JPH08136342A - 赤外線検出器用焦電体素子 - Google Patents
赤外線検出器用焦電体素子Info
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- JPH08136342A JPH08136342A JP6271264A JP27126494A JPH08136342A JP H08136342 A JPH08136342 A JP H08136342A JP 6271264 A JP6271264 A JP 6271264A JP 27126494 A JP27126494 A JP 27126494A JP H08136342 A JPH08136342 A JP H08136342A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 広範囲の方向からの赤外線を検出できる焦
電型の赤外線検出器用焦電体素子を提供するものであ
る。 【構成】 曲面形状を有する導電性基板、該導電性基
板上に形成された焦電体層、および焦電体層上に設けら
れた電極から構成されている赤外線検出器用焦電体素子
に関する。
電型の赤外線検出器用焦電体素子を提供するものであ
る。 【構成】 曲面形状を有する導電性基板、該導電性基
板上に形成された焦電体層、および焦電体層上に設けら
れた電極から構成されている赤外線検出器用焦電体素子
に関する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外線を検出して電気
信号を出力する赤外線検出器用焦電体素子に関する。
信号を出力する赤外線検出器用焦電体素子に関する。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】従来より、焦電型赤外線
検出器の検出部分には焦電性を有するチタン酸鉛系、チ
タンジルコン酸鉛系などの厚さ５０μｍ程度のセラミッ
クス板からなる焦電体素子が用いられている。このセラ
ミックス板は、分極処理された後、電極としてニッケル
−クロム等が蒸着され、該電極はＦＥＴ（電界効果トラ
ンジスタ）等に接続され焦電型赤外線検出器が構成され
ている。そして、例えば被検知物体から赤外線が放射さ
れた場合には、焦電体素子が該赤外線を吸収し、その温
度変化による分極の変化を信号として取り出すものであ
る。
検出器の検出部分には焦電性を有するチタン酸鉛系、チ
タンジルコン酸鉛系などの厚さ５０μｍ程度のセラミッ
クス板からなる焦電体素子が用いられている。このセラ
ミックス板は、分極処理された後、電極としてニッケル
−クロム等が蒸着され、該電極はＦＥＴ（電界効果トラ
ンジスタ）等に接続され焦電型赤外線検出器が構成され
ている。そして、例えば被検知物体から赤外線が放射さ
れた場合には、焦電体素子が該赤外線を吸収し、その温
度変化による分極の変化を信号として取り出すものであ
る。
【０００３】しかしながら、前記セラミックス板は研磨
によって加工されるために、通常、平面形状のものしか
作製できなかった。この平面形状の焦電体素子を用いた
場合には検出範囲は狭く、広範囲の方向からの赤外線入
射を検出するためにはレンズを装着する必要があった。
しかしながら、レンズを装着した場合にも検出範囲は限
られており、市場の要請もあり、さらに検出範囲の広い
高感度の赤外線検出器が求められている。
によって加工されるために、通常、平面形状のものしか
作製できなかった。この平面形状の焦電体素子を用いた
場合には検出範囲は狭く、広範囲の方向からの赤外線入
射を検出するためにはレンズを装着する必要があった。
しかしながら、レンズを装着した場合にも検出範囲は限
られており、市場の要請もあり、さらに検出範囲の広い
高感度の赤外線検出器が求められている。
【０００４】
【発明の目的】本発明は、広範囲の方向からの赤外線入
射に対して感度の良好な焦電型赤外線検出器に使用され
る焦電体素子を得ることを目的とする。
射に対して感度の良好な焦電型赤外線検出器に使用され
る焦電体素子を得ることを目的とする。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】本発明は、曲面形状を
有する導電性基板、該導電性基板上に形成された焦電体
層、および焦電体層上に設けられた電極から構成されて
いることを特徴とする赤外線検出器用焦電体素子に関す
る。
有する導電性基板、該導電性基板上に形成された焦電体
層、および焦電体層上に設けられた電極から構成されて
いることを特徴とする赤外線検出器用焦電体素子に関す
る。
【０００６】本発明に使用される曲面形状を有する導電
性基板としては、例えば円筒状、半円筒状、部分円筒
状、半円球状、部分円球状等の曲面を有する導電性基板
を挙げることができる。該導電性基板としては、金属基
板や絶縁体基板表面にスパッタ法、蒸着法、メッキ法等
の膜形成法によって導電性膜が形成された導電性基板等
を挙げることができる。金属基板としては、チタン基
板、ステンレス板、Ｆｅ−Ｎｉ合金板等が用いられる。
また、絶縁性基板としては、ポリイミドフィルムやポリ
フェニレンサルファイド等の耐熱性の樹脂基板等が用い
られる。
性基板としては、例えば円筒状、半円筒状、部分円筒
状、半円球状、部分円球状等の曲面を有する導電性基板
を挙げることができる。該導電性基板としては、金属基
板や絶縁体基板表面にスパッタ法、蒸着法、メッキ法等
の膜形成法によって導電性膜が形成された導電性基板等
を挙げることができる。金属基板としては、チタン基
板、ステンレス板、Ｆｅ−Ｎｉ合金板等が用いられる。
また、絶縁性基板としては、ポリイミドフィルムやポリ
フェニレンサルファイド等の耐熱性の樹脂基板等が用い
られる。
【０００７】本発明において、曲面形状を有する導電性
基板として１〜１００μｍの厚さのチタン金属箔等の導
電性基板を使用し、５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ
以下の厚さの焦電体膜からなる焦電体層を水熱合成法や
スパッタ法等により基板上に形成することにより、熱容
量が小さく、広範囲の方向からの赤外線入射に対して高
感度の赤外線検出器用焦電体素子を構成することができ
る。
基板として１〜１００μｍの厚さのチタン金属箔等の導
電性基板を使用し、５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ
以下の厚さの焦電体膜からなる焦電体層を水熱合成法や
スパッタ法等により基板上に形成することにより、熱容
量が小さく、広範囲の方向からの赤外線入射に対して高
感度の赤外線検出器用焦電体素子を構成することができ
る。
【０００８】本発明の焦電体層の製造方法の好適例とし
て、Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 系の焦電体層を曲面形状を有
する導電性基板上に形成する方法について詳述する。基
板としてＴｉ基板あるいはＴｉをコーティングしたもの
を用い、前記基板上に水熱合成によって焦電体層を作製
する。また、焦電体結晶膜を水熱法により形成する際に
使用されるＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉ等の構成元素を含有する原
料化合物としては、塩化物、オキシ塩化物、硝酸塩、ア
ルコキシド、酢酸塩、水酸化物、酸化物等が好ましい。
この焦電体層の形成は、以下のようにして行う。
て、Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 系の焦電体層を曲面形状を有
する導電性基板上に形成する方法について詳述する。基
板としてＴｉ基板あるいはＴｉをコーティングしたもの
を用い、前記基板上に水熱合成によって焦電体層を作製
する。また、焦電体結晶膜を水熱法により形成する際に
使用されるＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉ等の構成元素を含有する原
料化合物としては、塩化物、オキシ塩化物、硝酸塩、ア
ルコキシド、酢酸塩、水酸化物、酸化物等が好ましい。
この焦電体層の形成は、以下のようにして行う。
【０００９】まずＰｂ（ＮＯ3 ）2 水溶液５０mmol/l〜
５００mmol/l、ＺｒＯＣｌ2 水溶液２０mmol/l〜５００
mmol/l、ＴｉＣｌ4 水溶液０．００２mmol/l〜５０mmol
/lおよびＫＯＨ水溶液１mol/l 〜８mol/l の混合溶液中
に、前記基板を溶液上部に設置固定し、レイノルズ数が
２０００以下の状態、すなわち乱流にならない状態で、
１５０〜１９０℃の温度で、１〜２４時間水熱による表
面処理を行い、Ｐｂ（ＺｒX Ｔｉ1-X ）Ｏ3 （０≦ｘ≦
１）からなる結晶核を形成する。結晶核形成時にＴｉ化
合物を加えることにより、核発生量の増加に伴う微小且
つ緻密な結晶核が得られる。
５００mmol/l、ＺｒＯＣｌ2 水溶液２０mmol/l〜５００
mmol/l、ＴｉＣｌ4 水溶液０．００２mmol/l〜５０mmol
/lおよびＫＯＨ水溶液１mol/l 〜８mol/l の混合溶液中
に、前記基板を溶液上部に設置固定し、レイノルズ数が
２０００以下の状態、すなわち乱流にならない状態で、
１５０〜１９０℃の温度で、１〜２４時間水熱による表
面処理を行い、Ｐｂ（ＺｒX Ｔｉ1-X ）Ｏ3 （０≦ｘ≦
１）からなる結晶核を形成する。結晶核形成時にＴｉ化
合物を加えることにより、核発生量の増加に伴う微小且
つ緻密な結晶核が得られる。
【００１０】次に結晶を成長させるため、Ｐｂ（Ｎ
Ｏ3 ）2 水溶液５０mmol/l〜５００mmol/l、ＺｒＯＣｌ
2 水溶液１０mmol/l〜５００mmol/l、ＴｉＣｌ4 水溶液
１０mmol/l〜５００mmol/lおよびＫＯＨ水溶液２mol/l
〜８mol/l の混合溶液中に、前記結晶核が形成された基
板を入れて１００〜１４０℃、１〜９６時間水熱処理を
行う。これにより導電性基板上に焦電体層が形成され
る。水熱処理における加熱方法は油浴や電気炉などによ
る。その後一般的な洗浄を行う。例えば、純水中で超音
波洗浄を行い、ついで酢酸水溶液中で超音波洗浄を行
い、さらに純水中で超音波洗浄を行い、１００〜１２０
℃で１２時間程度乾燥させる。こうして形成された焦電
体層の組成は主としてＰｂ（ＺｒX Ｔｉ1-X ）Ｏ3 （０
≦ｘ≦１）からなる。
Ｏ3 ）2 水溶液５０mmol/l〜５００mmol/l、ＺｒＯＣｌ
2 水溶液１０mmol/l〜５００mmol/l、ＴｉＣｌ4 水溶液
１０mmol/l〜５００mmol/lおよびＫＯＨ水溶液２mol/l
〜８mol/l の混合溶液中に、前記結晶核が形成された基
板を入れて１００〜１４０℃、１〜９６時間水熱処理を
行う。これにより導電性基板上に焦電体層が形成され
る。水熱処理における加熱方法は油浴や電気炉などによ
る。その後一般的な洗浄を行う。例えば、純水中で超音
波洗浄を行い、ついで酢酸水溶液中で超音波洗浄を行
い、さらに純水中で超音波洗浄を行い、１００〜１２０
℃で１２時間程度乾燥させる。こうして形成された焦電
体層の組成は主としてＰｂ（ＺｒX Ｔｉ1-X ）Ｏ3 （０
≦ｘ≦１）からなる。
【００１１】本発明で得られる焦電体層を素子化する場
合に使用される電極としては、特に限定されないがコス
トや量産性を考慮し最適なものが選定される。例えば、
スパッタリング法によるＮｉ、Ｎｉ−Ｃｒ合金、無電解
メッキ法によるＮｉ、焼付けタイプのＡｇ等が選択使用
される。その他、蒸着によるＡｌ、スパッタリング法に
よるＰｔあるいはＡｕ等も用いられる。なお、基板に樹
脂を用いる場合には、高温に加熱できないので焼付けタ
イプのＡｇ電極は好ましくない。
合に使用される電極としては、特に限定されないがコス
トや量産性を考慮し最適なものが選定される。例えば、
スパッタリング法によるＮｉ、Ｎｉ−Ｃｒ合金、無電解
メッキ法によるＮｉ、焼付けタイプのＡｇ等が選択使用
される。その他、蒸着によるＡｌ、スパッタリング法に
よるＰｔあるいはＡｕ等も用いられる。なお、基板に樹
脂を用いる場合には、高温に加熱できないので焼付けタ
イプのＡｇ電極は好ましくない。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の具体的実
施例を説明する。 実施例１ 図１は本発明の一実施例を示す焦電型赤外線検出器の検
出部分である焦電体素子の縦断面図である。図中、１は
円筒状の薄いチタン金属基板であり、２はその金属基板
上に水熱合成法で形成したチタンジルコン酸鉛系の焦電
体層である。３は焦電体層上に形成された受光用の電極
である。
施例を説明する。 実施例１ 図１は本発明の一実施例を示す焦電型赤外線検出器の検
出部分である焦電体素子の縦断面図である。図中、１は
円筒状の薄いチタン金属基板であり、２はその金属基板
上に水熱合成法で形成したチタンジルコン酸鉛系の焦電
体層である。３は焦電体層上に形成された受光用の電極
である。
【００１３】図１に示すような赤外線検出器用焦電体素
子を以下のような方法により製造した。チタン金属基板
１として円筒状に加工された厚さ２５μｍのものを使用
し、該チタン金属基板上に水熱合成法によりチタンジル
コン酸鉛の焦電体層を形成した。焦電体層の形成は具体
的には、次のようにして行った。
子を以下のような方法により製造した。チタン金属基板
１として円筒状に加工された厚さ２５μｍのものを使用
し、該チタン金属基板上に水熱合成法によりチタンジル
コン酸鉛の焦電体層を形成した。焦電体層の形成は具体
的には、次のようにして行った。
【００１４】Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 水溶液１６ｍｍｏｌ、Ｚ
ｒＯＣｌ2 水溶液８ｍｍｏｌ、ＴｉＣｌ4 水溶液０．８
ｍｍｏｌおよびＫＯＨ水溶液０．２ｍｏｌの混合溶液
（溶液合計量８７ｍｌ、充填率６４％）中に円筒状のチ
タン金属基板を浸漬し、１８０℃で１０時間水熱処理を
行った。このようにして得られたＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3
の結晶が析出した基板をさらに、Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 水溶
液１６ｍｍｏｌ、ＺｒＯＣｌ2 水溶液１．６ｍｍｏｌ、
ＴｉＣｌ4 水溶液１４．４ｍｍｏｌおよびＫＯＨ水溶液
２．３ｍｏｌの混合溶液（溶液合計６４０ｍｌ）中に入
れ、１３０℃、４８時間の水熱処理を行いＰｂ（ＺｒX
Ｔｉ1-X ）Ｏ3 （ただし、ｘ＝０．１）の膜を形成し
た。洗浄、乾燥後、スパッタリング法で所定の位置に約
０．３μｍの厚みの金電極を形成した。この焦電体素子
の焦電係数は４．０Ｃ／cm2 ・Ｋであり、焦電感度は１
０Ｈｚ以下（人体検知に対応する。）において２×１０
-6Ａ／Ｗと従来のＰＺＴ系のセラミックス薄板（厚さ〜
５０μｍ）からなる素子の約２倍であり、４０００Ｈｚ
以上では１×１０-5Ａ／Ｗと約１０倍以上であった。こ
の焦電体素子を用いて赤外線検出器を作製したところ、
焦電体素子が円筒状であるため広範囲の方向からの赤外
線入射に対して高感度な赤外線検出器であった。
ｒＯＣｌ2 水溶液８ｍｍｏｌ、ＴｉＣｌ4 水溶液０．８
ｍｍｏｌおよびＫＯＨ水溶液０．２ｍｏｌの混合溶液
（溶液合計量８７ｍｌ、充填率６４％）中に円筒状のチ
タン金属基板を浸漬し、１８０℃で１０時間水熱処理を
行った。このようにして得られたＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3
の結晶が析出した基板をさらに、Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 水溶
液１６ｍｍｏｌ、ＺｒＯＣｌ2 水溶液１．６ｍｍｏｌ、
ＴｉＣｌ4 水溶液１４．４ｍｍｏｌおよびＫＯＨ水溶液
２．３ｍｏｌの混合溶液（溶液合計６４０ｍｌ）中に入
れ、１３０℃、４８時間の水熱処理を行いＰｂ（ＺｒX
Ｔｉ1-X ）Ｏ3 （ただし、ｘ＝０．１）の膜を形成し
た。洗浄、乾燥後、スパッタリング法で所定の位置に約
０．３μｍの厚みの金電極を形成した。この焦電体素子
の焦電係数は４．０Ｃ／cm2 ・Ｋであり、焦電感度は１
０Ｈｚ以下（人体検知に対応する。）において２×１０
-6Ａ／Ｗと従来のＰＺＴ系のセラミックス薄板（厚さ〜
５０μｍ）からなる素子の約２倍であり、４０００Ｈｚ
以上では１×１０-5Ａ／Ｗと約１０倍以上であった。こ
の焦電体素子を用いて赤外線検出器を作製したところ、
焦電体素子が円筒状であるため広範囲の方向からの赤外
線入射に対して高感度な赤外線検出器であった。
【００１５】実施例２ 図２は本発明の他の実施例を示す赤外線検出器の検出部
分である焦電体素子の縦断面図である。図中、１は内部
が空洞である半円球状の薄いチタン金属基板であり、２
はその金属基板上に水熱合成法で形成したチタンジルコ
ン酸鉛系の焦電体層である。３は焦電体層上に形成した
受光用の電極である。この半円球形状を有する焦電体素
子は実施例１で述べた作製方法と同様な方法により作製
できる。この焦電体素子を用いて赤外線検出器を作製す
ると、広範囲からの赤外線入射に対して高感度な赤外線
検出器を作製することができる。
分である焦電体素子の縦断面図である。図中、１は内部
が空洞である半円球状の薄いチタン金属基板であり、２
はその金属基板上に水熱合成法で形成したチタンジルコ
ン酸鉛系の焦電体層である。３は焦電体層上に形成した
受光用の電極である。この半円球形状を有する焦電体素
子は実施例１で述べた作製方法と同様な方法により作製
できる。この焦電体素子を用いて赤外線検出器を作製す
ると、広範囲からの赤外線入射に対して高感度な赤外線
検出器を作製することができる。
【００１６】実施例３ 本発明の焦電体素子をスパッタ法により作製した実施例
を示す。図２に示すような赤外線検出器用焦電体素子を
スパッタ法を用いて以下のように製造した。導電性基板
としては、半円球状に加工されたポリイミドフィルム
（半径５ｍｍ、厚さ２５μｍ）上にスパッタ法により白
金を０．５μｍ堆積したものを使用し、該ポリイミドフ
ィルム上にスパッタ法によりチタン酸ジルコン酸鉛の焦
電体層を形成した。焦電体層の形成は具体的には、次の
ようにして行った。ターゲットには、Ｐｂ（Ｚｒ0.1 Ｔ
ｉ0.9 ）Ｏ3 粉末にＰｂＯ粉末を５重量％過剰に加えた
ものを使用した。スパッタリングガスとしてはＡｒ（５
０％）とＯ 2 （５０％）との混合ガスを使用し、ガス圧
１０-4Ｔｏｒｒ、高周波パワー１５０Ｗ、基板温度５０
０℃、スパッタ時間３時間で、約２μｍのＰＺＴ膜を形
成した。得られたＰＺＴ膜上にスパッタ法によりＡｕ電
極を形成することにより、半円球状の焦電体素子を製造
した。この焦電体素子を用いて赤外線検出器を作製する
と、広範囲からの赤外線入射に対して高感度な赤外線検
出器を作製することができる。
を示す。図２に示すような赤外線検出器用焦電体素子を
スパッタ法を用いて以下のように製造した。導電性基板
としては、半円球状に加工されたポリイミドフィルム
（半径５ｍｍ、厚さ２５μｍ）上にスパッタ法により白
金を０．５μｍ堆積したものを使用し、該ポリイミドフ
ィルム上にスパッタ法によりチタン酸ジルコン酸鉛の焦
電体層を形成した。焦電体層の形成は具体的には、次の
ようにして行った。ターゲットには、Ｐｂ（Ｚｒ0.1 Ｔ
ｉ0.9 ）Ｏ3 粉末にＰｂＯ粉末を５重量％過剰に加えた
ものを使用した。スパッタリングガスとしてはＡｒ（５
０％）とＯ 2 （５０％）との混合ガスを使用し、ガス圧
１０-4Ｔｏｒｒ、高周波パワー１５０Ｗ、基板温度５０
０℃、スパッタ時間３時間で、約２μｍのＰＺＴ膜を形
成した。得られたＰＺＴ膜上にスパッタ法によりＡｕ電
極を形成することにより、半円球状の焦電体素子を製造
した。この焦電体素子を用いて赤外線検出器を作製する
と、広範囲からの赤外線入射に対して高感度な赤外線検
出器を作製することができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、曲面形状の導電性基板
上に焦電体層を形成し、焦電体素子として使用すること
により、広範囲の方向からの赤外線を検出できる焦電型
の赤外線検出器を作製することができる。
上に焦電体層を形成し、焦電体素子として使用すること
により、広範囲の方向からの赤外線を検出できる焦電型
の赤外線検出器を作製することができる。
【図１】本発明の赤外線検出器用焦電体素子の一実施例
を示す縦断面図である。
を示す縦断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す赤外線検出器用焦電
体素子の縦断面図である。
体素子の縦断面図である。
１ 導電性基板（チタン） ２ 焦電体層 ３ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 隆幸 山口県宇部市大字小串1978番地の５ 宇部 興産株式会社宇部研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 曲面形状を有する導電性基板、該導電
性基板上に形成された焦電体層、および焦電体層上に設
けられた電極から構成されていることを特徴とする赤外
線検出器用焦電体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6271264A JPH08136342A (ja) | 1994-11-04 | 1994-11-04 | 赤外線検出器用焦電体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6271264A JPH08136342A (ja) | 1994-11-04 | 1994-11-04 | 赤外線検出器用焦電体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08136342A true JPH08136342A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=17497662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6271264A Pending JPH08136342A (ja) | 1994-11-04 | 1994-11-04 | 赤外線検出器用焦電体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08136342A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6120750A (en) * | 1998-03-26 | 2000-09-19 | Honda Giken Kobyo Kabushiki Kaisa | Method of producing lead-containing complex oxides |
| JP2004282089A (ja) * | 2004-03-31 | 2004-10-07 | Univ Kyoto | 機能素子、機能素子を用いた装置、および機能素子の製造方法 |
| JP2004304193A (ja) * | 2004-03-31 | 2004-10-28 | Kyoto Univ | 機能素子、機能素子を用いた装置、および機能素子の製造方法 |
| JP2007255929A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Kyoto Univ | 焦電型赤外線センサ |
| JP2013064756A (ja) * | 2012-12-25 | 2013-04-11 | Kobe Univ | 焦電型赤外線センサ |
-
1994
- 1994-11-04 JP JP6271264A patent/JPH08136342A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6120750A (en) * | 1998-03-26 | 2000-09-19 | Honda Giken Kobyo Kabushiki Kaisa | Method of producing lead-containing complex oxides |
| JP2004282089A (ja) * | 2004-03-31 | 2004-10-07 | Univ Kyoto | 機能素子、機能素子を用いた装置、および機能素子の製造方法 |
| JP2004304193A (ja) * | 2004-03-31 | 2004-10-28 | Kyoto Univ | 機能素子、機能素子を用いた装置、および機能素子の製造方法 |
| JP2007255929A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Kyoto Univ | 焦電型赤外線センサ |
| JP2013064756A (ja) * | 2012-12-25 | 2013-04-11 | Kobe Univ | 焦電型赤外線センサ |
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