JPH08152502A - 導電性反射防止膜及び導電性反射防止フィルム - Google Patents
導電性反射防止膜及び導電性反射防止フィルムInfo
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- JPH08152502A JPH08152502A JP7247492A JP24749295A JPH08152502A JP H08152502 A JPH08152502 A JP H08152502A JP 7247492 A JP7247492 A JP 7247492A JP 24749295 A JP24749295 A JP 24749295A JP H08152502 A JPH08152502 A JP H08152502A
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- conductive antireflection
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ブラウン管の表面などの導電性反射防止に関
し、十分な導電性と、十分な反射防止効果を同時に得
る。 【解決手段】３価以上の金属あるいは半導体を含む酸化
亜鉛からなる層を少なくとも一層含むことを特徴とする
導電性反射防止膜。特に、前記３価以上の金属あるいは
半導体が、アルミニウム、硼素、スカンジウム、ガリウ
ム、珪素、イットリウム、イッテルビウム、インジウ
ム、チタン、ジルコニウムあるいはタリウムであること
とする。
し、十分な導電性と、十分な反射防止効果を同時に得
る。 【解決手段】３価以上の金属あるいは半導体を含む酸化
亜鉛からなる層を少なくとも一層含むことを特徴とする
導電性反射防止膜。特に、前記３価以上の金属あるいは
半導体が、アルミニウム、硼素、スカンジウム、ガリウ
ム、珪素、イットリウム、イッテルビウム、インジウ
ム、チタン、ジルコニウムあるいはタリウムであること
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性反射防止膜
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、テレビのブラウン管などでは、表
面の反射を防止する手段及び電磁波を遮蔽するための手
段として多層膜を真空蒸着法などによりコーティングし
ている。さらに液晶画面においては表面に凹凸を設ける
ことで乱反射させている。それらの表面に付く塵埃の防
止手段として静電気を除去することによりなされる。
面の反射を防止する手段及び電磁波を遮蔽するための手
段として多層膜を真空蒸着法などによりコーティングし
ている。さらに液晶画面においては表面に凹凸を設ける
ことで乱反射させている。それらの表面に付く塵埃の防
止手段として静電気を除去することによりなされる。
【０００３】透明でありかつ導電性を有する薄膜を反射
防止膜に施した例は、特開昭５０−９９３４５に代表さ
れるような酸化インジウムをベースとしたものや酸化錫
をベースとしたものが知られており、また特開昭５１−
７３４５３にあるように非常に薄い金属膜を利用してい
るものが知られている。
防止膜に施した例は、特開昭５０−９９３４５に代表さ
れるような酸化インジウムをベースとしたものや酸化錫
をベースとしたものが知られており、また特開昭５１−
７３４５３にあるように非常に薄い金属膜を利用してい
るものが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術において
は、酸化インジウムや酸化錫の屈折率が２．０程度であ
り、十分な反射防止効果が得られないという問題、さら
には環境に優しくなく、高価であるという問題があっ
た。
は、酸化インジウムや酸化錫の屈折率が２．０程度であ
り、十分な反射防止効果が得られないという問題、さら
には環境に優しくなく、高価であるという問題があっ
た。
【０００５】本発明の目的は、上記問題点を解決し、十
分な反射防止効果を持つ導電性薄膜を提供することにあ
る。
分な反射防止効果を持つ導電性薄膜を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
３価以上の金属あるいは半導体を含む酸化亜鉛からなる
層を少なくとも一層含むことを特徴とする導電性反射防
止膜である。
３価以上の金属あるいは半導体を含む酸化亜鉛からなる
層を少なくとも一層含むことを特徴とする導電性反射防
止膜である。
【０００７】本発明の導電性反射防止膜によれば、従来
の誘電体のみで構成された反射防止膜には付与さけてい
なかった導電性を付与することができる。
の誘電体のみで構成された反射防止膜には付与さけてい
なかった導電性を付与することができる。
【０００８】請求項２記載の発明は、５重量％以下の３
価以上の金属あるいは半導体を含む酸化亜鉛からなる層
を少なくとも一層含むことを特徴とする導電性反射防止
膜である。
価以上の金属あるいは半導体を含む酸化亜鉛からなる層
を少なくとも一層含むことを特徴とする導電性反射防止
膜である。
【０００９】請求項３記載の発明は、前記３価以上の金
属あるいは半導体が、アルミニウム、硼素、スカンジウ
ム、ガリウム、珪素、イットリウム、イッテルビウム、
インジウム、チタン、ジルコニウムあるいはタリウムで
あることを特徴とする請求項１及び請求項２記載の導電
性反射防止膜である。
属あるいは半導体が、アルミニウム、硼素、スカンジウ
ム、ガリウム、珪素、イットリウム、イッテルビウム、
インジウム、チタン、ジルコニウムあるいはタリウムで
あることを特徴とする請求項１及び請求項２記載の導電
性反射防止膜である。
【００１０】そのうち、少なくとも一層が、５重量％以
下の３価以上の金属あるいは半導体を含む酸化亜鉛であ
ると、酸化亜鉛では、確かに十分な反射防止効果が得ら
れるものであるが、酸化亜鉛自体には導電性が十分では
ない。従って、その酸化亜鉛により導電性反射防止膜を
構成することはできなかった。しかし、その酸化亜鉛に
５重量％以下の３価以上の金属あるいは半導体を含ませ
ることにより、導電性を付与されることとなり、導電性
と反射防止効果の両方の効果を満足させることが可能に
なった。
下の３価以上の金属あるいは半導体を含む酸化亜鉛であ
ると、酸化亜鉛では、確かに十分な反射防止効果が得ら
れるものであるが、酸化亜鉛自体には導電性が十分では
ない。従って、その酸化亜鉛により導電性反射防止膜を
構成することはできなかった。しかし、その酸化亜鉛に
５重量％以下の３価以上の金属あるいは半導体を含ませ
ることにより、導電性を付与されることとなり、導電性
と反射防止効果の両方の効果を満足させることが可能に
なった。
【００１１】ちなみに、基材層の屈折率が相当低いなら
ば、基材層上に５重量％以下の３価以上の金属あるいは
半導体を含む酸化亜鉛層を形成しただけでも良いが、一
般的に基材層に屈折率の低いものを選択することはあま
りないので、５重量％以下の３価以上の金属あるいは半
導体を含む酸化亜鉛層に接する様にセラミック等の低屈
折率層を設けるのが一般的である。
ば、基材層上に５重量％以下の３価以上の金属あるいは
半導体を含む酸化亜鉛層を形成しただけでも良いが、一
般的に基材層に屈折率の低いものを選択することはあま
りないので、５重量％以下の３価以上の金属あるいは半
導体を含む酸化亜鉛層に接する様にセラミック等の低屈
折率層を設けるのが一般的である。
【００１２】また、その層構成は二層構成でもよいが、
単に二層のみだと、酸化亜鉛層と低屈折率層の屈折率の
差を大きく取る必要がある。これが三層、四層、五層、
六層、七層、八層と層数が大きくなるほど、屈折率の差
が小さくとも反射防止効果を得ることができるようにな
る。
単に二層のみだと、酸化亜鉛層と低屈折率層の屈折率の
差を大きく取る必要がある。これが三層、四層、五層、
六層、七層、八層と層数が大きくなるほど、屈折率の差
が小さくとも反射防止効果を得ることができるようにな
る。
【００１３】さらに、以上の様な構成にすると、膜の組
成にアンチモンや錫等の、有害と目される金属を含まな
くなり、酸化亜鉛等の環境に優しい素材により主に層構
成が行える。
成にアンチモンや錫等の、有害と目される金属を含まな
くなり、酸化亜鉛等の環境に優しい素材により主に層構
成が行える。
【００１４】請求項４記載の発明は、基材上に３価以上
の金属あるいは半導体を含む酸化亜鉛からなる層を少な
くとも一層含むことを特徴とする導電性反射防止フィル
ムである。
の金属あるいは半導体を含む酸化亜鉛からなる層を少な
くとも一層含むことを特徴とする導電性反射防止フィル
ムである。
【００１５】請求項５記載の発明は、基材上に５重量％
以下の３価以上の金属あるいは半導体を含む酸化亜鉛か
らなる層を少なくとも一層含むことを特徴とする導電性
反射防止フィルムである。
以下の３価以上の金属あるいは半導体を含む酸化亜鉛か
らなる層を少なくとも一層含むことを特徴とする導電性
反射防止フィルムである。
【００１６】これでフィルム上に作製されていることで
二次曲面への貼り付けも可能となった。
二次曲面への貼り付けも可能となった。
【００１７】請求項６記載の発明は、前記３価以上の金
属あるいは半導体が、アルミニウム、硼素、スカンジウ
ム、ガリウム、珪素、イットリウム、イッテルビウム、
インジウム、チタン、ジルコニウムあるいはタリウムで
あることを特徴とする請求項４及び請求項５記載の導電
性反射防止フィルムである。
属あるいは半導体が、アルミニウム、硼素、スカンジウ
ム、ガリウム、珪素、イットリウム、イッテルビウム、
インジウム、チタン、ジルコニウムあるいはタリウムで
あることを特徴とする請求項４及び請求項５記載の導電
性反射防止フィルムである。
【００１８】請求項７記載の発明は、前記基材が高分子
フィルムであることを特徴とする請求項４から請求項６
何れか記載の導電性反射防止膜である。
フィルムであることを特徴とする請求項４から請求項６
何れか記載の導電性反射防止膜である。
【００１９】このことにより柔軟性を上げることが出
来、密着性を向上させることが可能になった。
来、密着性を向上させることが可能になった。
【００２０】請求項８記載の発明は、前記基材とは反対
側の面に溌水処理を施してあることを特徴とする請求項
４から請求項７記載の何れか導電性反射防止膜である。
側の面に溌水処理を施してあることを特徴とする請求項
４から請求項７記載の何れか導電性反射防止膜である。
【００２１】これにより防汚効果をも具備させれる。
【００２２】請求項９記載の発明は、前記基材と前記反
射防止層の間にハードコート層を設けてあることを特徴
とする請求項４から請求項８の何れか記載の導電性反射
防止膜である。
射防止層の間にハードコート層を設けてあることを特徴
とする請求項４から請求項８の何れか記載の導電性反射
防止膜である。
【００２３】このことにより、硬い反射防止層と柔軟性
を持つ基材との緩衝作用をこのハードコート層が果たす
ことができ、同時に密着性の向上も果たすことができ
る。
を持つ基材との緩衝作用をこのハードコート層が果たす
ことができ、同時に密着性の向上も果たすことができ
る。
【００２４】
【発明の実施形態】以下、本発明の実施形態を図面を用
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
【００２５】図１は本発明の導電性反射防止膜の構成の
一例を示す断面図である。
一例を示す断面図である。
【００２６】図１の１は本発明の多層膜であり、基材２
上に誘電体層３が順次積層されている。誘電体層３は高
屈折率な導電層５と低屈折率層６からなる反射防止効果
を有する主にセラミックからなる層である。
上に誘電体層３が順次積層されている。誘電体層３は高
屈折率な導電層５と低屈折率層６からなる反射防止効果
を有する主にセラミックからなる層である。
【００２７】基材２は、十分な透明性を有することが必
要であり、さらにある程度の剛性および表面の平滑性を
有していればよく、とくに限定されるものではなく、例
えばポリエステルフィルム、ポリオレフィンフィルム、
ポリカーボネート、トリアセチルセルロース、アリレー
ト、ポリエーテルサルホン等の高分子フィルムがあげら
れる。硝子であっても特に問題となるものではない。
要であり、さらにある程度の剛性および表面の平滑性を
有していればよく、とくに限定されるものではなく、例
えばポリエステルフィルム、ポリオレフィンフィルム、
ポリカーボネート、トリアセチルセルロース、アリレー
ト、ポリエーテルサルホン等の高分子フィルムがあげら
れる。硝子であっても特に問題となるものではない。
【００２８】保護層は適時設けることができ、本発明の
機能に影響を与えることがなければ、用途、目的に応じ
て、種々ある組成物から選択することができ、無機物で
あっても有機物であっても、よく、有機物であれば、例
えばポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリビニルアルコールまたはポリエチレンテレフ
タレートなどのプラスチックなどの光学的に透明なもの
が使用される。
機能に影響を与えることがなければ、用途、目的に応じ
て、種々ある組成物から選択することができ、無機物で
あっても有機物であっても、よく、有機物であれば、例
えばポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリビニルアルコールまたはポリエチレンテレフ
タレートなどのプラスチックなどの光学的に透明なもの
が使用される。
【００２９】本発明の反射防止膜は屈折率の異なるセラ
ミックを交互に特定の膜厚で複数層積層することにより
作製でき、それらの材料としては、低屈折率層６とし
て、酸化マグネシウム（屈折率ｎ＝１．６）、二酸化珪
素（ｎ＝１．５）、フッ化マグネシウム（ｎ＝１．４）
フッ化カルシウム（ｎ＝１．３〜１．４）、フッ化セリ
ウム（ｎ＝１．６）、フッ化アルミニウム（ｎ＝１．
３）、酸化アルミニウム（ｎ＝１．６）のうちの一つ
と、高屈折率層５として、二酸化チタン（ｎ＝２．
４）、二酸化ジルコニウム（ｎ＝２．０）、硫化亜鉛
（ｎ＝２．３）、二酸化セリウム（ｎ＝２．３）、酸化
インジウム（ｎ＝２．０）、酸化タンタル（ｎ＝２．
１）、酸化亜鉛（ｎ＝２．１）が挙げられる。上記の組
み合わせからなる層を複数設けることもでき、構成する
層の積層条件を満たすものであれば用いることができ
る。
ミックを交互に特定の膜厚で複数層積層することにより
作製でき、それらの材料としては、低屈折率層６とし
て、酸化マグネシウム（屈折率ｎ＝１．６）、二酸化珪
素（ｎ＝１．５）、フッ化マグネシウム（ｎ＝１．４）
フッ化カルシウム（ｎ＝１．３〜１．４）、フッ化セリ
ウム（ｎ＝１．６）、フッ化アルミニウム（ｎ＝１．
３）、酸化アルミニウム（ｎ＝１．６）のうちの一つ
と、高屈折率層５として、二酸化チタン（ｎ＝２．
４）、二酸化ジルコニウム（ｎ＝２．０）、硫化亜鉛
（ｎ＝２．３）、二酸化セリウム（ｎ＝２．３）、酸化
インジウム（ｎ＝２．０）、酸化タンタル（ｎ＝２．
１）、酸化亜鉛（ｎ＝２．１）が挙げられる。上記の組
み合わせからなる層を複数設けることもでき、構成する
層の積層条件を満たすものであれば用いることができ
る。
【００３０】本発明の導電性反射防止膜は膜厚の制御が
可能であれば、いかなる成膜方法も用いることが可能で
ある。なかでも薄膜の生成には乾式法が優れており、こ
れには通常の真空蒸着法、スパッタリング等の物理的気
相析出法やＣＶＤ法のような化学的気相析出法を用いる
ことができる。
可能であれば、いかなる成膜方法も用いることが可能で
ある。なかでも薄膜の生成には乾式法が優れており、こ
れには通常の真空蒸着法、スパッタリング等の物理的気
相析出法やＣＶＤ法のような化学的気相析出法を用いる
ことができる。
【００３１】接着層を適時設けてシールなどとしても構
わない。機能層３に接する場合はこれを変質させたり、
冒すものでなければ通常用いられるものでよく、例えば
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、アクリル系接着剤、
ポリエステル系ポリアミドなどがあるが、これらに限定
されるものではない。
わない。機能層３に接する場合はこれを変質させたり、
冒すものでなければ通常用いられるものでよく、例えば
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、アクリル系接着剤、
ポリエステル系ポリアミドなどがあるが、これらに限定
されるものではない。
【００３２】また、場合により図２の様に溌水層、ハー
ドコート層の何れか、もしくは両方を設けても良いが、
これらの層は必ずしも必要ではなく、要求特性により選
択的に設ければ良い層である。この図２は図１の多層膜
に、７の溌水層、８のハードコート層を加えたものであ
る。
ドコート層の何れか、もしくは両方を設けても良いが、
これらの層は必ずしも必要ではなく、要求特性により選
択的に設ければ良い層である。この図２は図１の多層膜
に、７の溌水層、８のハードコート層を加えたものであ
る。
【００３３】溌水層７は、特に反射防止機能に影響を与
えないものであれば、その成膜方法はいかなるものでも
良く、用途目的に応じて、種々の組成物から選択出来、
有機物、無機物の何れでも良く、例えばフロシラン系の
ものがもちいられるが、溌水性があればこれに限定され
るものではない。また、この溌水層を設ける溌水処理と
しては、湿式法、乾式法何れもあるが、特にＣＶＤによ
る乾式処理が目的に特に適合した処理である。また、膜
厚は特に限定しないが、光学的性質に影響を与えない様
な５〜１５ｎｍの厚さが好ましい。
えないものであれば、その成膜方法はいかなるものでも
良く、用途目的に応じて、種々の組成物から選択出来、
有機物、無機物の何れでも良く、例えばフロシラン系の
ものがもちいられるが、溌水性があればこれに限定され
るものではない。また、この溌水層を設ける溌水処理と
しては、湿式法、乾式法何れもあるが、特にＣＶＤによ
る乾式処理が目的に特に適合した処理である。また、膜
厚は特に限定しないが、光学的性質に影響を与えない様
な５〜１５ｎｍの厚さが好ましい。
【００３４】ハードコート層８は、いかなる材料でも良
いが、全体の透明度を阻害しない程度以上に透明である
ことが条件である。また、その屈折率は基材と同じであ
るかそれに近い事が望ましい、例えば紫外線硬化性のア
クリル等が挙げられる。また、膜厚は特に限定しない
が、５μｍの厚さが好ましい。
いが、全体の透明度を阻害しない程度以上に透明である
ことが条件である。また、その屈折率は基材と同じであ
るかそれに近い事が望ましい、例えば紫外線硬化性のア
クリル等が挙げられる。また、膜厚は特に限定しない
が、５μｍの厚さが好ましい。
【００３５】
【００３６】＜実施例１＞基材２にはガラスを使用し、
反射防止層にはガラス基材側よりフッ化マグネシウムを
１３０ｎｍ、次いで酸化アルミニウムを２重量％含む酸
化亜鉛を５０ｎｍ真空蒸着法により積層させた。
反射防止層にはガラス基材側よりフッ化マグネシウムを
１３０ｎｍ、次いで酸化アルミニウムを２重量％含む酸
化亜鉛を５０ｎｍ真空蒸着法により積層させた。
【００３７】得られた膜の反射率は、４５０〜６５０ｎ
ｍで平均１．５％以下であった。またシート抵抗は１０
ｋΩ／□（注：／□は、２点間抵抗値と混同を防止する
ために抵抗値が表面抵抗値（もしくはシート抵抗）であ
ることを示す表示、以下同じ）〜１ＭΩ／□であった。
ｍで平均１．５％以下であった。またシート抵抗は１０
ｋΩ／□（注：／□は、２点間抵抗値と混同を防止する
ために抵抗値が表面抵抗値（もしくはシート抵抗）であ
ることを示す表示、以下同じ）〜１ＭΩ／□であった。
【００３８】＜実施例２＞基材２にはガラスを使用し、
反射防止層にはガラス基材側より二酸化珪素を１３０ｎ
ｍ、次いで酸化アルミニウムを２重量％含む酸化亜鉛を
５０ｎｍ真空蒸着法により積層させた。得られた膜の反
射率は、４５０〜６５０ｎｍで平均１．５％以下であっ
た。またシート抵抗は１０ｋΩ／□〜１ＭΩ／□であっ
た。
反射防止層にはガラス基材側より二酸化珪素を１３０ｎ
ｍ、次いで酸化アルミニウムを２重量％含む酸化亜鉛を
５０ｎｍ真空蒸着法により積層させた。得られた膜の反
射率は、４５０〜６５０ｎｍで平均１．５％以下であっ
た。またシート抵抗は１０ｋΩ／□〜１ＭΩ／□であっ
た。
【００３９】＜実施例３＞基材２には厚さ１００μｍの
ポリエチレンテレフタレートを使用し、反射防止層には
基材側よりフッ化マグネシウムを１３０ｎｍ、次いで酸
化アルミニウムを２重量％含む酸化亜鉛を５０ｎｍ真空
蒸着法により積層させた。 得られた膜の反射率は、４
５０〜６５０ｎｍで平均１．５％以下であった。またシ
ート抵抗は１０ｋΩ／□〜１ＭΩ／□であった。
ポリエチレンテレフタレートを使用し、反射防止層には
基材側よりフッ化マグネシウムを１３０ｎｍ、次いで酸
化アルミニウムを２重量％含む酸化亜鉛を５０ｎｍ真空
蒸着法により積層させた。 得られた膜の反射率は、４
５０〜６５０ｎｍで平均１．５％以下であった。またシ
ート抵抗は１０ｋΩ／□〜１ＭΩ／□であった。
【００４０】また下層に着色層を形成することにより、
透過光あるいは反射光の色の変化に悪影響を与えること
なく、着色でき、より見やすく、かつ色の種類を選択す
ることも可能である。
透過光あるいは反射光の色の変化に悪影響を与えること
なく、着色でき、より見やすく、かつ色の種類を選択す
ることも可能である。
【００４１】＜実施例４＞基材２にはハードコート層を
設けた１００μｍ厚のポリエステルフィルムを使用し、
反射防止層には基材側よりフッ化マグネシウムを１３０
ｎｍ、次いで酸化アルミニウムを２重量％含む酸化亜鉛
を５０ｎｍ真空蒸着法により積層させた。更にパーフル
オロシランをプラズマＣＶＤにより溌水処理を施し、溌
水層を１０ｎｍ厚形成した。
設けた１００μｍ厚のポリエステルフィルムを使用し、
反射防止層には基材側よりフッ化マグネシウムを１３０
ｎｍ、次いで酸化アルミニウムを２重量％含む酸化亜鉛
を５０ｎｍ真空蒸着法により積層させた。更にパーフル
オロシランをプラズマＣＶＤにより溌水処理を施し、溌
水層を１０ｎｍ厚形成した。
【００４２】得られた膜の反射率は、４５０〜６５０ｎ
ｍで平均１．５％以下であった。またシート抵抗は１０
ｋΩ／□〜１ＭΩ／□であった。表面接触角は１０７度
であった。
ｍで平均１．５％以下であった。またシート抵抗は１０
ｋΩ／□〜１ＭΩ／□であった。表面接触角は１０７度
であった。
【００４３】＜実施例５＞基材２にはハードコート層を
設けた１００μｍ厚のポリエステルフィルムを使用し、
反射防止層には基材側より二酸化珪素１３０ｎｍ、次い
で酸化アルミニウムを２重量％含む酸化亜鉛を５０ｎｍ
真空蒸着法により積層させた。更にパーフルオロシラン
をプラズマＣＶＤにより溌水処理を施し、溌水層を１０
ｎｍ厚形成した。
設けた１００μｍ厚のポリエステルフィルムを使用し、
反射防止層には基材側より二酸化珪素１３０ｎｍ、次い
で酸化アルミニウムを２重量％含む酸化亜鉛を５０ｎｍ
真空蒸着法により積層させた。更にパーフルオロシラン
をプラズマＣＶＤにより溌水処理を施し、溌水層を１０
ｎｍ厚形成した。
【００４４】得られた膜の反射率は、４５０〜６５０ｎ
ｍで平均１．５％以下であった。またシート抵抗は１０
ｋΩ／□〜１ＭΩ／□であった。表面接触角は１０７度
であった。
ｍで平均１．５％以下であった。またシート抵抗は１０
ｋΩ／□〜１ＭΩ／□であった。表面接触角は１０７度
であった。
【００４５】また下層に着色層を形成することにより、
透過光あるいは反射光の色の変化に悪影響を与えること
なく、着色でき、より見やすく、かつ色の種類を選択す
ることも可能である。
透過光あるいは反射光の色の変化に悪影響を与えること
なく、着色でき、より見やすく、かつ色の種類を選択す
ることも可能である。
【００４６】
【発明の効果】本発明により、十分な導電性と、十分な
反射防止効果が同時に得られる様になった。また、環境
に優しく、かつ安価に得られる。場合により、特に積層
構成を工夫することにより、更に基材と反射防止膜の密
着性や溌水性も向上させることができる。
反射防止効果が同時に得られる様になった。また、環境
に優しく、かつ安価に得られる。場合により、特に積層
構成を工夫することにより、更に基材と反射防止膜の密
着性や溌水性も向上させることができる。
【００４７】
【図１】本発明の導電性反射防止膜の一例を示す断面図
である。
である。
【図２】本発明の図１と別な導電性反射防止膜の一例を
示す断面図である。
示す断面図である。
１…誘電体多層膜 ２…基材 ３…誘電体層 ５…導電
層 ６…低屈折率層 ７…溌水層 ８…ハードコート層
層 ６…低屈折率層 ７…溌水層 ８…ハードコート層
Claims (9)
- 【請求項１】３価以上の金属あるいは半導体を含む酸化
亜鉛からなる層を少なくとも一層含むことを特徴とする
導電性反射防止膜。 - 【請求項２】５重量％以下の３価以上の金属あるいは半
導体を含む酸化亜鉛からなる層を少なくとも一層含むこ
とを特徴とする導電性反射防止膜。 - 【請求項３】前記３価以上の金属あるいは半導体が、ア
ルミニウム、硼素、スカンジウム、ガリウム、珪素、イ
ットリウム、イッテルビウム、インジウム、チタン、ジ
ルコニウムあるいはタリウムであることを特徴とする請
求項１及び請求項２記載の導電性反射防止膜。 - 【請求項４】基材上に３価以上の金属あるいは半導体を
含む酸化亜鉛からなる層を少なくとも一層含むことを特
徴とする導電性反射防止フィルム。 - 【請求項５】基材上に５重量％以下の３価以上の金属あ
るいは半導体を含む酸化亜鉛からなる層を少なくとも一
層含むことを特徴とする導電性反射防止フィルム。 - 【請求項６】前記３価以上の金属あるいは半導体が、ア
ルミニウム、硼素、スカンジウム、ガリウム、珪素、イ
ットリウム、イッテルビウム、インジウム、チタン、ジ
ルコニウムあるいはタリウムであることを特徴とする請
求項４及び請求項５記載の導電性反射防止フィルム。 - 【請求項７】前記基材が高分子フィルムであることを特
徴とする請求項４から請求項６記載の何れか記載の導電
性反射防止フィルム。 - 【請求項８】前記基材とは反対側の面に溌水処理を施し
てあることを特徴とする請求項４から請求項７記載の何
れか記載の導電性反射防止フィルム。 - 【請求項９】前記基材と前記反射防止層の間にハードコ
ート層を設けてあることを特徴とする請求項４から請求
項８記載の何れか記載の導電性反射防止フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7247492A JPH08152502A (ja) | 1994-09-30 | 1995-09-26 | 導電性反射防止膜及び導電性反射防止フィルム |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-236474 | 1994-09-30 | ||
| JP23647494 | 1994-09-30 | ||
| JP7247492A JPH08152502A (ja) | 1994-09-30 | 1995-09-26 | 導電性反射防止膜及び導電性反射防止フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08152502A true JPH08152502A (ja) | 1996-06-11 |
Family
ID=26532697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7247492A Pending JPH08152502A (ja) | 1994-09-30 | 1995-09-26 | 導電性反射防止膜及び導電性反射防止フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08152502A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998013850A1 (fr) * | 1996-09-26 | 1998-04-02 | Asahi Glass Company Ltd. | Plaque de protection d'ecran a plasma et son procede de fabrication |
| JP2001330707A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Nof Corp | 導電性減反射材、製造方法および用途 |
| CN1305943C (zh) * | 2004-10-26 | 2007-03-21 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 超疏水薄膜材料及制备方法 |
| JP2008083212A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置、電子機器 |
| CN111562631A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-08-21 | 江苏万新光学有限公司 | 一种低应力耐高温树脂镜片及其制备方法 |
-
1995
- 1995-09-26 JP JP7247492A patent/JPH08152502A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO1998013850A1 (fr) * | 1996-09-26 | 1998-04-02 | Asahi Glass Company Ltd. | Plaque de protection d'ecran a plasma et son procede de fabrication |
| US6452331B1 (en) | 1996-09-26 | 2002-09-17 | Asahi Glass Company, Ltd. | Protective plate for a plasma display and a method for producing the same |
| US7087308B2 (en) | 1996-09-26 | 2006-08-08 | Asahi Glass Company Ltd. | Protective plate for a plasma display and a method for producing the same |
| US7264881B2 (en) | 1996-09-26 | 2007-09-04 | Asahi Glass Company Ltd. | Protective plate for a plasma display and a method for producing the same |
| US8048531B2 (en) | 1996-09-26 | 2011-11-01 | Asahi Glass Company Ltd. | Protective plate for a plasma display and a method for producing the same |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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