JPH08120453A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH08120453A JPH08120453A JP26274194A JP26274194A JPH08120453A JP H08120453 A JPH08120453 A JP H08120453A JP 26274194 A JP26274194 A JP 26274194A JP 26274194 A JP26274194 A JP 26274194A JP H08120453 A JPH08120453 A JP H08120453A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust
- wafer
- reaction tube
- gas
- cvd apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 排気ガスの流れに偏りがなくなり、ウェーハ
間及びウェーハ面内の膜厚を一層均一にする。 【構成】 反応管９内にウェーハ５を挿入して密閉し、
このウェーハ５をヒータにより加熱すると共に反応管９
内にプロセスガスを供給し流通して排気することにより
ウェーハ５を成膜処理するＣＶＤ装置において、排気部
に環状排気路１３を有する排気フランジ７を設け、この
環状排気路１３の内周面に、周方向に所定間隔をおいて
複数の吸気孔６を設け、環状排気路１３の外周面に排気
管１４を接続し、又は排気フランジに、周方向に所定間
隔をおいて複数個の排気管を接続することを特徴とす
る。
間及びウェーハ面内の膜厚を一層均一にする。 【構成】 反応管９内にウェーハ５を挿入して密閉し、
このウェーハ５をヒータにより加熱すると共に反応管９
内にプロセスガスを供給し流通して排気することにより
ウェーハ５を成膜処理するＣＶＤ装置において、排気部
に環状排気路１３を有する排気フランジ７を設け、この
環状排気路１３の内周面に、周方向に所定間隔をおいて
複数の吸気孔６を設け、環状排気路１３の外周面に排気
管１４を接続し、又は排気フランジに、周方向に所定間
隔をおいて複数個の排気管を接続することを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、反応管内にプロセスガ
スを流通させながら反応管内のウェーハを加熱して成膜
処理するＣＶＤ装置に係り、特にその排気部に関する。
スを流通させながら反応管内のウェーハを加熱して成膜
処理するＣＶＤ装置に係り、特にその排気部に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来装置は、図１を参照して説明する
と、アウタチューブ１とインナチューブ２よりなる反応
管９内に、多数枚のウェーハ５を載せたボート３を，そ
のキャップ４を介して載置したシールキャップ１０をエ
レベータアーム８により上動することにより挿入してシ
ールキャップ１０で密閉し、ウェーハ５をアウタチュー
ブ１の外側に設けられるヒータ（図示せず）により加熱
すると共にインナチューブ２内にガス供給口１１よりプ
ロセスガスを供給して流通し、アウタチューブ１にイン
ナチューブ２との間を経て排気口１２より排気すること
によりウェーハ５にＣＶＤ膜を生成するものである。
と、アウタチューブ１とインナチューブ２よりなる反応
管９内に、多数枚のウェーハ５を載せたボート３を，そ
のキャップ４を介して載置したシールキャップ１０をエ
レベータアーム８により上動することにより挿入してシ
ールキャップ１０で密閉し、ウェーハ５をアウタチュー
ブ１の外側に設けられるヒータ（図示せず）により加熱
すると共にインナチューブ２内にガス供給口１１よりプ
ロセスガスを供給して流通し、アウタチューブ１にイン
ナチューブ２との間を経て排気口１２より排気すること
によりウェーハ５にＣＶＤ膜を生成するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来例に
あっては、プロセスガスが反応管９下部のガス供給口１
１の反対側にある排気口１２より一括で排気されていた
ため、排気ガスの流れに偏りができ、ウェーハ５間及び
ウェーハ面内の膜厚にバラツキができるという課題があ
る。
あっては、プロセスガスが反応管９下部のガス供給口１
１の反対側にある排気口１２より一括で排気されていた
ため、排気ガスの流れに偏りができ、ウェーハ５間及び
ウェーハ面内の膜厚にバラツキができるという課題があ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１装置は、上
記の課題を解決するため、図１に示すように反応管９内
にウェーハ５を挿入して密閉し、このウェーハ５をヒー
タにより加熱すると共に反応管９内にプロセスガスを供
給し流通して排気することによりウェーハ５を成膜処理
するＣＶＤ装置において、排気部に環状排気路１３を有
する排気フランジ７を設け、この環状排気路１３の内周
面に、周方向に所定間隔をおいて複数の吸気孔６を設
け、環状排気路１３の外周面に排気管１４を接続するこ
とを特徴とする。
記の課題を解決するため、図１に示すように反応管９内
にウェーハ５を挿入して密閉し、このウェーハ５をヒー
タにより加熱すると共に反応管９内にプロセスガスを供
給し流通して排気することによりウェーハ５を成膜処理
するＣＶＤ装置において、排気部に環状排気路１３を有
する排気フランジ７を設け、この環状排気路１３の内周
面に、周方向に所定間隔をおいて複数の吸気孔６を設
け、環状排気路１３の外周面に排気管１４を接続するこ
とを特徴とする。
【０００５】本発明の第２装置は、同じ課題を解決する
ため、図２に示すように反応管９内にウェーハ５を挿入
して密閉し、このウェーハ５をヒータにより加熱すると
共に反応管９内にプロセスガスを供給し流通して排気す
ることによりウェーハ５を成膜処理するＣＶＤ装置にお
いて、排気フランジ７に周方向に所定間隔をおいて複数
個の排気管１４を接続することを特徴とする。
ため、図２に示すように反応管９内にウェーハ５を挿入
して密閉し、このウェーハ５をヒータにより加熱すると
共に反応管９内にプロセスガスを供給し流通して排気す
ることによりウェーハ５を成膜処理するＣＶＤ装置にお
いて、排気フランジ７に周方向に所定間隔をおいて複数
個の排気管１４を接続することを特徴とする。
【０００６】
【作 用】第１装置は、上記のような構成であるから、
排気ガスは反応管９内より複数の吸気孔６を経て環状排
気路１３内に導出され、これより排気管１４を経てその
排気口１２より排気されるが、この際、排気ガスが反応
管９内より複数の吸気孔６を経て分散して排気されるた
め、排気ガスの流れに偏りがなくなり、ウェーハ間及び
ウェーハ面内の膜厚を一層、均一にすることができるこ
とになる。
排気ガスは反応管９内より複数の吸気孔６を経て環状排
気路１３内に導出され、これより排気管１４を経てその
排気口１２より排気されるが、この際、排気ガスが反応
管９内より複数の吸気孔６を経て分散して排気されるた
め、排気ガスの流れに偏りがなくなり、ウェーハ間及び
ウェーハ面内の膜厚を一層、均一にすることができるこ
とになる。
【０００７】第２装置は、上記のような構成であるか
ら、排気ガスは反応管９内より排気フランジ７に周方向
に所定間隔をおいて接続された複数個の排気管１４を通
り、分散して排気されるため、排気ガスの流れに偏りが
なくなり、ウェーハ間及びウェーハ面内の膜厚を一層、
均一にすることができることになる。
ら、排気ガスは反応管９内より排気フランジ７に周方向
に所定間隔をおいて接続された複数個の排気管１４を通
り、分散して排気されるため、排気ガスの流れに偏りが
なくなり、ウェーハ間及びウェーハ面内の膜厚を一層、
均一にすることができることになる。
【０００８】
【実施例】図１（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明装置の
第１実施例の構成を示す断面図及びその排気フランジの
詳細断面図である。まず、この第１実施例の構成を説明
する。図１において１はアウタチューブ、２はインナチ
ューブでこれらは反応管９を形成する。３は多数枚のウ
ェーハ５を載置したボート、４はそのキャップ、１０は
ボート３をそのキャップ４を介して載置したシールキャ
ップ、８はこのシールキャップ１０を昇降するエレベー
タアームである。７はアウタチューブ１及びインナチュ
ーブ２を支持する排気フランジで、ガス供給口１１と排
気口１２を有する。
第１実施例の構成を示す断面図及びその排気フランジの
詳細断面図である。まず、この第１実施例の構成を説明
する。図１において１はアウタチューブ、２はインナチ
ューブでこれらは反応管９を形成する。３は多数枚のウ
ェーハ５を載置したボート、４はそのキャップ、１０は
ボート３をそのキャップ４を介して載置したシールキャ
ップ、８はこのシールキャップ１０を昇降するエレベー
タアームである。７はアウタチューブ１及びインナチュ
ーブ２を支持する排気フランジで、ガス供給口１１と排
気口１２を有する。
【０００９】この第１実施例は、アウタチューブ１とイ
ンナチューブ２よりなる反応管９内に、多数枚のウェー
ハ５を載せたボート３を，そのキャップ４を介して載置
したシールキャップ１０をエレベータアーム８により上
動することにより挿入してシールキャップ１０で密閉
し、ウェーハ５をアウタチューブ１の外側に設けられる
ヒータ（図示せず）により加熱すると共にインナチュー
ブ２内にガス供給口１１よりプロセスガスを供給して流
通し、アウタチューブ１にインナチューブ２との間を経
て排気口１２より排気することによりウェーハ５にＣＶ
Ｄ膜を生成する縦型ＣＶＤ装置において、排気部に環状
排気路１３を有する排気フランジ７を設け、この環状排
気路１３の内周面に周方向に所定間隔をおいて多数の吸
気孔６を設け、これらの吸気孔６の孔径を，排気管接続
位置より遠ざかるに従って大きくすると共に環状排気路
１３の外周面に排気管１４を接続せしめる。
ンナチューブ２よりなる反応管９内に、多数枚のウェー
ハ５を載せたボート３を，そのキャップ４を介して載置
したシールキャップ１０をエレベータアーム８により上
動することにより挿入してシールキャップ１０で密閉
し、ウェーハ５をアウタチューブ１の外側に設けられる
ヒータ（図示せず）により加熱すると共にインナチュー
ブ２内にガス供給口１１よりプロセスガスを供給して流
通し、アウタチューブ１にインナチューブ２との間を経
て排気口１２より排気することによりウェーハ５にＣＶ
Ｄ膜を生成する縦型ＣＶＤ装置において、排気部に環状
排気路１３を有する排気フランジ７を設け、この環状排
気路１３の内周面に周方向に所定間隔をおいて多数の吸
気孔６を設け、これらの吸気孔６の孔径を，排気管接続
位置より遠ざかるに従って大きくすると共に環状排気路
１３の外周面に排気管１４を接続せしめる。
【００１０】上記構成の第１実施例において、多数枚の
ウェーハ５は図示しないヒータにより加熱され、かつガ
ス供給口１１より供給されたプロセスガスがインナチュ
ーブ２内を流通し、アウタチューブ１とインナチューブ
２の間を通って多数の吸気孔６より環状排気路１３内に
導出し、これより排気管１４を経て排気口１２より排気
することにより各ウェーハ５にＣＶＤ膜が生成される。
この場合、排気ガスは、アウタチューブ１とインナチュ
ーブ２との間から多数の吸気孔６を経て分散して排気さ
れるため、排気ガスの流れに偏りがなくなり、ウェーハ
間及びウェーハ面内の膜厚が一層均一になる。多数の吸
気孔６の孔径を、排気管１４の接続位置より遠ざかるに
従って大きくした時は、周径の場合よりも排気ガスの流
れの偏りをなお一層なくすことができ、膜厚の均一性を
より一層、高めることができる。又、排気管１４を複数
個とし、環状排気路１３の外周面に、周方向に所定間隔
をおいて複数個の排気管１４を接続してもよく、同様の
効果を奏する。
ウェーハ５は図示しないヒータにより加熱され、かつガ
ス供給口１１より供給されたプロセスガスがインナチュ
ーブ２内を流通し、アウタチューブ１とインナチューブ
２の間を通って多数の吸気孔６より環状排気路１３内に
導出し、これより排気管１４を経て排気口１２より排気
することにより各ウェーハ５にＣＶＤ膜が生成される。
この場合、排気ガスは、アウタチューブ１とインナチュ
ーブ２との間から多数の吸気孔６を経て分散して排気さ
れるため、排気ガスの流れに偏りがなくなり、ウェーハ
間及びウェーハ面内の膜厚が一層均一になる。多数の吸
気孔６の孔径を、排気管１４の接続位置より遠ざかるに
従って大きくした時は、周径の場合よりも排気ガスの流
れの偏りをなお一層なくすことができ、膜厚の均一性を
より一層、高めることができる。又、排気管１４を複数
個とし、環状排気路１３の外周面に、周方向に所定間隔
をおいて複数個の排気管１４を接続してもよく、同様の
効果を奏する。
【００１１】図２（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ第２実施例
の構成を示す断面図及びその排気フランジの詳細断面図
である。この第２実施例は、アウタチューブ１とインナ
チューブ２よりなる反応管９内に、多数枚のウェーハ５
を載せたボート３を，そのキャップ４を介して載置した
シールキャップ１０をエレベータアーム８により上動す
ることにより挿入してシールキャップ１０で密閉し、ウ
ェーハ５をアウタチューブ１の外側に設けられるヒータ
（図示せず）により加熱すると共にインナチューブ２内
にガス供給口１１よりプロセスガスを供給して流通し、
アウタチューブ１にインナチューブ２との間を経て排気
口１２より排気することによりウェーハ５にＣＶＤ膜を
生成する縦型ＣＶＤ装置において、排気フランジ７に、
周方向に所定間隔をおいて複数個、例えば４個の排気管
１４を接続せしめる。
の構成を示す断面図及びその排気フランジの詳細断面図
である。この第２実施例は、アウタチューブ１とインナ
チューブ２よりなる反応管９内に、多数枚のウェーハ５
を載せたボート３を，そのキャップ４を介して載置した
シールキャップ１０をエレベータアーム８により上動す
ることにより挿入してシールキャップ１０で密閉し、ウ
ェーハ５をアウタチューブ１の外側に設けられるヒータ
（図示せず）により加熱すると共にインナチューブ２内
にガス供給口１１よりプロセスガスを供給して流通し、
アウタチューブ１にインナチューブ２との間を経て排気
口１２より排気することによりウェーハ５にＣＶＤ膜を
生成する縦型ＣＶＤ装置において、排気フランジ７に、
周方向に所定間隔をおいて複数個、例えば４個の排気管
１４を接続せしめる。
【００１２】上記構成の第２実施例において、多数枚の
ウェーハ５への成膜は上記第１実施例と同様に説明でき
る。この第２実施例の場合、排気ガスは、アウタチュー
ブ１とインナチューブ２との間より４個の排気管１４を
通り分散して排気されるため、排気ガスの流れに偏りが
なくなり、ウェーハ間及びウェーハ面内の膜厚が一層均
一になる。
ウェーハ５への成膜は上記第１実施例と同様に説明でき
る。この第２実施例の場合、排気ガスは、アウタチュー
ブ１とインナチューブ２との間より４個の排気管１４を
通り分散して排気されるため、排気ガスの流れに偏りが
なくなり、ウェーハ間及びウェーハ面内の膜厚が一層均
一になる。
【００１３】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、排気ガスを反応管内より分散して排気するようにし
たので、排気ガスの流れに偏りがなくなり、ウェーハ間
及びウェーハ面内の膜厚を一層均一にすることができ
る。
ば、排気ガスを反応管内より分散して排気するようにし
たので、排気ガスの流れに偏りがなくなり、ウェーハ間
及びウェーハ面内の膜厚を一層均一にすることができ
る。
【図１】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明装置の第１実
施例の構成を示す断面図及びその排気フランジの詳細断
面図である。
施例の構成を示す断面図及びその排気フランジの詳細断
面図である。
【図２】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ第２実施例の構成を
示す断面図及びその排気フランジの詳細断面図である。
示す断面図及びその排気フランジの詳細断面図である。
１ アウタチューブ ２ インナチューブ ３ ボート ４ キャップ ５ ウェーハ ６ 吸気孔 ７ 排気フランジ ８ エレベータアーム ９ 反応管 １０ シールキャップ １１ ガス供給口 １２ 排気口 １３ 環状排気路 １４ 排気管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｂ
Claims (4)
- 【請求項１】 反応管内にウェーハを挿入して密閉し、
このウェーハをヒータにより加熱すると共に反応管内に
プロセスガスを供給し流通して排気することによりウェ
ーハを成膜処理するＣＶＤ装置において、排気部に環状
排気路を有する排気フランジを設け、この環状排気路の
内周面に、周方向に所定間隔をおいて複数の吸気孔を設
け、環状排気路の外周面に排気管を接続することを特徴
とするＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 複数の吸気孔の孔径は、排気管の接続位
置より遠ざかるに従って大きくすることを特徴とする請
求項１のＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 環状排気路の外周面に、周方向に所定間
隔をおいて複数個の排気管を接続することを特徴とする
請求項１のＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 反応管内にウェーハを挿入して密閉し、
このウェーハをヒータにより加熱すると共に反応管内に
プロセスガスを供給し流通して排気することによりウェ
ーハを成膜処理するＣＶＤ装置において、排気フランジ
に周方向に所定間隔をおいて複数個の排気管を接続する
ことを特徴とするＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26274194A JPH08120453A (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26274194A JPH08120453A (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08120453A true JPH08120453A (ja) | 1996-05-14 |
Family
ID=17379944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26274194A Pending JPH08120453A (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08120453A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8172947B2 (en) | 2006-09-25 | 2012-05-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and attaching/detaching method of reaction vessel |
-
1994
- 1994-10-26 JP JP26274194A patent/JPH08120453A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8172947B2 (en) | 2006-09-25 | 2012-05-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and attaching/detaching method of reaction vessel |
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