JPH08120453A - Cvd装置 - Google Patents
Cvd装置Info
- Publication number
- JPH08120453A JPH08120453A JP26274194A JP26274194A JPH08120453A JP H08120453 A JPH08120453 A JP H08120453A JP 26274194 A JP26274194 A JP 26274194A JP 26274194 A JP26274194 A JP 26274194A JP H08120453 A JPH08120453 A JP H08120453A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust
- wafer
- reaction tube
- gas
- cvd apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 排気ガスの流れに偏りがなくなり、ウェーハ
間及びウェーハ面内の膜厚を一層均一にする。 【構成】 反応管9内にウェーハ5を挿入して密閉し、
このウェーハ5をヒータにより加熱すると共に反応管9
内にプロセスガスを供給し流通して排気することにより
ウェーハ5を成膜処理するCVD装置において、排気部
に環状排気路13を有する排気フランジ7を設け、この
環状排気路13の内周面に、周方向に所定間隔をおいて
複数の吸気孔6を設け、環状排気路13の外周面に排気
管14を接続し、又は排気フランジに、周方向に所定間
隔をおいて複数個の排気管を接続することを特徴とす
る。
間及びウェーハ面内の膜厚を一層均一にする。 【構成】 反応管9内にウェーハ5を挿入して密閉し、
このウェーハ5をヒータにより加熱すると共に反応管9
内にプロセスガスを供給し流通して排気することにより
ウェーハ5を成膜処理するCVD装置において、排気部
に環状排気路13を有する排気フランジ7を設け、この
環状排気路13の内周面に、周方向に所定間隔をおいて
複数の吸気孔6を設け、環状排気路13の外周面に排気
管14を接続し、又は排気フランジに、周方向に所定間
隔をおいて複数個の排気管を接続することを特徴とす
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、反応管内にプロセスガ
スを流通させながら反応管内のウェーハを加熱して成膜
処理するCVD装置に係り、特にその排気部に関する。
スを流通させながら反応管内のウェーハを加熱して成膜
処理するCVD装置に係り、特にその排気部に関する。
【0002】
【従来の技術】従来装置は、図1を参照して説明する
と、アウタチューブ1とインナチューブ2よりなる反応
管9内に、多数枚のウェーハ5を載せたボート3を,そ
のキャップ4を介して載置したシールキャップ10をエ
レベータアーム8により上動することにより挿入してシ
ールキャップ10で密閉し、ウェーハ5をアウタチュー
ブ1の外側に設けられるヒータ(図示せず)により加熱
すると共にインナチューブ2内にガス供給口11よりプ
ロセスガスを供給して流通し、アウタチューブ1にイン
ナチューブ2との間を経て排気口12より排気すること
によりウェーハ5にCVD膜を生成するものである。
と、アウタチューブ1とインナチューブ2よりなる反応
管9内に、多数枚のウェーハ5を載せたボート3を,そ
のキャップ4を介して載置したシールキャップ10をエ
レベータアーム8により上動することにより挿入してシ
ールキャップ10で密閉し、ウェーハ5をアウタチュー
ブ1の外側に設けられるヒータ(図示せず)により加熱
すると共にインナチューブ2内にガス供給口11よりプ
ロセスガスを供給して流通し、アウタチューブ1にイン
ナチューブ2との間を経て排気口12より排気すること
によりウェーハ5にCVD膜を生成するものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来例に
あっては、プロセスガスが反応管9下部のガス供給口1
1の反対側にある排気口12より一括で排気されていた
ため、排気ガスの流れに偏りができ、ウェーハ5間及び
ウェーハ面内の膜厚にバラツキができるという課題があ
る。
あっては、プロセスガスが反応管9下部のガス供給口1
1の反対側にある排気口12より一括で排気されていた
ため、排気ガスの流れに偏りができ、ウェーハ5間及び
ウェーハ面内の膜厚にバラツキができるという課題があ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の第1装置は、上
記の課題を解決するため、図1に示すように反応管9内
にウェーハ5を挿入して密閉し、このウェーハ5をヒー
タにより加熱すると共に反応管9内にプロセスガスを供
給し流通して排気することによりウェーハ5を成膜処理
するCVD装置において、排気部に環状排気路13を有
する排気フランジ7を設け、この環状排気路13の内周
面に、周方向に所定間隔をおいて複数の吸気孔6を設
け、環状排気路13の外周面に排気管14を接続するこ
とを特徴とする。
記の課題を解決するため、図1に示すように反応管9内
にウェーハ5を挿入して密閉し、このウェーハ5をヒー
タにより加熱すると共に反応管9内にプロセスガスを供
給し流通して排気することによりウェーハ5を成膜処理
するCVD装置において、排気部に環状排気路13を有
する排気フランジ7を設け、この環状排気路13の内周
面に、周方向に所定間隔をおいて複数の吸気孔6を設
け、環状排気路13の外周面に排気管14を接続するこ
とを特徴とする。
【0005】本発明の第2装置は、同じ課題を解決する
ため、図2に示すように反応管9内にウェーハ5を挿入
して密閉し、このウェーハ5をヒータにより加熱すると
共に反応管9内にプロセスガスを供給し流通して排気す
ることによりウェーハ5を成膜処理するCVD装置にお
いて、排気フランジ7に周方向に所定間隔をおいて複数
個の排気管14を接続することを特徴とする。
ため、図2に示すように反応管9内にウェーハ5を挿入
して密閉し、このウェーハ5をヒータにより加熱すると
共に反応管9内にプロセスガスを供給し流通して排気す
ることによりウェーハ5を成膜処理するCVD装置にお
いて、排気フランジ7に周方向に所定間隔をおいて複数
個の排気管14を接続することを特徴とする。
【0006】
【作 用】第1装置は、上記のような構成であるから、
排気ガスは反応管9内より複数の吸気孔6を経て環状排
気路13内に導出され、これより排気管14を経てその
排気口12より排気されるが、この際、排気ガスが反応
管9内より複数の吸気孔6を経て分散して排気されるた
め、排気ガスの流れに偏りがなくなり、ウェーハ間及び
ウェーハ面内の膜厚を一層、均一にすることができるこ
とになる。
排気ガスは反応管9内より複数の吸気孔6を経て環状排
気路13内に導出され、これより排気管14を経てその
排気口12より排気されるが、この際、排気ガスが反応
管9内より複数の吸気孔6を経て分散して排気されるた
め、排気ガスの流れに偏りがなくなり、ウェーハ間及び
ウェーハ面内の膜厚を一層、均一にすることができるこ
とになる。
【0007】第2装置は、上記のような構成であるか
ら、排気ガスは反応管9内より排気フランジ7に周方向
に所定間隔をおいて接続された複数個の排気管14を通
り、分散して排気されるため、排気ガスの流れに偏りが
なくなり、ウェーハ間及びウェーハ面内の膜厚を一層、
均一にすることができることになる。
ら、排気ガスは反応管9内より排気フランジ7に周方向
に所定間隔をおいて接続された複数個の排気管14を通
り、分散して排気されるため、排気ガスの流れに偏りが
なくなり、ウェーハ間及びウェーハ面内の膜厚を一層、
均一にすることができることになる。
【0008】
【実施例】図1(A),(B)はそれぞれ本発明装置の
第1実施例の構成を示す断面図及びその排気フランジの
詳細断面図である。まず、この第1実施例の構成を説明
する。図1において1はアウタチューブ、2はインナチ
ューブでこれらは反応管9を形成する。3は多数枚のウ
ェーハ5を載置したボート、4はそのキャップ、10は
ボート3をそのキャップ4を介して載置したシールキャ
ップ、8はこのシールキャップ10を昇降するエレベー
タアームである。7はアウタチューブ1及びインナチュ
ーブ2を支持する排気フランジで、ガス供給口11と排
気口12を有する。
第1実施例の構成を示す断面図及びその排気フランジの
詳細断面図である。まず、この第1実施例の構成を説明
する。図1において1はアウタチューブ、2はインナチ
ューブでこれらは反応管9を形成する。3は多数枚のウ
ェーハ5を載置したボート、4はそのキャップ、10は
ボート3をそのキャップ4を介して載置したシールキャ
ップ、8はこのシールキャップ10を昇降するエレベー
タアームである。7はアウタチューブ1及びインナチュ
ーブ2を支持する排気フランジで、ガス供給口11と排
気口12を有する。
【0009】この第1実施例は、アウタチューブ1とイ
ンナチューブ2よりなる反応管9内に、多数枚のウェー
ハ5を載せたボート3を,そのキャップ4を介して載置
したシールキャップ10をエレベータアーム8により上
動することにより挿入してシールキャップ10で密閉
し、ウェーハ5をアウタチューブ1の外側に設けられる
ヒータ(図示せず)により加熱すると共にインナチュー
ブ2内にガス供給口11よりプロセスガスを供給して流
通し、アウタチューブ1にインナチューブ2との間を経
て排気口12より排気することによりウェーハ5にCV
D膜を生成する縦型CVD装置において、排気部に環状
排気路13を有する排気フランジ7を設け、この環状排
気路13の内周面に周方向に所定間隔をおいて多数の吸
気孔6を設け、これらの吸気孔6の孔径を,排気管接続
位置より遠ざかるに従って大きくすると共に環状排気路
13の外周面に排気管14を接続せしめる。
ンナチューブ2よりなる反応管9内に、多数枚のウェー
ハ5を載せたボート3を,そのキャップ4を介して載置
したシールキャップ10をエレベータアーム8により上
動することにより挿入してシールキャップ10で密閉
し、ウェーハ5をアウタチューブ1の外側に設けられる
ヒータ(図示せず)により加熱すると共にインナチュー
ブ2内にガス供給口11よりプロセスガスを供給して流
通し、アウタチューブ1にインナチューブ2との間を経
て排気口12より排気することによりウェーハ5にCV
D膜を生成する縦型CVD装置において、排気部に環状
排気路13を有する排気フランジ7を設け、この環状排
気路13の内周面に周方向に所定間隔をおいて多数の吸
気孔6を設け、これらの吸気孔6の孔径を,排気管接続
位置より遠ざかるに従って大きくすると共に環状排気路
13の外周面に排気管14を接続せしめる。
【0010】上記構成の第1実施例において、多数枚の
ウェーハ5は図示しないヒータにより加熱され、かつガ
ス供給口11より供給されたプロセスガスがインナチュ
ーブ2内を流通し、アウタチューブ1とインナチューブ
2の間を通って多数の吸気孔6より環状排気路13内に
導出し、これより排気管14を経て排気口12より排気
することにより各ウェーハ5にCVD膜が生成される。
この場合、排気ガスは、アウタチューブ1とインナチュ
ーブ2との間から多数の吸気孔6を経て分散して排気さ
れるため、排気ガスの流れに偏りがなくなり、ウェーハ
間及びウェーハ面内の膜厚が一層均一になる。多数の吸
気孔6の孔径を、排気管14の接続位置より遠ざかるに
従って大きくした時は、周径の場合よりも排気ガスの流
れの偏りをなお一層なくすことができ、膜厚の均一性を
より一層、高めることができる。又、排気管14を複数
個とし、環状排気路13の外周面に、周方向に所定間隔
をおいて複数個の排気管14を接続してもよく、同様の
効果を奏する。
ウェーハ5は図示しないヒータにより加熱され、かつガ
ス供給口11より供給されたプロセスガスがインナチュ
ーブ2内を流通し、アウタチューブ1とインナチューブ
2の間を通って多数の吸気孔6より環状排気路13内に
導出し、これより排気管14を経て排気口12より排気
することにより各ウェーハ5にCVD膜が生成される。
この場合、排気ガスは、アウタチューブ1とインナチュ
ーブ2との間から多数の吸気孔6を経て分散して排気さ
れるため、排気ガスの流れに偏りがなくなり、ウェーハ
間及びウェーハ面内の膜厚が一層均一になる。多数の吸
気孔6の孔径を、排気管14の接続位置より遠ざかるに
従って大きくした時は、周径の場合よりも排気ガスの流
れの偏りをなお一層なくすことができ、膜厚の均一性を
より一層、高めることができる。又、排気管14を複数
個とし、環状排気路13の外周面に、周方向に所定間隔
をおいて複数個の排気管14を接続してもよく、同様の
効果を奏する。
【0011】図2(A),(B)はそれぞれ第2実施例
の構成を示す断面図及びその排気フランジの詳細断面図
である。この第2実施例は、アウタチューブ1とインナ
チューブ2よりなる反応管9内に、多数枚のウェーハ5
を載せたボート3を,そのキャップ4を介して載置した
シールキャップ10をエレベータアーム8により上動す
ることにより挿入してシールキャップ10で密閉し、ウ
ェーハ5をアウタチューブ1の外側に設けられるヒータ
(図示せず)により加熱すると共にインナチューブ2内
にガス供給口11よりプロセスガスを供給して流通し、
アウタチューブ1にインナチューブ2との間を経て排気
口12より排気することによりウェーハ5にCVD膜を
生成する縦型CVD装置において、排気フランジ7に、
周方向に所定間隔をおいて複数個、例えば4個の排気管
14を接続せしめる。
の構成を示す断面図及びその排気フランジの詳細断面図
である。この第2実施例は、アウタチューブ1とインナ
チューブ2よりなる反応管9内に、多数枚のウェーハ5
を載せたボート3を,そのキャップ4を介して載置した
シールキャップ10をエレベータアーム8により上動す
ることにより挿入してシールキャップ10で密閉し、ウ
ェーハ5をアウタチューブ1の外側に設けられるヒータ
(図示せず)により加熱すると共にインナチューブ2内
にガス供給口11よりプロセスガスを供給して流通し、
アウタチューブ1にインナチューブ2との間を経て排気
口12より排気することによりウェーハ5にCVD膜を
生成する縦型CVD装置において、排気フランジ7に、
周方向に所定間隔をおいて複数個、例えば4個の排気管
14を接続せしめる。
【0012】上記構成の第2実施例において、多数枚の
ウェーハ5への成膜は上記第1実施例と同様に説明でき
る。この第2実施例の場合、排気ガスは、アウタチュー
ブ1とインナチューブ2との間より4個の排気管14を
通り分散して排気されるため、排気ガスの流れに偏りが
なくなり、ウェーハ間及びウェーハ面内の膜厚が一層均
一になる。
ウェーハ5への成膜は上記第1実施例と同様に説明でき
る。この第2実施例の場合、排気ガスは、アウタチュー
ブ1とインナチューブ2との間より4個の排気管14を
通り分散して排気されるため、排気ガスの流れに偏りが
なくなり、ウェーハ間及びウェーハ面内の膜厚が一層均
一になる。
【0013】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、排気ガスを反応管内より分散して排気するようにし
たので、排気ガスの流れに偏りがなくなり、ウェーハ間
及びウェーハ面内の膜厚を一層均一にすることができ
る。
ば、排気ガスを反応管内より分散して排気するようにし
たので、排気ガスの流れに偏りがなくなり、ウェーハ間
及びウェーハ面内の膜厚を一層均一にすることができ
る。
【図1】(A),(B)はそれぞれ本発明装置の第1実
施例の構成を示す断面図及びその排気フランジの詳細断
面図である。
施例の構成を示す断面図及びその排気フランジの詳細断
面図である。
【図2】(A),(B)はそれぞれ第2実施例の構成を
示す断面図及びその排気フランジの詳細断面図である。
示す断面図及びその排気フランジの詳細断面図である。
1 アウタチューブ 2 インナチューブ 3 ボート 4 キャップ 5 ウェーハ 6 吸気孔 7 排気フランジ 8 エレベータアーム 9 反応管 10 シールキャップ 11 ガス供給口 12 排気口 13 環状排気路 14 排気管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/31 B
Claims (4)
- 【請求項1】 反応管内にウェーハを挿入して密閉し、
このウェーハをヒータにより加熱すると共に反応管内に
プロセスガスを供給し流通して排気することによりウェ
ーハを成膜処理するCVD装置において、排気部に環状
排気路を有する排気フランジを設け、この環状排気路の
内周面に、周方向に所定間隔をおいて複数の吸気孔を設
け、環状排気路の外周面に排気管を接続することを特徴
とするCVD装置。 - 【請求項2】 複数の吸気孔の孔径は、排気管の接続位
置より遠ざかるに従って大きくすることを特徴とする請
求項1のCVD装置。 - 【請求項3】 環状排気路の外周面に、周方向に所定間
隔をおいて複数個の排気管を接続することを特徴とする
請求項1のCVD装置。 - 【請求項4】 反応管内にウェーハを挿入して密閉し、
このウェーハをヒータにより加熱すると共に反応管内に
プロセスガスを供給し流通して排気することによりウェ
ーハを成膜処理するCVD装置において、排気フランジ
に周方向に所定間隔をおいて複数個の排気管を接続する
ことを特徴とするCVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26274194A JPH08120453A (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | Cvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26274194A JPH08120453A (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | Cvd装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08120453A true JPH08120453A (ja) | 1996-05-14 |
Family
ID=17379944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26274194A Pending JPH08120453A (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | Cvd装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08120453A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8172947B2 (en) | 2006-09-25 | 2012-05-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and attaching/detaching method of reaction vessel |
-
1994
- 1994-10-26 JP JP26274194A patent/JPH08120453A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8172947B2 (en) | 2006-09-25 | 2012-05-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and attaching/detaching method of reaction vessel |
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