JPH08148753A

JPH08148753A - 半導体レーザ

Info

Publication number: JPH08148753A
Application number: JP28840294A
Authority: JP
Inventors: Koji Nakamura; 幸治中村; Hideaki Horikawa; 英明堀川
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1994-11-22
Filing date: 1994-11-22
Publication date: 1996-06-07

Abstract

(57)【要約】【目的】窓構造のＧａＡｓ系或はＡｌＧａＡｓ系半導
体レーザにおいて、レーザ出力を一層高めても共振器端
面の光学的損傷を生じないようにするため、窓領域のキ
ャリア発生確率を低減する。【構成】基板12上に順次に、下側クラッド層14、光ガ
イド層16、活性層18、上側クラッド層20及びコンタクト
層42を設ける。そして活性層18が設けられる利得領域26
に駆動電極対28、30 を設け、活性層18が設けられない窓
領域22に引抜き電極対28、32 を設ける。駆動電極28及び
引抜き電極28を共通電極とする。また利得領域26の駆動
電極30及びコンタクト層42と窓領域22の引抜き電極32及
びコンタクト層42とを分断して、これら電極30、32 の間
に分離抵抗を形成する。引抜き電極対28、32 を介し窓領
域22からキャリアを引き抜くことにより目的を達成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、レーザ共振器の光学
的損傷を生じにくくした窓構造の半導体レーザに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、共振器端面の光学的損傷を生
じ易い半導体レーザ特にＧａＡｓ系半導体レーザにおい
て、窓構造の半導体レーザが提案されている。この構造
では、発振波長に対し透明な窓層を、共振器端面と活性
層端部との間に設ける。窓層では、発振波長に対して光
の閉込めが弱くなるので光子密度を低減でき、従って光
吸収によるキャリアの発生を抑制できる。キャリアが発
生すると、キャリアの非発光再結合により熱を生じ、こ
の熱が共振器端面の光学的損傷の要因となる。従って窓
層においてキャリア発生を抑制することにより、共振器
端面の光学的損傷を生じにくくすることができる。この
結果、従来レーザにあっては、高出力例えば１００ｍＷ
の出力でレーザ発振させても、長期にわたって、共振器
端面の光学的損傷を生じないようにすることができる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の窓
構造半導体レーザでは、より高い出力で例えば３００ｍ
Ｗの出力でレーザ発振させると、光学的損傷を生じる時
期が早まる。これは、レーザ出力を高めると窓層の光子
密度が増加し、その増分だけ、窓層で光吸収を生じ易く
なるからである。従って光学的損傷を回避するためにレ
ーザ出力を制限しなければならず、レーザ出力の高出力
化にも限界がある。

【０００４】この発明の目的は、上述した従来の問題点
を解決するため、窓領域において、キャリアの非発光再
結合を一層生じ難くするようにした窓構造の半導体レー
ザを提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段及び作用】この目的を達成
するため、この発明の半導体レーザは、基板上に順次に
設けられた下側クラッド層、活性層及び上側クラッド層
と、共振器端面及び活性層端部の間の窓領域に設けられ
発振波長に対し透明な窓層と、活性層に対応する利得領
域に設けられた駆動電極対とを備えて成る半導体レーザ
において、キャリアを引き抜くため窓領域に設けられた
引抜き電極対を備えて成ることを特徴とする。

【０００６】従って窓領域において光吸収によりキャリ
アを生じた場合に、窓領域から引抜き電極対を介して外
部電気回路或はアースへと、キャリアを引き抜く（逃が
す）ことができる。キャリアを引抜くことにより、窓領
域において、非発光再結合の発生を生じ難くすることが
できる。

【０００７】引抜き電極対を、窓領域の半導体層であっ
てキャリアを生ずるおそれのある半導体層特に窓層と、
電気的に接続する。そして引抜き電極対を接地すること
により、キャリアを引き抜くことができる。或は、窓領
域に設けられている半導体層がｐｎ接合或はｐｉｎ接合
を形成する場合には、このｐｎ接合或はｐｉｎ接合に、
引抜き電極対を介して逆バイアス電圧を印加することに
より、キャリアを引き抜くことができる。

【０００８】

【実施例】以下、図面を参照し、発明の実施例につき説
明する。尚、図面は発明が理解できる程度に概略的に示
してあるに過ぎず、従って発明を図示例に限定するもの
ではない。

【０００９】図１及び図２は実施例の構成を概略的に示
す断面図である。図１は活性層を通り共振器端面の法線
方向Ｒに沿って取った断面を示す。図２（Ａ）は図１の
IIＡ−IIＡ線に沿って取った断面であって、共振器端面
に平行な断面を示す。また図２（Ｂ）は図１のIIＢ−II
Ｂ線に沿って取った断面であって、共振器端面に平行な
断面を示す。

【００１０】これら図にも示すように、この実施例の窓
構造の半導体レーザ１０は、基板１２上に順次に設けら
れた下側クラッド層１４、光ガイド層１６、活性層１８
及び上側クラッド層２０と、共振器端面及び活性層端部
の間の窓領域２２に設けられ発振波長に対し透明な窓層
２４と、活性層１８に対応する利得領域２６に設けられ
た駆動電極対２８、３０とを備え、さらにキャリアを引
き抜くため窓領域２２に設けられた引抜き電極対２８、
３２を備える。

【００１１】そして下側クラッド層１４、光ガイド層１
６及び上側クラッド層２０をそれぞれ、ストライプ状と
成して一方の共振器端面３４１から他方の共振器端面３
４２まで延在させ、窓領域２２の半導体層であって光を
導波する領域の半導体層ここでは窓領域２２の下側クラ
ッド層１４、光ガイド層１６及び上側クラッド層２０を
それぞれ窓層２４とする。

【００１２】この実施例では、ｎ−ＧａＡｓ基板１２の
一方の基板面１２ａ上に順次に、ｎ−ＩｎＧａＰ下側ク
ラッド層１４、ｉ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層１６、Ｉ
ｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪み量子井戸構造の活性層１８及
びｐ−ＩｎＧａＰ上側クラッド層２０を設け、これら半
導体層１４、１６、１８及び２０により、メサストライ
プ状の積層体Ｓを構成する。図２（Ａ）及び（Ｂ）中
に、この積層体Ｓを点を付して示す。

【００１３】光ガイド層１６のバンドギャップは、クラ
ッド層１４、２０のバンドギャップよりも小さく、か
つ、活性層１８のバンドギャップよりも大きい。活性層
１８は、歪み量子井戸を構成するように設けられたＩｎ
ＧａＡｓ井戸層及びＧａＡｓ障壁層を有し、その発振波
長を９８０ｎｍとする。この活性層１８をアンドープと
する。またここでは、窓領域２２の下側クラッド層１
４、光ガイド層１６及び上側クラッド層２０をそれぞれ
窓層２４として利用するので、これら下側クラッド層１
４、光ガイド層１６及び上側クラッド層２０をそれぞれ
活性層１８の発振波長に対して透明な半導体層とする。
またクラッド層１４、２０及び活性層１８の屈折率差に
より、光を活性層１８に閉込める。

【００１４】そして積層体Ｓをストライプ状に方向Ｒに
延在させ、方向Ｒにおける積層体Ｓの一方及び他方の劈
開面をそれぞれ、一方及び他方の共振器端面３４１及び
３４２とする。方向Ｒは共振器端面３４１、３４２の法
線方向である。一方の共振器端面３４１に低反射膜（An
ti-Reflecting Film）３６、及び、他方の共振器端面３
４２に高反射膜（High-Reflectimg Film）３８を設け、
一方の共振器端面３４１をレーザ光出射面とする。

【００１５】そして方向Ｒと直交し基板面１２ａに平行
な方向における積層体Ｓの一方及び他方の側部を、電流
ブロック層４０で埋め込む。電流ブロック層４０は基板
１２側から順次に設けたｐ−ＩｎＧａＰブロック層４０
ａ及びｎ−ＩｎＧａＰブロック層４０ｂから成る。

【００１６】また活性層１８が設けられる利得領域２６
と活性層１８が設けられない窓領域２２とを、方向Ｒに
おいて並列させて、共振器端面３４１、３４２の間に設
ける。ここでは、共振器端面３４１、３４２間の領域の
中央部を利得領域２６とし、利得領域２６と一方の共振
器端面３４１との間の領域を一方の窓領域２２、及び、
利得領域２６と他方の共振器端面３４２との間の領域を
他方の窓領域２２とする。尚、窓領域２２はＮＡＭ（No
n Absorbing Mirror）領域とも称す。

【００１７】そして利得領域２６に活性層１８を設け窓
領域２２には活性層１８を設けないようにして、活性層
１８を方向Ｒにストライプ状に延在させる。また下側ク
ラッド層１４、光ガイド層１６及び上側クラッド層２０
をそれぞれ、方向Ｒにストライプ状に延在させて、一方
の共振器端面３４１から他方の共振器端面３４２まで設
ける。一方の窓領域２２に設けられた下側クラッド層１
４、光ガイド層１６及び上側クラッド層２０をそれぞれ
窓層２４とし、この窓層２４の上側クラッド層２０によ
り、一方の共振器端面３４１と当該端面３４１に向き合
う活性層１８の一方の端部との間を、埋め込む。さらに
他方の窓領域２２に設けられた下側クラッド層１４、光
ガイド層１６及び上側クラッド層２０をそれぞれ窓層２
４とし、この窓層２４の上側クラッド層２０により、他
方の共振器端面３４２と当該端面３４２に向き合う活性
層１８の他方の端部との間を、埋め込む。図１中に、窓
層２４として機能させる部分の下側クラッド層１４、光
ガイド層１６及び上側クラッド層２０をそれぞれ、点を
付して示す。

【００１８】また駆動電極対の一方の電極２８と引抜き
電極対の一方の電極２８とを共通電極（以下、共通電極
２８と称する）とし、この共通電極２８を、利得領域２
６及び窓領域２２に延在させて、一方の基板面１２ａと
は反対側の他方の基板面１２ｂ上に設ける。

【００１９】また上側クラッド層２０上にｐ⁺ −ＧａＡ
ｓコンタクト層４２を設ける。また電流ブロック層４０
上にＳｉＯ₂ 絶縁膜４４を設け、絶縁膜４４の窓４４ａ
を介しコンタクト層４２を露出させる。そして駆動電極
対の他方の電極３０（以下、駆動電極３０と称する）と
引抜き電極対の他方の電極３２（以下、引抜き電極３２
と称する）とを互いに分断して設けられた個別電極と
し、駆動電極３０及び引抜き電極３２を、絶縁膜４４上
に設ける。

【００２０】駆動電極３０を、絶縁膜４４の窓４４ａを
介して、利得領域２６のコンタクト層３２と接続する。
また引抜き電極３２を、絶縁膜４４の窓４４ａを介し
て、窓領域２２のコンタクト層３２と接続する。

【００２１】このようにして一方の共振器端面３４１と
当該端面３４１に向き合う活性層１８の一方の端部（一
方の活性層端部）との間、及び、他方の共振器端面３４
２と当該端面３４２に向き合う活性層１８の他方の端部
（他方の活性層端部）との間にそれぞれ、窓層２４及び
引抜き電極３２を設けている。

【００２２】そしてこれら駆動電極３０及び引抜き電極
３２の間には、分離抵抗を設ける。この分離抵抗の値を
任意好適な大きさの値とすることにより、利得領域２６
へのキャリア注入と、窓領域２２からのキャリア引抜き
とを、電気的にほぼ独立して行なうことができる。ここ
では、利得領域２６のコンタクト層４２及び駆動電極３
０と、窓領域２２のコンタクト層４２及び引抜き電極３
２とを、分離溝４６により分断し、この分離溝４６に対
応する部分の半導体層例えば上側クラッド層２０を、分
離抵抗として機能させる。

【００２３】上述した構成の半導体レーザ１０において
は、引抜き電極３２及び共通電極２８を接地することに
より、窓領域２２の半導体層１４、１６、２０及び４２
からキャリアを引抜くことができる。或は、窓領域２２
の半導体層１２、１４、１６及び２４はｐｉｎ接合を形
成するので、引抜き電極３２及び共通電極２８を介して
このｐｉｎ接合に逆バイアス電圧を印加することによ
り、窓領域２２の半導体層１４、１６、２０及び４２か
らキャリアを引き抜くことができる。

【００２４】従ってレーザ出力を高めた場合に、窓領域
２２において、光子密度が増加しその結果キャリアの発
生量が増加したとしても、キャリアの引抜きにより、キ
ャリアの非発光再結合が発生する確率を低減し或はその
発生を無くすことができる。キャリアの非発光再結合は
発熱をもたらし、これが共振器端面の光学的破壊の要因
となるものである。従って非発光再結合を発生し難くす
ることにより、レーザ出力を高めても、共振器端面の光
学的破壊が発生しにくくなり或はその発生時期を遅らせ
ることができる。

【００２５】また駆動電極３０及び共通電極２８を介
し、活性層１８に順方向電流を注入することにより、レ
ーザ発振させることができる。活性層１８から出射され
たレーザ光は、窓領域２２を伝搬して共振器端面に至り
共振器端面で反射される。この反射されたレーザ光は、
窓領域２２を伝搬して再び活性層１８に入射する。この
再入射の際に、レーザ光を効率良く活性層１８に入射さ
せるため、光ガイド層１６のバンドギャップを、クラッ
ド層１４、２０のバンドギャップよりも小さくし、か
つ、活性層１８のバンドギャップよりも大きくする（或
は、光ガイド層１６の屈折率を、クラッド層１４、２０
の屈折率よりも大きくし、かつ、活性層１８の屈折率よ
りも小さくする）。そして平面的に見て、窓領域２２の
光ガイド層１６を、方向Ｒに活性層１８に沿って延長し
た線と重ね合わせるようにして、設ける。このようにバ
ンドギャップ（或は屈折率）を定めると共に光ガイド層
１６を設けることにより、活性層１８から共振器端面に
至る距離Ｌ（図１参照）を長くしたとしても、レーザ光
を活性層１８へ効率良く再入射させることができる。

【００２６】従って方向Ｒにおける分離溝４６の長さｈ
１（図１参照）を長くし、及び又は、方向Ｒにおける引
抜き電極３２の長さｈ２（図１参照）を長くするため、
距離Ｌを長くしたとしても、レーザ光を活性層１８へ効
率良く再入射させることができる。分離溝４６の長さｈ
１を長くすることにより駆動電極３０及び引抜き電極３
２の間の分離抵抗の値を大きくできる。また引抜き電極
３２の長さｈ２を長くすることにより電極面積が増える
のでキャリアの引抜き効率を高めることができ、従って
キャリアの非発光性再結合をより発生し難くすることが
できる。

【００２７】次にこの実施例の半導体レーザ１０の製造
方法につき一例を挙げて説明する。図３〜図１０はこの
実施例の半導体レーザ１０の製造工程を段階的に示す断
面図である。図３〜図５及び図１０は図１に対応する断
面図である。図６〜図９の各分図（Ａ）は図２（Ａ）に
対応する断面図、及び、図６〜図９の各分図（Ｂ）は図
２（Ｂ）に対応する断面図であって、これら図６〜図９
において同一図番の分図（Ａ）及び（Ｂ）は同一工程段
階の様子を示す。尚、これら図にあっては、図の簡略化
を図るため、半導体レーザ１チップ分の製造工程を示し
てある。

【００２８】まず、ＭＯＶＰＥ法により、ｎ−ＧａＡｓ
基板１２の（１００）基板面１２ａ上に、順次に、ｎ−
ＩｎＧａＰ下側クラッド層１４、ｎ又はｉ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ光ガイド層１６、ｉ−ＩｎＧａＰエッチングストッ
プ層４８、アンドープＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪み量子
井戸構造の活性層１８及びｐ−ＩｎＧａＰ保護層５０を
積層する。

【００２９】保護層５０は製造途上で活性層１８が汚損
されるのを防止するためのものである。また光ガイド層
１６の組成及び厚みは発振特性に影響を与えるので、適
正な値に決定する。ここでは、基板１２に格子整合する
組成の光ガイド層１６であって、バンドギャップ波長７
８０〜８３０ｎｍ程度及び厚さ０．０５〜０．２μｍ程
度の光ガイド層１６とする。尚、保護層５０はクラッド
層としての機能を兼ね備える。

【００３０】次いで、保護層５０上にＳｉＯ₂ エッチン
グマスク５２を形成する（図３）。利得領域２６をエッ
チングマスク５２で覆い、窓領域２２をエッチングマス
ク５２で覆わずに露出させる。

【００３１】次に、エッチングマスク５２を介し、窓領
域２２の保護層５０及び活性層１８をエッチング除去し
て、窓領域２２のエッチングストップ層４８を露出さ
せ、これにより利得領域２６に、島状の保護層５０及び
島状の活性層１８を形成する（図４）。方向Ｒにおける
窓領域２２の長さｔ１を２５〜５０μｍ程度とし、方向
Ｒにおける利得領域２６の長さｔ２を５００〜７００μ
ｍ程度とする（ｔ１、ｔ２については図４参照）。また
このエッチングでは、保護層５０及び活性層１８はエッ
チングするが、エッチングストップ層４８はエッチング
しないように、エッチング方法及びエッチング条件例え
ばエッチャント或はエッチングガスの組成を、設定す
る。

【００３２】次いでエッチングマスク５２を除去し、然
る後、ＭＯＶＰＥ法により、窓領域２２のエッチングス
トップ層４８上及び利得領域２６の保護層５０上にそれ
ぞれ、順次に、ｐ−ＩｎＧａＰ上側クラッド層２０及び
ｐ⁺ −ＧａＡｓコンタクト層４２を積層する。然る後、
コンタクト層４２上に、ＳｉＯ₂ エッチングマスク５４
を形成する（図５）。積層体Ｓに対応する領域Ｖ（図６
参照）をエッチングマスク５４で覆い、それ以外の領域
をエッチングマスク５４で覆わずに露出させる。エッチ
ングマスク５４は方向Ｒに延在するストライプ状のマス
クであって、このマスク５４のストライプ幅を３〜５μ
ｍ程度とする。また方向Ｒを＜０１１＞方向とする。

【００３３】次に、エッチングマスク５４を介し、コン
タクト層４２から下側クラッド層１４までの各半導体層
４２、２０、５０、１８、４８、１６及び１４をエッチ
ングして、メサストライプ状の積層体Ｓを形成する（図
６）。このエッチングは、積層体Ｓからエッチングマス
ク５４が庇状に延出するようになるまで、行なう。また
ここでは、下側クラッド層１４、光ガイド層１６、エッ
チングストップ層４８、活性層１８、クラッドを兼ねる
保護層５０、上側クラッド層２０及びコンタクト層４２
により、積層体Ｓを構成する。図中、この積層体Ｓを点
を付して示す。活性層幅は１〜２μｍとする。

【００３４】次に、ＭＯＶＰＥ法により、基板１２側か
ら順次に、ｐ−ＩｎＧａＰブロック層４０ａ及びｎ−Ｉ
ｎＧａＰブロック層４０ｂを積層し、これらブロック層
４０ａ及び４０ｂから成る電流ブロック層４０により、
積層体Ｓの側部を埋め込む（図７）。この際、エッチン
グマスク５４を残存させたまま、電流ブロック層４０の
各ブロック層４０ａ、４０ｂを積層する。これにより、
コンタクト層４２と電流ブロック層４０との境界部分を
平坦化することができる。

【００３５】次いで、エッチングマスク５４を除去し、
然る後、電流ブロック層４０上にＳｉＯ₂ 絶縁膜４４を
積層する（図８）。

【００３６】次に、電流ブロック層４０上の絶縁膜４４
は残存させたまま、積層体Ｓに対応する領域の絶縁膜４
４をエッチング除去して、絶縁膜４４に窓４４ａを形成
する。この窓４４ａを介しコンタクト層４２を露出させ
る。然る後、絶縁膜４４を介し、コンタクト層４２上に
オーミック電極５６を蒸着する（図９）。

【００３７】次に、窓領域２２及び利得領域２６の境界
部分に、分離溝４６を形成する。分離溝４６を、オーミ
ック電極５６から上側クラッド層２０に至る深さまで形
成し、この分離溝４６により、窓領域２２のオーミック
電極５６及びコンタクト層４２と、利得領域２６のオー
ミック電極５６及びコンタクト層４２とを分断する。こ
れら分断された窓領域２２のオーミック電極５６を引抜
き電極３２、及び、利得領域２６のオーミック電極５６
を駆動電極３０とする。また分離溝４６の幅ｈ１を１０
〜３０μｍ程度とする。

【００３８】次いで、他方の基板面１２ｂ上に共通電極
２８としてのオーミック電極を形成する（図１０）。次
に図示せずも、半導体ウエハを劈開して個々の半導体レ
ーザチップに分割し、然る後、共振器端面３４１及び３
４２となる劈開面に低反射膜３６及び高反射膜３８を形
成して、半導体レーザ１０を完成する。

【００３９】図１１は他の実施例の構成を概略的に示す
断面図である。図１１にあっては、図１に対応する断
面、すなわち活性層を通り共振器端面の法線方向Ｒに沿
って取った断面を示す。

【００４０】この実施例では、光ガイド層１６を設けな
い。そして窓領域２２の下側クラッド層１４及び上側ク
ラッド層２０をそれぞれ、窓層２４とする。そのほかの
構成は図１に示す半導体レーザ１０と同様であるのでそ
の詳細な説明を省略する。

【００４１】図１２は他の実施例の構成を概略的に示す
断面図である。図１２にあっては、図１に対応する断
面、すなわち活性層を通り共振器端面の法線方向Ｒに沿
って取った断面を示す。

【００４２】この実施例では、一方の共振器端面をレー
ザ出射面とし、この一方の共振器端面３４１と当該端面
３４１に向き合う活性層１８の一方の端部（一方の活性
層端部）との間に、窓層２４及び引抜き電極対２８、３
２を設ける。他方の共振器端面３４２と当該端面と向き
合う活性層１８の他方の端部（他方の活性層端部）との
間には、窓領域２２、窓層２４及び引抜き電極対２８、
３２を設けていない。従って他方の共振器端面３４２と
他方の活性層端部とを接して設けている。そのほかの構
成は図１に示す半導体レーザ１０と同様であるのでその
詳細な説明を省略する。

【００４３】この発明は上述した実施例にのみ限定され
るものではなく、従って各構成成分の形状、寸法、配設
位置、形成材料、形成方法及びそのほかを任意好適に変
更できる。例えば、上述した実施例では、第一導電型を
ｎ型及び第二導電型をｐ型とした例につき説明したが、
第一導電型をｐ型及び第二導電型をｎ型とするようにし
ても良い。この発明は、特に、共振器端面の光学的破壊
を生じ易いＧａＡｓ系或はＡｌＧａＡｓ系の半導体レー
ザに適用して好適である。

【００４４】

【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の窓構造半導体レーザによれば、窓領域において
光吸収によりキャリアを生じた場合に、窓領域から引抜
き電極対を介して外部電気回路或はアースへと、キャリ
アを引き抜く（逃がす）ことができる。

【００４５】従ってレーザ出力を高めた場合に、窓領域
において、光子密度が増加しその結果キャリアの発生量
が増加したとしても、キャリアの引抜きにより、キャリ
アの非発光再結合が発生する確率を低減することができ
る。従ってレーザ出力をより一層高めても、共振器端面
の光学的破壊が発生しにくくなり或はその発生時期を遅
らせることができる半導体レーザを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例の構成を概略的に示す断面図
である。

【図２】（Ａ）及び（Ｂ）はこの発明の実施例の構成を
概略的に示す断面図である。

【図３】実施例の製造工程の一段階を示す断面図であ
る。

【図４】実施例の製造工程の一段階を示す断面図であ
る。

【図５】実施例の製造工程の一段階を示す断面図であ
る。

【図６】（Ａ）及び（Ｂ）は実施例の製造工程の一段階
であって同一工程段階を示す断面図である。

【図７】（Ａ）及び（Ｂ）は実施例の製造工程の一段階
であって同一工程段階を示す断面図である。

【図８】（Ａ）及び（Ｂ）は実施例の製造工程の一段階
であって同一工程段階を示す断面図である。

【図９】（Ａ）及び（Ｂ）は実施例の製造工程の一段階
であって同一工程段階を示す断面図である。

【図１０】実施例の製造工程の一段階を示す断面図であ
る。

【図１１】他の実施例の構成を概略的に示す断面図であ
る。

【図１２】他の実施例の構成を概略的に示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１０：半導体レーザ１２：基板１４：下側クラッド層１６：光ガイド層１８：活性層２０：上側クラッド層２２：窓領域２４：窓層２６：利得領域２８：共通電極３０：駆動電極３２：引抜き電極３４１、３４２：共振器端面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に順次に設けられた下側クラッド
層、活性層及び上側クラッド層と、共振器端面及び活性
層端部の間の窓領域に設けられ発振波長に対し透明な窓
層と、前記活性層に対応する利得領域に設けられた駆動
電極対とを備えて成る半導体レーザにおいて、キャリアを引き抜くため窓領域に設けられた引抜き電極
対を備えて成ることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】請求項１記載の半導体レーザにおいて、一方の共振器端面及び一方の活性層端部の間と他方の共
振器端面及び他方の活性層端部との間にそれぞれ、窓層
及び引抜き電極対を設けることを特徴とする半導体レー
ザ。
【請求項３】請求項１記載の半導体レーザにおいて、一方の共振器端面と一方の活性層端部との間に、窓層及
び引抜き電極対を設け、該一方の共振器端面をレーザ出
射面としたことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項４】請求項１記載の半導体レーザにおいて、駆動電極対の一方の電極と引抜き電極対の一方の電極と
を共通電極とし、駆動電極対の他方の電極と引抜き電極対の他方の電極と
を互いに分断して設けられた個別電極としたことを特徴
とする半導体レーザ。
【請求項５】請求項４記載の半導体レーザにおいて、駆動電極対の他方の電極と引抜き電極対の他方の電極と
の間に、分離抵抗を設けることを特徴とする半導体レー
ザ。
【請求項６】請求項１記載の半導体レーザにおいて、基板上に順次に設けられた下側クラッド層、光ガイド
層、活性層及び上側クラッド層を備え、前記下側クラッド層、光ガイド層及び上側クラッド層を
それぞれ、ストライプ状と成して一方の共振器端面から
他方の共振器端面まで延在させ、窓領域の半導体層であって光を導波する領域の半導体層
を、窓層とすることを特徴とする半導体レーザ。