JPH08117757A - 冷却塔におけるレジオネラ菌の殺菌方法 - Google Patents
冷却塔におけるレジオネラ菌の殺菌方法Info
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- JPH08117757A JPH08117757A JP6262316A JP26231694A JPH08117757A JP H08117757 A JPH08117757 A JP H08117757A JP 6262316 A JP6262316 A JP 6262316A JP 26231694 A JP26231694 A JP 26231694A JP H08117757 A JPH08117757 A JP H08117757A
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- cooling tower
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- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2103/00—Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated
- C02F2103/02—Non-contaminated water, e.g. for industrial water supply
- C02F2103/023—Water in cooling circuits
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- Treatment Of Water By Oxidation Or Reduction (AREA)
- Water Treatment By Electricity Or Magnetism (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 冷却塔に発生するレジオネラ菌を安価・簡便
な手段で殺菌することができる冷却塔におけるレジオネ
ラ菌の殺菌方法を提供することを目的とする。 【構成】 貯水槽１内の食塩水をポンプ２で循環系に吸
い上げ、電解槽８へ送って電解して遊離塩素水を生成
し、貯水槽１に戻す。この電解を繰り返すことにより、
循環系の遊離塩素濃度が高くなったならば、循環系に設
けられた三方弁４を切りかえて遊離塩素水を冷却塔６へ
送り、レジオネラ菌を殺菌する。
な手段で殺菌することができる冷却塔におけるレジオネ
ラ菌の殺菌方法を提供することを目的とする。 【構成】 貯水槽１内の食塩水をポンプ２で循環系に吸
い上げ、電解槽８へ送って電解して遊離塩素水を生成
し、貯水槽１に戻す。この電解を繰り返すことにより、
循環系の遊離塩素濃度が高くなったならば、循環系に設
けられた三方弁４を切りかえて遊離塩素水を冷却塔６へ
送り、レジオネラ菌を殺菌する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、冷却塔におけるレジオ
ネラ菌の殺菌方法に関するものである。
ネラ菌の殺菌方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、冷却塔に発生するレジオネラ菌対
策としては、（１）冷却塔に直接殺菌剤を投入したり、
（２）バイパス回路を付設して紫外線殺菌をしたり、
（３）バイパス回路を付設して電解によりレジオネラ菌
が死滅する０．３ｐｐｍ〜１ｐｐｍの低濃度の遊離塩素
を生成しながら殺菌したり、（４）オゾン発生装置の組
み合わせにより殺菌したり、（５）両電極に高周波（３
０ＫＨｚ〜５０ＫＨｚ）の電圧（１０Ｖ〜５０Ｖ）を印
加して殺菌する方法が知られている。
策としては、（１）冷却塔に直接殺菌剤を投入したり、
（２）バイパス回路を付設して紫外線殺菌をしたり、
（３）バイパス回路を付設して電解によりレジオネラ菌
が死滅する０．３ｐｐｍ〜１ｐｐｍの低濃度の遊離塩素
を生成しながら殺菌したり、（４）オゾン発生装置の組
み合わせにより殺菌したり、（５）両電極に高周波（３
０ＫＨｚ〜５０ＫＨｚ）の電圧（１０Ｖ〜５０Ｖ）を印
加して殺菌する方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが上記従来の
（１）の方法では定期的な水質管理と殺菌剤の投入を行
わなければならず、（２）の方法では紫外線を出す殺菌
灯が水で汚れやすい為に効率のよい殺菌効果が得られ
ず、（３）の方法では冷却塔のような常に水が循環して
いる状態のもとでは、遊離塩素濃度は１ｐｐｍから０ｐ
ｐｍに約９０分程度の短時間の間に減衰してしまうこと
から、バイパス回路で小規模に遊離塩素を生成しても、
冷却塔の冷却水全部がレジオネラ菌が死滅する遊離塩素
濃度までにはなかなか到らない。また（４）の方法では
冷却塔を使用する高温（例えば夏のビル屋上）雰囲気で
はオゾンの発生効率が悪く、湿度にも影響され、且つ水
にとけにくい特徴がある為に、空気との混合を冷却塔の
何処で行うか等の効率を上げる為の問題が山積してい
る。また（５）の方法において、両電極間に高周波の電
圧を印加する方法は特開平５−２３７４７９号公報に記
載されているが、遊離塩素が生成されることは本発明者
の実験では残念ながら確認出来ておらず、殺菌作用が何
故起きるのか不明であり効果も確認出来なかった。
（１）の方法では定期的な水質管理と殺菌剤の投入を行
わなければならず、（２）の方法では紫外線を出す殺菌
灯が水で汚れやすい為に効率のよい殺菌効果が得られ
ず、（３）の方法では冷却塔のような常に水が循環して
いる状態のもとでは、遊離塩素濃度は１ｐｐｍから０ｐ
ｐｍに約９０分程度の短時間の間に減衰してしまうこと
から、バイパス回路で小規模に遊離塩素を生成しても、
冷却塔の冷却水全部がレジオネラ菌が死滅する遊離塩素
濃度までにはなかなか到らない。また（４）の方法では
冷却塔を使用する高温（例えば夏のビル屋上）雰囲気で
はオゾンの発生効率が悪く、湿度にも影響され、且つ水
にとけにくい特徴がある為に、空気との混合を冷却塔の
何処で行うか等の効率を上げる為の問題が山積してい
る。また（５）の方法において、両電極間に高周波の電
圧を印加する方法は特開平５−２３７４７９号公報に記
載されているが、遊離塩素が生成されることは本発明者
の実験では残念ながら確認出来ておらず、殺菌作用が何
故起きるのか不明であり効果も確認出来なかった。
【０００４】そこで本発明は、冷却塔に発生するレジオ
ネラ菌を確実に殺菌できる冷却塔におけるレジオネラ菌
の殺菌方法を提供することを目的とする。
ネラ菌を確実に殺菌できる冷却塔におけるレジオネラ菌
の殺菌方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このために本発明は、貯
水槽の食塩水を、ポンプの駆動により循環系を繰り返し
循環させながら、この循環系に設けられた電解槽で電解
を進行させることにより、この電解によって生成される
遊離塩素水の遊離塩素濃度を次第に高め、遊離塩素濃度
が高くなった遊離塩素水を冷却塔に導入することによ
り、この冷却塔内の冷却水中のレジオネラ菌を殺菌する
ようにしたものである。
水槽の食塩水を、ポンプの駆動により循環系を繰り返し
循環させながら、この循環系に設けられた電解槽で電解
を進行させることにより、この電解によって生成される
遊離塩素水の遊離塩素濃度を次第に高め、遊離塩素濃度
が高くなった遊離塩素水を冷却塔に導入することによ
り、この冷却塔内の冷却水中のレジオネラ菌を殺菌する
ようにしたものである。
【０００６】
【作用】上記構成によれば、食塩水を循環系を繰り返し
循環させながら、電解槽で電解を進行させることによ
り、循環系の遊離塩素濃度を十分に高くして殺菌力を高
めることができ、この高濃度の遊離塩素水を冷却塔に導
入することにより、冷却水中のレジオネラ菌を確実に殺
菌出来る。
循環させながら、電解槽で電解を進行させることによ
り、循環系の遊離塩素濃度を十分に高くして殺菌力を高
めることができ、この高濃度の遊離塩素水を冷却塔に導
入することにより、冷却水中のレジオネラ菌を確実に殺
菌出来る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の一実施例の冷却塔におけるレジオ
ネラ菌の殺菌システムの全体構成図である。図１におい
て、１は貯水槽であって、その内部に貯溜された水は、
ポンプ２が駆動することによりパイプ３に吸い上げられ
る。ポンプ２の２次側には三方弁４が設けられており、
パイプ５を介して冷却塔６に通じており、またパイプ７
を介して電解槽８に通じている。また電解槽８内の水は
パイプ９を通じて貯水槽１に戻される。８ａ，８ｂは電
解槽８内の極板である。１０は、ポンプ２、三方弁４、
電解槽８、電磁弁１３、１次給水電磁弁１４などを制御
する制御部である。
する。図１は本発明の一実施例の冷却塔におけるレジオ
ネラ菌の殺菌システムの全体構成図である。図１におい
て、１は貯水槽であって、その内部に貯溜された水は、
ポンプ２が駆動することによりパイプ３に吸い上げられ
る。ポンプ２の２次側には三方弁４が設けられており、
パイプ５を介して冷却塔６に通じており、またパイプ７
を介して電解槽８に通じている。また電解槽８内の水は
パイプ９を通じて貯水槽１に戻される。８ａ，８ｂは電
解槽８内の極板である。１０は、ポンプ２、三方弁４、
電解槽８、電磁弁１３、１次給水電磁弁１４などを制御
する制御部である。
【０００８】１１は食塩水溶液槽であって、塩水ポンプ
１２が駆動することにより、電磁弁１３を通じて食塩水
を貯水槽１に導入する。１４は１次給水電磁弁であっ
て、地下水や水道水などを貯水槽１に供給する。貯水槽
１には満水センサ１５と低水位センサ１６が設けられて
いる。
１２が駆動することにより、電磁弁１３を通じて食塩水
を貯水槽１に導入する。１４は１次給水電磁弁であっ
て、地下水や水道水などを貯水槽１に供給する。貯水槽
１には満水センサ１５と低水位センサ１６が設けられて
いる。
【０００９】図２は、本発明の一実施例の冷却塔におけ
る冷却水中の遊離塩素濃度の経時変化図である。図２に
おいて、例えば遊離塩素濃度が５０ｐｐｍの遊離塩素水
５０リットルを、２５００リットルの冷却水が貯溜され
た冷却塔６内に導入すると、この遊離塩素水はこの冷却
水で希釈されて、遊離塩素濃度は１ｐｐｍに低下する。
そして導入後、その濃度は次第に低下し、９０分後には
０ｐｐｍになる。
る冷却水中の遊離塩素濃度の経時変化図である。図２に
おいて、例えば遊離塩素濃度が５０ｐｐｍの遊離塩素水
５０リットルを、２５００リットルの冷却水が貯溜され
た冷却塔６内に導入すると、この遊離塩素水はこの冷却
水で希釈されて、遊離塩素濃度は１ｐｐｍに低下する。
そして導入後、その濃度は次第に低下し、９０分後には
０ｐｐｍになる。
【００１０】また図３は、本発明の一実施例の循環系の
遊離塩素濃度の経時変化図であって、電解槽８の運転を
停止した状態で、ポンプ２を駆動して循環を継続してい
る場合の経時変化をあらわしている。図示するように、
電解槽８の運転を停止すると、５０ｐｐｍの遊離塩素濃
度は、約３０分で半減する。
遊離塩素濃度の経時変化図であって、電解槽８の運転を
停止した状態で、ポンプ２を駆動して循環を継続してい
る場合の経時変化をあらわしている。図示するように、
電解槽８の運転を停止すると、５０ｐｐｍの遊離塩素濃
度は、約３０分で半減する。
【００１１】次に動作を説明する。１次給水電磁弁１４
が制御部１０の信号によって開くと、水道水又は地下水
が貯水槽１に流入する。満水センサ１５で満水になった
ことが検知されると、１次給水電磁弁１４は閉じて流入
は停止する。次に貯水槽１より高い位置にある食塩水溶
液槽１１から貯水槽１に高濃度の食塩水溶液（重量比濃
度５％〜１５％、以下濃度の特記なき表現は重量比を意
味する）が適量導入されると、電磁弁１３が制御部１０
の信号で閉じる。この時貯水槽１の食塩濃度は１００ｐ
ｐｍから３００ｐｐｍとなる。
が制御部１０の信号によって開くと、水道水又は地下水
が貯水槽１に流入する。満水センサ１５で満水になった
ことが検知されると、１次給水電磁弁１４は閉じて流入
は停止する。次に貯水槽１より高い位置にある食塩水溶
液槽１１から貯水槽１に高濃度の食塩水溶液（重量比濃
度５％〜１５％、以下濃度の特記なき表現は重量比を意
味する）が適量導入されると、電磁弁１３が制御部１０
の信号で閉じる。この時貯水槽１の食塩濃度は１００ｐ
ｐｍから３００ｐｐｍとなる。
【００１２】次にポンプ２が運転し貯水槽１から吸い込
まれた食塩水は三方弁４およびパイプ７を流れて電解槽
８を通り、貯水槽１に戻る。このポンプ２による循環が
始まると、電解槽８の両極板８ａ，８ｂには直流電圧が
制御部１０より極性が一定時間毎に入れ替わりながら印
加されて電解が始まり、遊離塩素（Ｃｌ2 ，ＨＯＣｌ，
ＯＣｌ- ）が生成され始める。
まれた食塩水は三方弁４およびパイプ７を流れて電解槽
８を通り、貯水槽１に戻る。このポンプ２による循環が
始まると、電解槽８の両極板８ａ，８ｂには直流電圧が
制御部１０より極性が一定時間毎に入れ替わりながら印
加されて電解が始まり、遊離塩素（Ｃｌ2 ，ＨＯＣｌ，
ＯＣｌ- ）が生成され始める。
【００１３】ポンプ２を駆動しながら電解槽８で電解が
進行することにより、循環系内の遊離塩素濃度は次第に
上昇し、約３００分間運転を行うと所定の４０ｐｐｍ〜
８０ｐｐｍの遊離塩素濃度となる。ここで所定とは、貯
水量×遊離塩素濃度＝冷却塔の循環冷却水量×レジオネ
ラ菌の死滅遊離塩素濃度における遊離塩素濃度、すなわ
ち十分な殺菌力を有する遊離塩素濃度のことである。こ
の時点で三方弁４はパイプ５側に切り換わり、流れは冷
却塔６側となる。ここで、図３に示すように例えば３０
分間経過すると遊離塩素濃度が半減してしまうので、こ
の供給は早く完了する必要があり、本実施例では約５分
間で冷却塔６への供給が完了する性能をポンプ２は有す
る。
進行することにより、循環系内の遊離塩素濃度は次第に
上昇し、約３００分間運転を行うと所定の４０ｐｐｍ〜
８０ｐｐｍの遊離塩素濃度となる。ここで所定とは、貯
水量×遊離塩素濃度＝冷却塔の循環冷却水量×レジオネ
ラ菌の死滅遊離塩素濃度における遊離塩素濃度、すなわ
ち十分な殺菌力を有する遊離塩素濃度のことである。こ
の時点で三方弁４はパイプ５側に切り換わり、流れは冷
却塔６側となる。ここで、図３に示すように例えば３０
分間経過すると遊離塩素濃度が半減してしまうので、こ
の供給は早く完了する必要があり、本実施例では約５分
間で冷却塔６への供給が完了する性能をポンプ２は有す
る。
【００１４】さて、冷却塔６に移送された４０ｐｐｍ〜
６０ｐｐｍの遊離塩素水は循環冷却水に混合されて０．
３ｐｐｍ〜１ｐｐｍの遊離塩素濃度となりレジオネラ菌
は殺菌されるが、図２に示すように１ｐｐｍの遊離塩素
濃度は約９０分で０ｐｐｍに低下するので、冷凍機の銅
配管等の腐食に与える悪影響は少ない。
６０ｐｐｍの遊離塩素水は循環冷却水に混合されて０．
３ｐｐｍ〜１ｐｐｍの遊離塩素濃度となりレジオネラ菌
は殺菌されるが、図２に示すように１ｐｐｍの遊離塩素
濃度は約９０分で０ｐｐｍに低下するので、冷凍機の銅
配管等の腐食に与える悪影響は少ない。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、極めて入
手しやすい食塩を原料とし、電解槽で電解を進行させて
遊離塩素濃度を高めたうえで、遊離塩素水を冷却塔に導
入するようにしているので、安価・簡便な方法により冷
却塔内の冷却水中のレジオネラ菌を確実に殺菌できる。
しかも遊離塩素濃度は時間の経過とともに次第に低下し
ていくので、遊離塩素水が冷却塔内の冷凍機の配管など
の金属部分の腐食に悪影響を及ぼすことも少ない。
手しやすい食塩を原料とし、電解槽で電解を進行させて
遊離塩素濃度を高めたうえで、遊離塩素水を冷却塔に導
入するようにしているので、安価・簡便な方法により冷
却塔内の冷却水中のレジオネラ菌を確実に殺菌できる。
しかも遊離塩素濃度は時間の経過とともに次第に低下し
ていくので、遊離塩素水が冷却塔内の冷凍機の配管など
の金属部分の腐食に悪影響を及ぼすことも少ない。
【図１】本発明の一実施例の冷却塔におけるレジオネラ
菌の殺菌システムの全体構成図
菌の殺菌システムの全体構成図
【図２】本発明の一実施例の冷却塔における冷却水中の
遊離塩素濃度の経時変化図
遊離塩素濃度の経時変化図
【図３】本発明の一実施例の循環系の遊離塩素濃度の経
時変化図
時変化図
１ 貯水槽 ２ ポンプ ６ 冷却塔 ８ 電解槽 １１ 食塩水溶液槽
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０２Ｆ 1/50 ５４０ Ｂ ５５０ Ｈ ５６０ Ｆ 1/76 Ａ Ｆ２８Ｆ 19/01 25/00 (72)発明者 池上 慎治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】貯水槽の食塩水を、ポンプの駆動により循
環系を繰り返し循環させながら、この循環系に設けられ
た電解槽で電解を進行させることにより、この電解によ
って生成される遊離塩素水の遊離塩素濃度を次第に高
め、遊離塩素濃度が高くなった遊離塩素水を冷却塔に導
入することにより、この冷却塔内の冷却水中のレジオネ
ラ菌を殺菌することを特徴とする冷却塔におけるレジオ
ネラ菌の殺菌方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26231694A JP3353497B2 (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 冷却塔におけるレジオネラ菌の殺菌方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26231694A JP3353497B2 (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 冷却塔におけるレジオネラ菌の殺菌方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08117757A true JPH08117757A (ja) | 1996-05-14 |
| JP3353497B2 JP3353497B2 (ja) | 2002-12-03 |
Family
ID=17374084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26231694A Expired - Fee Related JP3353497B2 (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 冷却塔におけるレジオネラ菌の殺菌方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3353497B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002113469A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-16 | Katayama Chem Works Co Ltd | 工業用用廃水系の汚染防止方法 |
| JP2004121969A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Kurita Water Ind Ltd | 冷却水の処理方法 |
| JP2005330192A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Jfe Engineering Kk | 塩素水和物消毒剤およびそれを用いた消毒方法ならびに消毒装置 |
| US7252801B2 (en) * | 2001-11-27 | 2007-08-07 | John Innes Coffey | Method for controlling legionella in cooling towers |
| JP2011200746A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Tominaga Oil Pump Mfg Co Ltd | 電解水供給システム |
| JP2017083135A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 東芝プラントシステム株式会社 | 水冷式変電所のレジオネラ属菌対策システム、被冷却体冷却システム、レジオネラ属菌対策方法および被冷却体冷却方法 |
-
1994
- 1994-10-26 JP JP26231694A patent/JP3353497B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002113469A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-16 | Katayama Chem Works Co Ltd | 工業用用廃水系の汚染防止方法 |
| US7252801B2 (en) * | 2001-11-27 | 2007-08-07 | John Innes Coffey | Method for controlling legionella in cooling towers |
| JP2004121969A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Kurita Water Ind Ltd | 冷却水の処理方法 |
| JP2005330192A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Jfe Engineering Kk | 塩素水和物消毒剤およびそれを用いた消毒方法ならびに消毒装置 |
| JP2011200746A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Tominaga Oil Pump Mfg Co Ltd | 電解水供給システム |
| JP2017083135A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 東芝プラントシステム株式会社 | 水冷式変電所のレジオネラ属菌対策システム、被冷却体冷却システム、レジオネラ属菌対策方法および被冷却体冷却方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3353497B2 (ja) | 2002-12-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |