JPH0812904A - 電磁波吸収ペーストおよびそのペーストで処理された電子部品 - Google Patents
電磁波吸収ペーストおよびそのペーストで処理された電子部品Info
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- JPH0812904A JPH0812904A JP15222994A JP15222994A JPH0812904A JP H0812904 A JPH0812904 A JP H0812904A JP 15222994 A JP15222994 A JP 15222994A JP 15222994 A JP15222994 A JP 15222994A JP H0812904 A JPH0812904 A JP H0812904A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 グラウンドパターンに接続する必要のない電
磁波シールド層を形成する。 【構成】 Ｍｎ−Ｚｎ，Ｎｉ−Ｚｎ，Ｍｇ−Ｍｎ，Ｍｇ
−Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉体の一種又は二種以上とレ
ゾール型フェノール樹脂とを、重量比で９０／１０乃至
９７／３の範囲で調整し、上記配合１００に対しカップ
リング剤を０．１乃至５重量部添加してなる構成の電磁
波吸収ペーストとする。このペーストでもって各種基板
の電磁波シールド６を行う。このシールド層６は、電磁
波吸収によるエネルギーを熱として放散する。このた
め、グラウンドパターンに接続する必要はない。
磁波シールド層を形成する。 【構成】 Ｍｎ−Ｚｎ，Ｎｉ−Ｚｎ，Ｍｇ−Ｍｎ，Ｍｇ
−Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉体の一種又は二種以上とレ
ゾール型フェノール樹脂とを、重量比で９０／１０乃至
９７／３の範囲で調整し、上記配合１００に対しカップ
リング剤を０．１乃至５重量部添加してなる構成の電磁
波吸収ペーストとする。このペーストでもって各種基板
の電磁波シールド６を行う。このシールド層６は、電磁
波吸収によるエネルギーを熱として放散する。このた
め、グラウンドパターンに接続する必要はない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電磁波吸収ペース
ト、詳しくは電子部品の表面にディッピング法により塗
布するものであって、該電子部品が製作される工程、回
路基板に装着される工程、例えばディップフロー工程な
どで遭遇する過酷な温度条件に耐えうる電磁波吸収ペー
ストおよびこれを塗布した電子部品に関する。
ト、詳しくは電子部品の表面にディッピング法により塗
布するものであって、該電子部品が製作される工程、回
路基板に装着される工程、例えばディップフロー工程な
どで遭遇する過酷な温度条件に耐えうる電磁波吸収ペー
ストおよびこれを塗布した電子部品に関する。
【０００２】
【従来技術とその課題】本出願人は、これまで銅粉とフ
ェノール樹脂を主配合成分とするＥＭＩ対策用導電ペー
ストを開発し市場に提供してきた（特開平３−２２３３
７１号公報、特開平４−１１６４５号公報参照）。この
導電ペーストによる電子部品の電磁波遮蔽の構造は、図
２に示すようにその性質上遮蔽層６から回路基板のグラ
ウンドパターン４ａに導電材７を介して電気エネルギー
を落とさなければならない問題がある（短絡させる必要
がある）。同図中、１は樹脂基板、２は各種チップ部
品、３は抵抗などの電子部品素子、４はリード端子、５
は樹脂保護層である。
ェノール樹脂を主配合成分とするＥＭＩ対策用導電ペー
ストを開発し市場に提供してきた（特開平３−２２３３
７１号公報、特開平４−１１６４５号公報参照）。この
導電ペーストによる電子部品の電磁波遮蔽の構造は、図
２に示すようにその性質上遮蔽層６から回路基板のグラ
ウンドパターン４ａに導電材７を介して電気エネルギー
を落とさなければならない問題がある（短絡させる必要
がある）。同図中、１は樹脂基板、２は各種チップ部
品、３は抵抗などの電子部品素子、４はリード端子、５
は樹脂保護層である。
【０００３】一方、グラウンドパターン４ａに落とす必
要がなく、且つ電磁波遮蔽効果を得るものとしてフェラ
イト粉を充填した電磁波吸収塗料がある。この電磁波吸
収塗料は、電磁波エネルギーを放熱によって吸収するも
のであり、これまで一般に広く使用されているのは、橋
梁や架橋による反射波による電磁波障害を防止する程度
のもので、それほど高い電磁波吸収特性を要求されなか
った。
要がなく、且つ電磁波遮蔽効果を得るものとしてフェラ
イト粉を充填した電磁波吸収塗料がある。この電磁波吸
収塗料は、電磁波エネルギーを放熱によって吸収するも
のであり、これまで一般に広く使用されているのは、橋
梁や架橋による反射波による電磁波障害を防止する程度
のもので、それほど高い電磁波吸収特性を要求されなか
った。
【０００４】しかしながら、電子部品の電磁波遮蔽とな
ると、従来の程度の吸収特性では不十分で、より高い吸
収特性が求められ、そのためにはフェライト粉の充填量
を多くする必要がある。また、電子部品の製造工程や該
電子部品の回路基板への実装工程を考えると、溶融半田
浴に浸せきさせて基板と電子部品の端子リードとを半田
付けする工程（ディップフロー工程）などがあり、こう
した工程の環境条件に耐えるものが求められるが、従来
の電磁波吸収塗料では、このような条件に叶うものは無
かった。
ると、従来の程度の吸収特性では不十分で、より高い吸
収特性が求められ、そのためにはフェライト粉の充填量
を多くする必要がある。また、電子部品の製造工程や該
電子部品の回路基板への実装工程を考えると、溶融半田
浴に浸せきさせて基板と電子部品の端子リードとを半田
付けする工程（ディップフロー工程）などがあり、こう
した工程の環境条件に耐えるものが求められるが、従来
の電磁波吸収塗料では、このような条件に叶うものは無
かった。
【０００５】本発明は、上記従来の実情に鑑み、化学的
に安定で高温に耐え、且つ高い電磁波吸収特性を有する
ペーストとすることを課題とする。
に安定で高温に耐え、且つ高い電磁波吸収特性を有する
ペーストとすることを課題とする。
【０００６】
【発明の課題解決のための手段】上記課題の解決のため
に、電磁波吸収ペーストに係る本発明にあっては、Ｍｎ
−Ｚｎ，Ｎｉ−Ｚｎ，Ｍｇ−Ｍｎ，Ｍｇ−Ｎｉ−Ｚｎ系
フェライト粉体の一種又は二種以上とレゾール型フェノ
ール樹脂とを、重量比で９０／１０乃至９７／３の範囲
で調整し、上記配合１００に対しカップリング剤を０．
１乃至５重量部添加してなる構成としたのである。その
レゾール型フェノール樹脂は下記の構成のものとすると
よい。
に、電磁波吸収ペーストに係る本発明にあっては、Ｍｎ
−Ｚｎ，Ｎｉ−Ｚｎ，Ｍｇ−Ｍｎ，Ｍｇ−Ｎｉ−Ｚｎ系
フェライト粉体の一種又は二種以上とレゾール型フェノ
ール樹脂とを、重量比で９０／１０乃至９７／３の範囲
で調整し、上記配合１００に対しカップリング剤を０．
１乃至５重量部添加してなる構成としたのである。その
レゾール型フェノール樹脂は下記の構成のものとすると
よい。
【０００７】記 ２−１置換体、２，４−２、２，４，６−３置換体、メ
チロール基、ジメチレンエーテル、フェニル基の各赤外
線透過率をｌ，ｍ，ｎ，ａ，ｂ，ｃ，とするとき、各透
過率の間に （イ）１／ｎ＝０．８〜１．２ （ロ）ｍ／ｎ＝０．８〜１．２ （ハ）ｂ／ａ＝０．８〜１．２ （ニ）ｃ／ａ＝１．２〜１．５ なる関係が成り立つレゾール型フェノール樹脂。
チロール基、ジメチレンエーテル、フェニル基の各赤外
線透過率をｌ，ｍ，ｎ，ａ，ｂ，ｃ，とするとき、各透
過率の間に （イ）１／ｎ＝０．８〜１．２ （ロ）ｍ／ｎ＝０．８〜１．２ （ハ）ｂ／ａ＝０．８〜１．２ （ニ）ｃ／ａ＝１．２〜１．５ なる関係が成り立つレゾール型フェノール樹脂。
【０００８】また、電子部品に係る本発明にあっては、
その外部表面に、接続端子極を除いて上記電磁波吸収ペ
ーストを塗布してなる構成としたのである。
その外部表面に、接続端子極を除いて上記電磁波吸収ペ
ーストを塗布してなる構成としたのである。
【０００９】上記フェライト粉体の粒径は１００μm 以
下とし、好ましくは５〜３０μm である。１００μm を
越えると塗布面が悪くなり、スクリーン印刷法による塗
布では良好な塗布面を望むことができなくなる。
下とし、好ましくは５〜３０μm である。１００μm を
越えると塗布面が悪くなり、スクリーン印刷法による塗
布では良好な塗布面を望むことができなくなる。
【００１０】上記配合においてフェライト粉体の配合量
が少ないときは電磁波吸収機能が期待できず、過多のと
きは樹脂によるフェライト粉体のバインドが不十分とな
り、クラックが入りかえって電磁波吸収機能が悪くな
る。
が少ないときは電磁波吸収機能が期待できず、過多のと
きは樹脂によるフェライト粉体のバインドが不十分とな
り、クラックが入りかえって電磁波吸収機能が悪くな
る。
【００１１】上記フェノール樹脂の配合量が規定量より
少ないときはフェライト粉体のバインドが不十分となっ
て塗膜の剥落したり、クラックが入ったりして電磁波吸
収機能が悪くなる。また、過多のときは塗膜の電磁波吸
収機能が低下する。
少ないときはフェライト粉体のバインドが不十分となっ
て塗膜の剥落したり、クラックが入ったりして電磁波吸
収機能が悪くなる。また、過多のときは塗膜の電磁波吸
収機能が低下する。
【００１２】Ｍｎ−Ｚｎ，Ｎｉ−Ｚｎ，Ｍｇ−Ｍｎ，Ｍ
ｇ−Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉体の一種又は二種以上と
レゾール型フェノール樹脂とのより好ましい配合範囲
は、重量比で９４／６乃至９２／８の範囲で、この範囲
で調整したものは特性が最も安定している。
ｇ−Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉体の一種又は二種以上と
レゾール型フェノール樹脂とのより好ましい配合範囲
は、重量比で９４／６乃至９２／８の範囲で、この範囲
で調整したものは特性が最も安定している。
【００１３】レゾール型フェノール樹脂は、上記の範囲
で良好な硬度と接着力の塗膜がえられる。また、その化
学量、２−１置換体量をλ、２，４−２置換体量をμ、
２，４，６−３置換体量をν、メチロール基量をα、ジ
メチレンエーテル量をβ、フェニール基量をγとする
と、前記構成の１／ｎ、ｍ／ｎ、が大きいということ
は、λ／ν、μ／νが小さいということになる。すなわ
ち、２−１置換体量λ、２，４−２置換体量μに比し
て、２，４，６−３置換体量νが多いことを意味する。
また、前記構成のｂ／ａ、ｃ／ａが大きいということ
は、β／α、γ／αが小さいということになる。すなわ
ち、ジメチレンエーテル量β、フェニール基量γに比し
て、メチロール基量αが多いということを意味する。
で良好な硬度と接着力の塗膜がえられる。また、その化
学量、２−１置換体量をλ、２，４−２置換体量をμ、
２，４，６−３置換体量をν、メチロール基量をα、ジ
メチレンエーテル量をβ、フェニール基量をγとする
と、前記構成の１／ｎ、ｍ／ｎ、が大きいということ
は、λ／ν、μ／νが小さいということになる。すなわ
ち、２−１置換体量λ、２，４−２置換体量μに比し
て、２，４，６−３置換体量νが多いことを意味する。
また、前記構成のｂ／ａ、ｃ／ａが大きいということ
は、β／α、γ／αが小さいということになる。すなわ
ち、ジメチレンエーテル量β、フェニール基量γに比し
て、メチロール基量αが多いということを意味する。
【００１４】一般に、２，４，６−３置換体量νが大き
くなると、レゾール型フェノール樹脂の架橋密度が大き
くなるため、前記λ／ν、μ／νが小さい方が、すなわ
ち、１／ｎ、ｍ／ｎが大きい方が塗膜が硬く、脆くなる
傾向を示し物理的特性が悪くなる。
くなると、レゾール型フェノール樹脂の架橋密度が大き
くなるため、前記λ／ν、μ／νが小さい方が、すなわ
ち、１／ｎ、ｍ／ｎが大きい方が塗膜が硬く、脆くなる
傾向を示し物理的特性が悪くなる。
【００１５】従って、塗膜の硬さ、物理的特性を適当に
するレゾール型フェノール樹脂としては、前記構成に示
す１／ｎ、ｍ／ｎ、ｂ／ａ、がそれぞれ０．８〜１．
２、ｃ／ａが１．２〜１．５とするのが適している。
するレゾール型フェノール樹脂としては、前記構成に示
す１／ｎ、ｍ／ｎ、ｂ／ａ、がそれぞれ０．８〜１．
２、ｃ／ａが１．２〜１．５とするのが適している。
【００１６】ペースト中のフェライト粉体の分散をよく
するために、フェライト粉体をチタネート、ジルコネー
ト、ステアリン酸、ステアリン酸塩、またはこれらの混
合物（以下、単にカップリング剤という。）で表面処理
するか、それらを配合の際に添加する。添加量は０．１
〜５．０重量部とし、好ましくは０．３〜２．０重量部
とする。添加量が少ないときは分散が不十分となり、多
くしても分散の効果はそれ以上望めないばかりか、多す
ぎると塗膜の密着性が悪くなる。
するために、フェライト粉体をチタネート、ジルコネー
ト、ステアリン酸、ステアリン酸塩、またはこれらの混
合物（以下、単にカップリング剤という。）で表面処理
するか、それらを配合の際に添加する。添加量は０．１
〜５．０重量部とし、好ましくは０．３〜２．０重量部
とする。添加量が少ないときは分散が不十分となり、多
くしても分散の効果はそれ以上望めないばかりか、多す
ぎると塗膜の密着性が悪くなる。
【００１７】
【作用】上記の如く構成する発明にあっては、フェライ
ト粉体とレゾール形フェノール樹脂とが上記配合でもっ
て混和されているため、その樹脂によってフェライト粉
体が有効にバインドされる。このため、フェライト粉体
の充填量も多くすることができ、これにより、電磁波吸
収特性が向上し、一方、フェライト粉体の増量は放熱効
果の向上ともなり、耐熱性も向上する。
ト粉体とレゾール形フェノール樹脂とが上記配合でもっ
て混和されているため、その樹脂によってフェライト粉
体が有効にバインドされる。このため、フェライト粉体
の充填量も多くすることができ、これにより、電磁波吸
収特性が向上し、一方、フェライト粉体の増量は放熱効
果の向上ともなり、耐熱性も向上する。
【００１８】
【実施例】実施例１〜５として、下記表１で示す、平均
粒径３０μm のＭｎ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｚｎ、Ｍｇ−Ｍｎ、
Ｍｇ−Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉と、レゾール型フェノ
ール樹脂（群栄化学株式会社，商品番号PL4348）と、を
重量比率で９１／９乃至９６／４とし、両者を１００と
してカップリング剤を０．１乃至２．０重量部（味の素
株式会社，商品番号KR-TTS）を添加し、溶剤として３−
メチル３−メトキシ１−ブタノールを加えながら３軸ロ
ールで混練し、その粘度が２０乃至４０ポイズ（リオン
社製，粘度測定器ＶＴ−０４型）に調整して電磁波吸収
ペーストを得た。
粒径３０μm のＭｎ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｚｎ、Ｍｇ−Ｍｎ、
Ｍｇ−Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉と、レゾール型フェノ
ール樹脂（群栄化学株式会社，商品番号PL4348）と、を
重量比率で９１／９乃至９６／４とし、両者を１００と
してカップリング剤を０．１乃至２．０重量部（味の素
株式会社，商品番号KR-TTS）を添加し、溶剤として３−
メチル３−メトキシ１−ブタノールを加えながら３軸ロ
ールで混練し、その粘度が２０乃至４０ポイズ（リオン
社製，粘度測定器ＶＴ−０４型）に調整して電磁波吸収
ペーストを得た。
【００１９】一方、比較例１、２として、同表１で示
す、同平均粒径３０μｍのフェライト粉とレゾール型フ
ェノール樹脂とを、重量比で９０／１１以下、又は９８
／２以上とし、両者を１００としてカップリング剤を
０．１乃至５重量部添加した電磁波吸収ペースト、及び
比較例３、４として、同重量比を９０／１０乃至９７／
３、同重量部を０．０５又は６とした電磁波吸収ペース
トを得た。
す、同平均粒径３０μｍのフェライト粉とレゾール型フ
ェノール樹脂とを、重量比で９０／１１以下、又は９８
／２以上とし、両者を１００としてカップリング剤を
０．１乃至５重量部添加した電磁波吸収ペースト、及び
比較例３、４として、同重量比を９０／１０乃至９７／
３、同重量部を０．０５又は６とした電磁波吸収ペース
トを得た。
【００２０】なお、上記溶剤に代えて、ブチルセロソル
ブ、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテー
ト、ブチルセロソルブアセテート、メチルイソブチルチ
レン、トルエン、キシレン等公知の溶剤を使用すること
ができる。
ブ、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテー
ト、ブチルセロソルブアセテート、メチルイソブチルチ
レン、トルエン、キシレン等公知の溶剤を使用すること
ができる。
【００２１】
【表１】
【００２２】つぎに、図１に示すように、銅箔回路パタ
ーンを形成したエポキシ樹脂基板１上に、各種チップ部
品２、抵抗３等の電子部品素子を搭載又は印刷して設け
るとともに、その回路から所要数のリード端子４……を
突出させる。
ーンを形成したエポキシ樹脂基板１上に、各種チップ部
品２、抵抗３等の電子部品素子を搭載又は印刷して設け
るとともに、その回路から所要数のリード端子４……を
突出させる。
【００２３】その基板１をエポキシ樹脂浴中に浸漬し、
所要厚の保護層５を形成する。その浸漬の際、各リード
端子４……の露出部（接続部）まで、すなわち、接続部
を残して浸漬し、各リード端子４……間が確実に樹脂で
充填被覆されるようにする。これは、後述のシールド層
６とリード端子４……を短絡させないためである。
所要厚の保護層５を形成する。その浸漬の際、各リード
端子４……の露出部（接続部）まで、すなわち、接続部
を残して浸漬し、各リード端子４……間が確実に樹脂で
充填被覆されるようにする。これは、後述のシールド層
６とリード端子４……を短絡させないためである。
【００２４】つづいて、その基板１を、上記電磁波吸収
ペーストの浴に浸漬して、所要厚のシールド層６を形成
する。その浸漬深さはリード端子４側の保護層５の縁に
到らないようにする。こうして塗布したシールド層６を
硬化するために、１００℃で１０分間仮乾燥し、次い
で、１６０℃で３０分間加熱する。
ペーストの浴に浸漬して、所要厚のシールド層６を形成
する。その浸漬深さはリード端子４側の保護層５の縁に
到らないようにする。こうして塗布したシールド層６を
硬化するために、１００℃で１０分間仮乾燥し、次い
で、１６０℃で３０分間加熱する。
【００２５】このようにして、得られた電子部品搭載基
板を半田ディップ試験（２６０℃×１０sec ×５cycle
）を行った後、電磁波遮蔽効果、塗膜の密着度、塗膜
の亀裂発生の有無の試験を行った結果を、同表の下欄に
示す。
板を半田ディップ試験（２６０℃×１０sec ×５cycle
）を行った後、電磁波遮蔽効果、塗膜の密着度、塗膜
の亀裂発生の有無の試験を行った結果を、同表の下欄に
示す。
【００２６】密着度の試験は、ＪＩＳ Ｋ ５４００の
碁盤目テープ法に準拠し、塗膜の亀裂の有無とともに目
視により判断し、良品を○、やや不良を△で表示した。
また、電磁波遮蔽効果は、初期の目的特性を達成したも
のを○、達成に至らなかったものを△として表示した。
碁盤目テープ法に準拠し、塗膜の亀裂の有無とともに目
視により判断し、良品を○、やや不良を△で表示した。
また、電磁波遮蔽効果は、初期の目的特性を達成したも
のを○、達成に至らなかったものを△として表示した。
【００２７】試験の結果、実施例のものは全ての試験項
目に合格しているが、比較例１は、密着度との亀裂の項
では問題ないが、フェライト粉が少ないので電磁波遮蔽
効果が不十分である。同２のものは、樹脂量が不足して
いるため、亀裂、密着が不十分でフェライト粉のバイン
ドが悪くなった結果、電磁波遮蔽効果も不十分になって
いる。同３のものは、亀裂、密着性に問題はないが、カ
ップリング剤の不足によりフェライト粉が偏在し、その
結果、電磁波遮蔽効果が不十分となった。同４のもの
は、カップリング剤が多くなった結果、密着性が不十分
になった。
目に合格しているが、比較例１は、密着度との亀裂の項
では問題ないが、フェライト粉が少ないので電磁波遮蔽
効果が不十分である。同２のものは、樹脂量が不足して
いるため、亀裂、密着が不十分でフェライト粉のバイン
ドが悪くなった結果、電磁波遮蔽効果も不十分になって
いる。同３のものは、亀裂、密着性に問題はないが、カ
ップリング剤の不足によりフェライト粉が偏在し、その
結果、電磁波遮蔽効果が不十分となった。同４のもの
は、カップリング剤が多くなった結果、密着性が不十分
になった。
【００２８】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明によれば、電
磁波吸収によるエネルギーは、熱となって放散されるの
で、金属粉の塗膜の電磁波遮蔽のようにクラウンドパタ
ーンに接続する必要がなく、容易に電磁波遮蔽処理をす
ることができる。
磁波吸収によるエネルギーは、熱となって放散されるの
で、金属粉の塗膜の電磁波遮蔽のようにクラウンドパタ
ーンに接続する必要がなく、容易に電磁波遮蔽処理をす
ることができる。
【図１】一実施例の断面図
【図２】（ａ）は従来例の正面図、（ｂ）は同図のＸ−
Ｘ線断面図
Ｘ線断面図
１ 基板 ２ チップ部品 ３ 抵抗 ４ リード端子 ４ａ グラウンドパターン（グラウンドリード端子） ５ 保護層 ６ シールド層（電磁波遮蔽層） ７ 導電材
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｍｎ−Ｚｎ，Ｎｉ−Ｚｎ，Ｍｇ−Ｍｎ，
Ｍｇ−Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉体の一種又は二種以上
とレゾール型フェノール樹脂とを、重量比で９０／１０
乃至９７／３の範囲で調整し、上記配合１００に対しカ
ップリング剤を０．１乃至５重量部添加してなることを
特徴とする電磁波吸収ペースト。 - 【請求項２】 電子部品の外部表面に、接続端子極を除
いて請求項１記載の電磁波吸収ペーストを塗布してなる
ことを特徴とする電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15222994A JPH0812904A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | 電磁波吸収ペーストおよびそのペーストで処理された電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15222994A JPH0812904A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | 電磁波吸収ペーストおよびそのペーストで処理された電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0812904A true JPH0812904A (ja) | 1996-01-16 |
Family
ID=15535915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15222994A Pending JPH0812904A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | 電磁波吸収ペーストおよびそのペーストで処理された電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0812904A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001010180A1 (en) * | 1999-08-03 | 2001-02-08 | Moon Ho Lee | Space defining structure for magnetic homogenization |
| JP2006143903A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Bio Media Co Ltd | 電磁波吸収性塗布剤の製造方法及び装置 |
| US20180315527A1 (en) * | 2015-09-30 | 2018-11-01 | Amosense Co., Ltd. | Magnetic Shielding Unit For Magnetic Security Transmission, Module Comprising Same, And Portable Device Comprising Same |
-
1994
- 1994-07-04 JP JP15222994A patent/JPH0812904A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001010180A1 (en) * | 1999-08-03 | 2001-02-08 | Moon Ho Lee | Space defining structure for magnetic homogenization |
| JP2006143903A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Bio Media Co Ltd | 電磁波吸収性塗布剤の製造方法及び装置 |
| US20180315527A1 (en) * | 2015-09-30 | 2018-11-01 | Amosense Co., Ltd. | Magnetic Shielding Unit For Magnetic Security Transmission, Module Comprising Same, And Portable Device Comprising Same |
| US10930418B2 (en) * | 2015-09-30 | 2021-02-23 | Amosense Co., Ltd. | Magnetic shielding unit for magnetic security transmission, module comprising same, and portable device comprising same |
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