JPH08119735A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH08119735A JPH08119735A JP6289081A JP28908194A JPH08119735A JP H08119735 A JPH08119735 A JP H08119735A JP 6289081 A JP6289081 A JP 6289081A JP 28908194 A JP28908194 A JP 28908194A JP H08119735 A JPH08119735 A JP H08119735A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ９００℃以下の焼成温度で製造することが可
能であり且つ高周波領域で使用することが可能な誘電体
磁器組成物を提供すること。 【構成】 ＴｉＯ2 ４６〜６２ｍｏｌ％、ＺｒＯ2 ３０
〜４４ｍｏｌ％、ＣｅＯ2 ０．５〜１１．５ｍｏｌ％及
びＳｎＯ2 ０．５〜１１．５ｍｏｌ％からなる主成分に
対し、第一副成分として、Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3及びＳｉ
Ｏ2 から選ばれた少なくとも１種の成分を前記主成分に
対して総量で０．０１〜１．０重量％添加した磁器組成
物成分２５〜６０重量％と、第二副成分として、ＳｉＯ
2 １０〜４０重量％と、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯから
選ばれた少なくとも１種の成分１〜２０重量％と、Ｍｇ
Ｏ １〜１５重量％と、Ｂ2Ｏ3 ３〜３０重量％と，Ｌ
ｉ2 Ｏ ０．１〜３．０重量％とを含む。
能であり且つ高周波領域で使用することが可能な誘電体
磁器組成物を提供すること。 【構成】 ＴｉＯ2 ４６〜６２ｍｏｌ％、ＺｒＯ2 ３０
〜４４ｍｏｌ％、ＣｅＯ2 ０．５〜１１．５ｍｏｌ％及
びＳｎＯ2 ０．５〜１１．５ｍｏｌ％からなる主成分に
対し、第一副成分として、Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3及びＳｉ
Ｏ2 から選ばれた少なくとも１種の成分を前記主成分に
対して総量で０．０１〜１．０重量％添加した磁器組成
物成分２５〜６０重量％と、第二副成分として、ＳｉＯ
2 １０〜４０重量％と、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯから
選ばれた少なくとも１種の成分１〜２０重量％と、Ｍｇ
Ｏ １〜１５重量％と、Ｂ2Ｏ3 ３〜３０重量％と，Ｌ
ｉ2 Ｏ ０．１〜３．０重量％とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波用積層磁器コンデ
ンサ、誘電体共振器等に使用するための誘電体磁器組成
物に関する。
ンサ、誘電体共振器等に使用するための誘電体磁器組成
物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高周波領域で使用することができ
る誘電体磁器材料として、ＴｉＯ2 とＺｒＯ2 とＣｅＯ
2 とＳｎＯ2 とを主成分とする誘電体磁器組成物が知ら
れている（特開平３−２４６８０８号公報）。
る誘電体磁器材料として、ＴｉＯ2 とＺｒＯ2 とＣｅＯ
2 とＳｎＯ2 とを主成分とする誘電体磁器組成物が知ら
れている（特開平３−２４６８０８号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来の
ＴｉＯ2 −ＺｒＯ2 −ＣｅＯ2 −ＳｎＯ2 磁器組成物の
焼成温度は１２００〜１４００℃と比較的高いので、積
層磁器コンデンサを作製するときには、内部電極材料と
して融点の高いパラジウム（Ｐｄ）を主成分とする導電
性ペーストを使用しなければならなかった。しかし、Ｐ
ｄは、抵抗率が高いためにコンデンサのＱ値が低下する
という欠点、及び高価であるという欠点を有する。そこ
で、本発明の目的は、９００℃以下の焼成温度で製造す
ることが可能であり且つ高周波領域で使用することが可
能な誘電体磁器組成物を提供することにある。
ＴｉＯ2 −ＺｒＯ2 −ＣｅＯ2 −ＳｎＯ2 磁器組成物の
焼成温度は１２００〜１４００℃と比較的高いので、積
層磁器コンデンサを作製するときには、内部電極材料と
して融点の高いパラジウム（Ｐｄ）を主成分とする導電
性ペーストを使用しなければならなかった。しかし、Ｐ
ｄは、抵抗率が高いためにコンデンサのＱ値が低下する
という欠点、及び高価であるという欠点を有する。そこ
で、本発明の目的は、９００℃以下の焼成温度で製造す
ることが可能であり且つ高周波領域で使用することが可
能な誘電体磁器組成物を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、前記目的を達成するべく、ＴｉＯ2 ４６〜６２ｍ
ｏｌ％、ＺｒＯ2 ３０〜４４ｍｏｌ％、ＣｅＯ2 ０．５
〜１１．５ｍｏｌ％及びＳｎＯ2 ０．５〜１１．５ｍｏ
ｌ％からなる主成分に対し、第一副成分として、Ｃｒ2
Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3及びＳｉＯ2 から選ばれた少なくとも１
種の成分を前記主成分に対して総量で０．０１〜１．０
重量％添加した磁器組成物成分２５〜６０重量％と、第
二副成分として、ＳｉＯ2 １０〜４０重量％と、Ｃａ
Ｏ、ＳｒＯ及びＢａＯから選ばれた少なくとも１種の成
分１〜２０重量％と、ＭｇＯ １〜１５重量％と、Ｂ2
Ｏ3 ３〜３０重量％と，Ｌｉ2 Ｏ ０．１〜３．０重
量％とを含むことを特徴とする。
物は、前記目的を達成するべく、ＴｉＯ2 ４６〜６２ｍ
ｏｌ％、ＺｒＯ2 ３０〜４４ｍｏｌ％、ＣｅＯ2 ０．５
〜１１．５ｍｏｌ％及びＳｎＯ2 ０．５〜１１．５ｍｏ
ｌ％からなる主成分に対し、第一副成分として、Ｃｒ2
Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3及びＳｉＯ2 から選ばれた少なくとも１
種の成分を前記主成分に対して総量で０．０１〜１．０
重量％添加した磁器組成物成分２５〜６０重量％と、第
二副成分として、ＳｉＯ2 １０〜４０重量％と、Ｃａ
Ｏ、ＳｒＯ及びＢａＯから選ばれた少なくとも１種の成
分１〜２０重量％と、ＭｇＯ １〜１５重量％と、Ｂ2
Ｏ3 ３〜３０重量％と，Ｌｉ2 Ｏ ０．１〜３．０重
量％とを含むことを特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物は、１ＭＨｚにおい
て比誘電率εr が８以上、Ｑ値が１２００以上、比誘電
率の温度係数τεが−６０ｐｐｍ／℃〜＋６０ｐｐｍ／
℃の範囲内にあり、焼成温度を下げることができる。
て比誘電率εr が８以上、Ｑ値が１２００以上、比誘電
率の温度係数τεが−６０ｐｐｍ／℃〜＋６０ｐｐｍ／
℃の範囲内にあり、焼成温度を下げることができる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例に基づいて
詳細に説明する。高周波用磁器コンデンサの誘電体磁器
を得るために、表１及び２に示す５８種類の組成の試料
を作製した。表１及び２では、各成分の焼成後の含有率
を重量％で示した。但し、主成分としてのＴｉＯ2 、Ｚ
ｒＯ2 、ＣｅＯ2 及びＳｎＯ2 の組成はｍｏｌ％で示
し、第一副成分としてのＣｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3及びＳｉＯ
2 は、前記主成分の合計に対する重量％で示した。第二
副成分については、ＳｉＯ2、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｂａ
Ｏ、ＭｇＯ、Ｂ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ の焼成後の磁器中の含有
率を重量％で示した。
詳細に説明する。高周波用磁器コンデンサの誘電体磁器
を得るために、表１及び２に示す５８種類の組成の試料
を作製した。表１及び２では、各成分の焼成後の含有率
を重量％で示した。但し、主成分としてのＴｉＯ2 、Ｚ
ｒＯ2 、ＣｅＯ2 及びＳｎＯ2 の組成はｍｏｌ％で示
し、第一副成分としてのＣｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3及びＳｉＯ
2 は、前記主成分の合計に対する重量％で示した。第二
副成分については、ＳｉＯ2、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｂａ
Ｏ、ＭｇＯ、Ｂ2Ｏ3、Ｌｉ2Ｏ の焼成後の磁器中の含有
率を重量％で示した。
【０００７】
【表１】
【０００８】
【表２】
【０００９】次に、表１中の試料Ｎｏ．１に従って、磁
器原料粉末の製造方法及びその粉末を用いる高周波用磁
器コンデンサの製造方法を以下詳しく説明する。まず、
ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＣｅＯ2 、ＳｎＯ2 及びＡｌ2Ｏ3
を表１記載のような所定の割合で配合し、ポリエチレン
製ポットに水と共に入れ、湿式混合した後脱水乾燥し
た。次に、この乾燥物を空気中で１２００℃で２時間仮
焼して磁器組成物の成分材料を得た。
器原料粉末の製造方法及びその粉末を用いる高周波用磁
器コンデンサの製造方法を以下詳しく説明する。まず、
ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＣｅＯ2 、ＳｎＯ2 及びＡｌ2Ｏ3
を表１記載のような所定の割合で配合し、ポリエチレン
製ポットに水と共に入れ、湿式混合した後脱水乾燥し
た。次に、この乾燥物を空気中で１２００℃で２時間仮
焼して磁器組成物の成分材料を得た。
【００１０】次に、焼成後の磁器においてＳｉＯ2 ２０
重量％、ＳｒＯ １０重量％、ＭｇＯ １０重量％、Ｂ
2Ｏ3 ９重量％及びＬｉ2 Ｏ １重量％の割合で第二副
成分を含有せしめるために、ＳｉＯ2 ４０重量％、Ｓｒ
Ｏ ２０重量％、ＭｇＯ ２０重量％、Ｂ2Ｏ3 １８重
量％及びＬｉ2 Ｏ ２重量％の組成の第二副成分が得ら
れるようにＳｉＯ2 、ＳｒＣＯ3 、ＭｇＯ、Ｂ2Ｏ3及び
Ｌｉ2ＣＯ3を秤量し、これ等の原料をポリエチレン製ポ
ットに水と共に入れて、湿式混合した後脱水乾燥した。
この乾燥物を空気中で８５０℃で２時間仮焼し、第二副
成分材料を得た。
重量％、ＳｒＯ １０重量％、ＭｇＯ １０重量％、Ｂ
2Ｏ3 ９重量％及びＬｉ2 Ｏ １重量％の割合で第二副
成分を含有せしめるために、ＳｉＯ2 ４０重量％、Ｓｒ
Ｏ ２０重量％、ＭｇＯ ２０重量％、Ｂ2Ｏ3 １８重
量％及びＬｉ2 Ｏ ２重量％の組成の第二副成分が得ら
れるようにＳｉＯ2 、ＳｒＣＯ3 、ＭｇＯ、Ｂ2Ｏ3及び
Ｌｉ2ＣＯ3を秤量し、これ等の原料をポリエチレン製ポ
ットに水と共に入れて、湿式混合した後脱水乾燥した。
この乾燥物を空気中で８５０℃で２時間仮焼し、第二副
成分材料を得た。
【００１１】次に、上記磁器組成物成分材料５０重量
％、第二副成分材料５０重量％の比率に各材料を秤量
し、これをポリエチレン製ポットに水と共に入れて、湿
式混合した後脱水乾燥し、磁器原料粉末を得た。次に、
この磁器原料粉末に有機バインダーを加えて造粒し、こ
の造粒物を直径９．８ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円板状
に、５００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧成型した。次に、
この成型体をジルコニアセッタ上に載せて空気中９００
℃の温度で焼成した。この本焼成で得られた円板状磁器
の両主面に銀ペーストを塗布して焼き付け、図１に示す
磁器１と一対の電極２及び３とから成る磁器コンデンサ
を得た。
％、第二副成分材料５０重量％の比率に各材料を秤量
し、これをポリエチレン製ポットに水と共に入れて、湿
式混合した後脱水乾燥し、磁器原料粉末を得た。次に、
この磁器原料粉末に有機バインダーを加えて造粒し、こ
の造粒物を直径９．８ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円板状
に、５００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加圧成型した。次に、
この成型体をジルコニアセッタ上に載せて空気中９００
℃の温度で焼成した。この本焼成で得られた円板状磁器
の両主面に銀ペーストを塗布して焼き付け、図１に示す
磁器１と一対の電極２及び３とから成る磁器コンデンサ
を得た。
【００１２】次に、この磁器コンデンサの比誘電率
εr 、Ｑ値、比誘電率の温度係数τε（ｐｐｍ／℃）を
測定した。なお、比誘電率εr 及びＱ値は周波数１ＭＨ
Z 、電圧１Ｖ及び周囲温度２０℃の条件で測定した。温
度係数τεは＋２０℃の比誘電率εr を基準にした＋２
０〜＋８５℃の比誘電率εr の温度変化率であり、１Ｍ
ＨZ 、１Ｖの条件で測定した。試料Ｎｏ．２〜５８につ
いても、主成分及び／又は第一、第二副成分の組成を変
えた他は試料Ｎｏ．１と同一の方法で磁器コンデンサを
作り、同一の方法で特性を測定した。但し、第二副成分
のうちのＣａＯ，ＢａＯについては、出発原料としてＣ
ａＣＯ3 、ＢａＣＯ3 を使用した。試料Ｎｏ．１〜５８
の特性は表３に示すとおりである。なお、表１〜３中の
試料Ｎｏに＊があるものは本発明の範囲外のものであ
る。
εr 、Ｑ値、比誘電率の温度係数τε（ｐｐｍ／℃）を
測定した。なお、比誘電率εr 及びＱ値は周波数１ＭＨ
Z 、電圧１Ｖ及び周囲温度２０℃の条件で測定した。温
度係数τεは＋２０℃の比誘電率εr を基準にした＋２
０〜＋８５℃の比誘電率εr の温度変化率であり、１Ｍ
ＨZ 、１Ｖの条件で測定した。試料Ｎｏ．２〜５８につ
いても、主成分及び／又は第一、第二副成分の組成を変
えた他は試料Ｎｏ．１と同一の方法で磁器コンデンサを
作り、同一の方法で特性を測定した。但し、第二副成分
のうちのＣａＯ，ＢａＯについては、出発原料としてＣ
ａＣＯ3 、ＢａＣＯ3 を使用した。試料Ｎｏ．１〜５８
の特性は表３に示すとおりである。なお、表１〜３中の
試料Ｎｏに＊があるものは本発明の範囲外のものであ
る。
【００１３】
【表３】
【００１４】表３から明らかなように、本発明で特定さ
れた組成範囲の磁器組成物によれば、比誘電率εr が８
〜１２．０、Ｑが１２００〜１８００、比誘電率の温度
係数τεが−６０〜＋６０（ｐｐｍ／℃）の電気特性が
得られる。表３に示された結果に基づいて組成範囲の限
定理由について以下説明する。主成分に関しては、Ｔｉ
Ｏ2 が４６ｍｏｌ％未満であると、比誘電率εr が低
く、Ｑが小さく、τεがプラスに大きくなりすぎ（試料
Ｎｏ．１９）、ＴｉＯ2が６２ｍｏｌ％を越えると、τ
εがマイナスに大きくなりすぎる（試料Ｎｏ．２３）。
また、ＺｒＯ2 が３０ｍｏｌ％未満であると、τεがマ
イナスに大きくなりすぎ（試料Ｎｏ．２４）、ＺｒＯ2
が４４ｍｏｌ％を越えると、Ｑが小さく、τεがプラス
に大きくなりすぎる（試料Ｎｏ．２０）。また、ＣｅＯ
2 が０．５ｍｏｌ％未満であると、Ｑが小さく（試料Ｎ
ｏ．２２）、ＣｅＯ2 が１１．５ｍｏｌ％を越えると、
比誘電率εr が低く、Ｑが小さい（試料Ｎｏ．２１）。
また、ＳｎＯ2 が０．５ｍｏｌ％未満であると、比誘電
率εr が低く、Ｑが小さく（試料Ｎｏ．２１）、ＳｎＯ
2 が１１．５ｍｏｌ％を越えると、Ｑが小さい（試料Ｎ
ｏ．２２）。
れた組成範囲の磁器組成物によれば、比誘電率εr が８
〜１２．０、Ｑが１２００〜１８００、比誘電率の温度
係数τεが−６０〜＋６０（ｐｐｍ／℃）の電気特性が
得られる。表３に示された結果に基づいて組成範囲の限
定理由について以下説明する。主成分に関しては、Ｔｉ
Ｏ2 が４６ｍｏｌ％未満であると、比誘電率εr が低
く、Ｑが小さく、τεがプラスに大きくなりすぎ（試料
Ｎｏ．１９）、ＴｉＯ2が６２ｍｏｌ％を越えると、τ
εがマイナスに大きくなりすぎる（試料Ｎｏ．２３）。
また、ＺｒＯ2 が３０ｍｏｌ％未満であると、τεがマ
イナスに大きくなりすぎ（試料Ｎｏ．２４）、ＺｒＯ2
が４４ｍｏｌ％を越えると、Ｑが小さく、τεがプラス
に大きくなりすぎる（試料Ｎｏ．２０）。また、ＣｅＯ
2 が０．５ｍｏｌ％未満であると、Ｑが小さく（試料Ｎ
ｏ．２２）、ＣｅＯ2 が１１．５ｍｏｌ％を越えると、
比誘電率εr が低く、Ｑが小さい（試料Ｎｏ．２１）。
また、ＳｎＯ2 が０．５ｍｏｌ％未満であると、比誘電
率εr が低く、Ｑが小さく（試料Ｎｏ．２１）、ＳｎＯ
2 が１１．５ｍｏｌ％を越えると、Ｑが小さい（試料Ｎ
ｏ．２２）。
【００１５】第一副成分に関しては、Ｃｒ2Ｏ3 とＡｌ2
Ｏ3 とＳｉＯ2 との和が０．０１重量％未満であると、
Ｑが小さく（試料Ｎｏ．２９、３０、３１）、Ｃｒ2Ｏ3
とＡｌ2Ｏ3 とＳｉＯ2との和が１重量％を越えると、比
誘電率εr が低く、τεがプラスに大きくなりすぎる
（試料Ｎｏ．３２、３３、３４）。
Ｏ3 とＳｉＯ2 との和が０．０１重量％未満であると、
Ｑが小さく（試料Ｎｏ．２９、３０、３１）、Ｃｒ2Ｏ3
とＡｌ2Ｏ3 とＳｉＯ2との和が１重量％を越えると、比
誘電率εr が低く、τεがプラスに大きくなりすぎる
（試料Ｎｏ．３２、３３、３４）。
【００１６】第二副成分に関しては、ＳｉＯ2 が１０重
量％未満であると、Ｑが小さく（試料Ｎｏ．４５）、Ｓ
ｉＯ2 が４０重量％を越えると、９００℃では焼結しな
い（試料Ｎｏ．４６）。また、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａ
Ｏの和が１重量％未満であると、９００℃では焼結せず
（試料Ｎｏ．４７）、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの和が
２０重量％を越えると、比誘電率εr が低く、Ｑが小さ
い（試料Ｎｏ．４８）。また、ＭｇＯが１重量％未満で
あると、９００℃では焼結せず（試料Ｎｏ．４９）、Ｍ
ｇＯが１５重量％を越えると，比誘電率εr が低く、Ｑ
が小さい（試料Ｎｏ．５０）。また、Ｂ2Ｏ3が３重量％
未満であると、９００℃では焼結せず（試料Ｎｏ．５
１）、Ｂ2Ｏ3が３０重量％を越えると、９００℃では焼
結しない（試料Ｎｏ．５２）。また、Ｌｉ2 Ｏが０．１
重量％未満であると、９００℃では焼結せず（試料Ｎ
ｏ．５３）、Ｌｉ2 Ｏが３．０重量％を越えると、９０
０℃では焼結しない（試料Ｎｏ．５４）。
量％未満であると、Ｑが小さく（試料Ｎｏ．４５）、Ｓ
ｉＯ2 が４０重量％を越えると、９００℃では焼結しな
い（試料Ｎｏ．４６）。また、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａ
Ｏの和が１重量％未満であると、９００℃では焼結せず
（試料Ｎｏ．４７）、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの和が
２０重量％を越えると、比誘電率εr が低く、Ｑが小さ
い（試料Ｎｏ．４８）。また、ＭｇＯが１重量％未満で
あると、９００℃では焼結せず（試料Ｎｏ．４９）、Ｍ
ｇＯが１５重量％を越えると，比誘電率εr が低く、Ｑ
が小さい（試料Ｎｏ．５０）。また、Ｂ2Ｏ3が３重量％
未満であると、９００℃では焼結せず（試料Ｎｏ．５
１）、Ｂ2Ｏ3が３０重量％を越えると、９００℃では焼
結しない（試料Ｎｏ．５２）。また、Ｌｉ2 Ｏが０．１
重量％未満であると、９００℃では焼結せず（試料Ｎ
ｏ．５３）、Ｌｉ2 Ｏが３．０重量％を越えると、９０
０℃では焼結しない（試料Ｎｏ．５４）。
【００１７】また、前記磁器組成物成分材料に関して
は、含有率が２５重量％未満であると、比誘電率εr が
低く、Ｑが小さく（試料Ｎｏ．５７）、含有率が６０重
量％を越えると、９００℃では焼結しない（試料Ｎｏ．
５８）。試料Ｎｏ．１〜５８では、誘電体磁器の特性比
較を容易に行うために単層の磁器コンデンサを作製して
測定したが、この代わりに、図２に示すように、誘電体
磁器１１の中に銀（Ａｇ）、Ａｇ−Ｐｄ、銅（Ｃｕ）等
の低融点金属の内部電極１２を設け、この内部電極１２
に一対の外部電極１３、１４を接続した磁器コンデンサ
を作製して同様な測定をしたところ、同様な効果が得ら
れた。このような積層磁器コンデンサを作製する場合に
は、磁器生シート（グリーンシート）に内部電極用導電
ペーストを塗布したものを積層して生チップを作り、内
部電極の焼付と磁器の焼成を同時に行うが、本発明に従
う磁器１１は９００℃以下の焼成で得ることができるの
で、内部電極１２として抵抗率の小さいＡｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ｃｕ等の低融点金属を使用することが可能になり、
Ｑ値の向上が達成される。
は、含有率が２５重量％未満であると、比誘電率εr が
低く、Ｑが小さく（試料Ｎｏ．５７）、含有率が６０重
量％を越えると、９００℃では焼結しない（試料Ｎｏ．
５８）。試料Ｎｏ．１〜５８では、誘電体磁器の特性比
較を容易に行うために単層の磁器コンデンサを作製して
測定したが、この代わりに、図２に示すように、誘電体
磁器１１の中に銀（Ａｇ）、Ａｇ−Ｐｄ、銅（Ｃｕ）等
の低融点金属の内部電極１２を設け、この内部電極１２
に一対の外部電極１３、１４を接続した磁器コンデンサ
を作製して同様な測定をしたところ、同様な効果が得ら
れた。このような積層磁器コンデンサを作製する場合に
は、磁器生シート（グリーンシート）に内部電極用導電
ペーストを塗布したものを積層して生チップを作り、内
部電極の焼付と磁器の焼成を同時に行うが、本発明に従
う磁器１１は９００℃以下の焼成で得ることができるの
で、内部電極１２として抵抗率の小さいＡｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ｃｕ等の低融点金属を使用することが可能になり、
Ｑ値の向上が達成される。
【００１８】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、例えば次の変形が可能なである。 （１）第二副成分を得るための出発原料としてＣａＣＯ
3 、ＳｒＣＯ3 、ＢａＣＯ3 、ＬｉＣＯ3 の代わりにＣ
ａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｌｉ2 Ｏを使用することができ
る。 （２）本焼成の温度は、９００℃の代わりに、例えば７
５０〜１２００℃程度の範囲で変えることができる。 （３）本発明の誘電体磁器組成物は誘電体共振器の磁
器、多層回路基板等にも使用可能である。
ものではなく、例えば次の変形が可能なである。 （１）第二副成分を得るための出発原料としてＣａＣＯ
3 、ＳｒＣＯ3 、ＢａＣＯ3 、ＬｉＣＯ3 の代わりにＣ
ａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｌｉ2 Ｏを使用することができ
る。 （２）本焼成の温度は、９００℃の代わりに、例えば７
５０〜１２００℃程度の範囲で変えることができる。 （３）本発明の誘電体磁器組成物は誘電体共振器の磁
器、多層回路基板等にも使用可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の誘
電体磁器組成物は、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等の低融点
金属の導電ペースト層との同時焼成で得ることができる
ので、高周波用積層磁器コンデンサの誘電体磁器として
好適なものである。積層磁器コンデンサの内部電極をＡ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等の抵抗率の小さい金属で形成す
れば、Ｑ値を高めることができる。
電体磁器組成物は、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等の低融点
金属の導電ペースト層との同時焼成で得ることができる
ので、高周波用積層磁器コンデンサの誘電体磁器として
好適なものである。積層磁器コンデンサの内部電極をＡ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等の抵抗率の小さい金属で形成す
れば、Ｑ値を高めることができる。
【図１】本発明の実施例における単層の磁器コンデンサ
を示す断面図。
を示す断面図。
【図２】本発明の実施例における積層磁器コンデンサを
示す断面図。
示す断面図。
１ 磁器 ２、３ 電極 １１ 磁器 １２ 内部電極 １３、１４ 外部電極
Claims (1)
- 【請求項１】 ＴｉＯ2 ４６〜６２ｍｏｌ％、ＺｒＯ2
３０〜４４ｍｏｌ％、ＣｅＯ2 ０．５〜１１．５ｍｏ
ｌ％及びＳｎＯ2 ０．５〜１１．５ｍｏｌ％からなる主
成分に対し、副成分として、Ｃｒ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3及びＳ
ｉＯ2 から選ばれた少なくとも１種の成分を前記主成分
に対して総量で０．０１〜１．０重量％添加した成分２
５〜６０重量％と、ＳｉＯ2 １０〜４０重量％と、Ｃａ
Ｏ、ＳｒＯ及びＢａＯから選ばれた少なくとも１種の成
分１〜２０重量％と、ＭｇＯ１〜１５重量％、Ｂ2Ｏ3
３〜３０重量％と、Ｌｉ2Ｏ ０．１〜３．０重量％とを
含むことを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6289081A JPH08119735A (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6289081A JPH08119735A (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08119735A true JPH08119735A (ja) | 1996-05-14 |
Family
ID=17738584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6289081A Pending JPH08119735A (ja) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08119735A (ja) |
-
1994
- 1994-10-28 JP JP6289081A patent/JPH08119735A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030324 |