JPH08146367A - 光制御デバイス - Google Patents

光制御デバイス

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JPH08146367A
JPH08146367A JP6309707A JP30970794A JPH08146367A JP H08146367 A JPH08146367 A JP H08146367A JP 6309707 A JP6309707 A JP 6309707A JP 30970794 A JP30970794 A JP 30970794A JP H08146367 A JPH08146367 A JP H08146367A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 温度ドリフトを抑圧するための導体膜の抵抗
に与えられていた制限を無くすとともに、温度ドリフト
及びＣＤドリフトも抑圧し、さらに低い駆動電圧が得ら
れる光制御デバイスを提供する。 【構成】 ＬｉＮｂＯ３基板（１）の表面に形成された
２本のチャネル型光導波路（２ａ）（２ｂ）からなる光
回路（５）と、光導波路（２ａ）（２ｂ）の上にバッフ
ァ層（３）を介して電極（４ａ）（４ｂ）が形成されて
いる。また、電極（４ａ）（４ｂ）の近傍に導体膜
（６）が形成されている。導体膜（６）は電極（４ａ）
（４ｂ）間を導通させておらず、電極（４ａ）（４ｂ）
の近傍で絶縁されている部分（７）がある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光波の変調、光路の切
替え、光波長のフィルタリングを行う光制御デバイスに
関し、特に焦電効果を有する基板に形成された光導波路
を用いて制御を行う導波型光制御デバイスに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムの実用化に伴い、更に大
容量で多機能の高度なシステムが求められており、より
高速の光信号の発生や光伝走路の切り替え、交換等の新
たな機能の付加が必要とされている。光伝走路の切り替
えやネットワークの交換機能を得る手段としては、光ス
イッチが使用されている。現在実用化されている光スイ
ッチは、プリズム、ミラー、ファイバ等を機械的に移動
させて光路を切り替えるものであり、低速であること、
形状が大きくマトリクス化に不適等の欠点がある。
【０００３】これを解決する手段としても光導波路を用
いた導波型の光スイッチの開発が進められており、高
速、多素子の集積化が可能、高信頼等の特徴がある。特
にニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）結晶等の強誘電体
材料を用いたものは、光吸収が小さく低損失であるこ
と、大きな電気光学効果を有しているため高効率である
こと等の特徴があり、方向性結合器型光スイッチ、マッ
ハツェンダ型やバランスブリッジ型光スイッチ、全反射
型光スイッチ等の種々の方式の光制御デバイスが報告さ
れている。
【０００４】近年、ＬｉＮｂＯ３電気光学結晶基板中に
形成された方向性結合器を用いた導波路型光スイッチの
高密度集積化の研究開発が盛んに行われており、西本裕
らの文献、電子情報通信学会、ＯＱＥ ８８−１４７に
よれば、Ｚ板のＬｉＮｂＯ３基板を用いて方向性結合器
型光スイッチを６４素子集積した８×８マトリクス光ス
イッチを得ている。一方、外部光変調器のような単一の
光スイッチ素子からなるデバイスの研究開発も盛んに進
められている。このような光導波路デバイスの特性項目
には、動作の安定性、スイッチング電圧（電力）、クロ
ストーク、消光比、損失、切り替え速度などがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した特性項目の中
でも、動作の安定性やスイッチング電圧（電力）の低減
は最も重要な課題である。ここで従来の技術を図５、図
６及び図７に示し、解決しようとする課題を説明する。
図５は、焦電効果を有するＬｉＮｂＯ３やＬｉＴｉＯ３
基板（１）に形成された２本の光導波路（２ａ）（２
ｂ）からなる方向性結合器（５）を用いた導波型光制御
デバイスの構造を示す断面図である。
【０００６】図５に示すように、光学的に透明な膜体で
あるバッファ層（３）は、導波光を制御するための外部
制御信号が印加される電極（４ａ）（４ｂ）による導波
光の吸収を防ぐための光学的バッファ層として用いら
れ、光学的バッファ層（３）には通常はＳｉＯ２が用い
られる。これは、ＳｉＯ２が光をほとんど吸収しないこ
とやＬｉＮｂＯ３基板やＬｉＴｉＯ３基板に比べて屈折
率が十分に小さいことによる。電極（４ａ）（４ｂ）
は、通常は高速動作が行えるように体積抵抗率が小さい
金属などが用いられ、光導波路（２ａ）（２ｂ）の近傍
に電極（４ａ）（４ｂ）が配置される。このような構成
を有した光スイッチ、光変調器などさまざまな光導波路
型光制御デバイスの検討が進められているが、焦電効果
を有するために温度変動があると電荷発生し、その電荷
が局在するため動作点電圧が変動する温度ドリフトとい
う信頼性問題がある。
【０００７】これを解決する方法として、図６に示すよ
うな光制御デバイスが提案されている。この従来の光制
御デバイスは、佐脇らの文献、特開昭６２−７３２０
７、及び特開昭６２−１７３４２８によれば、焦電効果
を有する基板（１）に形成された少なくとも１対の電極
（４ａ）（４ｂ）の間を導体膜（６）で導通させること
が行われている。これにより温度発生時に従来は局在し
た電荷が均一化されるため、温度ドリフトが抑圧される
ことが報告されている。
【０００８】しかし、電極間のリーク電流による動作不
良を避けるために導体膜（６）による電極（４ａ）（４
ｂ）の抵抗を１０７〜１０１０Ωにする必要がある。従
って、これを実現する抵抗値の制御を行うために温度管
理が厳しい熱処理などの製造工程を加える必要があり、
製造工程が煩雑化し、またデバイス歩留まりも劣化する
欠点がある。また、電極（４ａ）（４ｂ）間が電気的に
導通しているため、デバイスを動作させるために電極
（４ａ）（４ｂ）間に外部から電位差を与えると、導体
膜（６）の膜中、導体膜（６）の表面や導体膜（６）と
接している層との界面を不純物などのキャリアが容易に
移動する。キャリアの移動が発生すると電極（４ａ）
（４ｂ）間で外部からの印加電圧をキャンセルすること
になる。すなわち、ＤＣ電圧を連続印加した場合に光出
力−印加電圧特性がシフトしていくというＤＣドリフト
と呼ばれる信頼性問題が発生する欠点がある。
【０００９】一方、電極間を導体膜で導通させている場
合に駆動電圧を低減する方法として、清野らの文献、特
開平１−３０２３２５で述べている。それについて図７
に光制御デバイスの断面構造を示す。つまり、２本の光
導波路（２ａ）（２ｂ）の真上のみにバッファ層（３）
を形成し、そのバッファ層（３）を導体膜（６）で覆
い、導体膜（６）を介して２本の光導波路（２ａ）（２
ｂ）の間に電位差を与える方法が報告されている。
【００１０】しかし、駆動電圧を決める２本の光導波路
（２ａ）（２ｂ）の間に発生する電位差は、電極（４
ａ）（４ｂ）間を導体膜（６）で導通させている場合に
は、導体膜（６）による基板（１）に対して垂直と水平
方向のそれぞれの電圧降下分で決まる。すなわち図７の
構造では、２本の光導波路（２ａ）（２ｂ）の間に発生
する電位差は、ほぼ外部印加電圧から２カ所の垂直方向
の電圧降下を差し引いた値となる。この垂直と水平方向
の電圧降下分が電極（４ａ）（４ｂ）間における導体膜
（６）の垂直と水平方向の長さの割合で単純に決まるこ
とは自明である。
【００１１】従って、この図７の構造における２本の光
導波路（２ａ）（２ｂ）の間に発生する電位差は、バッ
ファ層（３）による垂直と水平方向の電圧降下のうち、
外部印加電圧から２カ所の垂直方向の電圧降下で、２本
の光導波路（２ａ）（２ｂ）の間に発生する電位差がほ
ぼ決まっていた図５及び図６に示した従来の光制御デバ
イスとはほとんど変わらず、駆動電圧の低減が少ない欠
点がある。本発明の目的は、温度ドリフトを抑圧するた
めの導体膜の抵抗に与えられていた制限を無くするとと
もに、温度ドリフトはもちろんのことＤＣドリフトも抑
圧し、さらに低い駆動電圧が得られる光制御デバイスを
与えることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明による光制御デバ
イスは、焦電効果を有する基板表面に形成された光導波
路と前記光導波路の近傍に形成された少なくとも１対の
電極と少なくとも前記基板と前記電極の間に形成された
膜体と前記少なくとも１対の電極の近傍を覆う前記膜体
より導電性の大きい導体膜とからなる光制御デバイスに
おいて、前記導体膜が前記少なくとも１対の電極のそれ
ぞれの電極間の複数箇所で絶縁されている構造を特徴と
するものである。
【００１３】また、本発明による光制御デバイスは、前
記導体膜の絶縁が２箇所からなり、かつ前記導体膜の絶
縁が前記少なくとも１対の電極の近傍でなされ、かつ前
記少なくとも１対の電極の間に形成された前記膜体の少
なくとも１部分の厚さが、他の部分に形成された前記膜
体の厚さより薄くなっている構造を有することを特徴と
するものである。
【００１４】また、本発明による光制御デバイスは、前
記少なくとも１対の電極の間に形成された前記膜体の厚
さが、前記少なくとも１対の電極近傍まで他の部分に形
成された前記膜体の厚さより薄く、かつ前記導体膜の絶
縁が前記薄くせしめた前記膜体の表面に形成された構造
を有することを特徴とするものである。
【００１５】また、本発明による光制御デバイスは、前
記導体膜の絶縁が２箇所からなり、かつ前記導体膜の絶
縁が前記少なくとも１対の電極の近傍でなされ、前記少
なくとも１対の電極の間に形成された前記膜体が少なく
とも１部分を除去された部分を有し、前記膜体が除去さ
れた部分に前記膜体より絶縁性が高い材料が形成された
構造を有することを特徴とするものである。
【００１６】また、本発明による光制御デバイスは、前
記少なくとも１対の電極の間に形成された前記膜体がす
べて除去され、該膜体が除去された部分に前記膜体より
絶縁性が高い材料が形成され、かつ前記少なくとも１対
の電極の近傍でなされた絶縁が、前記絶縁性が高い材料
の表面でなされている構造を有することを特徴とするも
のである。さらにまた、本発明による光制御デバイス
は、前記少なくとも１対の電極の間に形成された前記膜
体の少なくとも一部分が除去された構造を有することを
特徴とするものである。
【００１７】さらにまた、本発明による光制御デバイス
は、前記少なくとも１対の電極の間に形成された前記膜
体が除去され、かつ前記膜体の絶縁が、前記基板表面で
なされている構造を有することを特徴とするものであ
る。また、本発明において、焦電効果を有する基板と
は、雰囲気の温度変化などにより基板の温度が変動した
部分に電荷が発生するもので、例えば、ＬｉＮｂＯ３や
ＬｉＴｉＯ３よりなる基板である。
【００１８】
【作用】本発明による光制御デバイスを用いれば、導体
膜が電極間の複数箇所で絶縁している。このとき、焦電
効果により発生する電荷の局在は起こらず、温度ドリフ
トは発生しない。これにより導体膜の抵抗に与えられて
いた制限を無くすことができ、生産歩留まりが向上する
光制御デバイスが得られる。また、その絶縁が電極の近
傍で行われているため、外部印加電圧の降下は絶縁され
た部分で発生し、導体膜にかかる電圧は小さくなる。従
って、導体膜の膜中、導体膜の表面や導体膜と接してい
る層との界面を不純物などのキャリアの移動量が少なく
なり、ＤＣドリフトが抑圧できる光制御デバイスが得ら
れる。
【００１９】さらに、絶縁されたそれぞれの部分を電極
の近傍、すなわち２本の光導波路の近傍に設定している
ため、駆動電圧を決める外部印加電圧に対する２本の光
導波路（２ａ）（２ｂ）の間に発生する電位差を従来構
造より大きくできる。従って、低電圧駆動の光制御デバ
イスが得られる。
【００２０】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。 ［実施例１］図１は、本発明の一つの実施例に係わる光
制御デバイスの構造を示す断面図である。図１に示す光
制御デバイスは、ＬｉＮｂＯ３基板（１）の表面に形成
された２本のチャネル型光導波路（２ａ）（２ｂ）から
なる光回路（５）と、光導波路（２ａ）（２ｂ）の上に
バッファ層（３）を介して電極（４ａ）（４ｂ）が形成
されている。また電極（４ａ）（４ｂ）の近傍に導体膜
（６）が形成されている。
【００２１】導体膜（６）は電極（４ａ）（４ｂ）間を
導通されておらず、電極（４ａ）（４ｂ）の近傍の箇所
で絶縁されている部分（７）（今後「絶縁部」と呼ぶ）
がある。なお、光回路（５）は方向性結合器、マッハツ
ェンダ型、バランスブリッジ型などである。バッファ層
（３）の役割には、光学的に透明で基板より屈折率が低
い材料を用いることで電極（４ａ）（４ｂ）による導波
光の吸収を防ぐ役割であり、また電極（４ａ）（４ｂ）
にマイクロ波を印加する場合に、バッファ層（３）の誘
電率や厚さなどを利用して電極（４ａ）（４ｂ）を伝搬
するマイクロ波の速度の調整を行う役割などがある。
【００２２】この２つの役割を果たす材料としては、主
にＳｉＯ２系材料が用いられるが、導体膜（６）より導
電性の小さい、すなわち、絶縁性が大きいものであれば
何でもよく、その他にもＩＴＯ（ＩｎＯ３−Ｓｎ
Ｏ２）、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＦ２、ＳｉＯＮ、Ｓｉ
３Ｎ４、燐（Ｐ）、チタン（Ｔｉ）、ボロン（Ｂ）、ゲ
ルマニウム（Ｇｅ）などドーピングしたＳｉＯ２が用い
られ、その堆積方法にはＣＶＤ法、スパッタリング法、
蒸着法などを用いる。電極（４ａ）（４ｂ）の材料とし
ては、Ａｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｕ、ＷＳｉ、ＩＴＯ、Ｚｎ
Ｏ系材料、導電性高分子などの各種の導電性物質が用い
られる。
【００２３】また、導体膜（６）には、本実施例ではＳ
ｉを用いたが、その他にＡｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｕ、ＷＳ
ｉなどの金属材料、ＩＴＯ、ＺｎＯ系、導電性高分子、
及びＳｉなどの半導体材料など導電性を有するものが用
いられる。また、本実施例における絶縁部（７）は、導
体膜（６）が無いことで形成されており、バッファ層
（３）により電極（４ａ）（４ｂ）間の絶縁を得てい
る。なお、絶縁部（７）は通常のフォトリソグラヒィ法
を用いて形成した。なお、用いられる基板はＬｉＮｂＯ
３基板に限らず、ＬｉＴｉＯ３など焦電効果を有する基
板なら何でもよいことは明らかである。また、絶縁部の
箇数は２箇所でなくそれ以上であっても得られる効果は
同一であることは明らかである。
【００２４】本発明の実施例において、導体膜（６）が
電極（４ａ）（４ｂ）間の絶縁がごく１部のみで行われ
ている場合には、温度ドリフトの原因である焦電効果に
より発生する電荷の局在はおこらず、電荷は基板（１）
の表面に一様に分布し温度ドリフトは発生しないことを
見い出だした。従って、従来構造では電極（４ａ）（４
ｂ）間のリーク電流による動作不良を避けるために、導
体膜（６）による電極（４ａ）（４ｂ）間の抵抗を１０
７〜１０１０Ωにする必要があり、これを実現するため
に導体膜（６）の材料に制約を受けたり、抵抗値の制御
を行うために温度管理が厳しい熱処理などの製造工程を
加える必要があるため、製造工程が煩雑化し、またデバ
イスの歩留まりも劣化していた。本発明を用いれば、導
体膜の材料や抵抗に与えられていた制約を無くすること
ができ、生産歩留まりが向上する光制御デバイスを得る
ことができる。
【００２５】また、図１の構造では、外部印加電圧の降
下は、導体膜（６）と絶縁部（７）の抵抗値の関係か
ら、導体膜（６）は小さく、絶縁部（７）が大きいこと
は自明である。従って、ＤＣドリフトの発生原因である
印加電圧による不純物などのキャリアの移動が容易にな
される導体膜（６）の膜中、導体膜（６）の表面や導体
膜（６）と接している層との界面における電圧が従来構
造より小さくなる。よって、キャリアの移動が抑圧さ
れ、ＤＣドリフトが小さい光制御デバイスを得ることが
できる。
【００２６】［実施例２］図２（ａ）（ｂ）は、本発明
のもう一つ実施例に係わる光制御デバイスの構造を示す
断面図である。図２（ａ）では、２箇所の絶縁部（７）
が電極（４ａ）（４ｂ）の近傍に形成されて、また、電
極（４ａ）（４ｂ）間のバッファ層（３）の１部が他の
部分のバッファ層（３）の厚さに比べて薄くなってい
る。本発明による温度ドリフト、及びＤＣドリフトに関
する効果は、図１に示した実施例と同一であるが、絶縁
部（７）が電極（４ａ）（４ｂ）の近傍に形成されてい
るため、低電圧駆動化が可能になる。
【００２７】すなわち、駆動電圧を決める外部電圧印加
に対する２本の光導波路（２ａ）（２ｂ）の間に発生す
る電位差は、電極（４ａ）（４ｂ）間を導体膜（６）で
導通させている場合には、導体膜（６）による基板
（１）に対して垂直と水平方向のそれぞれの電圧降下分
で決まる。しかしながら、本発明では、基板（１）に対
して水平方向の導体膜（６）にはほとんど電圧が印加さ
れないため、基板（１）に対して垂直方向及び水平方向
の電圧降下はバッファ層（３）でなされる。このとき電
極（４ａ）（４ｂ）間のバッファ層（３）の１部が薄く
なっているため、水平方向の抵抗値は大きくなり、従来
構造に比べて外部印加電圧の水平方向の電圧降下は大き
くなる。
【００２８】従って、２本の光導波路（２ａ）（２ｂ）
の間に発生する電位差となる基板（１）に対して水平方
向の電位差は従来構造より大きくなる。つまり、低電圧
駆動が得られる。本発明の実施例では、バッファ層
（３）にはＳｉＯ２を用い、バッファ層（３）の１部を
薄くするには、通常のフォトリソグラヒィ法を用いて
た。また、基板（１）、光導波路（２ａ）（２ｂ）、導
体膜（６）には図１に示した実施例と同じものを用い
た。
【００２９】図２（ｂ）では、電極（４ａ）（４ｂ）間
のバッファ層（３）が他の部分のバッファ層（３）の厚
さに比べて薄くなっており、かつ２箇所の絶縁部（７）
が電極（４ａ）（４ｂ）の近傍で薄くなったバッファ層
（３）の上に形成されている。この構造により、基板
（１）に対して垂直方向の電圧降下はバッファ層（３）
と比較して抵抗値の小さい導体膜（６）でほぼ決まり、
基板（１）に対して水平方向の電圧降下は抵抗値の大き
い薄くなったバッファ層（３）で決まる。従って、図２
（ａ）の構造と比較してさらに低電圧駆動が得られる。
【００３０】［実施例３］図３（ａ）（ｂ）は、本発明
のもう一つ実施例に係わる光制御デバイスの構造を示す
断面図である。図３（ａ）では、２箇所の絶縁部（７）
が電極（４ａ）（４ｂ）の近傍に形成されて、また、電
極（４ａ）（４ｂ）間のバッファ層の１部が除去され、
その部分にバッファ層（３）より絶縁性の高い材料
（８）（今後「絶縁材」と呼ぶ）が形成されている。温
度ドリフト、ＤＣドリフト及び低電圧駆動化に対する効
果は、図２に示した実施例と同一であるが、バッファ層
（３）の厚さを薄した図２の構造に比べて容易に基板
（１）に対して水平方向の抵抗値を大きくできるため、
低電圧駆動を簡単に得ることができる。
【００３１】図３では、バッファ層には燐（Ｐ）をドー
ピングしたＳｉＯ２（今後「ＰＳＧ」と呼ぶ）を、絶縁
材には何もドーピングしないＳｉＯ２（今後「ＮＳＧ」
と呼ぶ）を用いた。ＰＳＧは燐（Ｐ）の濃度を選ぶこと
により、ＮＳＧより抵抗値を５分の１から１０００万分
の１程度まで小さくできる。つまり、基板（１）に対し
て水平方向の電位差を限りなく外部印加電圧と同じ大き
さにできる。従って、低電圧駆動が可能になる。バッフ
ァ層（３）の１部の除去や絶縁材（８）の形成には、通
常のフォトリソグラヒィ法を用いてた。また、光導波路
（２ａ）（２ｂ）、導体膜（６）の形成には図１に示し
た実施例と同じ材料と形成方法を用いた。なお、バッフ
ァ層（３）と絶縁材（８）の材料の組み合わせは、バッ
ファ層（３）と絶縁材（８）が導体膜（６）より導電性
が小さく、かつ絶縁材（８）がバッファ層（３）より絶
縁性が大きければ何でもよく、限定されないのは明らか
である。
【００３２】図３（ｂ）では、電極（４ａ）（４ｂ）間
のバッファ層（３）が除去され、そこに絶縁材（８）が
形成され、かつ２箇所の絶縁部（７）が電極（４ａ）
（４ｂ）の近傍で絶縁材（８）の上に形成されている。
この構造により、基板（１）に対して垂直方向の電圧降
下はバッファ層（３）と比較して抵抗値の小さい導体膜
（６）でほぼ決まり、基板（１）に対して水平方向の電
圧降下は抵抗値の大きい絶縁材（８）で決まる。従っ
て、図３（ａ）の構造と比較してさらに低電圧駆動が得
られる。
【００３３】［実施例４］図４（ａ）（ｂ）は、本発明
のもう一つ実施例に係わる光制御デバイスの構造を示す
断面図である。図４（ａ）では、２箇所の絶縁部（７）
が電極（４ａ）（４ｂ）の近傍に形成されて、かつバッ
ファ層（３）の１部が除去されている。図２、図３に示
した実施例と同様に基板（１）に対して水平方向の抵抗
を大きくしている。従って温度ドリフト、ＤＣドリフト
及び低電圧駆動化に対する効果は、図２、図３の実施例
と同一である。なお、バッファ層（３）の１部を除去す
るには、通常のフォトリソグラヒィ法を用いてた。ま
た、基板（１）、光導波路（２ａ）（２ｂ）、導体膜
（６）には図１と同一の材料と形成方法を用いた。
【００３４】図４（ｂ）は、本発明の一実施例に係わる
光制御デバイスの構造を示す断面図である。図４（ｂ）
では、電極（４ａ）（４ｂ）のバッファ層（３）が除去
されており、かつ２箇所の絶縁部（７）が電極（４ａ）
（４ｂ）の近傍の基板（１）の表面に形成されている。
従って、この構造により基板（１）に対して垂直方向の
電圧降下は、すべて導体膜（６）で決まり、基板（１）
に対して水平方向の電圧降下は通常はバッファ層（３）
よりも抵抗値の大きい基板（１）で決まる。
【００３５】図４（ｂ）では、基板（１）、光導波路
（２ａ）（２ｂ）、導体膜（６）には図１と同じものを
用いたが、ＬｉＮｂＯ３基板（１）の体積抵抗率は、Ｓ
ｉＯ２バッファ層（３）の体積抵抗率より２倍から１０
００倍大きい。従って、図４（ａ）の構造と比較してさ
らに低電圧駆動が得られる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、導
体膜が電極間の複数箇所で絶縁されているので、温度ド
リフトを抑圧するための導体膜の抵抗に与えられていた
制限を無くすとともに、温度ドリフトはもちろんのこと
ＤＣドリフトも抑圧し、さらに低い駆動電圧が得られる
高信頼で低駆動電圧の光制御デバイスを提供することが
できるという効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一つの実施例の光制御デバイスの構
造を示す断面図
【図２】 本発明のもう一つの実施例の光制御デバイス
の構造を示す断面図
【図３】 本発明のもう一つの実施例の光制御デバイス
の構造を示す断面図
【図４】 本発明のもう一つの実施例の光制御デバイス
の構造を示す断面図
【図５】 従来例の光制御デバイスの構造を示す断面図
【図６】 従来例の光制御デバイスの構造を示す断面図
【図７】 従来例の光制御デバイスの構造を示す断面図
【符号の説明】
１ 基板 ２ａ、２ｂ 光導波路 ３ バッファ層 ４ａ、４ｂ 電極 ５ 光回路 ６ 導体膜 ７ 絶縁部 ８ 絶縁材

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 焦電効果を有する基板表面に形成された
    光導波路と前記光導波路の近傍に形成された少なくとも
    １対の電極と少なくとも前記基板と前記電極の間に形成
    された膜体と前記少なくとも１対の電極の近傍を覆う前
    記膜体より導電性の大きい導体膜とからなる光制御デバ
    イスにおいて、前記導体膜が前記少なくとも１対の電極
    のそれぞれの電極間の複数箇所で絶縁されている構造を
    特徴とする光制御デバイス。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の光制御デバイスにおい
    て、導体膜の絶縁が２箇所からなり、かつ前記導体膜の
    絶縁が少なくとも１対の電極の近傍でなされ、かつ前記
    少なくとも１対の電極の間に形成された膜体の少なくと
    も１部分の厚さが、他の部分に形成された前記膜体の厚
    さより薄くなっている構造を有することを特徴とする光
    制御デバイス。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載の光制御デバイスにおい
    て、少なくとも１対の電極の間に形成された膜体の厚さ
    が、前記少なくとも１対の電極近傍まで他の部分に形成
    された前記膜体の厚さより薄く、かつ前記導体膜の絶縁
    が前記薄くせしめた前記膜体の表面に形成された構造を
    有することを特徴とする光制御デバイス。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の光制御デバイスにおい
    て、導体膜の絶縁が２箇所からなり、かつ前記導体膜の
    絶縁が少なくとも１対の電極の近傍でなされ、前記少な
    くとも１対の電極の間に形成された前記膜体が少なくと
    も１部分を除去された部分を有し、前記膜体が除去され
    た部分に前記膜体より絶縁性が高い材料が形成された構
    造を有することを特徴とする光制御デバイス。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載の光制御デバイスにおい
    て、少なくとも１対の電極の間に形成された膜体がすべ
    て除去され、前記膜体が除去された部分に前記膜体より
    絶縁性が高い材料が形成され、かつ前記少なくとも１対
    の電極の近傍でなされた絶縁が、前記絶縁性が高い材料
    の表面でなされている構造を有することを特徴とする光
    制御デバイス。
  6. 【請求項６】 請求項２に記載の光制御デバイスにおい
    て、少なくとも１対の電極の間に形成された膜体の少な
    くとも一部分が除去された構造を有することを特徴とす
    る光制御デバイス。
  7. 【請求項７】 請求項６に記載の光制御デバイスにおい
    て、少なくとも１対の電極の間に形成された前記膜体が
    すべて除去され、かつ膜体の絶縁が、基板表面でなされ
    ている構造を有することを特徴とする光制御デバイス。
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