１６は、ともにＳｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜で実現され
る第１絶縁層１８，２１と、ＥＬ発光層側に設けられ、
Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 ：Ｎ膜で実現される第２絶縁層１９，２
０とから成る。第２絶縁層１９，２０の膜厚は、３０ｎ
ｍ以上１００ｎｍ以下の範囲に選ばれる。第１絶縁層１
８，２１および第２絶縁層１９，２０は、スパッタガス
を切換えることのみによって連続して作成される。第１
および第２絶縁層１８，２１；１９，２０によって絶縁
層１４，１６を構成することによって駆動電圧が低く、
累積駆動時間が長くなることによる発光輝度の低下の少
ない薄膜ＥＬ素子１１が得られる。
得る。 【構成】 薄膜ＥＬ素子１１は、透光性基板１２上に透
明電極１３、絶縁層１４、ＥＬ発光層１５、絶縁層１６
および金属電極１７をこの順に積層して形成される。絶
縁層１４，１６は、ともにＳｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜で実現され
る第１絶縁層１８，２１と、ＥＬ発光層側に設けられ、
Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 ：Ｎ膜で実現される第２絶縁層１９，２
０とから成る。第２絶縁層１９，２０の膜厚は、３０ｎ
ｍ以上１００ｎｍ以下の範囲に選ばれる。第１絶縁層１
８，２１および第２絶縁層１９，２０は、スパッタガス
を切換えることのみによって連続して作成される。第１
および第２絶縁層１８，２１；１９，２０によって絶縁
層１４，１６を構成することによって駆動電圧が低く、
累積駆動時間が長くなることによる発光輝度の低下の少
ない薄膜ＥＬ素子１１が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、交流電界を印加するこ
とによって、エレクトロルミネセンス（電界発光）を呈
する薄膜ＥＬ素子およびその製造方法に関し、特に駆動
電圧が低く、発光特性の信頼性に優れる薄膜ＥＬ素子お
よび当該薄膜ＥＬ素子を容易に作成することができる製
造方法に関する。
とによって、エレクトロルミネセンス（電界発光）を呈
する薄膜ＥＬ素子およびその製造方法に関し、特に駆動
電圧が低く、発光特性の信頼性に優れる薄膜ＥＬ素子お
よび当該薄膜ＥＬ素子を容易に作成することができる製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜ＥＬ（エレクトロルミネセント）素
子は、全体を固体素子として構成することができ、自発
光型であり、また液晶表示素子などの表示手段と比較し
て、高いコントラスト比および優れた視認性が得られる
ことから、幅広く研究が行われている。たとえば、ＦＡ
（ファクトリオートメーション）用およびＯＡ（オフィ
スオートメーション）用機器の表示手段として、白黒表
示タイプの薄膜ＥＬ素子およびカラー表示タイプの薄膜
ＥＬ素子が検討されている。
子は、全体を固体素子として構成することができ、自発
光型であり、また液晶表示素子などの表示手段と比較し
て、高いコントラスト比および優れた視認性が得られる
ことから、幅広く研究が行われている。たとえば、ＦＡ
（ファクトリオートメーション）用およびＯＡ（オフィ
スオートメーション）用機器の表示手段として、白黒表
示タイプの薄膜ＥＬ素子およびカラー表示タイプの薄膜
ＥＬ素子が検討されている。
【０００３】図４は、従来例である薄膜ＥＬ素子１の構
成を示す断面図である。薄膜ＥＬ素子１は、いわゆる二
重絶縁構造の薄膜ＥＬ素子であり、透光性基板２、透明
電極３、絶縁層４，６、ＥＬ発光層５および金属電極７
を含んで構成される。たとえば、ガラスで実現される透
光性基板２の一方表面上に、たとえばＩＴＯ（インジウ
ム錫酸化物）で実現される透明電極３が形成され、さら
に透光性基板２の一方表面に透明電極３を覆って絶縁層
４が形成される。絶縁層４上には、母材と当該母材中に
添加される発光中心とを含むＥＬ発光層５が形成され、
さらにＥＬ発光層５上に絶縁層６が形成される。絶縁層
６を作成した後、ＥＬ発光層５の結晶性を改善し、かつ
発光中心を均一に分布させるために、熱処理（以下、こ
の熱処理を「アニール処理」という）が施される。これ
によって、発光輝度が向上する。アニール処理が終了し
た後、絶縁層６上には、たとえばＡｌで実現される金属
電極７が形成される。
成を示す断面図である。薄膜ＥＬ素子１は、いわゆる二
重絶縁構造の薄膜ＥＬ素子であり、透光性基板２、透明
電極３、絶縁層４，６、ＥＬ発光層５および金属電極７
を含んで構成される。たとえば、ガラスで実現される透
光性基板２の一方表面上に、たとえばＩＴＯ（インジウ
ム錫酸化物）で実現される透明電極３が形成され、さら
に透光性基板２の一方表面に透明電極３を覆って絶縁層
４が形成される。絶縁層４上には、母材と当該母材中に
添加される発光中心とを含むＥＬ発光層５が形成され、
さらにＥＬ発光層５上に絶縁層６が形成される。絶縁層
６を作成した後、ＥＬ発光層５の結晶性を改善し、かつ
発光中心を均一に分布させるために、熱処理（以下、こ
の熱処理を「アニール処理」という）が施される。これ
によって、発光輝度が向上する。アニール処理が終了し
た後、絶縁層６上には、たとえばＡｌで実現される金属
電極７が形成される。
【０００４】電極３，７に交流電圧を印加すると、ＥＬ
発光層５が発光し、表示状態となる。したがって、電極
３，７への印加電圧レベルを制御することによって、発
光／非発光状態による表示が可能となる。たとえば、電
極３，７を複数の帯状に形成し、互いに直交するように
配置することによって、ドットマトリクス表示が可能と
なる。
発光層５が発光し、表示状態となる。したがって、電極
３，７への印加電圧レベルを制御することによって、発
光／非発光状態による表示が可能となる。たとえば、電
極３，７を複数の帯状に形成し、互いに直交するように
配置することによって、ドットマトリクス表示が可能と
なる。
【０００５】前記絶縁層４，６は、ＥＬ発光層５にＥＬ
発光に必要な高電界を素子全体としての絶縁破壊を起こ
すことなく安定して印加するために設けられ、当該絶縁
層４，６の材料としては、 ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ2
Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＰｂＴｉＯ3およびＢａＴｉＯ3などが
用いられる。絶縁層材料を選択することによる薄膜ＥＬ
素子の駆動電圧の低電圧化や、発光特性の信頼性の向上
に関する検討が、たとえば以下の公報において開示され
ている。特公昭５９−４７８７９号公報では、ＢａＴｉ
Ｏ3を用いた例が、特公平４−６２７７号公報ではＴａ
とＡｌとの複合酸化膜を用いた例が、特開昭５５−１１
３２９５号公報ではＰｂＴｉＯ3を用いた例が、および
特開昭５７−１７２６９２号公報ではＴａ2Ｏ5を用いた
例がそれぞれ開示されている。
発光に必要な高電界を素子全体としての絶縁破壊を起こ
すことなく安定して印加するために設けられ、当該絶縁
層４，６の材料としては、 ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ2
Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＰｂＴｉＯ3およびＢａＴｉＯ3などが
用いられる。絶縁層材料を選択することによる薄膜ＥＬ
素子の駆動電圧の低電圧化や、発光特性の信頼性の向上
に関する検討が、たとえば以下の公報において開示され
ている。特公昭５９−４７８７９号公報では、ＢａＴｉ
Ｏ3を用いた例が、特公平４−６２７７号公報ではＴａ
とＡｌとの複合酸化膜を用いた例が、特開昭５５−１１
３２９５号公報ではＰｂＴｉＯ3を用いた例が、および
特開昭５７−１７２６９２号公報ではＴａ2Ｏ5を用いた
例がそれぞれ開示されている。
【０００６】また、本件出願人は、絶縁層材料として、
Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 を用いた薄膜ＥＬ素子を特願平５−３１
９９０１において提案している。この絶縁層材料の単結
晶やセラミックスとしての特性は、たとえばJ.Phys.So
c.Jpn Vol.３８ No.3 pp８１７−８２４（１９７５）に
おいて報告されている。
Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 を用いた薄膜ＥＬ素子を特願平５−３１
９９０１において提案している。この絶縁層材料の単結
晶やセラミックスとしての特性は、たとえばJ.Phys.So
c.Jpn Vol.３８ No.3 pp８１７−８２４（１９７５）に
おいて報告されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述したＳｉＯ2 ，Ｓ
ｉ3Ｎ4，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＰｂＴｉＯ3 およびＢａ
ＴｉＯ3 などの絶縁層材料は、スパッタリング法などに
よって成膜され、特に高誘電率な膜であるＰｂＴｉＯ3
およびＢａＴｉＯ3 の成膜時には高い基板温度が必要と
なる。また、薄膜ＥＬ素子のＥＬ発光層に有効に電圧を
配分するために誘電率が高く、かつ高電界を安定して印
加できる絶縁耐圧の高いものが得られない。一方、Ｓｒ
2Ｔａ2Ｏ7を用いると、ＳｉＯ2などを用いた場合よりも
誘電率が高く、かつ絶縁耐圧が高いものが得られ、薄膜
ＥＬ素子の低電圧での駆動が可能となる。しかしなが
ら、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 を用いた薄膜ＥＬ素子は、発光特性
の信頼性が低いことが確認された。
ｉ3Ｎ4，Ａｌ2Ｏ3，Ｔａ2Ｏ5，ＰｂＴｉＯ3 およびＢａ
ＴｉＯ3 などの絶縁層材料は、スパッタリング法などに
よって成膜され、特に高誘電率な膜であるＰｂＴｉＯ3
およびＢａＴｉＯ3 の成膜時には高い基板温度が必要と
なる。また、薄膜ＥＬ素子のＥＬ発光層に有効に電圧を
配分するために誘電率が高く、かつ高電界を安定して印
加できる絶縁耐圧の高いものが得られない。一方、Ｓｒ
2Ｔａ2Ｏ7を用いると、ＳｉＯ2などを用いた場合よりも
誘電率が高く、かつ絶縁耐圧が高いものが得られ、薄膜
ＥＬ素子の低電圧での駆動が可能となる。しかしなが
ら、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 を用いた薄膜ＥＬ素子は、発光特性
の信頼性が低いことが確認された。
【０００８】図５は、絶縁層材料としてＳｒ2Ｔａ2Ｏ7
を用いた薄膜ＥＬ素子１の印加電圧と発光輝度との関係
を累積駆動時間ごとに示すグラフである。実線２７は、
作成直後からの駆動時間を累積した累積駆動時間が１０
時間のときを示し、破線２８は累積駆動時間が６００時
間のときを示している。
を用いた薄膜ＥＬ素子１の印加電圧と発光輝度との関係
を累積駆動時間ごとに示すグラフである。実線２７は、
作成直後からの駆動時間を累積した累積駆動時間が１０
時間のときを示し、破線２８は累積駆動時間が６００時
間のときを示している。
【０００９】図５から、作成直後からの駆動時間を累積
した累積駆動時間が長くなるにつれ、発光輝度−印加電
圧特性における発光開始電圧Ｖｔｈ、すなわち１ｃｄ／
ｍ2の発光輝度が得られる印加電圧Ｖｔｈが低電圧側に
移動し、また飽和発光輝度Ｌ40、すなわち前記発光開始
電圧Ｖｔｈに変調電圧Ｖｍ＝４０Ｖを加えた（Ｖｔｈ＋
４０Ｖ）を印加したときに得られる発光輝度Ｌ40が低下
することが確認された。累積駆動時間が長くなるにつれ
て発光開始電圧Ｖｔｈが変化すると、作成直後の初期状
態において設定した書込電圧Ｖｏｎおよび消去電圧Ｖｏ
ｆｆでの駆動ができなくなり、上述のように低電圧側に
移動すると、たとえば消去電圧Ｖｏｆｆを印加したとき
に発光が生じることとなる。前記変調電圧Ｖｍとは、薄
膜ＥＬ素子の一般的な駆動法においてデータ側の電極に
印加される発光開始電圧Ｖｔｈと書込時の電圧Ｖｏｎと
の電圧の差である。なお、走査側の電極には前記発光開
始電圧Ｖｔｈが印加される。薄膜ＥＬ素子の一般的な駆
動法は、たとえば産業図書株式会社発行の「エレクトロ
ルミネセントディスプレイ」に記載されている。
した累積駆動時間が長くなるにつれ、発光輝度−印加電
圧特性における発光開始電圧Ｖｔｈ、すなわち１ｃｄ／
ｍ2の発光輝度が得られる印加電圧Ｖｔｈが低電圧側に
移動し、また飽和発光輝度Ｌ40、すなわち前記発光開始
電圧Ｖｔｈに変調電圧Ｖｍ＝４０Ｖを加えた（Ｖｔｈ＋
４０Ｖ）を印加したときに得られる発光輝度Ｌ40が低下
することが確認された。累積駆動時間が長くなるにつれ
て発光開始電圧Ｖｔｈが変化すると、作成直後の初期状
態において設定した書込電圧Ｖｏｎおよび消去電圧Ｖｏ
ｆｆでの駆動ができなくなり、上述のように低電圧側に
移動すると、たとえば消去電圧Ｖｏｆｆを印加したとき
に発光が生じることとなる。前記変調電圧Ｖｍとは、薄
膜ＥＬ素子の一般的な駆動法においてデータ側の電極に
印加される発光開始電圧Ｖｔｈと書込時の電圧Ｖｏｎと
の電圧の差である。なお、走査側の電極には前記発光開
始電圧Ｖｔｈが印加される。薄膜ＥＬ素子の一般的な駆
動法は、たとえば産業図書株式会社発行の「エレクトロ
ルミネセントディスプレイ」に記載されている。
【００１０】前記発光開始電圧Ｖｔｈの移動や、発光輝
度の低下の原因としては、累積駆動時間が長くなるにつ
れて、ＥＬ発光層５と絶縁層４，６との界面付近の高電
界領域でＳｒ，ＴａおよびＯなどの元素が相互に拡散
し、ＥＬ発光層５または絶縁層４，６を変質させるた
め、および発光特性に寄与する界面のエネルギ準位を低
下させるためであると考えられる。
度の低下の原因としては、累積駆動時間が長くなるにつ
れて、ＥＬ発光層５と絶縁層４，６との界面付近の高電
界領域でＳｒ，ＴａおよびＯなどの元素が相互に拡散
し、ＥＬ発光層５または絶縁層４，６を変質させるた
め、および発光特性に寄与する界面のエネルギ準位を低
下させるためであると考えられる。
【００１１】上述した原因によるものと考えられる発光
特性の経時的変化を防止するためには、たとえば特開平
１−１０７４９５号公報に開示されているように、絶縁
層４，６をＳｉＯ2／高誘電率材料／ＳｉＯ2という３層
構造にすることが好ましいと考えられる。ここで、ＥＬ
発光層５に近接するＳｉＯ2 膜は、前記Ｓｒ，Ｔａおよ
びＯなどの元素の拡散を防止する拡散防止膜として機能
する。しかしながら、このような構造の絶縁層は、全く
異なる材料を積層したものであることから、たとえばス
パッタリング法によって作成する場合、ターゲット材料
の変更やスパッタガスの変更が必要となる。したがっ
て、容易に作成することができず、製造工程数の増加に
伴う製造効率の著しい低下および製造コストの増加を引
起こす。
特性の経時的変化を防止するためには、たとえば特開平
１−１０７４９５号公報に開示されているように、絶縁
層４，６をＳｉＯ2／高誘電率材料／ＳｉＯ2という３層
構造にすることが好ましいと考えられる。ここで、ＥＬ
発光層５に近接するＳｉＯ2 膜は、前記Ｓｒ，Ｔａおよ
びＯなどの元素の拡散を防止する拡散防止膜として機能
する。しかしながら、このような構造の絶縁層は、全く
異なる材料を積層したものであることから、たとえばス
パッタリング法によって作成する場合、ターゲット材料
の変更やスパッタガスの変更が必要となる。したがっ
て、容易に作成することができず、製造工程数の増加に
伴う製造効率の著しい低下および製造コストの増加を引
起こす。
【００１２】本発明の目的は、駆動電圧が低く、かつ発
光特性の信頼性に優れ、さらに容易に作成することがで
きる薄膜ＥＬ素子およびその製造方法を提供することで
ある。
光特性の信頼性に優れ、さらに容易に作成することがで
きる薄膜ＥＬ素子およびその製造方法を提供することで
ある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくともい
ずれか一方が透明な一対の電極間に母材と当該母材に添
加される発光中心とを含むＥＬ発光層が介在され、当該
ＥＬ発光層と少なくともいずれか一方の電極との間に絶
縁層が挟持された薄膜ＥＬ素子において、少なくとも１
つの絶縁層は、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜から成る第１絶縁層
と、ＥＬ発光層側に設けられ、窒素を含むＳｒ2Ｔａ2Ｏ
7 膜から成る第２絶縁層とから構成されることを特徴と
する薄膜ＥＬ素子である。また、本発明の前記第２絶縁
層の膜厚は、３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲に選ば
れることを特徴とする。さらに本発明は、少なくともい
ずれか一方が透明な一対の電極間に母材と当該母材に添
加される発光中心とを含むＥＬ発光層が介在され、当該
ＥＬ発光層と少なくともいずれか一方の電極との間に絶
縁層が挟持された薄膜ＥＬ素子の製造方法において、少
なくとも１つの絶縁層は、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 をターゲット
とし、酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気中にお
けるスパッタリング法によってＳｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜を成膜
した後、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 をターゲットとし、窒素ガス雰
囲気中におけるスパッタリング法によって窒素を含む
Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7膜を成膜することによって作成されるこ
とを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方法である。また、
本発明の前記窒素を含むＳｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜は、前記窒素
ガスに代えて、窒素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲
気中で成膜されることを特徴とする。
ずれか一方が透明な一対の電極間に母材と当該母材に添
加される発光中心とを含むＥＬ発光層が介在され、当該
ＥＬ発光層と少なくともいずれか一方の電極との間に絶
縁層が挟持された薄膜ＥＬ素子において、少なくとも１
つの絶縁層は、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜から成る第１絶縁層
と、ＥＬ発光層側に設けられ、窒素を含むＳｒ2Ｔａ2Ｏ
7 膜から成る第２絶縁層とから構成されることを特徴と
する薄膜ＥＬ素子である。また、本発明の前記第２絶縁
層の膜厚は、３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲に選ば
れることを特徴とする。さらに本発明は、少なくともい
ずれか一方が透明な一対の電極間に母材と当該母材に添
加される発光中心とを含むＥＬ発光層が介在され、当該
ＥＬ発光層と少なくともいずれか一方の電極との間に絶
縁層が挟持された薄膜ＥＬ素子の製造方法において、少
なくとも１つの絶縁層は、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 をターゲット
とし、酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気中にお
けるスパッタリング法によってＳｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜を成膜
した後、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 をターゲットとし、窒素ガス雰
囲気中におけるスパッタリング法によって窒素を含む
Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7膜を成膜することによって作成されるこ
とを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方法である。また、
本発明の前記窒素を含むＳｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜は、前記窒素
ガスに代えて、窒素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲
気中で成膜されることを特徴とする。
【００１４】
【作用】本発明に従えば、薄膜ＥＬ素子は、少なくとも
いずれか一方が透明な一対の電極間に母材と当該母材に
添加される発光中心とを含むＥＬ発光層が介在され、Ｅ
Ｌ発光層と少なくともいずれか一方の電極との間に絶縁
層が挟持されて構成され、少なくとも１つの絶縁層は、
Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜から成る第１絶縁層と、ＥＬ発光層側
に設けられ、窒素を含むＳｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜から成る第２
絶縁層とから構成される。第２絶縁層によってＥＬ発光
層と第１絶縁層との界面付近で生じていたＳｒ，Ｔａお
よびＯなどの元素の拡散が防止され、膜の変質および発
光特性に寄与する界面のエネルギ準位の低下が抑制され
る。したがって、累積駆動時間が長くなっても、飽和発
光輝度の低下が防止され、発光輝度特性の信頼性が向上
する。また、第１絶縁層として、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 を用い
ることによって、誘電率が高く、かつ絶縁耐圧が高くな
り、薄膜ＥＬ素子の駆動電圧の低電圧化が可能となる。
いずれか一方が透明な一対の電極間に母材と当該母材に
添加される発光中心とを含むＥＬ発光層が介在され、Ｅ
Ｌ発光層と少なくともいずれか一方の電極との間に絶縁
層が挟持されて構成され、少なくとも１つの絶縁層は、
Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜から成る第１絶縁層と、ＥＬ発光層側
に設けられ、窒素を含むＳｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜から成る第２
絶縁層とから構成される。第２絶縁層によってＥＬ発光
層と第１絶縁層との界面付近で生じていたＳｒ，Ｔａお
よびＯなどの元素の拡散が防止され、膜の変質および発
光特性に寄与する界面のエネルギ準位の低下が抑制され
る。したがって、累積駆動時間が長くなっても、飽和発
光輝度の低下が防止され、発光輝度特性の信頼性が向上
する。また、第１絶縁層として、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 を用い
ることによって、誘電率が高く、かつ絶縁耐圧が高くな
り、薄膜ＥＬ素子の駆動電圧の低電圧化が可能となる。
【００１５】また好ましくは、第２絶縁層の膜厚は、３
０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲に選ばれる。３０ｎｍ
以上とすることによって、累積駆動時間が長くなるにつ
れて生じる飽和発光輝度の低下が充分に小さくなり、ま
た１００ｎｍ以下とすることによって、長時間駆動する
前の初期状態における発光開始電圧を低くできることが
確認された。
０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲に選ばれる。３０ｎｍ
以上とすることによって、累積駆動時間が長くなるにつ
れて生じる飽和発光輝度の低下が充分に小さくなり、ま
た１００ｎｍ以下とすることによって、長時間駆動する
前の初期状態における発光開始電圧を低くできることが
確認された。
【００１６】また本発明に従えば、前記第１絶縁層は、
Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 をターゲットとし、酸素ガスと不活性ガ
スとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリング法によ
って作成され、第２絶縁層は前記混合ガスを窒素ガスに
切換えることによって連続して作成される。このよう
に、スパッタガスを切換えることのみによって容易に作
成することができ、製造工程の大きな変更を伴わずに、
製造効率の大幅な低下や製造コストの大幅な増加を引起
こすことなく作成することができる。
Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 をターゲットとし、酸素ガスと不活性ガ
スとの混合ガス雰囲気中におけるスパッタリング法によ
って作成され、第２絶縁層は前記混合ガスを窒素ガスに
切換えることによって連続して作成される。このよう
に、スパッタガスを切換えることのみによって容易に作
成することができ、製造工程の大きな変更を伴わずに、
製造効率の大幅な低下や製造コストの大幅な増加を引起
こすことなく作成することができる。
【００１７】また好ましくは、第２絶縁層は、前記窒素
ガスに代えて、窒素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲
気中で作成され、これによって成膜速度が速くなり、製
造効率が向上する。
ガスに代えて、窒素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲
気中で作成され、これによって成膜速度が速くなり、製
造効率が向上する。
【００１８】
【実施例】図１は、本発明の一実施例である薄膜ＥＬ素
子１１の構成を示す断面図である。薄膜ＥＬ素子１１
は、透光性基板１２、透明電極１３、絶縁層１４，１
６、ＥＬ発光層１５および金属電極１７を含んで構成さ
れる。たとえば、ガラスで実現される透光性基板１２の
一方表面上に、たとえばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）
で実現される透明電極１３が形成され、さらに透光性基
板１２の一方表面に透明電極１３を覆って絶縁層１４が
形成される。絶縁層１４は、第１および第２絶縁層１
８，１９から構成され、後述するようにして形成され
る。絶縁層１４上には、母材と当該母材中に添加される
発光中心とを含むＥＬ発光層１５が形成され、さらにＥ
Ｌ発光層１５上に絶縁層１６が形成される。絶縁層１６
は、第１および第２絶縁層２１，２０から構成され、後
述するようにして形成される。絶縁層１６上には、たと
えばＡｌで実現される金属電極１７が形成される。
子１１の構成を示す断面図である。薄膜ＥＬ素子１１
は、透光性基板１２、透明電極１３、絶縁層１４，１
６、ＥＬ発光層１５および金属電極１７を含んで構成さ
れる。たとえば、ガラスで実現される透光性基板１２の
一方表面上に、たとえばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）
で実現される透明電極１３が形成され、さらに透光性基
板１２の一方表面に透明電極１３を覆って絶縁層１４が
形成される。絶縁層１４は、第１および第２絶縁層１
８，１９から構成され、後述するようにして形成され
る。絶縁層１４上には、母材と当該母材中に添加される
発光中心とを含むＥＬ発光層１５が形成され、さらにＥ
Ｌ発光層１５上に絶縁層１６が形成される。絶縁層１６
は、第１および第２絶縁層２１，２０から構成され、後
述するようにして形成される。絶縁層１６上には、たと
えばＡｌで実現される金属電極１７が形成される。
【００１９】電極１３，１７に交流電圧を印加すると、
ＥＬ発光層１５が発光し、表示状態となる。したがっ
て、電極１３，１７への印加電圧レベルを制御すること
によって、発光／非発光状態による表示が可能となる。
たとえば、電極１３，１７を複数の帯状に形成し、互い
に直交するように配置することによって、ドットマトリ
クス表示が可能となる。
ＥＬ発光層１５が発光し、表示状態となる。したがっ
て、電極１３，１７への印加電圧レベルを制御すること
によって、発光／非発光状態による表示が可能となる。
たとえば、電極１３，１７を複数の帯状に形成し、互い
に直交するように配置することによって、ドットマトリ
クス表示が可能となる。
【００２０】前記絶縁層１４，１６は、第１絶縁層１
８，２１および第２絶縁層１９，２０からそれぞれ構成
される。第１絶縁層１８，２１は、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜で
実現され、第２絶縁層１９，２０は窒素を含むＳｒ2Ｔ
ａ2Ｏ7（以下、「Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7：Ｎ」と記す）膜で実
現され、当該第２絶縁層１９，２０は、ＥＬ発光層１５
側に設けられる。
８，２１および第２絶縁層１９，２０からそれぞれ構成
される。第１絶縁層１８，２１は、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜で
実現され、第２絶縁層１９，２０は窒素を含むＳｒ2Ｔ
ａ2Ｏ7（以下、「Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7：Ｎ」と記す）膜で実
現され、当該第２絶縁層１９，２０は、ＥＬ発光層１５
側に設けられる。
【００２１】なお、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7膜で実現される第１
絶縁層と、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7：Ｎ膜で実現される第２絶縁
層とから構成される絶縁層は、少なくとも１層あればよ
く、前記絶縁層１４，１６のいずれか一方であってもよ
い。いずれか一方のみとした場合、他方の絶縁層は、た
とえばＳｉＯ2 膜とＥＬ発光層側に設けられるＳｉ3Ｎ4
膜との積層膜で実現される。また、ＥＬ発光層１５を構
成する母材としては、たとえばＺｎＳまたはＳｒＳが用
いられ、発光中心としてはＭｎまたはＣｅが用いられ
る。
絶縁層と、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7：Ｎ膜で実現される第２絶縁
層とから構成される絶縁層は、少なくとも１層あればよ
く、前記絶縁層１４，１６のいずれか一方であってもよ
い。いずれか一方のみとした場合、他方の絶縁層は、た
とえばＳｉＯ2 膜とＥＬ発光層側に設けられるＳｉ3Ｎ4
膜との積層膜で実現される。また、ＥＬ発光層１５を構
成する母材としては、たとえばＺｎＳまたはＳｒＳが用
いられ、発光中心としてはＭｎまたはＣｅが用いられ
る。
【００２２】続いて、前記薄膜ＥＬ素子１１の製造方法
について説明する。透明電極１３は、透光性基板１２上
にＩＴＯ膜を、たとえば１５０ｎｍ〜３００ｎｍの厚さ
に形成することによって実現され、絶縁層１４の第１絶
縁層１８は、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7の焼結体をターゲットとし
て用いたスパッタリング法によって形成される。本実施
例では、第１絶縁層１８を形成すべき基板の温度を３０
０℃に設定し、ＡｒとＯ2との混合ガス（Ａｒ：Ｏ2 ＝
５０：５０（モル％））雰囲気中で、ガス圧を４Ｐａと
して３００ｎｍの厚さにＳｒ2Ｔａ2Ｏ7膜を形成した。
について説明する。透明電極１３は、透光性基板１２上
にＩＴＯ膜を、たとえば１５０ｎｍ〜３００ｎｍの厚さ
に形成することによって実現され、絶縁層１４の第１絶
縁層１８は、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7の焼結体をターゲットとし
て用いたスパッタリング法によって形成される。本実施
例では、第１絶縁層１８を形成すべき基板の温度を３０
０℃に設定し、ＡｒとＯ2との混合ガス（Ａｒ：Ｏ2 ＝
５０：５０（モル％））雰囲気中で、ガス圧を４Ｐａと
して３００ｎｍの厚さにＳｒ2Ｔａ2Ｏ7膜を形成した。
【００２３】第２絶縁層１９は、第１絶縁層１８を形成
する際のスパッタガスをＮ2 ＝１００（モル％）に変更
するのみで、第１絶縁層１８から連続して形成される。
その厚さは、後述する検討結果から、３０ｎｍ以上１０
０ｎｍ以下の範囲に選ばれる。このようにして、絶縁層
１４が作成される。
する際のスパッタガスをＮ2 ＝１００（モル％）に変更
するのみで、第１絶縁層１８から連続して形成される。
その厚さは、後述する検討結果から、３０ｎｍ以上１０
０ｎｍ以下の範囲に選ばれる。このようにして、絶縁層
１４が作成される。
【００２４】ＥＬ発光層１５は、たとえばＥＢ（エレク
トロンビーム）蒸着法によって５００ｎｍの厚さに形成
される。たとえば、ＺｎＳ：Ｍｎで実現されるＥＬ発光
層１５のＭｎ濃度は、０．３ｗｔ％に選ばれる。
トロンビーム）蒸着法によって５００ｎｍの厚さに形成
される。たとえば、ＺｎＳ：Ｍｎで実現されるＥＬ発光
層１５のＭｎ濃度は、０．３ｗｔ％に選ばれる。
【００２５】絶縁層１６の第２絶縁層２０は、前記第２
絶縁層１９と同様にして形成され、さらにスパッタガス
を切換えることによって、第１絶縁層２１が前記第１絶
縁層１８と同様にして形成される。このようにして、絶
縁層１６が作成される。絶縁層１６までが形成される
と、たとえば６３０℃の真空雰囲気中でアニール処理が
施され、その後、真空蒸着法によって金属電極１７が形
成される。前記アニール処理は、真空雰囲気中で行うも
のに限らず、たとえば乾燥窒素ガス雰囲気中で行うこと
も可能である。
絶縁層１９と同様にして形成され、さらにスパッタガス
を切換えることによって、第１絶縁層２１が前記第１絶
縁層１８と同様にして形成される。このようにして、絶
縁層１６が作成される。絶縁層１６までが形成される
と、たとえば６３０℃の真空雰囲気中でアニール処理が
施され、その後、真空蒸着法によって金属電極１７が形
成される。前記アニール処理は、真空雰囲気中で行うも
のに限らず、たとえば乾燥窒素ガス雰囲気中で行うこと
も可能である。
【００２６】次に、第１絶縁層１８，２１を実現するＳ
ｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜を作成する際のＡｒとＯ2 との混合比率
および基板温度、さらに第１絶縁層１８，２１に対する
アニール処理の影響を検討した結果について説明する。
なお、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜の電気的特性（誘電損失、比誘
電率、絶縁耐圧）の測定は、ガラス基板上に形成したＩ
ＴＯ膜上に各成膜条件でＳｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜を３００ｎｍ
の厚さに作成し、さらにＡｌ膜を真空蒸着法で作成した
評価サンプルを用いて行った。また、誘電損失の測定
は、ＬＣＲ（Ｌ：コイル、Ｃ：コンデンサ、Ｒ：抵抗）
回路を用いて、周波数ｆ＝１ｋＨｚとして行った。
ｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜を作成する際のＡｒとＯ2 との混合比率
および基板温度、さらに第１絶縁層１８，２１に対する
アニール処理の影響を検討した結果について説明する。
なお、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜の電気的特性（誘電損失、比誘
電率、絶縁耐圧）の測定は、ガラス基板上に形成したＩ
ＴＯ膜上に各成膜条件でＳｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜を３００ｎｍ
の厚さに作成し、さらにＡｌ膜を真空蒸着法で作成した
評価サンプルを用いて行った。また、誘電損失の測定
は、ＬＣＲ（Ｌ：コイル、Ｃ：コンデンサ、Ｒ：抵抗）
回路を用いて、周波数ｆ＝１ｋＨｚとして行った。
【００２７】図２は、ＡｒとＯ2 との混合比率と、誘電
損失との関係を示すグラフである。Ａｒ：Ｏ2 ＝２５：
７５〜７５：２５（モル％）の間では、誘電損失が比較
的小さく、かつ変化が少ないのに対し、Ａｒ＝０（モル
％）またはＡｒ＝１００（モル％）のときには、誘電損
失が大きくなっていることが判る。誘電損失は、小さい
方が好ましく、したがって、Ａｒ：Ｏ2 を２５：７５〜
７５：２５（モル％）の範囲に選ぶのが好ましいと言え
る。
損失との関係を示すグラフである。Ａｒ：Ｏ2 ＝２５：
７５〜７５：２５（モル％）の間では、誘電損失が比較
的小さく、かつ変化が少ないのに対し、Ａｒ＝０（モル
％）またはＡｒ＝１００（モル％）のときには、誘電損
失が大きくなっていることが判る。誘電損失は、小さい
方が好ましく、したがって、Ａｒ：Ｏ2 を２５：７５〜
７５：２５（モル％）の範囲に選ぶのが好ましいと言え
る。
【００２８】表１は、基板温度と比誘電率および絶縁耐
圧との関係を示すものである。比誘電率εｒは真空の誘
電率ε０に対する物質の誘電率εの比で表され、比誘電
率εｒが高くなると誘電率εも高くなる。なお、絶縁耐
圧はＡｌ膜を正極性とした場合および負極性とした場合
の２条件で測定した。基板温度を２５０℃、３００℃、
３５０℃として作成したけれども、基板温度の違いによ
る各特性への影響はほとんどないことが判る。
圧との関係を示すものである。比誘電率εｒは真空の誘
電率ε０に対する物質の誘電率εの比で表され、比誘電
率εｒが高くなると誘電率εも高くなる。なお、絶縁耐
圧はＡｌ膜を正極性とした場合および負極性とした場合
の２条件で測定した。基板温度を２５０℃、３００℃、
３５０℃として作成したけれども、基板温度の違いによ
る各特性への影響はほとんどないことが判る。
【００２９】
【表１】
【００３０】表２は、アニール処理による影響を示すも
のであり、アニール温度と絶縁耐圧との関係を示してい
る。なお、これは、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜の作成時における
基板温度を３００℃としたときのものであり、各温度で
のアニール処理を真空雰囲気中において１時間保持する
ことによって行った。アニール処理を行うことによっ
て、Ａｌ膜を負極性とした場合において絶縁耐圧が向上
することが判る。なお、成膜時における基板温度は、３
００℃以外、たとえば２５０℃や３５０℃であっても同
様の結果が得られた。また、透光性基板１２として用い
るガラス基板の耐熱性に応じてアニール温度を６３０℃
以上で行うことも可能である。
のであり、アニール温度と絶縁耐圧との関係を示してい
る。なお、これは、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜の作成時における
基板温度を３００℃としたときのものであり、各温度で
のアニール処理を真空雰囲気中において１時間保持する
ことによって行った。アニール処理を行うことによっ
て、Ａｌ膜を負極性とした場合において絶縁耐圧が向上
することが判る。なお、成膜時における基板温度は、３
００℃以外、たとえば２５０℃や３５０℃であっても同
様の結果が得られた。また、透光性基板１２として用い
るガラス基板の耐熱性に応じてアニール温度を６３０℃
以上で行うことも可能である。
【００３１】
【表２】
【００３２】表３は、絶縁耐圧と比誘電率との積で表さ
れる性能指数を、他の材料と比較して示すものである。
なお、各評価サンプルは、同一の作成条件で作成したも
のである。Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜は、他の材料から成る膜と
比較して性能指数が大きいことが判る。
れる性能指数を、他の材料と比較して示すものである。
なお、各評価サンプルは、同一の作成条件で作成したも
のである。Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜は、他の材料から成る膜と
比較して性能指数が大きいことが判る。
【００３３】
【表３】
【００３４】続いて、第２絶縁層１９，２０の膜厚につ
いての検討結果を説明する。図３は、加速エージング時
間と飽和発光輝度との関係を第２絶縁層１９，２０の膜
厚毎に示すグラフである。第２絶縁層１９，２０の膜厚
は、ともに同じとし、実線２２は第２絶縁層１９，２０
を設けなかった場合を示しており、破線２３は一方の膜
厚が１０ｎｍ、破線２４は３０ｎｍ、一点鎖線２５は１
００ｎｍ、実線２６は２００ｎｍとした場合をそれぞれ
示している。
いての検討結果を説明する。図３は、加速エージング時
間と飽和発光輝度との関係を第２絶縁層１９，２０の膜
厚毎に示すグラフである。第２絶縁層１９，２０の膜厚
は、ともに同じとし、実線２２は第２絶縁層１９，２０
を設けなかった場合を示しており、破線２３は一方の膜
厚が１０ｎｍ、破線２４は３０ｎｍ、一点鎖線２５は１
００ｎｍ、実線２６は２００ｎｍとした場合をそれぞれ
示している。
【００３５】また、加速エージング時間とは、薄膜ＥＬ
素子を作成した直後からの駆動時間を累積した累積駆動
時間による影響を時間で確認するために、通常の駆動条
件よりも周波数を高くした条件で駆動したときの累積駆
動時間のことであり、本実施例では５０倍の加速条件に
よるものを示している。したがって、たとえば６００時
間ということは実際には、３００００時間に相当する。
さらに、飽和発光輝度は、加速エージング時間が１０時
間のときに得られた発光輝度を１００％として百分率で
表している。
素子を作成した直後からの駆動時間を累積した累積駆動
時間による影響を時間で確認するために、通常の駆動条
件よりも周波数を高くした条件で駆動したときの累積駆
動時間のことであり、本実施例では５０倍の加速条件に
よるものを示している。したがって、たとえば６００時
間ということは実際には、３００００時間に相当する。
さらに、飽和発光輝度は、加速エージング時間が１０時
間のときに得られた発光輝度を１００％として百分率で
表している。
【００３６】薄膜ＥＬ素子の発光特性としては、実駆動
時間３００００時間（加速エージング時間では６００時
間）において、飽和発光輝度の低下が１０％以内である
ことが好ましく、図３から第２絶縁層１９，２０の膜厚
をそれぞれ３０ｎｍ以上とするのが好ましいことが判
る。
時間３００００時間（加速エージング時間では６００時
間）において、飽和発光輝度の低下が１０％以内である
ことが好ましく、図３から第２絶縁層１９，２０の膜厚
をそれぞれ３０ｎｍ以上とするのが好ましいことが判
る。
【００３７】表４は、第２絶縁層１９，２０の一方の膜
厚と、発光開始電圧との関係を示すものである。なお、
表４中の変化量Δｖは、膜厚が０ｎｍのときの発光開始
電圧と、各膜厚のときの発光開始電圧との差を示すもの
である。第２絶縁層１９，２０の膜厚が増すにつれて、
発光開始電圧が高くなっており、膜厚が１００ｎｍを越
えると、発光開始電圧が約１割以上高くなることが判
る。したがって、第２絶縁層１９，２０の膜厚をそれぞ
れ１００ｎｍ以下とすることが好ましいと言える。
厚と、発光開始電圧との関係を示すものである。なお、
表４中の変化量Δｖは、膜厚が０ｎｍのときの発光開始
電圧と、各膜厚のときの発光開始電圧との差を示すもの
である。第２絶縁層１９，２０の膜厚が増すにつれて、
発光開始電圧が高くなっており、膜厚が１００ｎｍを越
えると、発光開始電圧が約１割以上高くなることが判
る。したがって、第２絶縁層１９，２０の膜厚をそれぞ
れ１００ｎｍ以下とすることが好ましいと言える。
【００３８】
【表４】
【００３９】なお、本実施例では、第２絶縁層１９，２
０を作成する際のスパッタガスとして、Ｎ2 ＝１００
（モル％）を用いたけれども、Ｎ2 とＡｒとの混合ガス
を用いることも可能であり、たとえば Ｎ2：Ａｒ＝５
０：５０（モル％）の混合ガスを用いた場合、成膜速度
が２倍となってＮ2 ＝１００（モル％）の場合と同様の
効果が得られることが確認された。
０を作成する際のスパッタガスとして、Ｎ2 ＝１００
（モル％）を用いたけれども、Ｎ2 とＡｒとの混合ガス
を用いることも可能であり、たとえば Ｎ2：Ａｒ＝５
０：５０（モル％）の混合ガスを用いた場合、成膜速度
が２倍となってＮ2 ＝１００（モル％）の場合と同様の
効果が得られることが確認された。
【００４０】以上のように本実施例によれば、駆動電圧
が低く、累積駆動時間が長くなっても飽和発光輝度の変
化率の少ない信頼性の高い薄膜ＥＬ素子１１を実現する
ことができる。また、薄膜ＥＬ素子１１を製造工程の大
きな変更を伴わずに、製造効率の大幅な低下や製造コス
トの大幅な増加を引起こすことなく、容易に作成するこ
とができる。
が低く、累積駆動時間が長くなっても飽和発光輝度の変
化率の少ない信頼性の高い薄膜ＥＬ素子１１を実現する
ことができる。また、薄膜ＥＬ素子１１を製造工程の大
きな変更を伴わずに、製造効率の大幅な低下や製造コス
トの大幅な増加を引起こすことなく、容易に作成するこ
とができる。
【００４１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、少なくと
も１つの絶縁層をＳｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜から成る第１絶縁層
と、ＥＬ発光層側に設けられる窒素を含むＳｒ2Ｔａ2Ｏ
7 膜から成る第２絶縁層とによって構成することで、駆
動電圧が低く、累積駆動時間が長くなっても飽和発光輝
度の低下の少ない信頼性の高い薄膜ＥＬ素子が得られ
る。
も１つの絶縁層をＳｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜から成る第１絶縁層
と、ＥＬ発光層側に設けられる窒素を含むＳｒ2Ｔａ2Ｏ
7 膜から成る第２絶縁層とによって構成することで、駆
動電圧が低く、累積駆動時間が長くなっても飽和発光輝
度の低下の少ない信頼性の高い薄膜ＥＬ素子が得られ
る。
【００４２】また、前記第２絶縁層の膜厚は、３０ｎｍ
以上１００ｎｍ以下の範囲に選ばれる。これによって飽
和発光輝度の低下が充分に少なくなり、また発光開始電
圧を低くすることができる。
以上１００ｎｍ以下の範囲に選ばれる。これによって飽
和発光輝度の低下が充分に少なくなり、また発光開始電
圧を低くすることができる。
【００４３】さらに、前記薄膜ＥＬ素子は、第１および
第２絶縁層をスパッタガスを切換えることのみによって
連続して容易に作成することができ、製造工程の大きな
変更を伴わずに、製造効率の大幅な低下や製造コストの
大幅な増加を引起こすことなく作成することができる。
第２絶縁層をスパッタガスを切換えることのみによって
連続して容易に作成することができ、製造工程の大きな
変更を伴わずに、製造効率の大幅な低下や製造コストの
大幅な増加を引起こすことなく作成することができる。
【００４４】また、第２絶縁層を窒素ガスと不活性ガス
との混合ガス雰囲気中で作成することによって、成膜速
度が速くなり、製造効率が向上する。
との混合ガス雰囲気中で作成することによって、成膜速
度が速くなり、製造効率が向上する。
【図１】本発明の一実施例である薄膜ＥＬ素子１１の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図２】ＡｒとＯ2 との混合比率と、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜
の誘電損失との関係を示すグラフである。
の誘電損失との関係を示すグラフである。
【図３】加速エージング時間と飽和発光輝度との関係
を、第２絶縁層１９，２０の膜厚毎に示すグラフであ
る。
を、第２絶縁層１９，２０の膜厚毎に示すグラフであ
る。
【図４】従来例である薄膜ＥＬ素子１の構成を示す断面
図である。
図である。
【図５】絶縁層材料としてＳｒ2Ｔａ2Ｏ7 を用いた薄膜
ＥＬ素子１の印加電圧と発光輝度との関係を累積駆動時
間ごとに示すグラフである。
ＥＬ素子１の印加電圧と発光輝度との関係を累積駆動時
間ごとに示すグラフである。
１１ 薄膜ＥＬ素子 １２ 透光性基板 １３ 透明電極 １４，１６ 絶縁層 １５ ＥＬ発光層 １７ 金属電極 １８，２１ 第１絶縁層 １９，２０ 第２絶縁層
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくともいずれか一方が透明な一対の
電極間に母材と当該母材に添加される発光中心とを含む
ＥＬ発光層が介在され、当該ＥＬ発光層と少なくともい
ずれか一方の電極との間に絶縁層が挟持された薄膜ＥＬ
素子において、少なくとも１つの絶縁層は、Ｓｒ2Ｔａ2
Ｏ7 膜から成る第１絶縁層と、ＥＬ発光層側に設けら
れ、窒素を含むＳｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜から成る第２絶縁層と
から構成されることを特徴とする薄膜ＥＬ素子。 - 【請求項２】 前記第２絶縁層の膜厚は、３０ｎｍ以上
１００ｎｍ以下の範囲に選ばれることを特徴とする請求
項１記載の薄膜ＥＬ素子。 - 【請求項３】 少なくともいずれか一方が透明な一対の
電極間に母材と当該母材に添加される発光中心とを含む
ＥＬ発光層が介在され、当該ＥＬ発光層と少なくともい
ずれか一方の電極との間に絶縁層が挟持された薄膜ＥＬ
素子の製造方法において、 少なくとも１つの絶縁層は、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7 をターゲッ
トとし、酸素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気中に
おけるスパッタリング法によってＳｒ2Ｔａ2Ｏ7膜を成
膜した後、Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7をターゲットとし、窒素ガス
雰囲気中におけるスパッタリング法によって窒素を含む
Ｓｒ2Ｔａ2Ｏ7膜を成膜することによって作成されるこ
とを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記窒素を含むＳｒ2Ｔａ2Ｏ7 膜は、前
記窒素ガスに代えて、窒素ガスと不活性ガスとの混合ガ
ス雰囲気中で成膜されることを特徴とする請求項３記載
の薄膜ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6315570A JPH08153587A (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6315570A JPH08153587A (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153587A true JPH08153587A (ja) | 1996-06-11 |
Family
ID=18066940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6315570A Pending JPH08153587A (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08153587A (ja) |
-
1994
- 1994-11-25 JP JP6315570A patent/JPH08153587A/ja active Pending
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