JPH08148760A - 半導体レーザの製造方法および半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザの製造方法および半導体レーザInfo
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- JPH08148760A JPH08148760A JP28655394A JP28655394A JPH08148760A JP H08148760 A JPH08148760 A JP H08148760A JP 28655394 A JP28655394 A JP 28655394A JP 28655394 A JP28655394 A JP 28655394A JP H08148760 A JPH08148760 A JP H08148760A
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- insulating layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発振閾値が小さく、レーザ発振の効率が良い
半導体レーザを製造する方法および半導体レーザを提供
すること。 【構成】 メサストライプ構造23の曲面に沿ってｐ−Ｉ
ｎＰ下側ブロック層25が形成されている。そして、ｐ−
ＩｎＰ下側ブロック層25上に、半絶縁性のＴｉ−ＩｎＰ
上側ブロック層（Ｔｉ−ＩｎＰ第１半絶縁層と称する場
合もある。）27がメサストライプ構造23の高さまで埋め
込まれている。ｐ−ＩｎＰ上側第２クラッド層29上に、
半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層31が形成されてい
る。そして、Ｆｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層31上の、活性層
と対向する領域に、ストライプ状のｐ−ＩｎＧａＡｓコ
ンタクト層37が形成されている。そして、下側ブロック
層25を形成する工程、第１半絶縁層27を形成する工程、
第２半絶縁層31を形成する工程およびコンタクト層37を
形成する工程を順に行っている。
半導体レーザを製造する方法および半導体レーザを提供
すること。 【構成】 メサストライプ構造23の曲面に沿ってｐ−Ｉ
ｎＰ下側ブロック層25が形成されている。そして、ｐ−
ＩｎＰ下側ブロック層25上に、半絶縁性のＴｉ−ＩｎＰ
上側ブロック層（Ｔｉ−ＩｎＰ第１半絶縁層と称する場
合もある。）27がメサストライプ構造23の高さまで埋め
込まれている。ｐ−ＩｎＰ上側第２クラッド層29上に、
半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層31が形成されてい
る。そして、Ｆｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層31上の、活性層
と対向する領域に、ストライプ状のｐ−ＩｎＧａＡｓコ
ンタクト層37が形成されている。そして、下側ブロック
層25を形成する工程、第１半絶縁層27を形成する工程、
第２半絶縁層31を形成する工程およびコンタクト層37を
形成する工程を順に行っている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザ、特に
高速変調特性を有する半導体レーザの製造方法および半
導体レーザに関する。
高速変調特性を有する半導体レーザの製造方法および半
導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体レーザとして、例
えば、文献：「Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．５１，１０５４−１０５６（１９
８７）」に開示されている。
えば、文献：「Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．５１，１０５４−１０５６（１９
８７）」に開示されている。
【０００３】以下、この文献に開示されている半導体レ
ーザの製造方法およびその構造について簡単に説明す
る。
ーザの製造方法およびその構造について簡単に説明す
る。
【０００４】ｎ−ＩｎＰ基板上に、基板側から順に、ｎ
−ＩｎＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ活性層、ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層を形成
する。次に、ＳｉＯ2 をエッチングマスクとして用い
て、メサストライプ構造を形成する。次に、このメサス
トライプ構造の両側を有機金属気相成長法（以下、ＭＯ
ＣＶＤ法またはＭＯＶＰＥ法と示す場合がある。）によ
り、半絶縁性のＦｅドープＩｎＰ層（以下、Ｆｅ−Ｉｎ
Ｐ層と称する場合がある。）で埋め込む。次に、メサス
トライプ構造部分を中心にストライプ状の窓が設けられ
ているＳｉＯ2 マスクを表面上に形成する。次に、ｐ−
ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層側にＰｔ／Ｔｉ電極を形成
し、ｎ−ＩｎＰ基板側にＡｕ／ＡｕＧｅ電極を形成す
る。
−ＩｎＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ活性層、ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層を形成
する。次に、ＳｉＯ2 をエッチングマスクとして用い
て、メサストライプ構造を形成する。次に、このメサス
トライプ構造の両側を有機金属気相成長法（以下、ＭＯ
ＣＶＤ法またはＭＯＶＰＥ法と示す場合がある。）によ
り、半絶縁性のＦｅドープＩｎＰ層（以下、Ｆｅ−Ｉｎ
Ｐ層と称する場合がある。）で埋め込む。次に、メサス
トライプ構造部分を中心にストライプ状の窓が設けられ
ているＳｉＯ2 マスクを表面上に形成する。次に、ｐ−
ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層側にＰｔ／Ｔｉ電極を形成
し、ｎ−ＩｎＰ基板側にＡｕ／ＡｕＧｅ電極を形成す
る。
【０００５】このようにして形成された素子は、メサス
トライプ構造の両側の電流ブロック層が半絶縁性のＦｅ
−ＩｎＰ層で形成された埋め込み構造となっている。
トライプ構造の両側の電流ブロック層が半絶縁性のＦｅ
−ＩｎＰ層で形成された埋め込み構造となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体レーザでは、電流ブロック層としてのＦｅ−Ｉｎ
Ｐ層は、メサストライプ構造の両側でｐ−ＩｎＰクラッ
ド層とｎ−ＩｎＰクラッド層に接している。Ｆｅ−Ｉｎ
Ｐ層は、ｎ−ＩｎＰ層からの電子の流れ込みに対して比
抵抗が１０8 Ωｃｍ以上であり高抵抗特性を示すが、ｐ
−ＩｎＰ層からのホールの流れ込みに対しては高抵抗特
性を示さない。このため、メサストライプ構造の両側で
リーク電流が多く流れるようになる。このため、発振閾
値が増加したり、レーザ発振の効率が悪くなるという問
題があった。
半導体レーザでは、電流ブロック層としてのＦｅ−Ｉｎ
Ｐ層は、メサストライプ構造の両側でｐ−ＩｎＰクラッ
ド層とｎ−ＩｎＰクラッド層に接している。Ｆｅ−Ｉｎ
Ｐ層は、ｎ−ＩｎＰ層からの電子の流れ込みに対して比
抵抗が１０8 Ωｃｍ以上であり高抵抗特性を示すが、ｐ
−ＩｎＰ層からのホールの流れ込みに対しては高抵抗特
性を示さない。このため、メサストライプ構造の両側で
リーク電流が多く流れるようになる。このため、発振閾
値が増加したり、レーザ発振の効率が悪くなるという問
題があった。
【０００７】従って、発振閾値が小さく、レーザ発振の
効率が良い半導体レーザを製造する方法および半導体レ
ーザの出現が望まれていた。
効率が良い半導体レーザを製造する方法および半導体レ
ーザの出現が望まれていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このため、この発明の半
導体レーザの製造方法によれば、先ず、ＩｎＰ基板の上
側に形成された第１クラッド層と、第１クラッド層の上
側の活性層と、活性層の上側の第２クラッド層とから少
なくとも構成されたメサストライプ構造の両側に、少な
くとも第１クラッド層および活性層を覆うように基板と
導電型が異なる下側ブロック層を形成する。
導体レーザの製造方法によれば、先ず、ＩｎＰ基板の上
側に形成された第１クラッド層と、第１クラッド層の上
側の活性層と、活性層の上側の第２クラッド層とから少
なくとも構成されたメサストライプ構造の両側に、少な
くとも第１クラッド層および活性層を覆うように基板と
導電型が異なる下側ブロック層を形成する。
【０００９】次に、下側ブロック層上に基板中の多数キ
ャリアと極性が異なるキャリアの流入を防止する程度の
高抵抗特性を示す上側ブロック層としての第１半絶縁層
を形成する。
ャリアと極性が異なるキャリアの流入を防止する程度の
高抵抗特性を示す上側ブロック層としての第１半絶縁層
を形成する。
【００１０】次に、第２クラッド層と第１半絶縁層との
上側に、後者のキャリアに対して半導体の抵抗特性を示
す第２半絶縁層を形成する。
上側に、後者のキャリアに対して半導体の抵抗特性を示
す第２半絶縁層を形成する。
【００１１】次に、第２半絶縁層上の、活性層と対向す
る領域にコンタクト層を形成する。この発明の好適実施
例では、下側ブロック層、上側ブロック層および第２半
絶縁層を有機金属気相成長法により形成するのが良い。
る領域にコンタクト層を形成する。この発明の好適実施
例では、下側ブロック層、上側ブロック層および第２半
絶縁層を有機金属気相成長法により形成するのが良い。
【００１２】また、発振閾値が小さく、レーザ発振の効
率が良い半導体レーザとするため、この発明では、半導
体レーザの構成を次のようにする。この半導体レーザ
は、ＩｎＰ基板と、ＩｎＰ基板の上側の第１クラッド
層、第１クラッド層の上側の活性層および活性層の上側
の第２クラッド層とから少なくとも構成されたメサスト
ライプ構造と、メサストライプ構造の両側に形成され
た、少なくとも第１クラッド層および活性層を覆う、基
板と導電型が異なる下側ブロック層と、下側ブロック層
上に基板中の多数キャリアと極性が異なるキャリアの流
入を防止する程度の高抵抗特性を示す、下側ブロック層
と相まって電流ブロック層を形成する上側ブロック層と
しての第１半絶縁層と、第２クラッド層と第１半絶縁層
との上側に形成された、後者のキャリアに対して半導体
の抵抗特性を示す第２半絶縁層と、第２半絶縁層上の、
活性層と対向する領域に形成されたコンタクト層とを具
えることを特徴とする。
率が良い半導体レーザとするため、この発明では、半導
体レーザの構成を次のようにする。この半導体レーザ
は、ＩｎＰ基板と、ＩｎＰ基板の上側の第１クラッド
層、第１クラッド層の上側の活性層および活性層の上側
の第２クラッド層とから少なくとも構成されたメサスト
ライプ構造と、メサストライプ構造の両側に形成され
た、少なくとも第１クラッド層および活性層を覆う、基
板と導電型が異なる下側ブロック層と、下側ブロック層
上に基板中の多数キャリアと極性が異なるキャリアの流
入を防止する程度の高抵抗特性を示す、下側ブロック層
と相まって電流ブロック層を形成する上側ブロック層と
しての第１半絶縁層と、第２クラッド層と第１半絶縁層
との上側に形成された、後者のキャリアに対して半導体
の抵抗特性を示す第２半絶縁層と、第２半絶縁層上の、
活性層と対向する領域に形成されたコンタクト層とを具
えることを特徴とする。
【００１３】この発明の好適実施例では、第２クラッド
層がメサストライプ構造を構成する領域にだけ形成され
ているのが良く、または第２クラッド層が、メサストラ
イプ構造を構成する下側第２クラッド層と、下側第２ク
ラッド層および第１半絶縁層上に形成された上側第２ク
ラッド層とにより構成されているのが良い。
層がメサストライプ構造を構成する領域にだけ形成され
ているのが良く、または第２クラッド層が、メサストラ
イプ構造を構成する下側第２クラッド層と、下側第２ク
ラッド層および第１半絶縁層上に形成された上側第２ク
ラッド層とにより構成されているのが良い。
【００１４】また、この発明の好適実施例では、基板を
ｎ型基板とし、第１半絶縁層をチタン（Ｔｉ）ドープＩ
ｎＰ層（以下、Ｔｉ−ＩｎＰ層と称する場合がある。）
とし、第２半絶縁層を鉄（Ｆｅ）ドープＩｎＰ層（以
下、Ｆｅ−ＩｎＰ層と称する場合がある。）とするのが
良く、または基板をｐ型基板とし、第１半絶縁層をＦｅ
−ＩｎＰ層とし、第２半絶縁層をＴｉ−ＩｎＰ層とする
のが良い。
ｎ型基板とし、第１半絶縁層をチタン（Ｔｉ）ドープＩ
ｎＰ層（以下、Ｔｉ−ＩｎＰ層と称する場合がある。）
とし、第２半絶縁層を鉄（Ｆｅ）ドープＩｎＰ層（以
下、Ｆｅ−ＩｎＰ層と称する場合がある。）とするのが
良く、または基板をｐ型基板とし、第１半絶縁層をＦｅ
−ＩｎＰ層とし、第２半絶縁層をＴｉ−ＩｎＰ層とする
のが良い。
【００１５】また、この発明の好適実施例では、第１半
絶縁層および第２半絶縁層中への不純物添加濃度が１×
１０15／ｃｍ3 〜５×１０17／ｃｍ3 であるのが良く、
さらに、第１半絶縁層および第２半絶縁層の比抵抗が１
×１０6 Ωｃｍ以上であるのが良い。
絶縁層および第２半絶縁層中への不純物添加濃度が１×
１０15／ｃｍ3 〜５×１０17／ｃｍ3 であるのが良く、
さらに、第１半絶縁層および第２半絶縁層の比抵抗が１
×１０6 Ωｃｍ以上であるのが良い。
【００１６】また、この発明の好適実施例では、第２半
絶縁層の厚さが２μｍ〜４μｍであるのが良い。
絶縁層の厚さが２μｍ〜４μｍであるのが良い。
【００１７】
【作用】上述したこの発明の半導体レーザの製造方法に
よれば、下側ブロック層を形成する工程、第１半絶縁層
を形成する工程、第２半絶縁層を形成する工程およびコ
ンタクト層を形成する工程を順に行っているため、素子
の作製が容易である。
よれば、下側ブロック層を形成する工程、第１半絶縁層
を形成する工程、第２半絶縁層を形成する工程およびコ
ンタクト層を形成する工程を順に行っているため、素子
の作製が容易である。
【００１８】また、この発明の半導体レーザによれば、
メサストライプ構造の両側に形成された電流ブロック層
が、第１クラッド層および活性層を覆い、かつ基板と導
電型が異なる下側ブロック層と、下側ブロック層上に基
板中の多数キャリアと極性が異なるキャリアの流入を防
止する程度の高抵抗性を示す上側ブロック層としての第
１半絶縁層とから構成されている。また、第２クラッド
層と第１半絶縁層との上側には、基板中の多数キャリア
と極性が異なるキャリアに対して半導体の抵抗特性を示
す第２半絶縁層が形成されている。
メサストライプ構造の両側に形成された電流ブロック層
が、第１クラッド層および活性層を覆い、かつ基板と導
電型が異なる下側ブロック層と、下側ブロック層上に基
板中の多数キャリアと極性が異なるキャリアの流入を防
止する程度の高抵抗性を示す上側ブロック層としての第
１半絶縁層とから構成されている。また、第２クラッド
層と第１半絶縁層との上側には、基板中の多数キャリア
と極性が異なるキャリアに対して半導体の抵抗特性を示
す第２半絶縁層が形成されている。
【００１９】このように、第１半絶縁層は、基板と導電
型が異なる層（第２クラッド層、下側ブロック層）、場
合によってはこの層と第２半絶縁層とにより囲まれてい
る。したがって、メサストライプ構造の両側でのリーク
電流が非常に少なくなる。
型が異なる層（第２クラッド層、下側ブロック層）、場
合によってはこの層と第２半絶縁層とにより囲まれてい
る。したがって、メサストライプ構造の両側でのリーク
電流が非常に少なくなる。
【００２０】また、第２クラッド層と第１半絶縁層との
上側には、電流が流れるクラッド層として働く領域と、
その領域の両側の高抵抗の電流ブロック層として働く領
域とを有する第２半絶縁層が形成されているため電極間
距離を大きくすることができる。したがって、素子容量
を小さくでき、高速変調動作が可能となる。
上側には、電流が流れるクラッド層として働く領域と、
その領域の両側の高抵抗の電流ブロック層として働く領
域とを有する第２半絶縁層が形成されているため電極間
距離を大きくすることができる。したがって、素子容量
を小さくでき、高速変調動作が可能となる。
【００２１】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例を
説明する。これらの図面において、各構成成分は、この
発明が理解出来る程度に各構成成分の形状、大きさ、お
よび配置関係を概略的に示してあるにすぎない。なお、
以下の説明において、半導体レーザを構成する素子の製
造方法について説明し、その後で、この発明の半導体レ
ーザを構成する素子について説明する。
説明する。これらの図面において、各構成成分は、この
発明が理解出来る程度に各構成成分の形状、大きさ、お
よび配置関係を概略的に示してあるにすぎない。なお、
以下の説明において、半導体レーザを構成する素子の製
造方法について説明し、その後で、この発明の半導体レ
ーザを構成する素子について説明する。
【００２２】図１（Ａ）〜（Ｃ）、図２（Ａ）〜
（Ｃ）、図３（Ａ）〜（Ｃ）、図４（Ａ）、（Ｂ）、図
５は、この発明の実施例である半導体レーザを構成する
素子を作製する工程を概略的に示す断面図である。
（Ｃ）、図３（Ａ）〜（Ｃ）、図４（Ａ）、（Ｂ）、図
５は、この発明の実施例である半導体レーザを構成する
素子を作製する工程を概略的に示す断面図である。
【００２３】先ず、この発明では、ＩｎＰ基板の上側に
形成された第１クラッド層と、第１クラッド層の上側の
活性層と、活性層の上側の第２クラッド層とから少なく
とも構成されたメサストライプ構造の両側に、少なくと
も第１クラッド層および活性層を覆うように基板と導電
型が異なる下側ブロック層を形成する。この実施例で
は、先ず、ｎ−ＩｎＰ基板１１上に、基板１１側から順
に、ｎ−ＩｎＰ第１クラッド層１３、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層１５、ｐ−ＩｎＰ下側第２クラッド層１７、ＩｎＧ
ａＡｓＰ保護層１９を形成する（図１（Ａ））。これら
の各層は、例えば、ＭＯＣＶＤ法や液相成長法により形
成する。その後、ＳｉＯ2 膜２１を、例えば、通常の熱
ＣＶＤ法によりＩｎＧａＡｓＰ保護膜１９の上に形成す
る（図１（Ｂ））。その後、第１ＳｉＯ2 膜２１をホト
リソグラフィー技術により、例えば、幅約５μｍのスト
ライプ状に形成し、ストライプ状に形成されたＳｉＯ2
膜をエッチングマスクとして用いて、ＩｎＧａＡｓＰ保
護層１９、ｐ−ＩｎＰ下側第２クラッド層１７、ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層１５、ｎ−ＩｎＰ第１クラッド層１３を
化学エッチングにより取り除き、メサストライプ構造２
３を形成する（図１（Ｃ））。この場合、エッチング液
として、例えば、ＨＢｒ、Ｈ2 Ｏ、Ｈ2 Ｏ2 およびＨＣ
ｌの混合液を用いると、エッチングは、ＩｎＧａＡｓＰ
保護膜１９から基板１１に向かう方向に進行するだけで
はなく、基板１１と平行な方向にも進行するため、Ｓｉ
Ｏ2 エッチング膜２１ａのオーバーハングの部分２１ｂ
ができる（図１（Ｃ））。また、半導体レーザの発振の
横モードを単一モードに制御するためにエッチング済み
活性層の幅が２μｍ以下になるようにエッチング時間を
制御する。その後、エッチング後に露出したエッチング
済み第１クラッド層１３ａ、エッチング済み活性層１５
ａ、エッチング済み下側第２クラッド層１７ａおよびエ
ッチング済み保護層１９ａを覆う様にメサストライプ構
造の表面の曲面に沿ってｐ−ＩｎＰ下側ブロック層２５
を形成する（図２（Ａ））。ｐ−ＩｎＰ下側ブロック層
２５は、例えば、ＭＯＣＶＤ法により形成する。
形成された第１クラッド層と、第１クラッド層の上側の
活性層と、活性層の上側の第２クラッド層とから少なく
とも構成されたメサストライプ構造の両側に、少なくと
も第１クラッド層および活性層を覆うように基板と導電
型が異なる下側ブロック層を形成する。この実施例で
は、先ず、ｎ−ＩｎＰ基板１１上に、基板１１側から順
に、ｎ−ＩｎＰ第１クラッド層１３、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層１５、ｐ−ＩｎＰ下側第２クラッド層１７、ＩｎＧ
ａＡｓＰ保護層１９を形成する（図１（Ａ））。これら
の各層は、例えば、ＭＯＣＶＤ法や液相成長法により形
成する。その後、ＳｉＯ2 膜２１を、例えば、通常の熱
ＣＶＤ法によりＩｎＧａＡｓＰ保護膜１９の上に形成す
る（図１（Ｂ））。その後、第１ＳｉＯ2 膜２１をホト
リソグラフィー技術により、例えば、幅約５μｍのスト
ライプ状に形成し、ストライプ状に形成されたＳｉＯ2
膜をエッチングマスクとして用いて、ＩｎＧａＡｓＰ保
護層１９、ｐ−ＩｎＰ下側第２クラッド層１７、ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層１５、ｎ−ＩｎＰ第１クラッド層１３を
化学エッチングにより取り除き、メサストライプ構造２
３を形成する（図１（Ｃ））。この場合、エッチング液
として、例えば、ＨＢｒ、Ｈ2 Ｏ、Ｈ2 Ｏ2 およびＨＣ
ｌの混合液を用いると、エッチングは、ＩｎＧａＡｓＰ
保護膜１９から基板１１に向かう方向に進行するだけで
はなく、基板１１と平行な方向にも進行するため、Ｓｉ
Ｏ2 エッチング膜２１ａのオーバーハングの部分２１ｂ
ができる（図１（Ｃ））。また、半導体レーザの発振の
横モードを単一モードに制御するためにエッチング済み
活性層の幅が２μｍ以下になるようにエッチング時間を
制御する。その後、エッチング後に露出したエッチング
済み第１クラッド層１３ａ、エッチング済み活性層１５
ａ、エッチング済み下側第２クラッド層１７ａおよびエ
ッチング済み保護層１９ａを覆う様にメサストライプ構
造の表面の曲面に沿ってｐ−ＩｎＰ下側ブロック層２５
を形成する（図２（Ａ））。ｐ−ＩｎＰ下側ブロック層
２５は、例えば、ＭＯＣＶＤ法により形成する。
【００２４】次に、この発明では、下側ブロック層上に
基板中の多数キャリアと極性が異なるキャリアの流入を
防止する程度の高抵抗特性を示す上側ブロック層として
の第１半絶縁層を形成する。この実施例では、ｐ−Ｉｎ
Ｐ下側ブロック層２５上に、例えば、半絶縁性のＴｉ−
ＩｎＰ上側ブロック層（Ｔｉ−ＩｎＰ第１半絶縁層と称
する場合もある。）２７をメサストライプ構造２３の高
さまで埋め込む（図２（Ｂ））。Ｔｉ−ＩｎＰ上側ブロ
ック層２７は、ドーピング材料として、例えば、テトラ
キスジメチルアミノチタン（Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ3 ）2 ］
4 ）を用い、Ｔｉの濃度が１×１０15／ｃｍ3 〜５×１
０17／ｃｍ3 となるようにＭＯＣＶＤ法により形成す
る。このようにして形成されたＴｉ−ＩｎＰ上側ブロッ
ク層２７はホールの流れ込みに対しては比抵抗が１０8
Ωｃｍ以上であり高抵抗特性を示すが、比抵抗が１０6
Ωｃｍ以上であればホールの流入を十分に防止すること
ができる。また、Ｔｉ−ＩｎＰ上側ブロック層２７は電
子の流れ込みに対しては半導体としての抵抗特性を示
す。
基板中の多数キャリアと極性が異なるキャリアの流入を
防止する程度の高抵抗特性を示す上側ブロック層として
の第１半絶縁層を形成する。この実施例では、ｐ−Ｉｎ
Ｐ下側ブロック層２５上に、例えば、半絶縁性のＴｉ−
ＩｎＰ上側ブロック層（Ｔｉ−ＩｎＰ第１半絶縁層と称
する場合もある。）２７をメサストライプ構造２３の高
さまで埋め込む（図２（Ｂ））。Ｔｉ−ＩｎＰ上側ブロ
ック層２７は、ドーピング材料として、例えば、テトラ
キスジメチルアミノチタン（Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ3 ）2 ］
4 ）を用い、Ｔｉの濃度が１×１０15／ｃｍ3 〜５×１
０17／ｃｍ3 となるようにＭＯＣＶＤ法により形成す
る。このようにして形成されたＴｉ−ＩｎＰ上側ブロッ
ク層２７はホールの流れ込みに対しては比抵抗が１０8
Ωｃｍ以上であり高抵抗特性を示すが、比抵抗が１０6
Ωｃｍ以上であればホールの流入を十分に防止すること
ができる。また、Ｔｉ−ＩｎＰ上側ブロック層２７は電
子の流れ込みに対しては半導体としての抵抗特性を示
す。
【００２５】次に、この発明では、第２クラッド層と第
１半絶縁層との上側に、基板中の多数キャリアと極性が
異なるキャリアに対して半導体の抵抗特性を示す第２半
絶縁層を形成する。この実施例では、先ず、ＳｉＯ2 エ
ッチングマスク２１ａを、例えば、バッファ−フッ酸
（フッ酸とフッ化アンモニウムを混合して、ｐＨ値を一
定にした溶液）を用いて取り除く。その後、エッチング
済み保護層１９ａを、例えば、フッ酸、硝酸および水の
混合溶液を用いて選択的に取り除く（図２（Ｃ））。こ
のエッチングに用いたフッ酸、硝酸および水の混合溶液
はＩｎＰ層をエッチングしない。その後、表面に露出し
たｐ−ＩｎＰエッチング済み下側第２クラッド層１７ａ
とＴｉ−ＩｎＰ上側ブロック層２７とを覆うようにｐ−
ＩｎＰ上側第２クラッド層２９を形成する（図３
（Ａ））。ｐ−ＩｎＰ上側第２クラッド層２９は、例え
ば、ＭＯＣＶＤ法により形成する。このｐ−ＩｎＰ上側
第２クラッド層２９は、必ずしも形成する必要はない
が、ｐ−ＩｎＰ上側第２クラッド層２９を形成すること
によりＴｉ−ＩｎＰ上側ブロック層２７からのリーク電
流をより小さくすることができる。その後、ｐ−ＩｎＰ
上側第２クラッド層２９上に、例えば、半絶縁性のＦｅ
−ＩｎＰ第２半絶縁層３１を形成する（図２（Ｂ））。
Ｆｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層３１は、ドーピング材料とし
て、例えば、フェロセン（Ｆｅ（Ｃ5 Ｈ5 ）2 ）を用
い、Ｆｅの濃度が１×１０15／ｃｍ3 〜５×１０17／ｃ
ｍ3 となるようにＭＯＣＶＤ法により形成する。このよ
うにして形成されたＦｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層３１は電
子の流れ込みに対しては比抵抗が１０8 Ωｃｍ以上であ
り高抵抗特性を示すが、比抵抗が１０6 Ωｃｍ以上であ
れば、電子の流入を十分に防止することができる。ま
た、Ｆｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層３１はホールの流れ込み
に対しては半導体としての抵抗特性を示す。また、Ｆｅ
−ＩｎＰ第２半絶縁層３１の厚さは、例えば、２μｍで
ある。後に形成されるコンタクト層のキャリア濃度にも
よるが、コンタクト層のキャリア濃度が５×１０18／ｃ
ｍ3 〜１×１０19／ｃｍ3 の場合には、Ｆｅ−ＩｎＰ第
２半絶縁層３１の厚さが２μｍ〜４μｍであれば、後述
するように素子容量を小さくする効果を得ることができ
るし、かつホールがエッチング済み活性層１５ａまで達
することができる。
１半絶縁層との上側に、基板中の多数キャリアと極性が
異なるキャリアに対して半導体の抵抗特性を示す第２半
絶縁層を形成する。この実施例では、先ず、ＳｉＯ2 エ
ッチングマスク２１ａを、例えば、バッファ−フッ酸
（フッ酸とフッ化アンモニウムを混合して、ｐＨ値を一
定にした溶液）を用いて取り除く。その後、エッチング
済み保護層１９ａを、例えば、フッ酸、硝酸および水の
混合溶液を用いて選択的に取り除く（図２（Ｃ））。こ
のエッチングに用いたフッ酸、硝酸および水の混合溶液
はＩｎＰ層をエッチングしない。その後、表面に露出し
たｐ−ＩｎＰエッチング済み下側第２クラッド層１７ａ
とＴｉ−ＩｎＰ上側ブロック層２７とを覆うようにｐ−
ＩｎＰ上側第２クラッド層２９を形成する（図３
（Ａ））。ｐ−ＩｎＰ上側第２クラッド層２９は、例え
ば、ＭＯＣＶＤ法により形成する。このｐ−ＩｎＰ上側
第２クラッド層２９は、必ずしも形成する必要はない
が、ｐ−ＩｎＰ上側第２クラッド層２９を形成すること
によりＴｉ−ＩｎＰ上側ブロック層２７からのリーク電
流をより小さくすることができる。その後、ｐ−ＩｎＰ
上側第２クラッド層２９上に、例えば、半絶縁性のＦｅ
−ＩｎＰ第２半絶縁層３１を形成する（図２（Ｂ））。
Ｆｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層３１は、ドーピング材料とし
て、例えば、フェロセン（Ｆｅ（Ｃ5 Ｈ5 ）2 ）を用
い、Ｆｅの濃度が１×１０15／ｃｍ3 〜５×１０17／ｃ
ｍ3 となるようにＭＯＣＶＤ法により形成する。このよ
うにして形成されたＦｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層３１は電
子の流れ込みに対しては比抵抗が１０8 Ωｃｍ以上であ
り高抵抗特性を示すが、比抵抗が１０6 Ωｃｍ以上であ
れば、電子の流入を十分に防止することができる。ま
た、Ｆｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層３１はホールの流れ込み
に対しては半導体としての抵抗特性を示す。また、Ｆｅ
−ＩｎＰ第２半絶縁層３１の厚さは、例えば、２μｍで
ある。後に形成されるコンタクト層のキャリア濃度にも
よるが、コンタクト層のキャリア濃度が５×１０18／ｃ
ｍ3 〜１×１０19／ｃｍ3 の場合には、Ｆｅ−ＩｎＰ第
２半絶縁層３１の厚さが２μｍ〜４μｍであれば、後述
するように素子容量を小さくする効果を得ることができ
るし、かつホールがエッチング済み活性層１５ａまで達
することができる。
【００２６】次に、この発明では、第２半絶縁層上の、
活性層と対向する領域にコンタクト層を形成する。この
実施例では、先ず、Ｆｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層３１上に
第２ＳｉＯ2 膜３３を形成する（図３（Ｃ））。その
後、第２ＳｉＯ2 膜３３をホトリソグラフィー技術によ
り、活性層と対向する領域に活性層の幅と同程度の幅を
持つストライプ状の窓３５を形成する（図４（Ａ））。
なお、図中３３ａは窓形成済みＳｉＯ2 膜を示す。その
後、窓３５の領域に、ストライプ状のｐ−ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層３７を形成する（図４（Ｂ））。ｐ−Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層３７は、例えば、ＭＯＣＶＤ法や
液相成長法により形成する。また、コンタクト層はｐ−
ＩｎＧａＡｓＰで形成してもよい。
活性層と対向する領域にコンタクト層を形成する。この
実施例では、先ず、Ｆｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層３１上に
第２ＳｉＯ2 膜３３を形成する（図３（Ｃ））。その
後、第２ＳｉＯ2 膜３３をホトリソグラフィー技術によ
り、活性層と対向する領域に活性層の幅と同程度の幅を
持つストライプ状の窓３５を形成する（図４（Ａ））。
なお、図中３３ａは窓形成済みＳｉＯ2 膜を示す。その
後、窓３５の領域に、ストライプ状のｐ−ＩｎＧａＡｓ
コンタクト層３７を形成する（図４（Ｂ））。ｐ−Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層３７は、例えば、ＭＯＣＶＤ法や
液相成長法により形成する。また、コンタクト層はｐ−
ＩｎＧａＡｓＰで形成してもよい。
【００２７】次に、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３７
と窓形成済みＳｉＯ2 膜３３ａとを覆うように、コンタ
クト層３７側にｐ型電極３９、基板１１の裏面（第１ク
ラッド層１３を形成した面と反対側の面）側にｎ型電極
４１を形成する（図５）。以上のようにして、素子４３
が形成される。
と窓形成済みＳｉＯ2 膜３３ａとを覆うように、コンタ
クト層３７側にｐ型電極３９、基板１１の裏面（第１ク
ラッド層１３を形成した面と反対側の面）側にｎ型電極
４１を形成する（図５）。以上のようにして、素子４３
が形成される。
【００２８】Ｔｉ−ＩｎＰ第１半絶縁層２７およびＦｅ
−ＩｎＰ第２半絶縁層３１はＭＯＣＶＤ法を用いること
により、容易に形成することができる。また、ｐ−Ｉｎ
Ｐ下側ブロック層２５とＴｉ−ＩｎＰ上側ブロック層２
７とをＭＯＣＶＤ法を用いて形成すると、これらの層を
連続的に形成することができる。
−ＩｎＰ第２半絶縁層３１はＭＯＣＶＤ法を用いること
により、容易に形成することができる。また、ｐ−Ｉｎ
Ｐ下側ブロック層２５とＴｉ−ＩｎＰ上側ブロック層２
７とをＭＯＣＶＤ法を用いて形成すると、これらの層を
連続的に形成することができる。
【００２９】上述したように素子４３を形成した場合、
素子４３は次のような構造をしている。ｎ−ＩｎＰ基板
１１上に、基板１１上のエッチング済み第１クラッド層
１３ａ、エッチング済み第１クラッド層１３ａ上のエッ
チング済み活性層１５ａおよびエッチング済み活性層１
５ａ上のエッチング済み下側第２クラッド層１７ａから
構成されたメサストライプ構造２３が形成されている。
そして、エッチング済み第１クラッド層１３ａ、エッチ
ング済み活性層１５ａおよびエッチング済み下側第２ク
ラッド層１７ａを覆う様にメサストライプ構造の曲面に
沿ってｐ−ＩｎＰ下側ブロック層２５が形成されてい
る。そして、ｐ−ＩｎＰ下側ブロック層２５上に、例え
ば、半絶縁性のＴｉ−ＩｎＰ上側ブロック層（Ｔｉ−Ｉ
ｎＰ第１半絶縁層と称する場合もある。）２７がメサス
トライプ構造２３の高さまで埋め込まれている。そし
て、ｐ−ＩｎＰエッチング済み下側第２クラッド層１７
ａとＴｉ−ＩｎＰ上側ブロック層２７とを覆うようにｐ
−ＩｎＰ上側第２クラッド層２９が形成されている。そ
して、ｐ−ＩｎＰ上側第２クラッド層２９上に、例え
ば、半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層３１が形成さ
れている。そして、Ｆｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層３１上
の、活性層と対向する領域に活性層の幅と同程度の幅を
持つストライプ状の窓３５を有する窓形成済みＳｉＯ2
膜３３ａが形成されている。窓３５の領域には、ストラ
イプ状のｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３７が形成され
ている。そして、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３７と
窓形成済みＳｉＯ2 膜３３ａとを覆うように、コンタク
ト層３７側にｐ型電極３９、基板１１の裏面（第１クラ
ッド層１３を形成した面と反対側の面）側にｎ型電極４
１が形成されている。
素子４３は次のような構造をしている。ｎ−ＩｎＰ基板
１１上に、基板１１上のエッチング済み第１クラッド層
１３ａ、エッチング済み第１クラッド層１３ａ上のエッ
チング済み活性層１５ａおよびエッチング済み活性層１
５ａ上のエッチング済み下側第２クラッド層１７ａから
構成されたメサストライプ構造２３が形成されている。
そして、エッチング済み第１クラッド層１３ａ、エッチ
ング済み活性層１５ａおよびエッチング済み下側第２ク
ラッド層１７ａを覆う様にメサストライプ構造の曲面に
沿ってｐ−ＩｎＰ下側ブロック層２５が形成されてい
る。そして、ｐ−ＩｎＰ下側ブロック層２５上に、例え
ば、半絶縁性のＴｉ−ＩｎＰ上側ブロック層（Ｔｉ−Ｉ
ｎＰ第１半絶縁層と称する場合もある。）２７がメサス
トライプ構造２３の高さまで埋め込まれている。そし
て、ｐ−ＩｎＰエッチング済み下側第２クラッド層１７
ａとＴｉ−ＩｎＰ上側ブロック層２７とを覆うようにｐ
−ＩｎＰ上側第２クラッド層２９が形成されている。そ
して、ｐ−ＩｎＰ上側第２クラッド層２９上に、例え
ば、半絶縁性のＦｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層３１が形成さ
れている。そして、Ｆｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層３１上
の、活性層と対向する領域に活性層の幅と同程度の幅を
持つストライプ状の窓３５を有する窓形成済みＳｉＯ2
膜３３ａが形成されている。窓３５の領域には、ストラ
イプ状のｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３７が形成され
ている。そして、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層３７と
窓形成済みＳｉＯ2 膜３３ａとを覆うように、コンタク
ト層３７側にｐ型電極３９、基板１１の裏面（第１クラ
ッド層１３を形成した面と反対側の面）側にｎ型電極４
１が形成されている。
【００３０】この素子４３に正常なバイアスを印加して
動作させる場合、コンタクト層３７から電流が流れＦｅ
−ＩｎＰ第２半絶縁層３１にホールが流入する。Ｆｅ−
ＩｎＰ第２半絶縁層３１はホールの流れ込みに対しては
半導体としての抵抗特性を示す。このため、エッチン済
み活性層１５ａを通して基板１１側に電流が流れる。こ
のように活性層に電流が注入されるためレーザ発振が起
こる。
動作させる場合、コンタクト層３７から電流が流れＦｅ
−ＩｎＰ第２半絶縁層３１にホールが流入する。Ｆｅ−
ＩｎＰ第２半絶縁層３１はホールの流れ込みに対しては
半導体としての抵抗特性を示す。このため、エッチン済
み活性層１５ａを通して基板１１側に電流が流れる。こ
のように活性層に電流が注入されるためレーザ発振が起
こる。
【００３１】また、Ｆｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層３１中に
おいて、電流はコンタクト層３７の下に形成されている
領域３１ａだけを流れ、窓形成済みＳｉＯ2 膜３３ａの
下に形成されている領域３１ｂには流れない。従って、
領域３１ｂは高抵抗特性を示す。つまり、領域３１ａは
クラッド層として働き、領域３１ａの両側の領域３１ｂ
は高抵抗の電流ブロック層として働く。このように、Ｆ
ｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層３１は、高抵抗の電流ブロック
層としても機能する。そして、Ｆｅ−ＩｎＰ第２半絶縁
層３１はｐ−ＩｎＰ上側第２クラッド層２９上に形成さ
れているため電極間距離を大きくすることができる。そ
の結果、素子容量を小さくすることができ、高速変調動
作が可能になる。
おいて、電流はコンタクト層３７の下に形成されている
領域３１ａだけを流れ、窓形成済みＳｉＯ2 膜３３ａの
下に形成されている領域３１ｂには流れない。従って、
領域３１ｂは高抵抗特性を示す。つまり、領域３１ａは
クラッド層として働き、領域３１ａの両側の領域３１ｂ
は高抵抗の電流ブロック層として働く。このように、Ｆ
ｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層３１は、高抵抗の電流ブロック
層としても機能する。そして、Ｆｅ−ＩｎＰ第２半絶縁
層３１はｐ−ＩｎＰ上側第２クラッド層２９上に形成さ
れているため電極間距離を大きくすることができる。そ
の結果、素子容量を小さくすることができ、高速変調動
作が可能になる。
【００３２】また、エッチン済み活性層１５ａの両側に
形成されたＴｉ−ＩｎＰ上側ブロック層２７は電子の流
れ込みに対しては半導体としての抵抗特性を示す。しか
し、Ｔｉ−ＩｎＰ上側ブロック層２７はｐ型の下側ブロ
ック層２５とｐ型の第２クラッド層（１７ａと２９）と
により囲まれているため、電子がＴｉ−ＩｎＰ上側ブロ
ック層２７に流入することがない。一方、Ｔｉ−ＩｎＰ
上側ブロック層２７は、ホールの流れ込みに対しては比
抵抗が１０8 Ωｃｍ以上であり高抵抗特性を示すため、
ホールの流入を十分に防止することができる。このた
め、エッチング済み活性層１５ａの両側でリーク電流が
非常に少なくなる。その結果、発振閾値が小さく、発振
効率が良いレーザ素子を形成することができる。
形成されたＴｉ−ＩｎＰ上側ブロック層２７は電子の流
れ込みに対しては半導体としての抵抗特性を示す。しか
し、Ｔｉ−ＩｎＰ上側ブロック層２７はｐ型の下側ブロ
ック層２５とｐ型の第２クラッド層（１７ａと２９）と
により囲まれているため、電子がＴｉ−ＩｎＰ上側ブロ
ック層２７に流入することがない。一方、Ｔｉ−ＩｎＰ
上側ブロック層２７は、ホールの流れ込みに対しては比
抵抗が１０8 Ωｃｍ以上であり高抵抗特性を示すため、
ホールの流入を十分に防止することができる。このた
め、エッチング済み活性層１５ａの両側でリーク電流が
非常に少なくなる。その結果、発振閾値が小さく、発振
効率が良いレーザ素子を形成することができる。
【００３３】また、基板１１として、ｐ−ＩｎＰ基板を
用いた場合には、導電型をｎとｐとを入れ換え、さら
に、第１半絶縁層（上側ブロック層）２７をＦｅ−Ｉｎ
Ｐ層とし、第２半絶縁層３１をＴｉ−ＩｎＰ層とするこ
とにより同様の効果を得ることができる。
用いた場合には、導電型をｎとｐとを入れ換え、さら
に、第１半絶縁層（上側ブロック層）２７をＦｅ−Ｉｎ
Ｐ層とし、第２半絶縁層３１をＴｉ−ＩｎＰ層とするこ
とにより同様の効果を得ることができる。
【００３４】この発明は、上述した実施例に限定される
ものではないことは明らかである。例えば、この実施例
で用いたＦｅ−ＩｎＰ層と同様な機能を有するものとし
て、クロム（Ｃｒ）ドープＩｎＰ層、バナジウム（Ｂ
ａ）ドープＩｎＰ層、コバルト（Ｃｏ）ドープＩｎＰ層
がある。
ものではないことは明らかである。例えば、この実施例
で用いたＦｅ−ＩｎＰ層と同様な機能を有するものとし
て、クロム（Ｃｒ）ドープＩｎＰ層、バナジウム（Ｂ
ａ）ドープＩｎＰ層、コバルト（Ｃｏ）ドープＩｎＰ層
がある。
【００３５】また、この発明では、活性層にＩｎＧａＡ
ｓＰ層を用いたファブリペロー型の半導体レーザについ
て示しているが、活性層としてＩｎＧａＡｓ層とＩｎＧ
ａＡｓＰ層からなるＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ量子
井戸構造型の半導体レーザについても同様の効果が得ら
れる。
ｓＰ層を用いたファブリペロー型の半導体レーザについ
て示しているが、活性層としてＩｎＧａＡｓ層とＩｎＧ
ａＡｓＰ層からなるＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ量子
井戸構造型の半導体レーザについても同様の効果が得ら
れる。
【００３６】また、縦モードを単一化するための回折格
子構造を持つ半導体レーザについても適用することがで
きる。
子構造を持つ半導体レーザについても適用することがで
きる。
【００３７】
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明の半導体レーザの製造方法によれば、下側ブロック
層を形成する工程、第１半絶縁層を形成する工程、第２
絶縁層を形成する工程およびコンタクト層を形成する工
程を順に行っているため、素子の作製が容易である。
発明の半導体レーザの製造方法によれば、下側ブロック
層を形成する工程、第１半絶縁層を形成する工程、第２
絶縁層を形成する工程およびコンタクト層を形成する工
程を順に行っているため、素子の作製が容易である。
【００３８】また、この発明の半導体レーザによれば、
メサストライプ構造の両側に形成された電流ブロック層
が、第１クラッド層および活性層を覆い基板と導電型が
異なる下側ブロック層と、下側ブロック層上に基板中の
多数キャリアと極性が異なるキャリアの流入を防止する
程度の高抵抗性を示す上側ブロック層としての第１半絶
縁層とから構成されている。また、第２クラッド層と第
１半絶縁層との上側には、基板中の多数キャリアと極性
が異なるキャリアに対して半導体の抵抗特性を示す第２
半絶縁層が形成されている。
メサストライプ構造の両側に形成された電流ブロック層
が、第１クラッド層および活性層を覆い基板と導電型が
異なる下側ブロック層と、下側ブロック層上に基板中の
多数キャリアと極性が異なるキャリアの流入を防止する
程度の高抵抗性を示す上側ブロック層としての第１半絶
縁層とから構成されている。また、第２クラッド層と第
１半絶縁層との上側には、基板中の多数キャリアと極性
が異なるキャリアに対して半導体の抵抗特性を示す第２
半絶縁層が形成されている。
【００３９】このように、第１半絶縁層は、基板と導電
型が異なる層（第２クラッド層、下側ブロック層）、場
合によってはこの層と第２半絶縁層とにより囲まれてい
る。したがって、メサストライプ構造の両側でのリーク
電流が非常に少なくなる。その結果、発振閾値が小さ
く、発振効率が良いレーザ素子を形成することができ
る。
型が異なる層（第２クラッド層、下側ブロック層）、場
合によってはこの層と第２半絶縁層とにより囲まれてい
る。したがって、メサストライプ構造の両側でのリーク
電流が非常に少なくなる。その結果、発振閾値が小さ
く、発振効率が良いレーザ素子を形成することができ
る。
【００４０】さらに、第２クラッド層と第１半絶縁層と
の上側には、第２半絶縁層が形成されており、電極間距
離を大きくすることができる。その結果、素子容量を小
さくすることができ、高速変調動作が可能になる。
の上側には、第２半絶縁層が形成されており、電極間距
離を大きくすることができる。その結果、素子容量を小
さくすることができ、高速変調動作が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例に用いた半導体レー
ザを構成する素子を製造する工程を概略的に示す断面図
である。
ザを構成する素子を製造する工程を概略的に示す断面図
である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例に用いた半導体レー
ザを構成する素子を製造する工程を概略的に示す図１に
続く断面図である。
ザを構成する素子を製造する工程を概略的に示す図１に
続く断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例に用いた半導体レー
ザを構成する素子を製造する工程を概略的に示す図２に
続く断面図である。
ザを構成する素子を製造する工程を概略的に示す図２に
続く断面図である。
【図４】（Ａ）および（Ｂ）は、実施例に用いた半導体
レーザを構成する素子を製造する工程を概略的に示す図
３に続く断面図である。
レーザを構成する素子を製造する工程を概略的に示す図
３に続く断面図である。
【図５】実施例に用いた半導体レーザを構成する素子を
製造する工程を概略的に示す図４に続く断面図である。
製造する工程を概略的に示す図４に続く断面図である。
１１：ｎ−ＩｎＰ基板 １３：ｎ−ＩｎＰ第１クラッド層 １３ａ：エッチング済み第１クラッド層 １５：ＩｎＧａＡｓＰ活性層 １５ａ：エッチング済み活性層 １７：ｐ−ＩｎＰ下側第２クラッド層 １７ａ：エッチング済み下側第２クラッド層 １９：ＩｎＧａＡｓＰ保護層 １９ａ：エッチング済み保護層 ２１：第１ＳｉＯ2 膜 ２１ａ：ＳｉＯ2 エッチング膜 ２１ｂ：オーバーハングの部分 ２３：メサストライプ構造 ２５：ｐ−ＩｎＰ下側ブロック層 ２７：Ｔｉ−ＩｎＰ上側ブロック層（Ｔｉ−ＩｎＰ第１
半絶縁層） ２９：ｐ−ＩｎＰ上側第２クラッド層 ３１：Ｆｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層 ３１ａ：コンタクト層の下に形成されている領域 ３１ｂ：ＳｉＯ2 膜の下に形成されている領域 ３３：第２ＳｉＯ2 膜 ３３ａ：窓形成済みＳｉＯ2 膜 ３５：窓 ３７：ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層 ３９：ｐ型電極 ４１：ｎ型電極 ４３：素子
半絶縁層） ２９：ｐ−ＩｎＰ上側第２クラッド層 ３１：Ｆｅ−ＩｎＰ第２半絶縁層 ３１ａ：コンタクト層の下に形成されている領域 ３１ｂ：ＳｉＯ2 膜の下に形成されている領域 ３３：第２ＳｉＯ2 膜 ３３ａ：窓形成済みＳｉＯ2 膜 ３５：窓 ３７：ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層 ３９：ｐ型電極 ４１：ｎ型電極 ４３：素子
Claims (10)
- 【請求項１】 ＩｎＰ基板の上側に形成された第１クラ
ッド層と、前記第１クラッド層の上側の活性層と、前記
活性層の上側の第２クラッド層とから少なくとも構成さ
れたメサストライプ構造の両側に、少なくとも前記第１
クラッド層および前記活性層を覆うように前記基板と導
電型が異なる下側ブロック層を形成する工程と、 前記下側ブロック層上に前記基板中の多数キャリアと極
性が異なるキャリアの流入を防止する程度の高抵抗特性
を示す上側ブロック層としての第１半絶縁層を形成する
工程と、 前記第２クラッド層と前記第１半絶縁層との上側に、前
記後者のキャリアに対して半導体の抵抗特性を示す第２
半絶縁層を形成する工程と、 前記第２半絶縁層上の、前記活性層と対向する領域にコ
ンタクト層を形成する工程とを含むことを特徴とする半
導体レーザの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザの製造方
法において、前記下側ブロック層、前記上側ブロック層
および前記第２半絶縁層を有機金属気相成長法により形
成することを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項３】 ＩｎＰ基板と、 前記ＩｎＰ基板の上側の第１クラッド層、前記第１クラ
ッド層の上側の活性層および前記活性層の上側の第２ク
ラッド層とから少なくとも構成されたメサストライプ構
造と、 前記メサストライプ構造の両側に形成された、少なくと
も前記第１クラッド層および前記活性層を覆う、前記基
板と導電型が異なる下側ブロック層と、 前記下側ブロック層上に前記基板中の多数キャリアと極
性が異なるキャリアの流入を防止する程度の高抵抗特性
を示す、前記下側ブロック層と相まって電流ブロック層
を形成する上側ブロック層としての第１半絶縁層と、 前記第２クラッド層と前記第１半絶縁層との上側に形成
された、前記後者のキャリアに対して半導体の抵抗特性
を示す第２半絶縁層と、 前記第２半絶縁層上の、前記活性層と対向する領域に形
成されたコンタクト層とを具えることを特徴とする半導
体レーザ。 - 【請求項４】 請求項３に記載の半導体レーザにおい
て、前記第２クラッド層がメサストライプ構造を構成す
る領域にだけ形成されていることを特徴とする半導体レ
ーザ。 - 【請求項５】 請求項３に記載の半導体レーザにおい
て、前記第２クラッド層が、メサストライプ構造を構成
する下側第２クラッド層と、前記下側第２クラッド層お
よび前記第１半絶縁層上に形成された上側第２クラッド
層とにより構成されていることを特徴とする半導体レー
ザ。 - 【請求項６】 請求項３に記載の半導体レーザにおい
て、前記基板をｎ型基板とし、前記第１半絶縁層をチタ
ン（Ｔｉ）ドープＩｎＰ層とし、前記第２半絶縁層を鉄
（Ｆｅ）ドープＩｎＰ層とすることを特徴とする半導体
レーザ。 - 【請求項７】 請求項３に記載の半導体レーザにおい
て、前記基板をｐ型基板とし、前記第１半絶縁層を鉄
（Ｆｅ）ドープＩｎＰ層とし、前記第２半絶縁層をチタ
ン（Ｔｉ）ドープＩｎＰ層とすることを特徴とする半導
体レーザ。 - 【請求項８】 請求項３に記載の半導体レーザにおい
て、前記第１半絶縁層および前記第２半絶縁層中への不
純物添加濃度が１×１０15／ｃｍ3 〜５×１０17／ｃｍ
3 であることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項９】 請求項３に記載の半導体レーザにおい
て、前記第１半絶縁層および前記第２半絶縁層の比抵抗
が１×１０6 Ωｃｍ以上であることを特徴とする半導体
レーザ。 - 【請求項１０】 請求項３に記載の半導体レーザにおい
て、前記第２半絶縁層の厚さが２μｍ〜４μｍであるこ
とを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28655394A JPH08148760A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 半導体レーザの製造方法および半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28655394A JPH08148760A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 半導体レーザの製造方法および半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148760A true JPH08148760A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17705906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28655394A Withdrawn JPH08148760A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 半導体レーザの製造方法および半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08148760A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1022827A2 (en) * | 1999-01-21 | 2000-07-26 | Nec Corporation | Semiconductor laser device and fabrication method |
-
1994
- 1994-11-21 JP JP28655394A patent/JPH08148760A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1022827A2 (en) * | 1999-01-21 | 2000-07-26 | Nec Corporation | Semiconductor laser device and fabrication method |
| EP1022827A3 (en) * | 1999-01-21 | 2000-11-22 | Nec Corporation | Semiconductor laser device and fabrication method |
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