JPH08130348A - 集積導波レンズを有する半導体レーザ装置 - Google Patents

集積導波レンズを有する半導体レーザ装置

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JPH08130348A
JPH08130348A JP7180528A JP18052895A JPH08130348A JP H08130348 A JPH08130348 A JP H08130348A JP 7180528 A JP7180528 A JP 7180528A JP 18052895 A JP18052895 A JP 18052895A JP H08130348 A JPH08130348 A JP H08130348A
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region
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Kang-Yih Liou
リオウ カン・イー
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 外部導波路あるいは光ファイバーに結合でき
る光出力が空間コーヒレトな半導体レーザを提供するこ
と。 【構成】 本発明の半導体レーザは、半導体材料に形成
されたレーザキャビティに配設された活性利得領域を有
する。レンズと導波路は、レーザキャビティ内に配設さ
れている。レンズは活性利得領域により発生される光エ
ネルギーを受け、このエネルギーを導波路の一端面に方
向付ける。導波路はレーザから外部ファイバーあるいは
導波路に光エネルギーを伝搬する。導波路は活性領域に
より発生される全モードから所定モード数を選択する単
一モード導波路あるいは多モード導波路でもよい。単一
モード導波路が採用される場合は、出力エネルギーは、
活性領域で発生される基本周波数より構成されている。
多モード導波路が採用される場合は、出力エネルギー
は、導波路により選択された所定モードより構成されて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザに係わり、
特に集積導波レンズを有する半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】光学システムや回路には、光学構造物を
結合する種々の光学装置が要求される。例えば、ネット
ワークに情報を送信する高能力光学通信システムは光学
的伝送節点、ファイバー、導波路、その他光エネルギー
の高出力供給源を要する単光、空間コーヒレンスのよう
なもので構成されている。このような光学エネルギーを
発生させる理想的なエネルギー供給源は半導体レーザで
ある。半導体レーザの一周知タイプは、広域半導体レー
ザであり、このレーザは高出力供給源を要し外形寸法が
大きくなる。
【０００３】このようなレーザの一例としては、 ”IEE
E Photonics Technorogy Letter、Vol.3,NO.4,P.308,199
1,に掲載された「ＩｎＧａＡｓ歪量子井戸層レーザの高
温作動」でフュー等により開示され、また １９９２年
にマサセチューセッツ州ボストン市で開催されたProc.C
onf.IEEE/LEOS Annu.Meeting,資料ＰＤ２の”高出力先
細半導体増幅器と９８０ｎｍレーザ”に開示されてい
る。広域半導体レーザは半導体レーザの他のタイプより
も多くの長所を持っている。例えば、このようなレーザ
は、高出力のほかに、高信頼性、および組立が比較的容
易な単純な構造を有している。しかしながら、広域半導
体レーザに関連する重要な欠点は光エネルギーの側方制
限への備えがないことであり、かつこのような周知の広
域半導体レーザは高度の空間コーヒレンスを欠く出力エ
ネルギーにより特徴付けられる。さらに、相対的に大き
い装置の外形寸法は、導波路のような外部装置に光出力
を効率よく結合するのを困難にする。これらの欠点の結
果として、広域レーザは通信システムに使用されず、特
徴ある種々の材料の使用、光の高輝度供給源が要求され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、光出力が空間コーヒレンスの高度合を示し、かつ、
光通信システムに採用することができるように効率的に
外部導波路、ファイバーに結合できる広域レーザのよう
な半導体レーザを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の一実施例では、
レーザは、活性利得領域が半導体材料に形成されたレー
ザキャビティに配設されている。レンズと導波路は又レ
ーザキャビティ内に配設されている。レンズは活性利得
領域により発生される光エネルギーを受け、このエネル
ギーを導波路の一端面に方向付ける。導波路はレーザか
ら外部ファイバーあるいは導波路に光エネルギーを伝搬
する。導波路は、活性領域により発生される全モードか
ら所定モード数を選択する単一モード導波路あるいは多
モード導波路でもよい。単一モード導波路が採用される
場合は、出力エネルギーは、活性領域で発生される基本
周波数より構成されている。多モード導波路が採用され
る場合は、出力エネルギーは、導波路により選択された
所定モードより構成されている。他の実施例では、活性
領域は矩形あるいは先細形状をしている。採用される形
状に関わりなく、レンズは通過する光エネルギーが活性
領域を実質的に満たすように回折されるような形状でよ
い。また、レンズは光エネルギーが導波路の一端面に集
中されるような形状でよい。
【０００６】
【実施例】最も簡単な形状の半導体レーザは直接ギャッ
プ半導体で組み立てられた順方向バイアス、ヘビードー
プＰＮ接合である。光フィードバックは光共振器を形成
するため結晶板に沿って半導体材料を切り開いて普通に
得られる反射面によりもたらされる。ＰＮ結合は光共振
器内に形成され、光エネルギーを発生させる能動媒質の
ような働きをする。半導体レーザの一つのクラスは典型
的にはガリュウムヒ素（ＧａＡｓ）やアルミニュウムガ
リュウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）のような一以上の半導体
材料で形成される半導体ヘテロ接合を用いる。半導体ヘ
テロ接合レーザは光閉じ込めを成し遂げるために異なる
光屈折係数も電気キャリア閉じ込めを成し遂げるために
異なる禁制帯幅エネルギーをも有する半導体材料の組み
合わせにより形成されている。
【０００７】図１は反射面２６と３２間に形成された半
導体キャビティに位置する活性領域２を有する半導体レ
ーザの平面図を示す。一般に、半導体レーザは直禁制帯
幅半導体３成分あるいは４成分合金組織より成り、その
種々の合金は、例えばＧａＡｓやＩｎＰのような基板結
晶の格子定数に近い格子定数を有するように選択され
る。本発明の半導体レーザを作る材料組織は、例えばＩ
ｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ、Ｇａ
Ａｓ／ＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧ
ａＡｓ／ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＳｂ／ＧａＡｌＡ
ｓＳｂを含む。さらに不整合が歪んだ層を構成するため
基板材料に生成される活性領域に計画される。また、素
子構造の外延は２−６族で混ぜ合わされた半導体を含む
ように計画されている。ヘテロ接合レーザの活性領域の
一つの例は、図２で示されるように３層の半導体材料で
構成されている。
【０００８】比較的高禁制帯幅を有するｐータイプ材料
１２と同様に比較的高禁制帯幅を有するｎータイプ材料
１４は素子のクラッド層を形成する。クラッド層１２、
１４は例えばＧａＡｌＡｓで構成されている。導波路コ
アを規定する活性導波路層１６はクラッド層１２、１４
にサンドウィツチされ、ＧａＡｓのような比較的低禁制
帯幅を有する材料あるいは複数の複合層シーケンスで形
成されている。ＡｕＺｎ／Ａｕのような電極１８がクラ
ッド層１２の上に被覆される。ｐーータイプＧａＡｓで構
成される接触層は、例えば電導率を高める電極１８とク
ラッド層１２間に挿入されている。ヘテロ接合レーザの
活性領域の他の例は、図３で示されるように４層の半導
体材料で構成されている。クラッド層１５、１０は例え
ばｎータイプＡｌＧａＡｓやｐータイプＩｎＧａＰのよう
な比較的高禁制帯幅を有する材料で構成されている。活
性導波路層１１と活性層１３は近接しクラッド層１０、
１５にサンドウィツチされている。活性導波路層１１と
活性層１３とで素子の導波路コアを形成する。
【０００９】活性導波路層１１は、活性層１３の禁制帯
幅より高いが、クラッド層１５、１０の禁制帯幅より低
い禁制帯幅エネルギーを有するＧａＡｓのような非ドー
プ材料で形成されている。活性層１３はＧａＡｓ／Ｉｎ
ＧａＡｓ複合量子整構造のような合成複合層構成を有す
る材料で形成されている。図２に示す構成では、電極１
７はクラッド層１５上に被覆されかつ両者間に接触層が
挿入される。上述の層構造よりなる半導体レーザの多く
にタイプは、高出力、連続波動作をたらすものとして知
られている。そのようなタイプのひとつは、広域レーザ
であり、これは約数１０ないし数１００ミクロンの横寸
法により特徴づけられる。この寸法は従来の単横モード
半導体レーザの横寸法より１０ー１００大きい。広域レ
ーザの活性は領域図１で示すような方形あるいは、図４
で示す光伝搬の方向に沿い指数関数的にあるいは直線的
に増加する活性領域の幅で先細の形状を有する。方形あ
るいは先細の活性領域の形状はレーザウェーハの表面に
パターン化された誘電体層を設けることにより形成され
る。
【００１０】例えば、先細の活性領域は電極の被覆に先
だって全レーザ構造の表面にＳｉＯ2を被覆することに
より形成される。そして先細を形成する酸化層の部分は
取り除かれる。この酸化層の部分が取り除かれた後、電
気接触子が表面の先細で露出された部分と素子の残部間
にだけ形成されるように電極は被覆される。活性層の面
内の構造の残部は高電気抵抗を有する半導体材料で形成
されている。このケースの場合、クラッド層の一部を形
成するこの高抵抗材料上の層は高抵抗半導体材料で構成
されている。
【００１１】図５は本発明の半導体レーザを示す。レー
ザは活性領域２、受動領域２０、２２、レンズ２４およ
び単一モード導波路３４で構成される。図５で示される
本発明の実施例で活性領域２は先細形状を有するが、活
性領域は所望のいかなる形状でも良い。活性領域２、レ
ンズ２４および単一モード導波路３４は全て同じ基板に
集積され、かつ反射面２１、３２で規定されるレーザキ
ャビティ内に形成される。反射面２１、３２は必要なら
薄いフィルムコーティングにより能力を高められる。受
動領域２０、２２は、通過する光エネルギーがこの光エ
ネルギーに対し利得の増加をもたらさない領域である。
もしレーザが図３に示されるような構造を有する活性領
域２を採用するなら、活性層１３が取り除かれ、クラッ
ド層１５がクラッド層から分離して生成される以外は、
受動領域２０、２２は同様の構造でよい。
【００１２】別法として、受動領域２０、２２は同一の
基板上であるが活性領域２から独立して生成された複層
導波路構造を構成する。このケースの場合、図２では突
合接続により受動領域２０、２２のコアは活性導波路層
に接続されている。受動領域２０、２２内のクラッド層
はドープしてもドープしなくてもよい。非ドープクラッ
ド層は受動領域内での導波路伝播損を減じることができ
る。図５で示される本発明の実施例では、レンズ２４は
活性領域２と受動領域２０間の境界の活性領域２に形成
される。図５の光線で示されるように、導波路３４はレ
ーザキャビティを規定する小面の一つに結合された第一
端面４０およびレンズ２４の焦点に位置する第二端面４
２を有するよう単一モード導波路３４はレーザキャビテ
ィ内に集積されている。導波路３４の第一端面４０は光
エネルギーが、例えば他の導波路あるいはレーザの外部
に位置するファイバーに透過するレーザの出力として役
立つ。
【００１３】Appl.Phys.Lett 62(8),1993,でベルディー
ル（Verdiell）等が引例により具体化し、開示している
ように、レンズは導波路層の厚さの変化により効果的な
屈折率を変化させられるように平面的な導波路に形成さ
れている。 図５で示される本発明の実施例では、レン
ズの屈折率の差分は活性領域２と受動領域２２間のコア
の厚さの差分により発生させる。この厚さの変化はコア
が受動導波路層１１のみにより構成されるように活性領
域の欠落によりもたらされる。レンズの形状は従来の光
線追跡法あるいはビーム伝搬計算により設計される。動
作中、活性領域２は反射面２１、３２で形成されるレー
ザキャビティ内で共振するレーザの発光しきい値を上回
る光エネルギーを発生させる。レンズ２４は、レンズ２
４の焦点に位置し、エネルギーが導波路３４の第二端面
４２に到着するよう反射面３２から反射する光エネルギ
ーを集束する。
【００１４】次に説明するように、単一モード導波路３
４は活性領域２により発生されるすべてのモードの中か
ら基本モードを選択するモードスタビライザとして機能
する。単一モード導波路３４は、活性領域２により発生
される基本モードだけを閉じ込め、活性領域２によりま
た発生されるより高い命令横モードは閉じ込めない。そ
れ故、より高いモードは反射面２１、３２間で劣等な結
合効率を有し、低損失で両反射面で基本モードだけが発
信できる。従って、基本モードが最低損失しきい値を有
するので、基本モードはキャビティ内のモードの中から
選択される。導波路３４はこのようにレーザキャビティ
内で共振し、外部の導波路にこのモードを接合する基本
モードを選択する。
【００１５】図６は本発明の他の実施例を示し、本実施
例では活性領域２は図５に示すような先細形状よりむし
ろほぼ矩形状を有する。このケースの場合、レンズ２４
は単一モード導波路３４のように活性領域２と同じ側に
位置する。図５に示す本実施例と同様に、導波路３４の
第２の端面４２はレンズ２４の焦点に位置する。レンズ
２４の焦点から伝搬する光エネルギーは、光エネルギー
がほぼ垂直方向に反射面３２から反射するようレンズを
通して伝送される。図５に示す本実施例と同様に、本実
施例では、単一モードは活性領域により発生する光エネ
ルギーの基本モードを選択する。当業者が図５、６の上
記説明から認めるように、レーザキャビティ内のレンズ
２４の最適な位置、形状は活性領域の形状により決定さ
れる。特に、レンズ２４は活性領域２を十分満たすよう
にそれらを通して伝送される光エネルギーが回折するよ
うに形成されている。
【００１６】従って、本発明は異なる形状の活性領域、
異なるレンズ形状を有するレーザ形状を意図し、その結
果本発明は図に示される形状に限定されるものではな
い。勿論、一実施例では他の実施例で有効でない有利な
特徴を有する。例えば、図５に示される実施例におい
て、光強度は活性領域の隅から隅まで一定ではなく、飽
和が非均一な方法で生じる。従って、光利得は飽和効果
のため活性領域の隅から隅まで均一ではない。対象的
に、図６で示される実施例では、光強度は活性領域の隅
から隅まで一定であり、従って利得はそれを通じて均一
である。受動領域２２は レンズ２４から離れた側面で
活性領域２と反射面３２間に挿入されている。
【００１７】図７は本発明の他の実施例を示し、図７で
は活性領域２は受動領域２２を削除して、反射面３２に
直接隣接する。また、図７は反射面４１と４２を示す
が、図７では受動導波路層１１は受動導波路３４により
選択されない命令モードのそれ以上の抑制バック反射を
完全に取り除く。受動導波路層１１のそのような削除は
図７の本発明の実施例のみならず、図４ー５で示される
本発明の実施例でも採用される。本発明の実施例におい
て、レンズは両者間の境界というよりは活性領域ないし
受動領域内に配設されている。これらの実施例では、屈
折率の変化はレンズを規定する位置で活性領域および、
または受動領域の厚さを変えることにより成し遂げられ
る。本発明のレーザは２スッテプＭＯＶＰＥプロセスに
より製造される。
【００１８】しかし、他のプロセスは例えば複数ステッ
プＬＰＥ、ＭＢＥあるいはＣＢＥのようなものを用いて
もよい。本発明の実施例では、構造は０．８ミクロン厚
ｎータイプＡｌ0.5ＧａＡｓボトムクラッド層１０で構
成される。図３に示されるように、０．２ミクロン非ド
ープＧａＡｓ層は受動導波路層１１を形成する。この薄
いＩｎＧａＰストップエッチング層は受動導波路層１１
に被覆されている。この活性層１３は５００ÅＧａＡｓ
ボトムバリヤー層、８０ÅＧａＡｓバリヤー層を有する
３個の４０Å圧縮変形したＩｎ0.3Ｇａ0.7Ａｓ量子井戸
および７００ÅＧａＡｓトップバリヤー層で構成されて
いる。１ミクロンＰ+タイプＩｎＧａＰはトップクラッ
ド層１５を形成し、この層の上ににはＰータイプＧａＡ
ｓ層コンスタント層が被覆されている。クラッド層１
５、活性層１３は受動領域２０、２２を形成するため基
板の一部からエッチングされる。
【００１９】受動領域２２が形成される一方、レンズは
ウェットケミカルエッチングによって形成され、上述の
方法の一つによって決定される形状を有するように形成
される。単モード導波路はクラッド層１５と活性層１３
が取り除かれた受動領域に組み立てられる。図３の導波
路１１２は例えば約２ミクロンの細長いリブロード導波
路を形成するように部分的にエッチングされている。埋
め込みヘテロ接合あるいはリッジ導波路を含む単一モー
ド導波路として働く。レンズや単一モード導波路の配列
に従って、１．２ミクロン厚非ドープＩｎＧａＰ層は受
動領域２０、２２にクラッド層１５を形成するため第２
ＭＯＶＰＥステップで被覆される。非ドープＩｎＧａＰ
層は増幅活性領域２からエッチングで取り去られる。本
発明は活性領域により発生される基本モードを選択する
ために単一モード導波路と合同する半導体レーザの条件
で説明されている。当業者は単一モードを選択する半導
体の使用に限定されず、活性領域により発生する全ての
モードから所定の数のモードを選択する導波路を採用し
てもよいことを認めるであろう。
【００２０】例えば、第１の１０モードあるいは第１の
１００モードを選択できる導波路を提供することは利益
のあることである。動作中本発明のレーザからの出力は
導波路３４に近接する、あるいは反射面３２に近接する
広域側から取り出される。受動導波路３４に近接する出
力は外部導波路あるいはファイバーに結合し、あるいは
広域側が自由空間適応として有用である。本発明の他の
実施例として、分布するブラグ反射レーザを提供するた
め受動導波路領域３４内で組立られる。さらに、モノシ
リック集積素子よりむしろ、このような構造はハイブリ
ットブラグ反射レーザとして組立られる。図１に示され
るような従来の広域レーザの反射コーティング反射面に
外部レンズを通して光学的に結合されている外部単モー
ドファイバー内で組み立てられている。
【発明の効果】本発明によれば、所定数のモードを外部
ファイバーないし導波路に効率的に伝搬できる半導体レ
ーザが開発された。
【図面の簡単な説明】
【図１】レーザキャビティに配設された活性領域を有す
る周知の半導体レーザの平面概略図である。
【図２】半導体レーザに使用された周知の活性領域の断
面図である。
【図３】半導体レーザに使用された周知の活性領域の断
面図である。
【図４】周知の先細光増幅器の平面図である。
【図５】本発明の一実施例の半導体レーザの平面図であ
る。
【図６】本発明の他の実施例の半導体レーザの平面図で
ある。
【図７】本発明のさらに他の実施例の半導体レーザの平
面図である。
【符号の説明】
２ 活性領域 １０ クラッド層 １１ 受動導波路層 １２ クラッド層 １３ 活性層 １４ クラッド層 １５ クラッド層 １６ 活性導波路層 １７ 電極 １８ 電極 ２０ 受動領域 ２１ 反射面 ２２ 受動領域 ２４ レンズ ３２ 反射面 ３４ 単一モード導波路 ４０ 第１端面 ４２ 第２端面

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】（ａ）その間にレーザキャビティを有する
    対向する反射面を有する基板と、前記レーザキャビティ
    が活性利得領域と受動領域とを有し、（ｂ）半導体材料
    から形成されるボトムクラッド層、コア層、およびトッ
    プクラッド層と、これらは、基板の前記活性利得領域お
    よび受動利得領域に配設され、前記活性利得領域にある
    前記コア層の一部は、連続する光エネルギーモードに利
    得を供給し、前記受動領域にあるコア層の一部は、利得
    を供給しない受動導波部層を形成し、（ｃ）所定の形状
    を有し、かつ前記コア層内を伝搬する光エネルギーが通
    過するような位置で前記基板に集積されたレンズと、
    （ｄ）前記基板に集積され、前記レンズからの光エネル
    ギーを受光する導波路とを有し、 前記導波路は、光出力として、連続する光エネルギーモ
    ードの中から部分集合モードを選択的に伝搬し、前記部
    分集合モードは、外部光ファイバーに結合することを特
    徴とするモノリシック半導体レーザ装置。
  2. 【請求項２】 前記レンズは、前記活性利得領域と受動
    領域間の境界に配設されており、前記レンズは、活性利
    得領域状態のコア層と受動領域状態にあるコア層間の厚
    さの違いで形成さる屈折ステップ率を生成することによ
    って形成されることを特徴とした請求項１の装置。
  3. 【請求項３】（ａ）その間にレーザキャビティを有する
    対向する反射面を有する基板と、前記レーザキャビティ
    が活性利得領域と受動領域とを有し、（ｂ）半導体材料
    から形成されるボトムクラッド層、コア層、およびトッ
    プクラッド層と、これらは、基板の前記活性利得領域お
    よび受動利得領域に配設され、前記活性利得領域にある
    前記コア層の一部は、光エネルギーに利得を供給し、前
    記受動領域にあるコア層の一部は、利得を供給しない受
    動導波部層を形成し、（ｃ）所定の形状を有し、かつ前
    記コア層内を伝搬する光エネルギーが通過するような位
    置で前記基板に集積されたレンズと、（ｄ）前記基板に
    集積され、前記レンズからの光エネルギーを受光し光エ
    ネルギーを出力する導波路と、を有し、 導波路に光エネルギーを伝搬するために、前記レンズ
    は、その焦点を前記導波路の一端と実質的に一致して配
    設されることを特徴とするモノリシック半導体レーザ装
    置。
  4. 【請求項４】（ａ）半導体材料に形成された対向する反
    射面で規定されるレーザキャビティと（ｂ）前記キャビ
    ティ内に配設された活性利得領域と、（ｃ）前記活性利
    得領域底部で発生する光エネルギーを受けるレンズと、
    （ｄ）前記レンズからの光エネルギーを受け、かつ共通
    基板にモノリシイカルに集積され前記キャビティ内に配
    設された前記レンズおよび前記導波路に光出力エネルギ
    ーを供給するための導波路と、を具備する半導体レー
    ザ。
  5. 【請求項５】（ａ）半導体材料に形成された対向する反
    射面で規定されるレーザキャビティと、（ｂ）前記キャ
    ビティ内に配設された活性利得領域と、（ｃ）前記活性
    利得領域底部で発生する光エネルギーを受けるレンズ
    と、（ｄ）前記レンズからの光エネルギーを受け、かつ
    共通基板にモノリシックに集積され前記キャビティ内に
    配設された前記レンズおよび前記導波路に光出力エネル
    ギーを供給するための導波路とを有し、前記導波路は、
    レンズの焦点に位置する第一端面を有することを特徴と
    した半導体レーザ。
  6. 【請求項６】 前記活性利得領域は、伝搬軸に沿って幅
    が増加する先細形状を有し、 前記レンズは、活性利得領域の幅が最大であり前記伝搬
    軸に沿った点に位置し、 前記導波路は、前記レンズからはなれた前記活性領域の
    側に位置していることを特徴とした請求項５のレーザ。
  7. 【請求項７】 前記レンズは、光エネルギーを前記導波
    路に伝搬するため前記導波路の一端と実質的に一致して
    位置する焦点を有することを特徴とした請求項１の装
    置。
  8. 【請求項８】 前記導波路はレンズの焦点に位置する第
    一の端面を有することを特徴とした請求項６のレーザ。
  9. 【請求項９】 前記活性利得領域は伝搬軸に沿って幅が
    増加する先細形状を有し、 前記レンズは、活性利得領域の幅が最大であり前記伝搬
    軸に沿った点に位置し前記導波路は前記レンズからはな
    れた前記活性領域の側に位置していることを特徴とした
    請求項５のレーザ。
  10. 【請求項１０】（ａ）半導体材料に形成された対向する
    反射面で規定されるレーザキャビティと、（ｂ）キャビ
    ティ内に配設された活性利得領域と、（ｃ）活性利得領
    域により発生する光エネルギーを受けためレーザキヤビ
    ティに配設されたレンズと、（ｄ）前記導波路が光エネ
    ルギーを受け、光出力ビームを伝搬するように前記活性
    利得領域外面に位置するキャビティ内に配設された導波
    路と、を有する半導体レーザ。
  11. 【請求項１１】 前記レーザは伝搬する光エネルギーが
    活性利得領域を満たすような位置関係にレーザキャビテ
    ィ内に配設され規定形状を有することを特徴とした請求
    項１０のレーザ。
  12. 【請求項１２】 前記レンズは光エネルギーを前記導波
    路に伝搬するため前記導波路の一端と実質的に一致して
    位置する焦点を有することを特徴とした請求項１０のレ
    ーザ。
  13. 【請求項１３】 前記活性利得領域は伝搬軸に沿って幅
    が増加する先細形状を有し、前記レンズは、活性利得領
    域の幅が最大であり前記伝搬軸に沿った点に位置し、前
    記導波路は前記レンズから離れた前記活性領域の側に位
    置していることを特徴とした請求項１０のレーザ。
JP7180528A 1994-06-30 1995-06-26 集積導波レンズを有する半導体レーザ装置 Pending JPH08130348A (ja)

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