JPH08140345A - Ｄｃ−ｄｃコンバータ - Google Patents
Ｄｃ−ｄｃコンバータInfo
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- JPH08140345A JPH08140345A JP27274194A JP27274194A JPH08140345A JP H08140345 A JPH08140345 A JP H08140345A JP 27274194 A JP27274194 A JP 27274194A JP 27274194 A JP27274194 A JP 27274194A JP H08140345 A JPH08140345 A JP H08140345A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高耐圧のスイッチング素子を使用することなく
安価な構成であると共に電力変換効率を向上させたＤＣ
−ＤＣコンバータを提供する。 【構成】スイッチング制御部４の端子４ａからＦＥＴ３
にローレベル「Ｌ」の信号ＳDPを供給する。ＦＥＴ３は
オフ状態とされ、このときコンバータトランス２のリー
ケージインダクタンスによって、トランス２の巻線２Ａ
にスパイク状電圧が発生される。スパイク状電圧をダイ
オード２１のアノードに供給する。スパイク状電圧の電
圧値がダイオード２１のカソード側電圧ＶKにダイオー
ド２１の順電圧ＶFを加えた電圧値よりも大きい場合、
スパイクのエネルギーはダイオード２１を介しコンデン
サ２３に蓄積されると共に抵抗器２２を介し負荷回路１
３に供給される。ＦＥＴ３に印加されるスパイク状電圧
を、カソード側電圧ＶKと順電圧ＶFを加算した電圧値に
クリップできると共に電力変換効率を向上できる。
安価な構成であると共に電力変換効率を向上させたＤＣ
−ＤＣコンバータを提供する。 【構成】スイッチング制御部４の端子４ａからＦＥＴ３
にローレベル「Ｌ」の信号ＳDPを供給する。ＦＥＴ３は
オフ状態とされ、このときコンバータトランス２のリー
ケージインダクタンスによって、トランス２の巻線２Ａ
にスパイク状電圧が発生される。スパイク状電圧をダイ
オード２１のアノードに供給する。スパイク状電圧の電
圧値がダイオード２１のカソード側電圧ＶKにダイオー
ド２１の順電圧ＶFを加えた電圧値よりも大きい場合、
スパイクのエネルギーはダイオード２１を介しコンデン
サ２３に蓄積されると共に抵抗器２２を介し負荷回路１
３に供給される。ＦＥＴ３に印加されるスパイク状電圧
を、カソード側電圧ＶKと順電圧ＶFを加算した電圧値に
クリップできると共に電力変換効率を向上できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、直流入力−直流出力
変換装置（以下「ＤＣ−ＤＣコンバータ」という）に関
する。
変換装置（以下「ＤＣ−ＤＣコンバータ」という）に関
する。
【０００２】
【従来の技術】先ず、図３を参照して従来のＤＣ−ＤＣ
コンバータの構成について説明する。
コンバータの構成について説明する。
【０００３】１は直流電源端子である。この直流電源端
子１は、コンバータトランス２の一次巻線２Ａおよびス
イッチング素子を構成する電界効果トランジスタ（以下
「ＦＥＴ」という）３のドレイン・ソースの直列回路を
介して接地される。このＦＥＴ３のゲートはスイッチン
グ制御部４の信号出力端子４ａに接続される。
子１は、コンバータトランス２の一次巻線２Ａおよびス
イッチング素子を構成する電界効果トランジスタ（以下
「ＦＥＴ」という）３のドレイン・ソースの直列回路を
介して接地される。このＦＥＴ３のゲートはスイッチン
グ制御部４の信号出力端子４ａに接続される。
【０００４】コンバータトランス２の一次巻線２ＡとＦ
ＥＴ３の接続点は、抵抗器６とコンデンサ７の直列回路
（以下「スナバ回路」という）８を介して接地される。
ＥＴ３の接続点は、抵抗器６とコンデンサ７の直列回路
（以下「スナバ回路」という）８を介して接地される。
【０００５】コンバータトランス２の二次巻線２Ｂの一
端は接地され、その他端は整流用のダイオード１１のア
ノード・カソードおよび平滑用のコンデンサ１２の直列
回路を介して接地される。そして、ダイオード１１とコ
ンデンサ１２の接続点は負荷回路１３に接続される。ま
た、ダイオード１１とコンデンサ１２の接続点は抵抗器
１４，１５の直列回路を介して接地されており、抵抗器
１４と抵抗器１５の接続点はスイッチング制御部４の信
号入力端子４ｂに接続される。
端は接地され、その他端は整流用のダイオード１１のア
ノード・カソードおよび平滑用のコンデンサ１２の直列
回路を介して接地される。そして、ダイオード１１とコ
ンデンサ１２の接続点は負荷回路１３に接続される。ま
た、ダイオード１１とコンデンサ１２の接続点は抵抗器
１４，１５の直列回路を介して接地されており、抵抗器
１４と抵抗器１５の接続点はスイッチング制御部４の信
号入力端子４ｂに接続される。
【０００６】なお、スイッチング制御部４の基準電圧入
力端子４ｃには基準電圧ＶREFが供給される。
力端子４ｃには基準電圧ＶREFが供給される。
【０００７】次に、図４の信号波形図を使用して、図３
の動作について説明する。
の動作について説明する。
【０００８】直流電源端子１に直流電圧Ｅinが供給され
て、時点ｔ1でスイッチング制御部４の信号出力端子４
ａからハイレベル「Ｈ」の信号ＳDP（図４Ａ）がＦＥＴ
３のゲートに供給されると、ＦＥＴ３はオン状態とされ
る。ＦＥＴ３がオン状態とされると、コンバータトラン
ス２の一次巻線２Ａに直流電圧Ｅinとほぼ等しい電圧が
印加されて、一次巻線２Ａには電流Ｉ1（図４Ｂ）が流
れ出す。
て、時点ｔ1でスイッチング制御部４の信号出力端子４
ａからハイレベル「Ｈ」の信号ＳDP（図４Ａ）がＦＥＴ
３のゲートに供給されると、ＦＥＴ３はオン状態とされ
る。ＦＥＴ３がオン状態とされると、コンバータトラン
ス２の一次巻線２Ａに直流電圧Ｅinとほぼ等しい電圧が
印加されて、一次巻線２Ａには電流Ｉ1（図４Ｂ）が流
れ出す。
【０００９】また、ＦＥＴ３がオン状態となるとき、コ
ンバータトランス２の二次巻線２Ｂに接続されたダイオ
ード１１には逆方向に電圧がかかり、ダイオード１１に
は電流は流れない。そのため、ＦＥＴ３の負荷は、コン
バータトランス２の一次巻線２Ａのインダクタンス分だ
けとなり、電流Ｉ1は直線的に増加する。
ンバータトランス２の二次巻線２Ｂに接続されたダイオ
ード１１には逆方向に電圧がかかり、ダイオード１１に
は電流は流れない。そのため、ＦＥＴ３の負荷は、コン
バータトランス２の一次巻線２Ａのインダクタンス分だ
けとなり、電流Ｉ1は直線的に増加する。
【００１０】次に、時点ｔ2でローレベル「Ｌ」の信号
ＳDP（図４Ａ）がＦＥＴ３のゲートに供給されると、Ｆ
ＥＴ３はオフ状態とされる。このＦＥＴ３がオフ状態と
されると、ＦＥＴ３のオン期間にコンバータトランス２
に蓄積されたエネルギーは、磁束の変化率が負となって
放出されるので、コンバータトランス２の各巻線には
「・」マーク側を負とする電圧が発生する。このとき、
コンバータトランス２の二次巻線２Ｂに接続されている
ダイオード１１には、直線的に減少する電流Ｉ2（図４
Ｃ）が流れ始める。
ＳDP（図４Ａ）がＦＥＴ３のゲートに供給されると、Ｆ
ＥＴ３はオフ状態とされる。このＦＥＴ３がオフ状態と
されると、ＦＥＴ３のオン期間にコンバータトランス２
に蓄積されたエネルギーは、磁束の変化率が負となって
放出されるので、コンバータトランス２の各巻線には
「・」マーク側を負とする電圧が発生する。このとき、
コンバータトランス２の二次巻線２Ｂに接続されている
ダイオード１１には、直線的に減少する電流Ｉ2（図４
Ｃ）が流れ始める。
【００１１】その後、コンバータトランス２に蓄積され
たエネルギーの放出が完了して時点ｔ3で電流Ｉ2が０と
なると、コンバータトランス２内の磁束の変化がなくな
り、コンバータトランス２の二次巻線２Ｂでは矩形波の
電圧ＶB（図４Ｄ）が得られる。
たエネルギーの放出が完了して時点ｔ3で電流Ｉ2が０と
なると、コンバータトランス２内の磁束の変化がなくな
り、コンバータトランス２の二次巻線２Ｂでは矩形波の
電圧ＶB（図４Ｄ）が得られる。
【００１２】この電圧ＶBがダイオード１１およびコン
デンサ１２によって整流平滑されることにより、ダイオ
ード１１とコンデンサ１２の接続点で定電圧化された電
圧が得られる。この定電圧化された電圧が、抵抗器１４
と抵抗器１５の抵抗値の比でもって分圧されて、比較電
圧ＶMとしてスイッチング制御部４の信号入力端子４ｂ
に供給される。
デンサ１２によって整流平滑されることにより、ダイオ
ード１１とコンデンサ１２の接続点で定電圧化された電
圧が得られる。この定電圧化された電圧が、抵抗器１４
と抵抗器１５の抵抗値の比でもって分圧されて、比較電
圧ＶMとしてスイッチング制御部４の信号入力端子４ｂ
に供給される。
【００１３】スイッチング制御部４では、信号入力端子
４ｂに供給された比較電圧ＶMと基準電圧入力端子４ｃ
に供給された基準電圧ＶREFが比較されて、比較電圧ＶM
と基準電圧ＶREFが一致するように信号出力端子４ａか
ら出力される信号ＳDPのハイレベル「Ｈ」の期間とロー
レベル「Ｌ」の期間のデューティ比が可変される。この
ため、ダイオード１１とコンデンサ１２の接続点は所定
の電圧Ｅoutとされると共に、この電圧は負荷回路１３
に供給される。
４ｂに供給された比較電圧ＶMと基準電圧入力端子４ｃ
に供給された基準電圧ＶREFが比較されて、比較電圧ＶM
と基準電圧ＶREFが一致するように信号出力端子４ａか
ら出力される信号ＳDPのハイレベル「Ｈ」の期間とロー
レベル「Ｌ」の期間のデューティ比が可変される。この
ため、ダイオード１１とコンデンサ１２の接続点は所定
の電圧Ｅoutとされると共に、この電圧は負荷回路１３
に供給される。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＦＥＴ３の
オン期間中にコンバータトランス２に蓄積されたエネル
ギーは、コンバータトランス２のリーケージインダクタ
ンスのためにダイオード１１を介して負荷回路側に全て
転送されない。このため、この転送されないエネルギー
によって一次巻線２Ａにスパイク状電圧が発生される。
オン期間中にコンバータトランス２に蓄積されたエネル
ギーは、コンバータトランス２のリーケージインダクタ
ンスのためにダイオード１１を介して負荷回路側に全て
転送されない。このため、この転送されないエネルギー
によって一次巻線２Ａにスパイク状電圧が発生される。
【００１５】このスパイク状電圧は、一次巻線２ＡとＦ
ＥＴ３の接続点に接続されたスナバ回路８で抑制され
る。しかし、抵抗器６の抵抗値とコンデンサ７の容量を
大きくすることにより、このスパイクのエネルギーを全
て吸収してスパイク状電圧を完全に抑制すると、ＦＥＴ
３のドレイン・ソース間に加えられる電圧ＶDSはリンギ
ングを生じてしまう。このため、抵抗器６の抵抗値とコ
ンデンサ７の容量を大きくすることができず、スパイク
状電圧を含む電圧ＶDS（図４Ｅ）がＦＥＴ３のドレイン
・ソース間に印加されるので、高価な高耐圧ＦＥＴが必
要とされていた。
ＥＴ３の接続点に接続されたスナバ回路８で抑制され
る。しかし、抵抗器６の抵抗値とコンデンサ７の容量を
大きくすることにより、このスパイクのエネルギーを全
て吸収してスパイク状電圧を完全に抑制すると、ＦＥＴ
３のドレイン・ソース間に加えられる電圧ＶDSはリンギ
ングを生じてしまう。このため、抵抗器６の抵抗値とコ
ンデンサ７の容量を大きくすることができず、スパイク
状電圧を含む電圧ＶDS（図４Ｅ）がＦＥＴ３のドレイン
・ソース間に印加されるので、高価な高耐圧ＦＥＴが必
要とされていた。
【００１６】そこで、この発明では、高耐圧のスイッチ
ング素子を使用することなく安価な構成であると共に電
力変換効率を向上させたＤＣ−ＤＣコンバータを提供す
る。
ング素子を使用することなく安価な構成であると共に電
力変換効率を向上させたＤＣ−ＤＣコンバータを提供す
る。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るＤ
Ｃ−ＤＣコンバータは、直流電源がコンバータトランス
の一次巻線およびスイッチング素子の直列回路に接続さ
れ、コンバータトランスの二次巻線には出力電圧を得る
整流平滑回路が接続されるＤＣ−ＤＣコンバータであっ
て、コンバータトランスの一次巻線およびスイッチング
素子の接続点と整流平滑回路の出力端子の間にコンバー
タトランスの一次巻線およびスイッチング素子の接続点
の電圧を所定のレベルにクリップする電圧クリップ手段
を有するものである。
Ｃ−ＤＣコンバータは、直流電源がコンバータトランス
の一次巻線およびスイッチング素子の直列回路に接続さ
れ、コンバータトランスの二次巻線には出力電圧を得る
整流平滑回路が接続されるＤＣ−ＤＣコンバータであっ
て、コンバータトランスの一次巻線およびスイッチング
素子の接続点と整流平滑回路の出力端子の間にコンバー
タトランスの一次巻線およびスイッチング素子の接続点
の電圧を所定のレベルにクリップする電圧クリップ手段
を有するものである。
【００１８】請求項２の発明に係るＤＣ−ＤＣコンバー
タは、請求項１のＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、電圧
クリップ手段でクリップされたエネルギーを整流平滑回
路の出力端子側に供給するエネルギー供給手段を設ける
ものである。
タは、請求項１のＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、電圧
クリップ手段でクリップされたエネルギーを整流平滑回
路の出力端子側に供給するエネルギー供給手段を設ける
ものである。
【００１９】
【作用】請求項１の発明においては、直流電源がコンバ
ータトランスの一次巻線とスイッチング制御手段が接続
されたスイッチング素子の直列回路に接続され、コンバ
ータトランスの二次巻線には出力電圧を得る整流平滑回
路が接続されるＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、コンバ
ータトランスの一次巻線およびスイッチング素子の接続
点と整流平滑回路の出力端子間にコンバータトランスの
一次巻線およびスイッチング素子の接続点の電圧を所定
のレベルにクリップする電圧クリップ手段が設けられ
る。このため、スイッチング素子に印加されるスパイク
状電圧を所定のレベルにクリップすることができ、高価
な高耐圧のスイッチング素子を使用することなく安価に
ＤＣ−ＤＣコンバータを構成することが可能となる。
ータトランスの一次巻線とスイッチング制御手段が接続
されたスイッチング素子の直列回路に接続され、コンバ
ータトランスの二次巻線には出力電圧を得る整流平滑回
路が接続されるＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、コンバ
ータトランスの一次巻線およびスイッチング素子の接続
点と整流平滑回路の出力端子間にコンバータトランスの
一次巻線およびスイッチング素子の接続点の電圧を所定
のレベルにクリップする電圧クリップ手段が設けられ
る。このため、スイッチング素子に印加されるスパイク
状電圧を所定のレベルにクリップすることができ、高価
な高耐圧のスイッチング素子を使用することなく安価に
ＤＣ−ＤＣコンバータを構成することが可能となる。
【００２０】請求項２の発明においては、電圧クリップ
手段でクリップされたスパイクのエネルギーが、エネル
ギー供給手段によって整流平滑回路の出力端子側に供給
される。このため、スパイクのエネルギーは整流平滑回
路の出力端子に接続された負荷回路に供給されるので、
電力変換効率を向上させることが可能となる。
手段でクリップされたスパイクのエネルギーが、エネル
ギー供給手段によって整流平滑回路の出力端子側に供給
される。このため、スパイクのエネルギーは整流平滑回
路の出力端子に接続された負荷回路に供給されるので、
電力変換効率を向上させることが可能となる。
【００２１】
【実施例】以下、図１を参照しながら、この発明に係る
一実施例の構成について説明する。なお、図１におい
て、図３と対応する部分については同一符号を付し、そ
の詳細な説明は省略する。
一実施例の構成について説明する。なお、図１におい
て、図３と対応する部分については同一符号を付し、そ
の詳細な説明は省略する。
【００２２】図１において、一次巻線２ＡとＦＥＴ３の
接続点にはダイオード２１のアノードが接続される。こ
のダイオード２１のカソードは抵抗器２２を介してダイ
オード１１とコンデンサ１２の接続点に接続される。ま
た、ダイオード２１のカソードと抵抗器２２の接続点は
コンデンサ２３を介して接地される。
接続点にはダイオード２１のアノードが接続される。こ
のダイオード２１のカソードは抵抗器２２を介してダイ
オード１１とコンデンサ１２の接続点に接続される。ま
た、ダイオード２１のカソードと抵抗器２２の接続点は
コンデンサ２３を介して接地される。
【００２３】次に、図２の信号波形図を使用して、実施
例の動作について説明する。
例の動作について説明する。
【００２４】時点ｔ11でスイッチング制御部４の信号出
力端子４ａからハイレベル「Ｈ」の信号ＳDP（図２Ａ）
がＦＥＴ３のゲートに供給されると、ＦＥＴ３はオン状
態とされて、コンバータトランス２の一次巻線２Ａには
電流Ｉ1（図２Ｂ）が流れ出す。
力端子４ａからハイレベル「Ｈ」の信号ＳDP（図２Ａ）
がＦＥＴ３のゲートに供給されると、ＦＥＴ３はオン状
態とされて、コンバータトランス２の一次巻線２Ａには
電流Ｉ1（図２Ｂ）が流れ出す。
【００２５】次に、時点ｔ12でローレベル「Ｌ」の信号
ＳDP（図２Ａ）がＦＥＴ３のゲートに供給されると、Ｆ
ＥＴ３はオフ状態とされて、ＦＥＴ３のオン期間にコン
バータトランス２に蓄積されたエネルギーに基づき、ダ
イオード１１には図２Ｃに示すように直線的に減少する
電流Ｉ2が流れ始め、このような状態でコンバータトラ
ンス２に蓄積されたエネルギーの放出が完了して時点ｔ
13で電流Ｉ2が０となると、コンバータトランス２内の
磁束の変化がなくなり、コンバータトランス２の二次巻
線２Ｂでは矩形波の電圧ＶB（図２Ｄ）が得られる。
ＳDP（図２Ａ）がＦＥＴ３のゲートに供給されると、Ｆ
ＥＴ３はオフ状態とされて、ＦＥＴ３のオン期間にコン
バータトランス２に蓄積されたエネルギーに基づき、ダ
イオード１１には図２Ｃに示すように直線的に減少する
電流Ｉ2が流れ始め、このような状態でコンバータトラ
ンス２に蓄積されたエネルギーの放出が完了して時点ｔ
13で電流Ｉ2が０となると、コンバータトランス２内の
磁束の変化がなくなり、コンバータトランス２の二次巻
線２Ｂでは矩形波の電圧ＶB（図２Ｄ）が得られる。
【００２６】この時点ｔ12でＦＥＴ３がオフ状態とされ
ると、コンバータトランス２のリーケージインダクタン
スのために一次巻線２Ａにスパイク状電圧が発生され
る。
ると、コンバータトランス２のリーケージインダクタン
スのために一次巻線２Ａにスパイク状電圧が発生され
る。
【００２７】このスパイク状電圧は、図１に示すように
一次巻線２ＡとＦＥＴ３の接続点に接続されたスナバ回
路８とダイオード２１のアノードに供給される。このと
き、スパイク状電圧の電圧値が、ダイオード２１のカソ
ード側電圧ＶKとダイオード２１の順電圧ＶFを加えた電
圧値よりも大きい場合は、スパイクのエネルギーがダイ
オード２１と抵抗器２２を介して負荷回路１３に供給さ
れる。このため、ＦＥＴ３のドレイン・ソース間に加え
られる電圧ＶDSは、ダイオード２１のカソード側電圧Ｖ
Kとダイオード２１の順電圧ＶFを加えた電圧値でクリッ
プすることができる。また、スパイクのエネルギーはコ
ンデンサ２３で平滑されてから抵抗器２２を介して負荷
回路１３に供給される。
一次巻線２ＡとＦＥＴ３の接続点に接続されたスナバ回
路８とダイオード２１のアノードに供給される。このと
き、スパイク状電圧の電圧値が、ダイオード２１のカソ
ード側電圧ＶKとダイオード２１の順電圧ＶFを加えた電
圧値よりも大きい場合は、スパイクのエネルギーがダイ
オード２１と抵抗器２２を介して負荷回路１３に供給さ
れる。このため、ＦＥＴ３のドレイン・ソース間に加え
られる電圧ＶDSは、ダイオード２１のカソード側電圧Ｖ
Kとダイオード２１の順電圧ＶFを加えた電圧値でクリッ
プすることができる。また、スパイクのエネルギーはコ
ンデンサ２３で平滑されてから抵抗器２２を介して負荷
回路１３に供給される。
【００２８】このように、本発明によればＦＥＴ３のド
レイン・ソース間に印加されるスパイク状電圧を、ダイ
オード２１と抵抗器２２等で構成されるクリップ手段で
もって容易にクリップすることができるので、高耐圧の
ＦＥＴを必要とすることなく安価にＤＣ−ＤＣコンバー
タを構成することができる。また、このスパイクのエネ
ルギーはクリップ手段を介して平滑されて負荷回路１３
に供給されるので電力変換効率を向上させることができ
る。
レイン・ソース間に印加されるスパイク状電圧を、ダイ
オード２１と抵抗器２２等で構成されるクリップ手段で
もって容易にクリップすることができるので、高耐圧の
ＦＥＴを必要とすることなく安価にＤＣ−ＤＣコンバー
タを構成することができる。また、このスパイクのエネ
ルギーはクリップ手段を介して平滑されて負荷回路１３
に供給されるので電力変換効率を向上させることができ
る。
【００２９】なお、上述した実施例ではスイッチング制
御部４を用いてＦＥＴ３をスイッチング動作させるＤＣ
−ＤＣコンバータについて述べたが、ＦＥＴ３のスイッ
チング動作はスイッチング制御部４で制御するものに限
られるものではない。また、スイッチング素子はＦＥＴ
に限られるものではなくトランジスタであってもよいこ
とは勿論である。
御部４を用いてＦＥＴ３をスイッチング動作させるＤＣ
−ＤＣコンバータについて述べたが、ＦＥＴ３のスイッ
チング動作はスイッチング制御部４で制御するものに限
られるものではない。また、スイッチング素子はＦＥＴ
に限られるものではなくトランジスタであってもよいこ
とは勿論である。
【００３０】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、直流電源がコ
ンバータトランスの一次巻線とスイッチング制御手段が
接続されたスイッチング素子の直列回路に接続され、コ
ンバータトランスの二次巻線には出力電圧を得る整流平
滑回路が接続されるＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、コ
ンバータトランスの一次巻線およびスイッチング素子の
接続点と整流平滑回路の出力端子間にコンバータトラン
スの一次巻線およびスイッチング素子の接続点の電圧を
所定のレベルにクリップする電圧クリップ手段が設けら
れる。このため、スイッチング素子に印加されるスパイ
ク状電圧を所定のレベルにクリップすることができ、高
価な高耐圧のスイッチング素子を使用することなく安価
にＤＣ−ＤＣコンバータを構成することができる。
ンバータトランスの一次巻線とスイッチング制御手段が
接続されたスイッチング素子の直列回路に接続され、コ
ンバータトランスの二次巻線には出力電圧を得る整流平
滑回路が接続されるＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、コ
ンバータトランスの一次巻線およびスイッチング素子の
接続点と整流平滑回路の出力端子間にコンバータトラン
スの一次巻線およびスイッチング素子の接続点の電圧を
所定のレベルにクリップする電圧クリップ手段が設けら
れる。このため、スイッチング素子に印加されるスパイ
ク状電圧を所定のレベルにクリップすることができ、高
価な高耐圧のスイッチング素子を使用することなく安価
にＤＣ−ＤＣコンバータを構成することができる。
【００３１】請求項２の発明によれば、電圧クリップ手
段でクリップされたスパイクのエネルギーが、エネルギ
ー供給手段によって整流平滑回路の出力端子側に供給さ
れる。このため、スパイクのエネルギーは整流平滑回路
の出力端子に接続された負荷回路に供給されるので、電
力変換効率を向上させることができる。
段でクリップされたスパイクのエネルギーが、エネルギ
ー供給手段によって整流平滑回路の出力端子側に供給さ
れる。このため、スパイクのエネルギーは整流平滑回路
の出力端子に接続された負荷回路に供給されるので、電
力変換効率を向上させることができる。
【図１】この発明に係るＤＣ−ＤＣコンバータの一実施
例の構成を示す図である。
例の構成を示す図である。
【図２】実施例の信号波形を示す図である。
【図３】従来のＤＣ−ＤＣコンバータの構成を示す図で
ある。
ある。
【図４】従来のＤＣ−ＤＣコンバータの信号波形を示す
図である。
図である。
１ 直流電源端子 ２ コンバータトランス ２Ａ 一次巻線 ２Ｂ 二次巻線 ３ 電界効果トランジスタ（ＦＥＴ） ４ スイッチング制御部 ４ａ 信号出力端子 ４ｂ 信号入力端子 ４ｃ 基準電圧入力端子 ８ スナバ回路 １３ 負荷回路
Claims (2)
- 【請求項１】 直流電源がコンバータトランスの一次巻
線およびスイッチング素子の直列回路に接続され、上記
コンバータトランスの二次巻線には出力電圧を得る整流
平滑回路が接続されるＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、 上記コンバータトランスの一次巻線およびスイッチング
素子の接続点と上記整流平滑回路の出力端子の間に上記
コンバータトランスの一次巻線およびスイッチング素子
の接続点の電圧を所定のレベルにクリップする電圧クリ
ップ手段を有することを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバー
タ。 - 【請求項２】 上記電圧クリップ手段でクリップされた
エネルギーを上記整流平滑回路の出力端子側に供給する
エネルギー供給手段を設けることを特徴とする請求項１
記載のＤＣ−ＤＣコンバータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27274194A JPH08140345A (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | Ｄｃ−ｄｃコンバータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27274194A JPH08140345A (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | Ｄｃ−ｄｃコンバータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08140345A true JPH08140345A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=17518130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27274194A Pending JPH08140345A (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | Ｄｃ−ｄｃコンバータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08140345A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004082113A1 (en) * | 2003-03-12 | 2004-09-23 | Matsushita Electric Works, Ltd. | A dc-dc converter with reduced surge voltage and an electronic ballast including the converter for a discharge lamp |
-
1994
- 1994-11-07 JP JP27274194A patent/JPH08140345A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004082113A1 (en) * | 2003-03-12 | 2004-09-23 | Matsushita Electric Works, Ltd. | A dc-dc converter with reduced surge voltage and an electronic ballast including the converter for a discharge lamp |
| US7352136B2 (en) | 2003-03-12 | 2008-04-01 | Matsushita Electric Works, Ltd. | DC-DC converter with reduced surge voltage and an electronic ballast including the converter for a discharge lamp |
| CN100397768C (zh) * | 2003-03-12 | 2008-06-25 | 松下电工株式会社 | 可减小电涌电压的直流-直流转换器及用于放电灯的包括该转换器的电子镇流器 |
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