JPH08113778A - 液晶組成物およびこれを含む液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【構成】 （式中、Ｒ₇₁はアルキル基、アルコキシアルキル基を示
し、ｌ、ｍ、ｐおよびｑは０または１を示し、Ａ₇₁、Ａ
₇₂およびＡ₇₃はそれぞれ独立にフェニレン基等を示
す。）で表される化合物から選ばれる少なくとも一種の
化合物と、 （式中、Ｒ₁₁およびＲ₁₂はアルキル基、アルコキシ基ま
たはアルコキシアルキル基の何れかを示し、Ａ₁₁、Ａ₁₂
およびＡ₁₃はそれぞれ独立にフェニレン基等を示す。）
で表される化合物から選ばれる少なくとも一種の化合物
を含有することを特徴とする強誘電性カイラルスメクチ
ック液晶組成物。 【効果】カイラルスメクチックＣ相の上限温度が高く、
かつ自発分極が十分大きく、表示素子などの液晶素子に
用いることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規な強誘電性カイラ
ルスメクティック液晶組成物およびそれを用いた液晶素
子に関する。さらに詳しくは、応答速度が改良された新
規な液晶組成物、およびそれを使用した光シャッターや
表示素子などに使用できる液晶素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年情報化社会の進展に伴い、各種の表
示装置はマンマシーンインターフェースの一つとして、
その重要性がますます高まっている。そのような中で平
面ディスプレイ、特に液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は、
薄型・軽量・低電圧駆動・低消費電力などの特徴を有
し、急速に普及してきた。液晶ディスプレイに代表され
る液晶素子のうち情報量の大きいマトリクス型液晶素子
には、アクティブマトリクス方式と単純マトリクス方式
と呼ばれている二つの駆動方法がある。

【０００３】アクティブマトリクス方式は、ポリシリコ
ン、アモルファスシリコンなどの薄膜トランジスターま
たはダイオードを画素毎に非線形素子として装着したも
のである。しかし、アクティブマトリクス方式は、複雑
な製造プロセスと歩留まりの悪さから、大面積化、低価
格化および高密度化に関して課題を有しており、価格や
生産性などを考え合わせると単純マトリクス方式の方が
有力である。

【０００４】現在実用化されている単純マトリクス方式
の液晶素子としてはＴＮ型・ＳＴＮ型液晶を用いたもの
が主流である。しかしこれらの液晶素子の光学的な応答
は、電界印加時に生じる液晶分子の誘電率異方性に基づ
く平均的な液晶分子軸の特定方向への配列を利用してい
る。従ってこれらの液晶素子の光学的な応答速度の限界
は、ミリ秒のオーダーであり、情報量の増大を考えると
不十分である。

【０００５】また、情報量を増大させるために走査線の
数を増大すると、コントラスト比の低下やクロストーク
が原理的に避けられない。これはＴＮ型やＳＴＮ型の液
晶がメモリー性（双安定性）を示さないことによる本質
的な問題である。このことを改良するために、二周波駆
動法、電圧平均化法および多重マトリクス法など種々の
駆動法が提案されているが問題の本質的な解決ではな
く、大容量化、高密度化は容易ではない。またこれらの
液晶は視野角の制約や表示品質にも大きな問題がある。

【０００６】このような液晶素子の本質的な問題点を解
決することを目標に、１９８０年にＮ．Ａ．Ｃｌａｒｋ
とＳ．Ｔ．Ｌａｇｅｒｗａｌｌは、双安定性を有する液
晶を利用する液晶素子を提案した（米国特許第４３６７
９２４号明細書、特開昭５６−１０７２１６号公報な
ど）。このような双安定性を示す液晶としてはカイラル
スメクチックＣ相を発現する強誘電性液晶が主として用
いられている。

【０００７】強誘電性液晶を用いることの特徴の一つ
は、強誘電性液晶が双安定性を示すことにある。双安定
性とは、強誘電性液晶を透明電極を有する二枚のガラス
基板間に狭持した場合に、印加する電界の向きに依存し
て二つの光学的な安定状態を有し、しかもこの二つの光
学的安定状態は、印加した電界を除去しても維持される
性質である。このような性質を有することから、強誘電
性液晶を用いた液晶素子は走査線の数を増大させてもコ
ントラスト比の低下やクロストークがないことが期待で
きる。

【０００８】もう一つの強誘電性液晶の特徴は、高速応
答性にある。すなわち強誘電性液晶の光学的応答は、強
誘電性液晶が有する自発分極と電場との直接的な相互作
用によって生じる液晶分子の配列の変化を利用するた
め、前述したＴＮ型、ＳＴＮ型液晶の場合の光学応答に
比較して、約１０００倍速い。

【０００９】すなわち、強誘電性液晶素子は、（１）二
つの光学的安定状態を示し、その光学的安定状態が電界
を除去してもそのまま保持され（双安定性）、（２) そ
の二つの光学的安定状態をマイクロ秒オーダーでスイッ
チングする（高速応答性）という本質的な特徴を有す
る。さらに強誘電性液晶素子は、（３）液晶分子が基板
に対して平行な面内で応答し、セル厚さも薄いので表示
の視角依存性が小さい（広視野角）という特徴も有して
いる。

【００１０】したがって強誘電性液晶素子は、アクティ
ブマトリクス方式の場合のように高価な非線形素子を必
要とせず、単純マトリクス方式で大表示容量と高表示品
質を達成できる高品質大型ディスプレイとして期待され
ている。

【００１１】また最近、液晶の応答時間が特定の電圧で
最小値を示すように調整された液晶材料を用いたマトリ
クスアレイ型液晶セルのアドレス法（インバースモード
またはτーＶｍｉｎモード）が、マシュウ フランシス
ボーンにより報告された（特開平３−２０７１５号公
報）。このようなアドレス法では、液晶の応答時間が特
定の電圧で最小値を示すことを利用して、応答時間の電
圧依存性における正勾配部分を用いて液晶素子を駆動し
ている。このような駆動法を用いることにより、ちらつ
きが少なく、良好な画質が得られることが期待される。

【００１２】このようなインバースモードに適した液晶
材料は、良好な配向状態を得るために必要な相系列、す
なわち等方相から徐冷したときにコレステリック相、ス
メクチックＡ相を経てカイラルスメクチックＣ相に転移
する相系列を有し、低粘度で高速応答性を示すという強
誘電性液晶材料として従来から要求されている特性のほ
かに、誘電率異方性が少なくとも１ｋＨｚ〜４０ｋＨｚ
の周波数範囲にわたって負を示すことである。

【００１３】これまでインバースモード用の液晶材料
は、学術雑誌や学会発表でいくつか報告されているが、
解決しなければならない課題を有している。そのような
課題の一つに、キラルスメクチックＣ相を示す温度範囲
が十分に広く、しかも応答時間が特定の電界で最小値を
示す液晶材料の開発がある。例えば第１９回液晶討論会
（平成５年）講演予稿集２４９頁および２５１頁に記載
の組成物は、インバースモード用液晶材料として優れた
ものではあるが、カイラルスメクチックＣ相の上限温度
に関しては、実用的な観点からは満足できるものではな
い。また、パネル化においては、Ｖｍｉｎ値に温度依存
性が大きく、動作温度の決定が困難であるのも現状であ
る。

【００１４】このため現在までに強誘電性を示す液晶材
料に関して莫大な研究がなされ報告されている。強誘電
性液晶素子を実用化するためには、解決しなければなら
ない課題がいくつか存在しているが、特に広い動作温度
を持つこと、駆動条件にかかわる物性の温度依存性が小
さい液晶材料を提供することが要求されている。

【００１５】

【本発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、充
分な大きさの自発分極を誘起することができ、かつカイ
ラルスメクチックＣ相の上限温度が保持された強誘電性
液晶組成物および該組成物を用いた液晶素子を提供する
ことである。またインバースモード用液晶材料の場合
は、自発分極には最適値が存在するが、キラルドーパン
トの少量添加でその最適値を達成することができ、かつ
添加してもカイラルスメクチックＣ相の上限温度が保持
された強誘電性液晶組成物および該組成物を用いた液晶
素子を提供することである。さらにτーＶ特性における
Ｖｍｉｎ値の温度依存性が小さい強誘電性液晶組成物お
よび該組成物を用いた液晶素子を提供することである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は次に記す発明か
らなる。 〔１〕下記一般式（Ｖ）

【００１７】

【化１２】 （式中、Ｒ₅₁は炭素数２〜２０のアルキル基またはアル
コキシル基を、Ｘ₅ は−ＣＯＯ−または−ＣＨ₂ Ｏ−
（但し、結合部位は問わない）をそれぞれ示す。ｌおよ
びｍはそれぞれ１または２である。ｎは０〜５の整数で
ある。Ｚは水素原子またはフッ素原子を表す。＊印は不
斉炭素であることを示す）で表される化合物、または一
般式（ＶＩ）

【００１８】

【化１３】 （式中、Ｒ₆₁は、炭素数１〜２０のアルキル基を示し、
Ｘ₆ は−ＣＯＯ−または−ＣＨ₂ Ｏ−（但し、結合部位
は問わない）を、Ｙ₆ は−Ｏ−または−ＣＯＯ−（但
し、結合部位は問わない）をそれぞれ示し、Ａ₆ は

【００１９】

【化１４】 を示し、ｎは０〜５の整数であり、ｍは０または１であ
る。Ｚは水素原子またはフッ素原子を表す。＊印は不斉
炭素であることを示す）で表される化合物、または一般
式（ＶＩＩ）

【００２０】

【化１５】 （式中、Ｒ₇₁は炭素数１〜２０の飽和もしくは不飽和の
アルキル基、炭素数２〜２０の飽和もしくは不飽和のア
ルコキシアルキル基を示し、ｌ、 ｍ、ｐおよびｑは０ま
たは１を示し、Ａ₇₁、Ａ₇₂およびＡ₇₃はそれぞれ独立に

【００２１】

【化１６】 （式中、ｖは０〜４の整数を示し、ｒおよびｓは０〜３
の整数を示す。）で表される縮合環または単環から選ば
れるものであり、Ａ₇₁が縮合環であるときは、ｐとｑの
和は０または１であり、かつ、Ａ₇₂およびＡ₇₃は単環で
あり、Ａ₇₁が単環であるときは、ｐとｑの和は１または
２であり、ｐとｑの和が２の場合、Ａ₇₂およびＡ₇₃はい
ずれも単環である。ｎは０〜８の整数である。Ｙ₇ は二
重結合または三重結合または単結合を示す。Ｚは水素原
子またはフッ素原子を表す。＊印は不斉炭素であること
を示す）で表される化合物、または一般式（ＶＩＩＩ）

【００２２】

【化１７】 （式中、Ｒ₈₁およびＲ₈₂は炭素数１〜１８のアルキル基
を示し、Ｘ₈ は単結合または−Ｏ−を示す。ｍは０また
は１であり、環Ａはフッ素置換されていてもよいフェニ
レン基またはシクロヘキシレン基を、環Ｂはフッ素置換
されていてもよいフェニレン基を表す。ｎは０〜５の整
数である。＊印は不斉炭素であることを示す。（但し、
この中で一般式（Ｖ）から（ＶＩＩ）で表されるものは
除く））で表される化合物の中から選ばれる、少なくと
も一種類以上を含有することを特徴とする強誘電性カイ
ラルスメクチック液晶組成物。

【００２３】〔２〕前記項〔１〕記載の強誘電性カイラ
ルスメクチック液晶組成物と、下記一般式（Ｉ）

【００２４】

【化１８】 （式中、Ｒ₁₁はハロゲン原子で置換されていてもよい炭
素数１〜２０のアルキル基、アルコキシ基またはアルコ
キシアルキル基のいずれかを示し、これらの中に不飽和
結合を含んでいてもよく、Ｒ₁₂はハロゲン原子で置換さ
れていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、アルコキ
シ基またはアルコキシアルキル基のいずれかを示し、こ
れらの中に不飽和結合を含んでいてもよく、Ａ₁₁、
Ａ₁₂、およびＡ₁₃はそれぞれ独立に

【００２５】

【化１９】 （式中、ｉは０〜４の整数を示し、ｊ、ｋは０〜３の整
数を示す。）で表される縮合環または単環から選ばれる
ものであり、ｐ、ｑはそれぞれ独立に０または１であ
り、Ａ₁₁、Ａ₁₂およびＡ₁₃のいずれかが縮合環であると
きは、ｐとｑの和は０または１であり、Ａ₁₁が縮合環で
あるときは、ｐとｑの和は０または１であり、かつＡ₁₂
およびＡ₁₃は単環であり、Ａ₁₁が単環であるときは、ｐ
とｑの和は１または２であり、ｐとｑの和が２の場合に
は、Ａ₁₂およびＡ₁₃はいずれも単環である。＊印は不斉
炭素であることを示し、Ｚは水素原子またフッソ原子を
示し、ｎは０〜１０の整数、ｒ、ｓ、ｔおよびｕはそれ
ぞれ独立に０または１である。但し、ｕ＝１の場合はト
ランスオレフィンである。）で表される化合物の少なく
とも一種類を必須成分として含有することを特徴とする
強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。

【００２６】〔３〕一般式（Ｉ）で示される化合物のう
ち、ｕ＝１である化合物を用いることを特徴とする前記
項〔２〕記載の強誘電性カイラルスメクチック液晶組成
物。

【００２７】〔４〕一般式（Ｉ）で示される化合物のう
ち、ｕ＝１であり、Ａ₁₁、Ａ₁₂およびＡ₁₃の少なくとも
一つが

【化２０】 である化合物を用いることを特徴とする前記項〔２〕記
載の強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。

【００２８】〔５〕前記項〔２〕記載の強誘電性カイラ
ルスメクチック液晶組成物と、下記一般式（ＩＶ）

【化２１】 （式中、Ｒ₄₁は炭素数５〜１５のアルキル基、アルコキ
シ基またはアルコキシアルキル基を表し、Ｒ₄₂はハロゲ
ン原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキ
ル基もしくはアルコキシ基またはハロゲン原子で置換さ
れていてもよい炭素数２〜１０のアルコキシアルキル基
を表し、Ｒ₄₁およびＲ₄₂の連続するメチレン鎖は二重結
合または三重結合で置換されていてもよく、ｃおよびｄ
はそれぞれ独立に１または２であり、ｃとｄの和は３で
あり、ｅは０〜１０の整数であり、ｆ、ｇおよびｈはそ
れぞれ独立に０または１であり、Ｘ₄ は−ＣＯＯ−また
は−ＯＣＯ−であり、ベンゼン環の水素原子の少なくと
も１つはフッ素原子に置換されており、＊印は不斉炭素
であることを示し、Ｚは水素原子またはフッ素原子であ
る。）で表される化合物を必須成分として含有すること
を特徴とする強誘電性カイラルスメクチック液晶組成
物。

【００２９】〔６〕一般式（Ｉ）で示される化合物のう
ち、Ａ₁₁、Ａ₁₂およびＡ₁₃の少なくとも一つが

【化２２】 である化合物を用いることを特徴とする前記項〔２〕記
載の強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物と、前記
一般式（ＩＶ）で表される化合物を必須成分として含有
することを特徴とする強誘電性カイラルスメクチック液
晶組成物。

【００３０】〔７〕前記項〔４〕記載の強誘電性カイラ
ルスメクチック液晶組成物と、前記一般式（ＩＶ）で表
される化合物を必須成分として含有することを特徴とす
る強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。

【００３１】〔８〕前記項〔１〕記載の強誘電性カイラ
ルスメクチック液晶組成物であって、前記一般式（Ｖ）
〜（ＶＩＩＩ）で表される化合物の比率（モル基準）が
１〜２０％であることを特徴とする強誘電性カイラルス
メクチック液晶組成物。

【００３２】

〔９〕前記項〔１〕から項〔８〕記載の強
誘電性カイラルスメクチック液晶組成物から選ばれる少
なくとも一種の液晶組成物を一対の電極基板間に挟持し
てなることを特徴とする液晶素子。

【００３３】前記一般式（Ｖ）で示される化合物の具体
例としては、以下に示すものが挙げられる。以下、化２
３〔（Ｖ−１）〜（Ｖ−１２）〕〜化２４〔（Ｖ−１
３）〜（Ｖ〜２４）〕で示される化合物において、Ｒ₅₁
は炭素数２〜２０のアルキル基を示す。Ｚは水素原子ま
たはフッ素原子を示す。ｎは０〜５の整数である。

【００３４】

【化２３】

【００３５】

【化２４】

【００３６】前記一般式（ＶＩ）で示される化合物の具
体例としては、以下に示すものが挙げられる。以下、化
２５〔（ＶＩ−１）〜（ＶＩ−１２）〕〜化２６〔（Ｖ
Ｉ−１３）〜（ＶＩ−２４）〕で示される化合物におい
てＲ₆₁は炭素数１〜２０のアルキル基を示す。Ｚは水素
原子またはフッ素原子を示す。ｎは０〜５の整数であ
る。

【００３７】

【化２５】

【００３８】

【化２６】

【００３９】前記一般式（ＶＩＩ）で示される化合物の
具体例としては、以下に示すものが挙げられる。以下、
化２７〔（ＶＩＩ−１）〜（ＶＩＩ−１２）〕〜化３８
〔（ＶＩＩ−１３３）〜（ＶＩＩ−１５０）〕で示され
る化合物においてＲ₇₁は炭素数１〜２０のアルキル基を
示す。Ｚは水素原子またはフッ素原子を示す。ｎは０〜
８の整数である。

【００４０】

【化２７】

【００４１】

【化２８】

【００４２】

【化２９】

【００４３】

【化３０】

【００４４】

【化３１】

【００４５】

【化３２】

【００４６】

【化３３】

【００４７】

【化３４】

【００４８】

【化３５】

【００４９】

【化３６】

【００５０】

【化３７】

【００５１】

【化３８】

【００５２】前記一般式（ＶＩＩＩ）で示される化合物
の具体例としては、以下に示すものが挙げられる。以
下、化３９〔（ＶＩＩＩ−１）〜（ＶＩＩＩ−１６）〕
で示される化合物においてＲ₈₁およびＲ₈₂は炭素数１〜
１８のアルキル基を示す。ｎは０〜５の整数である。

【００５３】

【化３９】

【００５４】光学活性化合物は、例えば、特開平１−１
０４０２６、特開平２−２７５８６４または特開平３−
２６４５６６号公報などに記載の方法で合成することが
できる。

【００５５】前記一般式（Ｉ）で示される化合物の具体
例としては、以下に示すものが挙げられる。以下、化４
７〔（Ｉ−１）〜（Ｉ−１２）〕〜化４９〔（Ｉ−２
５）〜（Ｉ−３０）〕で示される化合物においてＲ₁₁、
Ｒ₁₂はそれぞれハロゲン原子で置換されていてもよい炭
素数１〜２０のアルキル基、アルコキシ基またはアルコ
キシアルキル基である。また化５０〔（Ｉ−１ａ）〜
（Ｉ−１２ａ）〕〜化１０７〔（Ｉ−１ａｓ）〜（Ｉ−
９ａｓ）〕の化合物において、式中の二重結合は全てト
ランス結合である。Ｇは、

【００５６】

【化４０】 または、

【００５７】

【化４１】 である。またＥは、

【００５８】

【化４２】 または、

【００５９】

【化４３】 または、

【００６０】

【化４４】 または、

【００６１】

【化４５】 または、

【００６２】

【化４６】 または水素原子である。式中のＺは水素原子またはフッ
素原子である。ｎは０〜１０の整数、ｉおよびｋはそれ
ぞれ独立に１〜２０の整数である。

【００６３】

【化４７】

【００６４】

【化４８】

【００６５】

【化４９】

【００６６】

【化５０】

【００６７】

【化５１】

【００６８】

【化５２】

【００６９】

【化５３】

【００７０】

【化５４】

【００７１】

【化５５】

【００７２】

【化５６】

【００７３】

【化５７】

【００７４】

【化５８】

【００７５】

【化５９】

【００７６】

【化６０】

【００７７】

【化６１】

【００７８】

【化６２】

【００７９】

【化６３】

【００８０】

【化６４】

【００８１】

【化６５】

【００８２】

【化６６】

【００８３】

【化６７】

【００８４】

【化６８】

【００８５】

【化６９】

【００８６】

【化７０】

【００８７】

【化７１】

【００８８】

【化７２】

【００８９】

【化７３】

【００９０】

【化７４】

【００９１】

【化７５】

【００９２】

【化７６】

【００９３】

【化７７】

【００９４】

【化７８】

【００９５】

【化７９】

【００９６】

【化８０】

【００９７】

【化８１】

【００９８】

【化８２】

【００９９】

【化８３】

【０１００】

【化８４】

【０１０１】

【化８５】

【０１０２】

【化８６】

【０１０３】

【化８７】

【０１０４】

【化８８】

【０１０５】

【化８９】

【０１０６】

【化９０】

【０１０７】

【化９１】

【０１０８】

【化９２】

【０１０９】

【化９３】

【０１１０】

【化９４】

【０１１１】

【化９５】

【０１１２】

【化９６】

【０１１３】

【化９７】

【０１１４】

【化９８】

【０１１５】

【化９９】

【０１１６】

【化１００】

【０１１７】

【化１０１】

【０１１８】

【化１０２】

【０１１９】

【化１０３】

【０１２０】

【化１０４】

【０１２１】

【化１０５】

【０１２２】

【化１０６】

【０１２３】

【化１０７】

【０１２４】前記一般式（ＩＶ）で示される化合物の具
体例としては、以下に示すものが挙げられる。以下、化
１０８〔（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−１２）〕〜化１１１
〔（ＩＶ−３７）〜（ＩＶ−５１）〕で示される化合物
において、Ｒ₄₁は炭素数５〜１５のアルキル基、アルコ
キシル基またはアルコキシアルキル基、Ｒ₄₂は炭素数１
〜１０のアルキル基、アルコキシル基または炭素数２〜
１０のアルコキシアルキル基であり、Ｒ₄₁およびＲ₄₂の
連続するメチレン鎖は二重結合または三重結合に置換さ
れていてもよく、Ｚは水素原子またはフッ素原子であ
り、ｒは０〜１０の整数であり、＊印は不斉炭素である
ことを示す。

【０１２５】

【化１０８】

【０１２６】

【化１０９】

【０１２７】

【化１１０】

【０１２８】

【化１１１】

【０１２９】本発明の液晶組成物には、強誘電性液晶相
における自発分極値の調整およびコレステリック相にお
ける螺旋ピッチの調整を目的として、他の光学活性化合
物を一種以上適当な割合で混合することができる。該光
学活性化合物はそれ自身が液晶相を示す必要は必ずしも
ない。また液晶温度範囲の拡大および保持等を目的に、
他のノンキラル化合物を１種以上適当な割合で混合する
ことができる。具体例としては以下に記載したような化
合物を用いることができる。

【０１３０】以下、化１１２〔（Ｘ−１）〜（Ｘ−１
２）〕〜化１１３〔（Ｘ−１３）〜（Ｘ−１９）〕で示
される化合物において、Ｒ₁₀は炭素数５〜１５のアルキ
ル基、Ｒ₁₁はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素
数１〜１０のアルキル基もしくはアルコキシ基またはハ
ロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のア
ルコキシアルキル基を示し、ｍは０〜１０の整数を示
し、Ｚは水素原子またはフッ素原子を示し、＊印は不斉
炭素であることを示す。

【０１３１】

【化１１２】

【０１３２】

【化１１３】

【０１３３】本発明で用いる他の光学活性化合物の具体
例を示したが、本発明はこれらの例に限定されるもので
はない。

【０１３４】本発明に関わる液晶素子は種々のタイプの
液晶素子、表示装置として利用することができる。液晶
素子の構造は特に限定するものではないが、図１に強誘
電性液晶素子の一例の概略図を示す。図１において、１
は偏光板、２はガラス基板、３は透明電極、４は絶縁性
の配向制御膜、５は強誘電性液晶、６はスペーサーであ
る。

【０１３５】図１に記載したような構造をもつ液晶素子
の一つの例として表面安定化型強誘電性液晶表示装置を
挙げることができる。この表示装置は、二枚のガラス基
板２の間の間隔を極めて薄くしたセルに強誘電性液晶を
水平配向するようにつめたものである。強誘電性液晶層
５の厚さは、二枚のガラス基板２の間隔とそれらの上で
強誘電性液晶層５の方向に設置された透明電極３と絶縁
性配向膜４の厚みのみで決定され、通常０．５〜２０μ
ｍ、好ましくは１〜５μｍである。

【０１３６】透明電極３は、液晶層側のガラス基板２上
に被覆されており、その材料としては通常 ITO（Indium
-Tin Oxide）、Ｉｎ₂ Ｏ₃ およびＳｎＯ₂ などが用いら
れている。

【０１３７】透明電極３の液晶層側５には、絶縁性配向
膜が設置されている。この際、配向膜がそれ単独で充分
な絶縁性を有する場合には、配向膜のみでよいが、必要
に応じて配向膜および該配向膜の下に絶縁膜を設置し、
その両者で絶縁性配向膜としてもかまわない。

【０１３８】配向膜としては、有機物、無機物、低分子
および高分子など公知のものを使用することができる。
高分子物質としては、例えばポリイミド、ポリアミド、
ポリアミドイミド、ポリビニルアルコール、ポリスチレ
ン、ポリエステル、ポリエステルイミドや種々のフォト
レジストなどを必要に応じて用いることができる。

【０１３９】またこれらの高分子物質を配向膜として用
いた場合には必要に応じてこれら配向膜の表面を、ガー
ゼやアセテート植毛布などを用いて、一方向にこする、
いわゆるラビング処理を行なうことによって液晶分子の
配向をより一層促進することができる。

【０１４０】絶縁膜としては、例えば、チタン酸化物、
アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、シリコン酸
化物、シリコン窒化物などを用いることができる。

【０１４１】これらの配向膜や絶縁膜を形成する方法と
しては、必要に応じて、それら用いる物質によって最適
な方法を用いることができる。例えば、高分子物質の場
合には、その高分子物質またはその前駆体を、それらの
物質を溶解できる溶媒に溶解後、スクリーン印刷法、ス
ピンナー塗布法、浸漬法などの方法で塗布することがで
きる。無機物質の場合には、浸漬法、蒸着法、斜方蒸着
法などを用いることができる。

【０１４２】これら絶縁性配向膜の厚みとしては、特に
限定するものでないが、１０Å〜２０μｍ、好ましくは
２０Å〜１０００Åである。これら絶縁性配向膜４およ
び透明電極３を設置した二枚のガラス基板３は、スペー
サー６を介して所定の間隔に保持される。スペーサーと
しては、シリカ、アルミナ、高分子よりなり、所定の直
径または厚みを有するビーズ、ファイバーまたはフィル
ム状の絶縁性の材料を用いることができる。これらスペ
ーサ６を２枚のガラス基板２で挟持し、周囲を例えばエ
ポキシ系接着剤等を用いてシールした後、強誘電性液晶
を封入することができる。

【０１４３】二枚のガラス基板の外側には、通常一枚ま
たは二枚の偏光板１が設置されている。二色性色素を添
加するゲストーホスト法の場合は用いる偏光板は一枚
で、複屈折法の場合は用いる偏光板は二枚である。図１
には二枚の偏光板を用いた場合が例示されている。この
際、二枚の偏光板は互いの偏光軸を直交させた状態、す
なわちクロスニコル状態となっている。透明電極３は、
適当なリード線が接続されており、外部の駆動回路に接
続されている。

【０１４４】

【実施例】以下、実施例により、本発明に関してより詳
細に述べるが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。

【０１４５】実施例１、比較例１ 一般式（ＶＩＩ）および（Ｉ）で示される化合物を、表
１に示す割合（モル％、以下同じ）で混合し、強誘電性
カイラルスメクチック液晶組成物Ａ（実施例１）を調製
した。

【０１４６】

【表１】

【０１４７】この液晶組成物Ａを、透明電極とポリイミ
ド配向膜を塗布した二枚のガラス基板間に、スペーサー
を用いてギャップが２μｍになるように挟持し、この二
枚のガラス基板のそれぞれ外側に偏光面が９０゜回転し
た状態で二枚の偏光板を設置し液晶素子を作製した。こ
の際、光の入射側の偏光軸はポリイミド配向膜のラビン
グ方向に一致するように設置した。

【０１４８】次にこの液晶素子を用いてSc* 相の上限温
度と自発分極を測定した。相転移温度はホットステージ
でセルの温度を制御し、温度変化に伴う液晶相のテクス
チャー変化を偏光顕微鏡で観察して決定した。セルは直
交した偏光板の間に挿入して観察しているので、入射光
の振動面に対して光学異方性を持つ相のみ観察できる。
温度は２．５℃／ｍｉｎの割合で変化させた。自発分極
は、三角波を印加したときの分極反転電流から自発分極
の電荷密度を求める三角波法で測定した。測定法は以下
においても同様である。

【０１４９】比較のために液晶組成物Ａの中の一般式
（ＶＩＩ）で示される化合物の代わりに別の化合物を表
２に示す割合で混合し、液晶組成物１（比較例１）を調
製した。

【０１５０】

【表２】

【０１５１】この液晶組成物１を用いて、液晶組成物Ａ
と同様の液晶素子を作製し、Sc* 相の上限温度と自発分
極を測定した。測定結果を表３に示す。なお、自発分極
測定温度は、Sc* 相上限温度が著しく異なるため、SA-S
c*転移点から１０℃の点で測定した。結果を表３に記し
た。

【０１５２】

【表３】

【０１５３】表３に記載したS*相上限温度と自発分極の
測定値から明らかなように、本発明に関わる液晶組成物
の方が、S*相上限温度が高く自発分極が大きく優れてい
る。すなわち、一般式（ＶＩＩ）で示される化合物をキ
ラルドーパントとして用いることによって、S*相上限温
度が高く、自発分極が大きい組成物を提供することがで
きる。

【０１５４】実施例２、比較例２ 一般式（ＶＩＩ）および（Ｉ）で示される化合物を、表
４に示す割合で混合し、強誘電性カイラルスメクチック
液晶組成物Ｂ（実施例２）を調製した。

【０１５５】

【表４】

【０１５６】この液晶組成物Ｂを用いて、実施例１と同
様に液晶素子を作製した。次にこの液晶素子を用いてSc
* 相の上限温度と自発分極を測定した。

【０１５７】比較のために液晶組成物Ｂの中の一般式
（ＶＩＩ）で示される化合物の代わりに別の化合物を表
５に示す割合で混合し、液晶組成物２（比較例２）を調
製した。

【０１５８】

【表５】

【０１５９】この液晶組成物２を用いて、液晶組成物Ｂ
と同様の液晶素子を作製し、Sc* 相の上限温度と自発分
極を測定した。これらの測定結果を表６に示す。なお、
自発分極測定温度はSc* 相上限温度が著しく異なるた
め、SA-Sc*転移点から10℃の点で測定した。

【０１６０】

【表６】

【０１６１】表６に記載したS*相上限温度と自発分極の
測定値から明らかなように、本発明の液晶組成物の方
が、S*相上限温度が高く自発分極が大きく優れている。
すなわち、一般式（ＶＩＩ）で示される化合物をキラル
ドーパントとして用いることにより、S*相上限温度が高
く、自発分極が大きい組成物を提供することができる。

【０１６２】実施例３、比較例３ 一般式（ＶＩＩ）および（Ｉ）で示される化合物を、表
７に示す割合で混合し、強誘電性カイラルスメクチック
液晶組成物Ｃ（実施例３）を調製した。

【０１６３】

【表７】

【０１６４】この液晶組成物Ｃを用いて実施例１と同様
にして液晶素子を作製した。次にこの液晶素子を用いて
Sc* 相の上限温度と自発分極を測定した。比較のために
液晶組成物Ｃの中の一般式（ＶＩＩ）で示される化合物
の代わりに別の化合物を表８に示す割合で混合し、液晶
組成物３（比較例３）を調製した。

【０１６５】

【表８】

【０１６６】この液晶組成物３を用いて、液晶組成物Ｃ
と同様の液晶素子を作製し、Sc* 相上限温度と自発分極
を測定した。これらの測定結果を表９に示す。なお、自
発分極測定温度は２５℃で測定した。

【０１６７】

【表９】

【０１６８】表９に記載したS*相上限温度と自発分極の
測定値から明らかなように、本発明に関わる液晶組成物
の方が、S*相上限温度が高く自発分極が大きく優れてい
る。すなわち、一般式（ＶＩＩ）で示される化合物をキ
ラルドーパントとして用いることによって、S*相上限温
度が高く、自発分極が大きい組成物を提供することがで
きる。

【０１６９】実施例４、比較例４ 一般式（ＶＩＩ）および（Ｉ）で示される化合物を、表
１０に示す割合で混合し、強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶組成物Ｄ（実施例４）を調製した。

【０１７０】

【表１０】

【０１７１】この液晶組成物Ｄを用いて実施例１と同様
に液晶素子を作製した。次にこの液晶素子を用いてSc*
相の上限温度と自発分極を測定した。比較のために液晶
組成物Ｄの中の一般式（ＶＩＩ）で示される化合物の代
わりに別の化合物を表１１に示す割合で混合し、液晶組
成物４（比較例４）を調製した。

【０１７２】

【表１１】

【０１７３】この液晶組成物４を用いて、液晶組成物Ｄ
と同様の液晶素子を作製し、Sc* 相上限温度と自発分極
を測定した。測定結果を表１２に示す。なお、自発分極
測定温度は２５℃で測定した。

【０１７４】

【表１２】

【０１７５】表１２に記載したS*相上限温度と自発分極
の測定値から明らかなように、本発明の液晶組成物の方
が、S*相上限温度が高く自発分極が大きく優れている。
すなわち、一般式（ＶＩＩ）で示される化合物をキラル
ドーパントとして用いることによって、S*相上限温度が
高く、自発分極が大きい組成物を提供することができ
る。

【０１７６】実施例５、比較例５ 一般式（ＶＩＩ）、（Ｉ）および（ＩＶ）で示される化
合物を、表１３に示す割合で混合し、強誘電性カイラル
スメクチック液晶組成物Ｅ（実施例５）を調製した。

【０１７７】

【表１３】

【０１７８】この液晶組成物Ｅを用いて実施例１と同様
に液晶素子を作製した。次にこの液晶素子を用いてSc*
相の上限温度と自発分極を測定した。比較のために液晶
組成物Ｅの中の一般式（ＶＩＩ）で示される化合物の代
わりに別の化合物を表１４に示す割合で混合し、液晶組
成物５（比較例５）を調製した。

【０１７９】

【表１４】

【０１８０】この液晶組成物５を用いて、液晶組成物Ｅ
と同様の液晶素子を作製し、Sc* 相上限温度と自発分極
を測定した。これらの測定結果を表１５に示す。なお、
自発分極測定温度は２５℃で測定した。

【０１８１】

【表１５】 表１５に記載したS*相上限温度と自発分極の測定値から
明らかなように、本発明の液晶組成物の方が、S*相上限
温度が高く自発分極が大きく優れている。すなわち、一
般式（ＶＩＩ）で示される化合物をキラルドーパントと
して用いることによって、S*相上限温度が高く、自発分
極が大きい組成物を提供することができる。

【０１８２】次に上記強誘電性液晶素子を用いて、応答
時間の電界依存性（τ―Ｖ特性）を測定し、インバース
モード用液晶材料としての性能を評価した。ここで応答
時間とは、モノポーラーパルスを印加したときに、良好
なスイッチング状態が得られる最小パルス幅とした。

【０１８３】τ―Ｖ特性は次のようにして評価した。す
なわち液晶素子に、図１に示すようなデューティー比が
１：４００のモノポーラーパルスを印加してスイッチン
グさせ、その時の透過光量の変化を光電子増倍管で検知
した後電流電圧変換し、オシロスコープに入力して観察
した。

【０１８４】ある電界において良好なスイッチングが得
られる、すなわちメモリー性を保持できる最小のパルス
幅を、その印加電界に対する最小パルス幅とした。ここ
でメモリー性を保持できないとは、２つの安定状態間の
コントラスト比が低下する状態とした。このようにして
最小パルス幅印加電界に対してプロットし、τ―Ｖ特性
を得た。τ―Ｖ特性における印加電界の最小値をＥmin
、そのときのパルス幅をτmin とした。

【０１８５】液晶組成物Ｅの２５℃と４０℃における、
τ―Ｖ特性を図２に示す。また比較のために液晶組成物
５の２５℃と４０℃における、τ―Ｖ特性を図３に示
す。またＶmin の２５℃と４０℃のシフト値を表１６に
示す。

【０１８６】

【表１６】

【０１８７】表１６に記載したＶmin の２５℃と４０℃
のシフト値から明らかなように、本発明の液晶組成物の
方が、Ｖmin の温度依存性が小さく優れている。すなわ
ち、一般式（ＶＩＩ）で示される化合物をキラルドーパ
ントとして用いることによって、温度依存性が小さい組
成物を提供することができる。

【０１８８】実施例６ 一般式（ＶＩＩ）、（Ｉ）および（ＩＶ）で示される化
合物を、表１７に示す割合で混合し、強誘電性カイラル
スメクチック液晶組成物Ｆ（実施例６）を調製した。

【０１８９】

【表１７】

【０１９０】この液晶組成物Ｆを用いて実施例１と同様
に液晶素子を作製した。次にこの液晶素子を用いてSc*
相の上限温度と自発分極を測定した。比較のために液晶
組成物Ｆの中の一般式（ＶＩＩ）で示される化合物の代
わりに別の化合物を表１８に示す割合で混合し、液晶組
成物６（比較例６）を調製した。

【０１９１】

【表１８】

【０１９２】この液晶組成物６を用いて、液晶組成物Ｆ
と同様の液晶素子を作製し、Sc* 相上限温度と自発分極
を測定した。測定結果を表１９に示す。なお、自発分極
測定温度は２５℃で測定した。

【０１９３】

【表１９】 表１９に記載したS*相上限温度と自発分極の測定値から
明らかなように、本発明の液晶組成物の方が、S*相上限
温度が高く自発分極が大きく優れている。すなわち、一
般式（ＶＩＩ）で示される化合物をキラルドーパントと
して用いることによって、S*相上限温度が高く、自発分
極が大きい組成物を提供することができる。

【０１９４】次にτ―Ｖ特性を測定した。液晶組成物Ｆ
の２５℃と４０℃における、τ―Ｖ特性を図４に示す。
また比較のために液晶組成物６の２５℃と４０℃におけ
る、τ―Ｖ特性を図５に示す。またＶmin の２５℃と４
０℃のシフト値を表２０に示す。

【０１９５】

【表２０】 表２０に記載したＶmin の２５℃と４０℃のシフト値か
ら明らかなように、本発明の液晶組成物の方が、Ｖmin
の温度依存性が小さく優れている。すなわち、一般式
（ＶＩＩ）で示される化合物をキラルドーパントとして
用いることによって、温度依存性が小さい組成物を提供
することができる。

【０１９６】実施例７、比較例７ 一般式（ＶＩＩ）、（Ｉ）および（ＩＶ）で示される化
合物を、表２１に示す割合（モル％以下同じ）で混合
し、強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物Ｇ（実施
例７）を調製した。

【０１９７】

【表２１】

【０１９８】この液晶組成物Ｇを用いて実施例１と同様
に液晶素子を作製した。次にこの液晶素子を用いてSc*
相の上限温度と自発分極を測定した。比較のために液晶
組成物Ｇの中の一般式（ＶＩＩ）で示される化合物の代
わりに別の化合物を表２２に示す割合で混合し、液晶組
成物７（比較例７）を調製した。

【０１９９】

【表２２】

【０２００】この液晶組成物７を用いて、液晶組成物Ｇ
と同様の液晶素子を作製し、Sc* 相上限温度と自発分極
を測定した。測定結果を表２３に示す。なお、自発分極
測定温度は２５℃で測定した。

【０２０１】

【表２３】 表２３に記載したS*相上限温度と自発分極の測定値から
明らかなように、本発明の液晶組成物の方が、S*相上限
温度が高く自発分極が大きく優れている。すなわち、一
般式（ＶＩＩ）で示される化合物をキラルドーパントと
して用いることによって、S*相上限温度が高く、自発分
極が大きい組成物を提供することができる。

【０２０２】次にτ―Ｖ特性を測定した。液晶組成物Ｇ
の２５℃と４０℃における、τ―Ｖ特性を図６に示す。
また比較として液晶組成物６の２５℃と４０℃におけ
る、τ―Ｖ特性を図７に示す。またＶmin の２５℃と４
０℃のシフト値を表２４に示す。

【０２０３】

【表２４】

【０２０４】表２４に記載したＶmin の２５℃と４０℃
のシフト値から明らかなように、本発明の液晶組成物の
方が、Ｖmin の温度依存性が小さく優れている。すなわ
ち、一般式（ＶＩＩ）で示される化合物をキラルドーパ
ントとして用いることによって、温度依存性が小さい組
成物を提供することができる。

【０２０５】実施例８、（比較例７） 一般式（ＶＩＩ）、（Ｉ）および（ＩＶ）で示される化
合物を、表２５に示す割合（モル％以下同じ）で混合
し、強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物Ｈ（実施
例８）を調製した。

【０２０６】

【表２５】

【０２０７】この液晶組成物Ｈを用いて実施例１と同様
に液晶素子を作製した。次にこの液晶素子を用いてSc*
相の上限温度と自発分極を測定した。比較のために、液
晶組成物Ｈの中の一般式（ＶＩＩ）で示される化合物の
代わりに別の化合物を表２６に示す割合で混合し、液晶
組成物７（比較例７）を調製した。

【０２０８】

【表２６】

【０２０９】この液晶組成物７を用いて、液晶組成物Ｈ
と同様の液晶素子を作製し、Sc* 相上限温度と自発分極
を測定した。測定結果を表２７に示す。なお、自発分極
測定温度は２５℃で測定した。

【０２１０】

【表２７】

【０２１１】表２７に記載したS*相上限温度と自発分極
の測定値から明らかなように、本発明の液晶組成物の方
が、S*相上限温度が高く自発分極が大きく優れている。
すなわち、一般式（ＶＩＩ）で示される化合物をキラル
ドーパントとして用いることによって、S*相上限温度が
高く、自発分極が大きい組成物を提供することができ
る。

【０２１２】次にτ―Ｖ特性を測定した。液晶組成物Ｈ
の２５℃と４０℃における、τ―Ｖ特性を図８に示す。
また比較のために液晶組成物７の２５℃と４０℃におけ
る、τ―Ｖ特性を図７に示す。またＶmin の２５℃と４
０℃のシフト値を表２８に示す。

【０２１３】

【表２８】

【０２１４】表２８に記載したＶmin の２５℃と４０℃
のシフト値から明らかなように、本発明の液晶組成物の
方が、Ｖmin の温度依存性が小さく優れている。すなわ
ち、一般式（ＶＩＩ）で示される化合物をキラルドーパ
ントとして用いることによって、温度依存性が小さい組
成物を提供することができる。

【０２１５】実施例９、（比較例７） 一般式（ＶＩＩ）、（Ｉ）および（ＩＶ）で示される化
合物を、表２９に示す割合で混合し、強誘電性カイラル
スメクチック液晶組成物Ｉ（実施例９）を調製した。

【０２１６】

【表２９】

【０２１７】この液晶組成物Ｉを用いて実施例１と同様
に液晶素子を作製した。次にこの液晶素子を用いてSc*
相の上限温度と自発分極を測定した。比較のために液晶
組成物Ｉの中の一般式（ＶＩＩ）で示される化合物の代
わりに別の化合物を表３０に示す割合で混合し、液晶組
成物７（比較例７）を調製した。

【０２１８】

【表３０】

【０２１９】この液晶組成物７を用いて、液晶組成物Ｉ
と同様の液晶素子を作製し、Sc* 相上限温度と自発分極
を測定した。測定結果を表３１に示す。なお、自発分極
測定温度は２５℃で測定した。

【０２２０】

【表３１】

【０２２１】表３１に記載したS*相上限温度と自発分極
の測定値から明らかなように、本発明の液晶組成物の方
が、S*相上限温度が高く自発分極が大きく優れている。
すなわち、一般式（ＶＩＩ）で示される化合物をキラル
ドーパントとして用いることによって、S*相上限温度が
高く、自発分極が大きい組成物を提供することができ
る。

【０２２２】次にτ−Ｖ特性を測定した。液晶組成物Ｉ
の２５℃と４０℃における、τ−Ｖ特性を図９に示す。
また比較のために液晶組成物７の２５℃と４０℃におけ
る、τ−Ｖ特性を図７に示す。またＶmin の２５℃と４
０℃のシフト値を表３２に示す。

【０２２３】

【表３２】

【０２２４】表３２に記載したＶmin の２５℃と４０℃
のシフト値から明らかなように、本発明の液晶組成物の
方が、Ｖmin の温度依存性が小さく優れている。すなわ
ち、一般式（ＶＩＩ）で示される化合物をキラルドーパ
ントとして用いることによって、温度依存性が小さい組
成物を提供することができる。

【０２２５】

【発明の効果】本発明のカイラルスメクチックＣ相を示
す液晶組成物は従来の強誘電性カイラルスメクチックＣ
相を示す液晶組成物に比較してカイラルスメクチックＣ
相の上限温度が高く、かつ自発分極が十分大きく、表示
素子などの液晶素子に用いることができる。またインバ
ースモード用組成物としては、キラルドーパントの少量
添加で自発分極の最適値を達成することができ、かつ添
加してもカイラルスメクチックＣ相の上限温度が保持さ
れたものを得ることがてきる。さらに、上記の特徴以外
にτ−Ｖ特性におけるＶmin の温度依存性が小さく、表
示素子などの液晶素子に用いることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】液晶セルに印加する波形を示す。

【図２】実施例５の液晶組成物Ｅのτ−Ｖ特性を示す。

【図３】実施例５の液晶組成物５のτ−Ｖ特性を示す。

【図４】実施例６の液晶組成物Ｆのτ−Ｖ特性を示す。

【図５】実施例６の液晶組成物６のτ−Ｖ特性を示す。

【図６】実施例７の液晶組成物Ｇのτ−Ｖ特性を示す。

【図７】実施例７の液晶組成物７のτ−Ｖ特性を示す。

【図８】実施例８の液晶組成物Ｈのτ−Ｖ特性を示す。

【図９】実施例９の液晶組成物Ｉのτ−Ｖ特性を示す。

【図１０】強誘電性液晶を用いた表示装置の一例の概略
図を示す。

【符号の説明】

１. 偏向板 ２. ガラス電極 ３. 透明電極 ４. 絶縁性の配向制御膜 ５. 強誘電性液晶層 ６. スペーサー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/137 (72)発明者 藤本 ゆかり 大阪府高槻市塚原２丁目10番１号 住友化 学工業株式会社内 (72)発明者 松本 努 大阪府高槻市塚原２丁目10番１号 住友化 学工業株式会社内 (72)発明者 南井 正好 大阪府高槻市塚原２丁目10番１号 住友化 学工業株式会社内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】下記一般式（Ｖ） 【化１】 （式中、Ｒ₅₁は炭素数２〜２０のアルキル基またはアル
   コキシル基を、Ｘ₅ は−ＣＯＯ−または−ＣＨ₂ Ｏ−
   （但し、結合部位は問わない）をそれぞれ示す。ｌおよ
   びｍはそれぞれ１または２である。ｎは０〜５の整数で
   ある。Ｚは水素原子またはフッ素原子を表す。＊印は不
   斉炭素であることを示す）で表される化合物、または一
   般式（ＶＩ） 【化２】 （式中、Ｒ₆₁は、炭素数１〜２０のアルキル基を示し、
   Ｘ₆ は−ＣＯＯ−または−ＣＨ₂ Ｏ−（但し、結合部位
   は問わない）を、Ｙ₆ は−Ｏ−または−ＣＯＯ−（但
   し、結合部位は問わない）をそれぞれ示し、Ａ₆ は 【化３】 を示し、ｎは０〜５の整数であり、ｍは０または１であ
   る。Ｚは水素原子またはフッ素原子を表す。＊印は不斉
   炭素であることを示す）で表される化合物、または一般
   式（ＶＩＩ） 【化４】 （式中、Ｒ₇₁は炭素数１〜２０の飽和もしくは不飽和の
   アルキル基、炭素数２〜２０の飽和もしくは不飽和のア
   ルコキシアルキル基を示し、ｌ、 ｍ、ｐおよびｑは０ま
   たは１を示し、Ａ₇₁、Ａ₇₂およびＡ₇₃はそれぞれ独立に 【化５】 （式中、ｖは０〜４の整数を示し、ｒおよびｓは０〜３
   の整数を示す。）で表される縮合環または単環から選ば
   れるものであり、Ａ₇₁が縮合環であるときは、ｐとｑの
   和は０または１であり、かつＡ₇₂およびＡ₇₃は単環であ
   り、Ａ₇₁が単環であるときは、ｐとｑの和は１または２
   であり、ｐとｑの和が２の場合、Ａ₇₂およびＡ₇₃はいず
   れも単環である。ｎは０〜８の整数である。Ｙ₇ は二重
   結合または三重結合または単結合を示す。Ｚは水素原子
   またはフッ素原子を表す。＊印は不斉炭素であることを
   示す）で表される化合物、または一般式（ＶＩＩＩ） 【化６】 （式中、Ｒ₈₁およびＲ₈₂は炭素数１〜１８のアルキル基
   を示し、Ｘ₈ は単結合または−Ｏ−を示す。ｍは０また
   は１であり、環Ａはフッ素置換されていてもよいフェニ
   レン基またはシクロヘキシレン基を、環Ｂはフッ素置換
   されていてもよいフェニレン基を表す。ｎは０〜５の整
   数である。＊印は不斉炭素であることを示す。（但し、
   この中で一般式（Ｖ）から（ＶＩＩ）で表されるものは
   除く））で表される化合物の中から選ばれる、少なくと
   も一種類以上を含有することを特徴とする強誘電性カイ
   ラルスメクチック液晶組成物。
2. 【請求項２】請求項１記載の強誘電性カイラルスメクチ
   ック液晶組成物と、下記一般式（Ｉ） 【化７】 （式中、Ｒ₁₁はハロゲン原子で置換されていてもよい炭
   素数１〜２０のアルキル基、アルコキシ基またはアルコ
   キシアルキル基のいずれかを示し、これらの中に不飽和
   結合を含んでいてもよく、Ｒ₁₂はハロゲン原子で置換さ
   れていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、アルコキ
   シ基またはアルコキシアルキル基のいずれかを示し、こ
   れらの中に不飽和結合を含んでいてもよく、Ａ₁₁、
   Ａ₁₂、およびＡ₁₃はそれぞれ独立に 【化８】 （式中、ｉは０〜４の整数を示し、ｊ、ｋは０〜３の整
   数を示す。）で表される縮合環または単環から選ばれる
   ものであり、ｐ、ｑはそれぞれ独立に０または１であ
   り、Ａ₁₁、Ａ₁₂およびＡ₁₃のいずれかが縮合環であると
   きは、ｐとｑの和は０または１であり、Ａ₁₁が縮合環で
   あるときは、ｐとｑの和は０または１であり、かつＡ₁₂
   およびＡ₁₃は単環であり、Ａ₁₁が単環であるときは、ｐ
   とｑの和は１または２であり、ｐとｑの和が２の場合に
   は、Ａ₁₂およびＡ₁₃はいずれも単環である。＊印は不斉
   炭素であることを示し、Ｚは水素原子またフッ素原子を
   示し、ｎは０〜１０の整数、ｒ、ｓ、ｔおよびｕはそれ
   ぞれ独立に０または１である。但し、ｕ＝１の場合はト
   ランスオレフィンである。）で表される化合物の少なく
   とも一種類を必須成分として含有することを特徴とする
   強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。
3. 【請求項３】一般式（Ｉ）で示される化合物のうち、ｕ
   ＝１である化合物を用いることを特徴とする請求項２記
   載の強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。
4. 【請求項４】一般式（Ｉ）で示される化合物のうち、ｕ
   ＝１であり、Ａ₁₁、Ａ₁₂およびＡ₁₃の少なくとも一つが 【化９】 である化合物を用いることを特徴とする請求項２記載の
   強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物。
5. 【請求項５】請求項２記載の強誘電性カイラルスメクチ
   ック液晶組成物と、下記一般式（ＩＶ） 【化１０】 （式中、Ｒ₄₁は炭素数５〜１５のアルキル基、アルコキ
   シ基またはアルコキシアルキル基を表し、Ｒ₄₂はハロゲ
   ン原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキ
   ル基もしくはアルコキシ基またはハロゲン原子で置換さ
   れていてもよい炭素数２〜１０のアルコキシアルキル基
   を表し、Ｒ₄₁およびＲ₄₂の連続するメチレン鎖は二重結
   合または三重結合で置換されていてもよく、ｃおよびｄ
   はそれぞれ独立に１または２であり、ｃとｄの和は３で
   あり、ｅは０〜１０の整数であり、ｆ、ｇおよびｈはそ
   れぞれ独立に０または１であり、Ｘ₄ は−ＣＯＯ−また
   は−ＯＣＯ−であり、ベンゼン環の水素原子の少なくと
   も１つはフッ素原子に置換されており、＊印は不斉炭素
   であることを示し、Ｚは水素原子またはフッ素原子であ
   る。）で表される化合物を必須成分として含有すること
   を特徴とする強誘電性カイラルスメクチック液晶組成
   物。
6. 【請求項６】一般式（Ｉ）で示される化合物のうち、Ａ
   ₁₁、Ａ₁₂およびＡ₁₃の少なくとも一つが 【化１１】 である化合物を用いることを特徴とする請求項２記載の
   強誘電性カイラルスメクチック液晶組成物と、前記一般
   式（ＩＶ）で表される化合物を必須成分として含有する
   ことを特徴とする強誘電性カイラルスメクチック液晶組
   成物。
7. 【請求項７】請求項４記載の強誘電性カイラルスメクチ
   ック液晶組成物と、前記一般式（ＩＶ）で表される化合
   物を必須成分として含有することを特徴とする強誘電性
   カイラルスメクチック液晶組成物。
8. 【請求項８】請求項１記載の強誘電性カイラルスメクチ
   ック液晶組成物であって、前記一般式（Ｖ）〜（ＶＩＩ
   Ｉ）で表される化合物の比率（モル基準）が１〜２０％
   であることを特徴とする強誘電性カイラルスメクチック
   液晶組成物。
9. 【請求項９】請求項１から請求項８記載の強誘電性カイ
   ラルスメクチック液晶組成物から選ばれる少なくとも一
   種の液晶組成物を一対の電極基板間に挟持してなること
   を特徴とする液晶素子。