JPH08130159A - 厚膜コンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】効率よく確実に且つ容易にコンデンサの容量調
整の可能な導体構造を有する厚膜コンデンサを提供す
る。 【構成】絶縁基板上１に形成された下層導体２と、該下
層導体上に形成された誘電体層３と、該誘電体層上に形
成された上層導体４と、少なくとも前記上層導体にトリ
ミング溝５が形成されてなる厚膜コンデンサにおいて、
前記下層導体又は上層導体のいずれか一方の導体が前記
トリミング溝を挟んで両側方向に導出されており、他方
の導体が前記トリミング溝の形成方向に沿って導出され
ていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、厚膜コンデンサに関
し、詳しくは厚膜コンデンサの導体の配置構造に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来この種の厚膜コンデンサは図６及び
図７に示すように、絶縁基板１０上にコンデンサを構成
する下層導体１１が形成され、前記下層導体１１に一部
重なるように誘電体層１２が印刷・焼成にて形成され、
そして、前記誘電体層１２に一部重なるように上層導体
１３が印刷・焼成にて形成されている。

【０００３】一般に厚膜コンデンサの容量は、面積の増
加に比例して増加し、厚みの増加に反比例して減少し、
同じ厚みの誘電体層１２のコンデンサの容量は図６に斜
線部Ｃで示すように下層導体１１と上層導体１３が重な
り合う面積の大きさで決まる。ところが印刷・焼成で形
成される従来の厚膜コンデンサは、下層導体と上層導体
の印刷時の形成位置が相対的に若干ズレることにより、
下層導体と上層導体の重なる面積が増減し、所望の容量
からズレたコンデンサが形成されてしまうという問題点
があった。

【０００４】そこで前述の問題点を解決するために、先
行技術としての実開昭５６−７８２３９号公報には図８
及び図９に示すように、下層導体１１と上層導体１３の
印刷・焼成時に位置ズレが生じても、下層導体と上層導
体が重なる面積に変化が生じないように、下層導体１１
と上層導体１３が略直交するように形成されている厚膜
コンデンサが提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の手段で
厚膜コンデンサの面積を一定化させても、コンデンサを
構成する誘電体層１２が印刷・焼成にて形成されている
ため、誘電体層の厚みに不可避的にバラツキが生じてし
まう。その結果、コンデンサの容量にバラツキが生じて
しまうので、厚膜コンデンサでは所望の容量よりも若干
大きめになるように誘電体層及び各導体が形成されてい
る。そして、厚膜コンデンサの容量を所望の容量にする
ために、上層導体をレーザーカットにてトリミング溝１
４を形成して誘電体層と導体との接触面積を調整し、コ
ンデンサの容量を調整していた。

【０００６】このため、図８に示すように、Ｄの位置か
ら上層導体１３の導出方向にトリミング溝１４をレーザ
ーカットにて形成してコンデンサの容量調整を始める
と、図９に示すように下層導体１１を幅方向に切離して
しまった場合にコンデンサの容量が大幅に変化してしま
うという問題点があった。これを防止するために、下層
導体１１が切離されるのを防止しつつトリミング溝１４
を形成するように、レーザー光線の出力をコントロール
しなければならない。そのために、レーザー光線の出力
を抑えてトリミング溝１４を形成して容量調整すること
となり、上部導体１３に切り残りが生じ易くコンデンサ
の容量が不安定になってしまうという問題点があった。

【０００７】また、下層導体１１が切離されるのを防止
しつつトリミング溝１４を形成するためにレーザー光線
を走査する長さが幅方向の長さ以下に設定しなければな
らないだけでなく、図８の上層導体Ｄ’で示す辺に沿っ
た位置から同辺方向の走査を対辺Ｄ方向に進めながらト
リミングを行った場合、精度良くコンデンサの容量調整
はできるのだが、開始位置であるＤ’辺の位置を正確に
認識しないと容量調整ができず、効率よく作業ができな
いという問題点があった。

【０００８】本発明は前述の課題を解決し、効率よく確
実に且つ容易にコンデンサの容量調整の可能な導体構造
を有する厚膜コンデンサを提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】従来の課題を解決するた
めに、本願の請求項１に記載の発明は、絶縁基板上に形
成された下層導体と、該下層導体上に形成された誘電体
層と、該誘電体層上に形成された上層導体と、少なくと
も前記上層導体にトリミング溝が形成されてなる厚膜コ
ンデンサにおいて、前記下層導体又は前記上層導体のい
ずれか一方の導体が前記トリミング溝を挟んで両側方向
に導出されており、他方の導体が前記トリミング溝の形
成方向に沿って導出されていることを特徴とする。

【００１０】

【発明の作用及び効果】厚膜コンデンサにおいて、下層
導体又は上層導体のいずれか一方の導体がトリミング溝
を挟んで両側方向に導出されており、他方の導体が前記
トリミング溝が形成される方向に沿って導出されている
ことにより、印刷ズレによる厚膜コンデンサの容量ばら
つきを生じることがない上に、コンデンサの容量調整の
為のトリミング溝を形成する位置が、トリミング溝が形
成される方向に沿って導出される導体の幅方向の両辺の
間であればよく、トリミング溝を形成する際の位置認識
が容易になり、コンデンサの容量調整作業の効率が向上
する。それにより、厚膜コンデンサの生産性の向上が可
能になるという効果を有する。

【００１１】又、厚膜コンデンサの容量を調整するため
のトリミング溝により導体が切離された場合であって
も、トリミング溝を挟んで両側に導出されていることに
より、上層導体と下層導体で構成される厚膜コンデンサ
がトリミング溝を間にして２つのコンデンサが並列に配
置された状態になる。それにより、トリミング溝の幅を
順次増加させることで安定して厚膜コンデンサの容量調
整が可能になるという効果を有する。

【００１２】更に、トリミング溝を形成するためのレー
ザーカットに使用されるレーザーの出力を下げることな
くコンデンサの容量調整することができる。それによ
り、従来の製造方法を変更することなく上層導体の調整
部分を完全に切除することができ、安定して厚膜コンデ
ンサの容量調整をすることが可能になるという効果を有
する。

【００１３】

【実施例】以下本発明の厚膜コンデンサの実施例を図面
を用いて説明する。図１は厚膜コンデンサの一実施例を
示す平面図で、ハイブリッド回路電子回路の一部を示し
ている。セラミック製の絶縁基板１の表面に略帯状の下
層導体２が銀及び白金を含む導電ペーストを印刷・焼成
して形成されている。

【００１４】前記略帯状の下層導体２に一部重なる、誘
電体層３が略矩形状にチタン酸バリウムを含む誘電体ペ
ーストを印刷・焼成して形成されている。尚、誘電体層
３は印刷による厚みのバラツキ及び下層導体２と後述の
上層導体４の位置ズレを考慮して、コンデンサ容量が所
望の値より大きめになるように形成されている。前記下
層導体２及び誘電体層３上に重なり、上層導体４が略コ
字状に銀及び白金を含む導電ペーストを印刷・焼成され
ることにより形成され、それにより厚膜コンデンサが形
成されている。

【００１５】そして、コンデンサ容量を調整するため
に、トリミング溝５がレーザー光線にて下層導体２の導
出方向に上層導体４の一部を除去するように形成されて
いる。この場合、コンデンサ容量調整のためのトリミン
グ溝は、下層導体２が導出される方向に形成されてお
り、上層導体４はトリミング溝５を挟んでトリミング溝
５の形成される方向に略直交するように導出されてい
る。

【００１６】次に、本発明の他の実施例は、図３に示
す。本実施例では、セラミック製の絶縁基板１の表面に
略コ字状の下層導体２が銀及び白金を含む導電ペースト
を印刷・焼成して形成されている。前記略コ字状の下層
導体２に一部重なり、誘電体層３が略矩形状にチタン酸
バリウムを含む誘電体ペーストを印刷・焼成して形成さ
れている。尚、誘電体層３は印刷による厚みのバラツキ
及び下層導体２と後述の上層導体４の位置ズレを考慮し
て、コンデンサ容量が所望の値より若干大きめに形成さ
れている。

【００１７】前記下層導体２及び誘電体層３上に重な
り、上層導体４が略帯状に銀及び白金を含む導電ペース
トを印刷・焼成されることにより形成され、それにより
厚膜コンデンサが形成されている。そしてコンデンサ容
量を調整するために、トリミング溝５がレーザー光線に
て上層導体４の導出方向に略沿って、又はこれと斜め方
向に上層導体４の一部を除去するように形成されてい
る。

【００１８】更に他の厚膜コンデンサの実施例を図４、
図５に示す。図４に示される厚膜コンデンサは、セラミ
ック製の絶縁基板１の表面に略帯状の下層導体２が銀及
び白金を含む導電ペーストを印刷・焼成して形成されて
いる。前記略帯状の下層導体２に一部重なり、誘電体層
３が略矩形状にチタン酸バリウムを含む誘電体ペースト
を印刷・焼成して形成されている。

【００１９】前記下層導体２及び誘電体層３上に重な
り、上層導体４が略逆く字状に屈曲部を成すように銀及
び白金を含む導電ペーストを印刷・焼成されることによ
り形成され、それにより厚膜コンデンサが形成されてい
る。そしてコンデンサ容量を調整するために、トリミン
グ溝５がレーザー光線にて下層導体２の導出方向に上層
導体４の一部を除去するように形成されている。

【００２０】図５に示される厚膜コンデンサは、セラミ
ック製の絶縁基板１の表面に円弧状の曲部を有する下層
導体２が銀及び白金を含む導電ペーストを印刷・焼成し
て形成されている。前記円弧状の曲部を有する下層導体
２に一部重なり、誘電体層３が略矩形状にチタン酸バリ
ウムを含む誘電体ペーストを印刷・焼成して形成されて
いる。

【００２１】前記下層導体２及び誘電体層３上に重な
り、上層導体４が略帯状に銀及び白金を含む導電ペース
トを印刷・焼成されることにより形成され、それにより
厚膜コンデンサが形成されている。そしてコンデンサ容
量を調整するために、トリミング溝５がレーザー光線に
て上層導体４の導出方向に沿って上層導体４の一部を除
去するように形成されている。

【００２２】図１に示す実施例によれば、例えば下層導
体２方向に施したトリミング溝５により下層導体２が図
２に示すように切離されても、上層導体４はトリミング
溝を挟んで両側方向に導出されているので、図１の斜線
Ｌ、Ｒで示す２つのコンデンサが並列状に配置された状
態になる。それにより、厚膜コンデンサの容量調整のト
リミング溝５を形成する位置は図１に示すように下層導
体２の幅Ａ−Ａ’辺間の任意の位置でよく、形成位置の
認識が簡略化され、コンデンサの容量調整作業の効率が
向上するだけでなく、トリミング溝５の長さを切離上層
導体４の幅寸法以上にしても前述の効果が得られる。

【００２３】図３に示す実施例によれば、トリミング溝
を斜めに形成したことで、同寸法のコンデンサ領域内に
より長いトリミング溝の形成が可能になり、トリミング
作業の効率化が可能となる。又、トリミング溝は上層導
体４のＢ−Ｂ’辺間で所望のコンデンサ容量に併せて角
度を自由に傾けて形成することが可能となる。そして、
本発明の厚膜コンデンサにおいて、トリミング溝の形成
される方向に沿って導出される導体は、図１及び図４の
実施例に示されるように下層導体でも、図３及び図５の
実施例に示されるように上層導体のどちらでも良い。

【００２４】更に、本発明の厚膜コンデンサにおいて、
トリミング溝を挟んで導出される導体は、図１及び図３
に示される実施例のように直線状のものだけでなく、図
４及び図５に示される実施例のように屈曲部や曲部を有
するもので良い。又、前記下層導体及び上層導体が絶縁
基板上の図示しない他の抵抗器やダイオード等の電子部
品に接続されてハイブリッド回路電子部品の一部を構成
しているが、必要に応じて厚膜コンデンサを保護する保
護層（図示せず）が形成される。

【００２５】尚、本発明は前述の各実施例に記載された
導体の形状、導出方向、及び誘電体層の形状等の構成に
特に限定されるものではない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の厚膜コンデンサの一実施例を示す部分
平面図

【図２】図１の本発明の厚膜コンデンサのａ−ａ断面図

【図３】本発明の厚膜コンデンサの他の実施例を示す部
分平面図

【図４】本発明の厚膜コンデンサの他の実施例を示す部
分平面図

【図５】本発明の厚膜コンデンサの他の実施例を示す部
分平面図

【図６】従来の厚膜コンデンサを示す部分平面図

【図７】図６の従来の厚膜コンデンサのｃ−ｃ断面図

【図８】従来の厚膜コンデンサを示す部分平面図

【図９】図８の従来の厚膜コンデンサのｄ−ｄ断面図

【符号の説明】

１・・・・絶縁基板 ２・・・・下層導体 ３・・・・誘電体層 ４・・・・上層導体 ５・・・・トリミング溝 １０・・・絶縁基板 １１・・・下層導体 １２・・・誘電体層 １３・・・上層導体 １４・・・トリミング溝

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板上に形成された下層導体と、該
   下層導体上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形
   成された上層導体と、少なくとも前記上層導体にトリミ
   ング溝が形成されてなる厚膜コンデンサにおいて、 前記下層導体又は前記上層導体のいずれか一方の導体が
   前記トリミング溝を挟んで両側方向に導出されており、
   他方の導体が前記トリミング溝の形成方向に沿って導出
   されていることを特徴とする厚膜コンデンサ。