JPH08139418A

JPH08139418A - 半導体レーザ発光装置および光学情報記録再生装置

Info

Publication number: JPH08139418A
Application number: JP7259233A
Authority: JP
Inventors: Shigehisa Suzuki; 重久鈴木
Original assignee: Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Maxell Holdings Ltd
Priority date: 1994-09-12
Filing date: 1995-09-12
Publication date: 1996-05-31

Abstract

(57)【要約】【目的】小型でかつノイズの少ない半導体レーザ発光
装置を提供すること。【構成】半導体レーザと、半導体レーザをパルス発光
させる半導体レーザ駆動回路と、半導体レーザから出射
されたレーザ光の進行方向上に配置され、前記進行方向
と垂直な反射面を有する反射物と、半導体レーザから出
射されたレーザ光を反射面まで導く光学系とを備えた半
導体レーザ発光装置において、半導体レーザ内に収納さ
れた半導体レーザチップの端面から反射面までの片道の
光路長をＬ(m)、高周波重畳電流の周波数をｆ(MHz)とし
たとき、ＬをＬ≦0.120、かつｆを400≦ｆ≦7.875E1／
Ｌの範囲に設定する。こうすることにより、半導体レー
ザに起因するノイズは低くなる。さらに光路長Ｌを短く
しても、重畳周波数を高くする必要がないので、半導体
レーザ駆動回路を大型化する必要もない。従って、小型
でかつノイズの少ない半導体レーザ発光装置の提供が可
能となった。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ発光装置、
および前記半導体レーザ発光装置を用いた光学情報記録
再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】以下、従来の半導体レーザ発光装置の一
例として、光磁気記録再生装置の光ピックアップについ
て説明する。

【０００３】図２は、従来の光磁気記録再生装置の光ピ
ックアップを示す概略構成図である。再生時には、半導
体レーザ駆動回路１により駆動された半導体レーザ２か
ら出射されたレーザ光は、コリメートレンズ３により平
行光束に変換され、ビームスプリッタ6aにより反射さ
れ、対物レンズ13により集光された後、0.1〜1.0μｍφ
程度の光スポットとして回転する光学情報担体14の記録
膜(垂直磁化膜)上に照射される。(光磁気記録再生方式
以外の光学情報記録再生装置および光学情報担体を用い
た場合には、垂直磁化膜以外の記録膜、或は反射膜上に
照射される。)前記記録膜上で反射された反射光は対物
レンズ13により再び平行光束に変換され、ビームスプリ
ッタ6aに入射し、その一部はここで反射し、コリメート
レンズ３により集光された後、再び半導体レーザ２に戻
る。(この反射光を戻り光という。) 残りの反射光は、ビームスプリッタ6aをそのまま通過
し、1/2波長板15を通り、ビームスプリッタ6bに入射
し、ここで反射光と透過光に二分される。この反射光と
透過光は、共に検出レンズ7a、7bにより集光された後、
光検出器8a、8bに入射する。そして、記録情報、フォー
カスサーボ情報およびトラッキングサーボ情報が光検出
器8a、8bから電気信号として出力される。

【０００４】記録時には、半導体レーザ２から出射され
るレーザ光の強度を再生時より強く設定して記録膜の温
度をキュリー点以上に上昇させ、同時に磁気ヘッド16か
ら外部磁場を印加することにより、記録情報に応じて垂
直磁化膜上に元の磁化の向きと逆向きの磁区(ドメイン)
を形成し、情報を記録する。(光磁気記録再生方式以外
の光学情報記録再生装置および光学情報担体を用いた場
合には、記録膜に穴を開けたり、結晶−非晶質間の相変
化等により情報を記録する。) さて、この種の装置において問題となるのは、半導体レ
ーザ２を原因とするレーザノイズ(以下単にノイズとい
う。)である。この様なノイズとしては、大別するとモ
ードホッピングノイズと戻り光ノイズの二つが知られて
いる。

【０００５】まず、モードホッピングノイズについて説
明する。戻り光がない場合に、半導体レーザ２を直流電
流で駆動すると図３に示すように単一縦モード発振する
が、このノイズは、温度変化に伴って縦モード発振が次
のモードへ移る際に２本以上の縦モードが交互にかつラ
ンダムに発振を繰り返すこと、および各々のモードの光
出力がわずかに異なることによって生じる。このノイズ
の周波数成分は、ほとんどの場合数十MHz以下である。

【０００６】次に、戻り光ノイズについて説明する。こ
のノイズは、文字通り半導体レーザ２から出射されたレ
ーザ光が光学情報記録担体14の反射面(光磁気記録膜表
面、その他の記録膜表面、或は反射膜表面)で反射さ
れ、再び半導体レーザ２に戻って来ることにより発生
し、レーザ出力に対する相対的な戻り光量が1E-6程度と
極めてわずかであっても顕著に生じる。そして、その変
化の様相も光学情報担体14の反射面と半導体レーザ２間
の距離や戻り光量、さらには半導体レーザ２の励起レベ
ル等に依存して複雑に変化する。

【０００７】また、これらのノイズは複合効果で著しい
悪影響をもたらす。従来より、これらのノイズを低減さ
せる方法として、図４に示すように半導体レーザ２を多
重縦モード発振させる方法が実用化されてきた。図５に
示すように、駆動電流−光出力特性の特定のバイアス点
Ｐ₀を中心に交流的に駆動電流を変化させ(直流バイアス
に高周波電流を重畳し)、高周波重畳電流の下限値が半
導体レーザ２の発振しきい値を下回るように設定する
と、レーザ光の出力波形はパルス状になり、半導体レー
ザ２は多重縦モード発振する。このとき、発振状態は温
度変化および戻り光に対して安定となる。

【０００８】ところが、図６に示すように、最初のパル
ス21の戻り光24が２番目のパルス22の立上り点付近で半
導体レーザ２に帰還した場合には、半導体レーザ２の発
振モードが戻り光24のモードに引き込まれ、安定な多重
縦モードから不安定な多重縦モードに変化し、ノイズが
増大する。

【０００９】(注)：上記の記述をより正確に言えば、次
のとおりとなる。即ち、戻り光24がパルス22の正確な立
上り点或はその極く近傍に帰還した場合には、多重縦モ
ードから安定な単一縦モードに変化するので、本来は半
導体レーザ２の発振が安定し、ノイズは減少するはずで
ある。しかし、実際に光学情報記録再生装置等に応用し
た場合には、回転する光学情報担体14の上下振れや機械
的振動等により、戻り光24がパルス22の正確な立上り点
或はその極く近傍に安定して帰還することは有り得ず、
結果的に半導体レーザ２の発振は上記のように不安定と
なり、ノイズが増大する。(なお、２番目の戻り光と３
番目のパルス23以降については説明を省略したが、上記
の関係が連続して続く。以下同様である。) このような現象を回避するため、図７に示すように、最
初のパルス21の戻り光24が２番目のパルス22(の頂点)と
３番目のパルス23(の立上り点)との間に帰還するように
重畳周波数を設定し、戻り光24の影響を減少させるとい
う方法が実用化されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
レーザ２、半導体レーザ駆動回路１、光学情報担体14お
よび前記半導体レーザ２から出射されたレーザ光を前記
光学情報担体14上に導く光学系から構成される半導体レ
ーザ発光装置(光学情報記録再生装置)を小型化しようと
すると、必然的に光学情報担体14の反射面と半導体レー
ザ２間の距離が短くなるので、戻り光が半導体レーザ２
に帰還するまでの時間も短くなる。従って、最初のパル
ス21の戻り光24と２番目のパルス22(の立上り点)が重な
らないように各パルス間の間隔も短くする必要が生じ
る。即ち、重畳する高周波電流の周波数を高くする必要
が生じる。この場合、数GHzという非常に高い周波数が
要求されるので、高周波発振回路(半導体レーザ駆動回
路１を構成する主要部品)が大型化し、半導体レーザ発
光装置(光学情報記録再生装置)の小型化という当初の目
的は達成困難となる。

【００１１】従って、本発明の第１の目的は、上記のよ
うな問題を解決し、小型でかつノイズレベルの低い半導
体レーザ発光装置を提供することにある。

【００１２】さらに、本発明の第２の目的は、小型でか
つノイズレベルの低い光学記録再生装置を提供すること
にある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、半導体レーザと、高周波重畳電流により
前記半導体レーザをパルス発光させるための半導体レー
ザ駆動回路と、前記半導体レーザから出射されたレーザ
光の進行方向上に配置され、前記レーザ光の進行方向と
垂直な反射面を有する反射物と、前記半導体レーザから
出射されたレーザ光を前記反射物の反射面まで導く光学
系とを備えた半導体レーザ発光装置において、前記半導
体レーザ内に収納された半導体レーザチップの端面から
前記反射物の反射面までの片道の光路長をＬ(m)、前記
高周波重畳電流の周波数をｆ(MHz)としたとき、ＬをＬ
≦0.120、かつｆを400≦ｆ≦7.875E1／Ｌの範囲に設定
したことを特徴とする。

【００１４】また、ＬをＬ≦0.010、かつｆを600≦ｆ≦
7.875E1／Ｌの範囲に設定した場合には、よりノイズが
減少する。

【００１５】また、前記反射物を、前記半導体レーザ、
前記半導体レーザ駆動回路および前記光学系により構成
される系から取外し可能としても良い。

【００１６】さらに、上記目的を達成するため、本発明
は、光学情報担体上に情報を記録、または前記光学情報
担体上の情報を再生するための半導体レーザと、高周波
重畳電流により前記半導体レーザをパルス発光させるた
めの半導体レーザ駆動回路と、前記半導体レーザから出
射されたレーザ光を前記光学情報担体上に導く光学系と
を備えた光学情報記録再生装置において、前記半導体レ
ーザ内に収納された半導体レーザチップの端面から前記
光学情報担体の反射面までの片道の光路長をＬ(m)、前
記高周波重畳電流の周波数をｆ(MHz)としたとき、Ｌを
Ｌ≦0.120、かつｆを400≦ｆ≦7.875E1／Ｌの範囲に設
定したことを特徴とする。

【００１７】また、ＬをＬ≦0.010、かつｆを600≦ｆ≦
7.875E1／Ｌの範囲に設定した場合には、よりノイズが
減少する。

【００１８】

【作用】ＬをＬ≦0.120、かつｆを400≦ｆ≦7.875E1／
Ｌの範囲に設定することにより、図８に示すように最初
のパルス21の戻り光24と２番目のパルス22の立上り点が
重ならなくなるので、半導体レーザ２は安定して多重縦
モード発振するようになる。従って、半導体レーザ２に
起因するノイズレベルは低くなる。また、Ｌおよびｆを
上記の範囲に設定することにより、光路長Ｌを短くして
も、半導体レーザ２に重畳する高周波重畳電流の周波数
を高くする必要がないので、半導体レーザ駆動回路１を
大型化する必要もない。従って、半導体レーザ発光装
置、或は光学情報記録再生装置の小型化が可能となる。

【００１９】また、ＬをＬ≦0.010、かつ600≦ｆ≦7.87
5E1／Ｌに設定した場合には、ノイズレベルはより低下
する。これについては、半導体レーザ２の多重縦モード
発振時の発光スペクトル形状がガウシアン分布に近づ
き、より滑らかになるのが原因ではないかと考えられ
る。

【００２０】

【実施例】図１は、本発明の半導体レーザ発光装置の一
実施例とそのノイズレベルを測定するための測定系を示
す概略説明図である。このような半導体レーザ発光装置
とノイズレベル測定系を用いて、種々の条件で半導体レ
ーザ２に起因するノイズレベル(Ｓ／Ｎ)を測定した。詳
細を以下に述べる。

【００２１】１．ノイズレベル(Ｓ／Ｎ)の測定方法まず、ノイズレベル(Ｓ／Ｎ)の測定に用いた半導体レー
ザ発光装置とノイズレベル測定系の構成について述べ
る。図１に示すように、半導体レーザ駆動回路１により
駆動(パルス発光)された半導体レーザ２から出射された
レーザ光は、コリメートレンズ３で平行光となり、フィ
ルタ４を通り、前記レーザ光の進行方向に対して垂直に
配置されたハーフミラー５の反射面で反射され、再び半
導体レーザ２に戻る。

【００２２】ハーフミラー５の透過光の一部はビームス
プリッタ６で分離された後、検出レンズ7aで集光され、
光検出器８上に照射される。光検出器８から出力された
検出信号を増幅器９で増幅した後、スペクトラムアナラ
イザ10に入力させることにより、ノイズの測定を行っ
た。また、ビームスプリッタ６で分離された残りの透過
光を検出レンズ7bにより光ファイバーケーブル11に取り
込んだ後、光スペクトラムアナライザ12に入力させるこ
とにより、半導体レーザ２の発振モードを観測した。

【００２３】なお、上記の半導体レーザ駆動回路１、半
導体レーザ２、コリメートレンズ３およびハーフミラー
５から構成されている部分が半導体レーザ発光装置に相
当する。そして、ハーフミラー５の反射面と、半導体レ
ーザ２内に収納された半導体レーザチップの端面との間
の空間が外部共振器を構成しており、この片道の距離を
光路長Ｌ(m)とした。また、ハーフミラー５は左右(レー
ザ光の進行方向)に移動できるようにしたが、必要に応
じて取外し可能としても良い。また、半導体レーザ２へ
の戻り光量は、中間に配置したフィルタ４により光学情
報担体14を用いた場合とほぼ同じ値になるように調整し
た。

【００２４】そして、光路長Ｌと高周波重畳周波数ｆの
値を変化させながら、Ｓ／Ｎの測定を行った。なお、こ
の時の測定条件を表１に示す。

【００２５】

【表１】

【００２６】２．ノイズレベル(Ｓ／Ｎ)の測定結果全測定結果(全測定点)を表２に示したように、Ｓ／Ｎの
値に応じて○、●、△、×の記号で表したところ、これ
らの記号の分布から全測定領域は図９に示すようにＡ、
Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの５つの領域に集約されることが分かっ
た。

【００２７】

【表２】

【００２８】これら５つの領域について、以下に詳細に
説明する。

【００２９】(Ａ)：Ａ領域は全て●印の点から成る領域
である。この領域においては、図７に示すように半導体
レーザ２の最初のパルス21の戻り光24が、２番目のパル
ス22(の頂点)と３番目のパルス23(の立上り点)との間に
戻って来る。このため、半導体レーザ２が多重縦モード
で安定して発振するので、Ｓ／Ｎは良い(＝ノイズレベ
ルが低い；78dB≦S/N＜80dB)。

【００３０】従って、この領域は一応実用に適するが、
図９から分かるように光路長Ｌが短くなると、重畳する
高周波重畳電流の周波数をGHzのオーダーまで高くする
必要が生じるので、半導体レーザ駆動回路１が大きくな
り、半導体レーザ発光装置の小型化には適さない。ま
た、コストも高くなる。

【００３１】(Ｂ)：Ｂ領域は、殆ど×印の点から成る
が、一部●印や△印の点も含む。この領域においては、
図６に示すように最初のパルス21の戻り光24が２番目の
パルス22と立上り点付近で重なるが、先に述べたよう
に、両者が立上り点とその極く近傍において重なる場合
には、半導体レーザ２は安定した単一縦モードで発振す
るので、Ｓ／Ｎは良い(78dB≦S/N＜80dB)が、そこから
少し外れると半導体レーザ２は不安定な多重縦モードに
なりＳ／Ｎは悪く(S/N＜78)なる。

【００３２】このため、この領域を光学情報記録再生装
置などの装置に適用しようとした場合には、光学情報担
体14の上下振れや機械的振動等を完全に避けることは困
難であるため、戻り光がパルスの正確な立上り点或はそ
の極く近傍に安定して帰還することは有り得ず、結果的
に半導体レーザ２の発振は不安定となり、Ｓ／Ｎは悪く
なる。一方、この領域を振動の発生しない装置に適用し
ようとしても、Ｓ／Ｎが良い部分はほんの一部であり、
大部分においてはＳ／Ｎが悪い。従って、この領域は実
用に適さない。

【００３３】(Ｃ)：Ｃ領域は、殆ど●印の点から成る
が、一部○印の点も含む。Ｃ領域(Ｄ領域を含む)は、図
８に示すように最初のパルス21の戻り光24が、２番目の
パルス22が立上る前に戻って来る領域である。このた
め、半導体レーザ２が多重縦モードで安定して発振する
ので、Ｓ／Ｎは良い(78dB≦S/N)。従って、この領域は
実用に適している。

【００３４】また、図９から分かるように、光路長Ｌが
短くなっても、重畳する高周波電流の周波数ｆを高くす
る必要がないので、半導体レーザ駆動回路１も大きくす
る必要はない。従って、半導体レーザ発光装置の小型化
に適しており、コストも高くならない。

【００３５】なお、この領域は、図９から分かるように
直線Ｌ＝0.120、直線ｆ＝400と曲線Ｑ'で囲まれた領域
である。曲線Ｑ'は、この領域の上限(＝Ｂ領域の下限)
を表す境界線であり、Ｂ領域中の曲線Ｑを表す式に一定
の係数を掛けた式によって表される。この曲線Ｑ'を表
す式の算出方法を以下に示す。

【００３６】まず、曲線Ｑを表す式を求めた。図６よ
り、最初のパルス21の戻り光24が２番目のパルス22の立
上り時に戻って来るまでの時間(最初のパルス21の戻り
光24が半導体レーザ２に戻って来るまでの時間)τ₀(S)
は、次式のように表される。

【００３７】τ₀＝２Ｌ／Ｃ…………(１)〔ここで、Ｃ
は光速(＝3.0E8 m/S)を表す。〕次に、最初のパルス21から２番目のパルス22までの時間
をτ(S)とすると、以下のような関係がある。

【００３８】 τ＝４τ₀／３……………………………(２) (１)、(２)式より、最初のパルス21の戻り光24が２番目
のパルス22の立上りに重なる高周波重畳周波数ｆ(MH
z)、つまり曲線Ｑは次式のように表される。

【００３９】ｆ＝１／τ＝1.125E2／Ｌ……………(３) ただし、(２)式の関係において、正確には、戻り光24が
戻って来るタイミングと２番目のパルス22が立ち上がる
タイミングとの間には若干の誤差があるが、発振モード
の観察結果では、重畳周波数を(３)式より求めたｆに設
定することにより、安定した多重縦モードから安定した
単一縦モードに変化することを確認しており、問題はな
かった。

【００４０】次に、曲線Ｑ'を表す式を求めた。前述し
たように、Ｂ領域は曲線Ｑを中央線として上下にある程
度の幅を持っている。従って、Ｃ領域の上限(＝Ｂ領域
の下限)を表す曲線Ｑ'の式は、曲線Ｑを表す式に一定の
係数をかけることにより求められる。この係数は、上記
の幅と測定値のバラツキを考慮して決める必要があり、
曲線Ｑを表す式〔上記(３)式〕の右辺に係数0.7をかけ
た場合、(Ｌ≦0.120の領域において)得られた式によっ
て表される曲線よりも下側には△印や×印で表される点
は存在せず、●印或は○印で表される点だけしか存在し
ないことが確認できた。即ち、曲線Ｑ'の式は、ｆ＝0.7
×1.125E2／Ｌ＝7.875E1／Ｌで表すことができる。

【００４１】以上をまとめると、この領域はＬがＬ≦0.
120、かつｆが400≦ｆ≦7.875E1／Ｌの範囲に設定され
た領域であると言える。

【００４２】(Ｄ)：Ｄ領域は、基本的にはＣ領域に含ま
れるが、測定結果からＣ領域よりＳ／Ｎが高い(80dB≦S
/N)ことが分かった。従って、より実用に適している。

【００４３】また、この領域は図９から分かるように、
ＬがＬ≦0.010、かつｆが600≦ｆ≦7.875E1／Ｌの範囲
に設定された領域である。

【００４４】(Ｅ)：Ｅ領域は、半導体レーザ２を駆動す
る高周波重畳電流の重畳周波数が低いために、半導体レ
ーザ２が完全に多重縦モード発振していない領域であ
る。このため、Ｓ／Ｎはあまり良くない(殆どの測定点
において、S/N＜75dB)。従って、あまり実用に適してい
ない。

【００４５】３．まとめ以上の結果をまとめると、次のとおりとなる。

【００４６】即ち、図９のＣ領域で表される範囲(Ｌ≦
0.120、かつ400≦ｆ≦7.875E1／Ｌ)にＬ(半導体レーザ
２内に収納された半導体レーザチップの端面からハーフ
ミラー５の反射面までの片道の光路長)およびｆ(高周波
重畳電流の周波数)を設定した場合、半導体レーザ２の
Ｓ／Ｎが良く、かつ半導体レーザ発光装置の小型化が可
能であり、実用に適することが確認できた。

【００４７】特に、図９のＤ領域で表される範囲(Ｌ≦
0.010、かつ600≦ｆ≦7.875E1／Ｌ)にＬおよびｆを設定
した場合、半導体レーザ２のＳ／Ｎが一層良くなり、よ
り実用に適することが確認できた。

【００４８】なお、本実施例においては半導体レーザ発
光装置について説明したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、光学情報記録再生装置にも適用可能であ
ることは言うまでもない。

【００４９】光学情報記録再生装置に適用する場合に
は、一例として図２に示したような光ピックアップに、
光検出器8a、8bから出力された記録情報、フォーカス
情報およびトラッキング情報を処理する回路系、フォ
ーカスサーボ機構、トラッキングサーボ機構およびそれ
らの制御系、光学情報担体14を回転させるための機構
およびその制御系等を付加し、さらに半導体レーザ駆
動回路１が半導体レーザ２をパルス発光させられないも
のである場合には、パルス発光可能なものに交換し、Ｌ
(半導体レーザ２内に収納された半導体レーザチップの
端面から光学情報担体14の反射面までの片道の光路長)
およびｆの値を図９のＣ領域で表される範囲、或はＤ領
域で表される範囲に設定すれば良い。なお、Ｄ領域で表
される範囲に設定した場合には、上記と同様にＳ／Ｎは
より向上する。

【００５０】なお、本明細書中で用いた光路長Ｌとは、
その光路中に配置された光学部品の屈折率を考慮して補
正した後の値である。

【００５１】

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下の効果を持つ。

【００５２】即ち、ＬをＬ≦0.120、かつｆを400≦ｆ≦
7.875E1／Ｌの範囲に設定することにより、最初のパル
スの戻り光と２番目のパルスの立上り点が重ならなくな
るので、半導体レーザは安定して多重縦モード発振する
ようになる。従って、半導体レーザに起因するノイズレ
ベルは低くなる。また、Ｌおよびｆを上記の範囲に設定
することにより、光路長Ｌを短くしても、半導体レーザ
に重畳する高周波重畳電流の周波数を高くする必要がな
いので、半導体レーザ駆動回路を大型化する必要もな
い。従って、半導体レーザ発光装置の小型化が可能とな
る。

【００５３】よって、小型でかつノイズレベルの低い半
導体レーザ発光装置および光学記録再生装置を提供する
ことが可能となった。

【００５４】また、ＬをＬ≦0.010、かつ600≦ｆ≦7.87
5E1／Ｌに設定した場合には、ノイズレベルはより低下
する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体レーザ発光装置の一実施例とそ
のノイズレベルを測定するための測定系を示す概略説明
図である。

【図２】従来の光磁気記録再生装置の光ピックアップを
示す概略構成図である。

【図３】半導体レーザの単一縦モード発振を示す説明図
である。

【図４】半導体レーザの多重縦モード発振を示す説明図
である。

【図５】半導体レーザの駆動電流と光出力波形との関係
を示す説明図である。

【図６】ノイズが増大する場合の半導体レーザのパルス
と戻り光との関係を示す説明図である。

【図７】従来のノイズ低減方法における半導体レーザの
パルスと戻り光との関係を示す説明図である。

【図８】本発明における半導体レーザのパルスと戻り光
との関係を示す説明図である。

【図９】ノイズレベルに対応する５つの領域を示す説明
図である。

【符号の説明】

１半導体レーザ駆動回路２半導体レーザ３コリメートレンズ５ハーフミラー 6a ビームスプリッタ 13 対物レンズ 14 光学情報担体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザと、高周波重畳電流により
前記半導体レーザをパルス発光させるための半導体レー
ザ駆動回路と、前記半導体レーザから出射されたレーザ
光の進行方向上に配置され、前記レーザ光の進行方向と
垂直な反射面を有する反射物と、前記半導体レーザから
出射されたレーザ光を前記反射物の反射面まで導く光学
系とを備えた半導体レーザ発光装置において、前記半導
体レーザ内に収納された半導体レーザチップの端面から
前記反射物の反射面までの片道の光路長をＬ(m)、前記
高周波重畳電流の周波数をｆ(MHz)としたとき、ＬをＬ
≦0.120、かつｆを400≦ｆ≦7.875E1／Ｌの範囲に設定
したことを特徴とする半導体レーザ発光装置。
【請求項２】請求項１において、ＬをＬ≦0.010、か
つｆを600≦ｆ≦7.875E1／Ｌの範囲に設定したことを特
徴とする半導体レーザ発光装置。
【請求項３】請求項１または請求項２において、前記
反射物を、前記半導体レーザ、前記半導体レーザ駆動回
路および前記光学系により構成される系から取外し可能
としたことを特徴とする半導体レーザ発光装置。
【請求項４】光学情報担体上に情報を記録、または前
記光学情報担体上の情報を再生するための半導体レーザ
と、高周波重畳電流により前記半導体レーザをパルス発
光させるための半導体レーザ駆動回路と、前記半導体レ
ーザから出射されたレーザ光を前記光学情報担体上に導
く光学系とを備えた光学情報記録再生装置において、前
記半導体レーザ内に収納された半導体レーザチップの端
面から前記光学情報担体の反射面までの片道の光路長を
Ｌ(m)、前記高周波重畳電流の周波数をｆ(MHz)としたと
き、ＬをＬ≦0.120、かつｆを400≦ｆ≦7.875E1／Ｌの
範囲に設定したことを特徴とする光学情報記録再生装
置。
【請求項５】請求項４において、ＬをＬ≦0.010、かつ
ｆを600≦ｆ≦7.875E1／Ｌの範囲に設定したことを特徴
とする光学情報記録再生装置。