JPH08102017A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
- Publication number
- JPH08102017A JPH08102017A JP25912694A JP25912694A JPH08102017A JP H08102017 A JPH08102017 A JP H08102017A JP 25912694 A JP25912694 A JP 25912694A JP 25912694 A JP25912694 A JP 25912694A JP H08102017 A JPH08102017 A JP H08102017A
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- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- antiferromagnetic
- soft magnetic
- head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＳＡＬ法を用いたＭＲヘッドに於いて、軟磁
性膜の磁区構造を制御し易くして、バルクハウゼンノイ
ズを低減する。 【構成】 磁気抵抗効果膜１に非磁性中間層２を介して
軟磁性膜３を積層して成る磁気抵抗効果型ヘッド１０に
於いて、磁区構造を制御するための反強磁性膜を前記磁
気抵抗効果膜１と軟磁性膜３とにそれぞれ個別に積層し
たことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
性膜の磁区構造を制御し易くして、バルクハウゼンノイ
ズを低減する。 【構成】 磁気抵抗効果膜１に非磁性中間層２を介して
軟磁性膜３を積層して成る磁気抵抗効果型ヘッド１０に
於いて、磁区構造を制御するための反強磁性膜を前記磁
気抵抗効果膜１と軟磁性膜３とにそれぞれ個別に積層し
たことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録／再生憶装置に
用いられる磁気抵抗効果型ヘッドに関するものである。
用いられる磁気抵抗効果型ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッ
ドとも記す）は、磁気記録媒体から情報を読み取るため
の、即ち再生専用の磁気ヘッドとして用いられるが、電
磁誘導型のヘッドとは異なり、記録媒体とヘッドとの相
対速度に依存せず出力を得られると言う特徴を有するこ
とから、磁気記録／再生装置の小型高密度化に適してい
る。これは例えば、円盤状磁気記録媒体の情報トラック
の線速度が下げられることから、円盤状磁気記録媒体の
直径を縮小できるとか、或いはその回転速度を下げられ
ることによるものである。
ドとも記す）は、磁気記録媒体から情報を読み取るため
の、即ち再生専用の磁気ヘッドとして用いられるが、電
磁誘導型のヘッドとは異なり、記録媒体とヘッドとの相
対速度に依存せず出力を得られると言う特徴を有するこ
とから、磁気記録／再生装置の小型高密度化に適してい
る。これは例えば、円盤状磁気記録媒体の情報トラック
の線速度が下げられることから、円盤状磁気記録媒体の
直径を縮小できるとか、或いはその回転速度を下げられ
ることによるものである。
【０００３】前記ＭＲヘッドでは、磁界を検知する感磁
素子として磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子とも記
す）が用いられる。ＭＲヘッドにＭＲ素子を用いる場
合、ＭＲ素子を線形に駆動するため、ＭＲ素子に流れる
電流とＭＲ素子の磁化ベクトルとの角度が４５°程度の
所定値を持つようにバイアス磁界を印可することが必要
である。図４は、ＭＲ膜に印加されるバイアス磁界を説
明するための示す図である。図４に示すように、ＭＲ膜
に印加される磁界Ｈの強度に応じてＭＲ膜の抵抗値Ｒが
変化する。ＭＲ膜にはバイアス磁界Ｈｃを印加して、Ｍ
Ｒ素子が線形動作をするように動作点を移動する必要が
ある。
素子として磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子とも記
す）が用いられる。ＭＲヘッドにＭＲ素子を用いる場
合、ＭＲ素子を線形に駆動するため、ＭＲ素子に流れる
電流とＭＲ素子の磁化ベクトルとの角度が４５°程度の
所定値を持つようにバイアス磁界を印可することが必要
である。図４は、ＭＲ膜に印加されるバイアス磁界を説
明するための示す図である。図４に示すように、ＭＲ膜
に印加される磁界Ｈの強度に応じてＭＲ膜の抵抗値Ｒが
変化する。ＭＲ膜にはバイアス磁界Ｈｃを印加して、Ｍ
Ｒ素子が線形動作をするように動作点を移動する必要が
ある。
【０００４】前記バイアス磁界の印可方法としては、ソ
フトフィルムバイアス法（以下、ＳＡＬ法とも記す）と
呼ばれる方法が一般に採用されている。図３はＳＡＬ法
を用いた従来のＭＲヘッドの構造の要部を示す断面図で
ある。図３に於いて、（Ａ）は磁気記録媒体に平行な断
面で切断した断面図であり、（Ｂ）は、磁気記録媒体に
垂直な断面Ｘ−Ｘで切断した断面図である。ＭＲヘッド
２０は、磁気抵抗効果膜１の一方の側に非磁性中間膜２
を介して軟磁性膜３が積層されており、他方の側には反
強磁性膜６が積層されると共に、電極４、磁気シ−ルド
膜５ａ，５ｂ等が、図の様な配置で設けられている。こ
の構造の場合、ＭＲ膜１に流れる電流により発生する磁
界によって軟磁性膜３が磁化し、この磁化による磁界が
バイアス磁界となってＭＲ膜１に作用し、ＭＲ膜１の磁
化の向きが傾くことになる。Ｗはトラック幅を示す。
フトフィルムバイアス法（以下、ＳＡＬ法とも記す）と
呼ばれる方法が一般に採用されている。図３はＳＡＬ法
を用いた従来のＭＲヘッドの構造の要部を示す断面図で
ある。図３に於いて、（Ａ）は磁気記録媒体に平行な断
面で切断した断面図であり、（Ｂ）は、磁気記録媒体に
垂直な断面Ｘ−Ｘで切断した断面図である。ＭＲヘッド
２０は、磁気抵抗効果膜１の一方の側に非磁性中間膜２
を介して軟磁性膜３が積層されており、他方の側には反
強磁性膜６が積層されると共に、電極４、磁気シ−ルド
膜５ａ，５ｂ等が、図の様な配置で設けられている。こ
の構造の場合、ＭＲ膜１に流れる電流により発生する磁
界によって軟磁性膜３が磁化し、この磁化による磁界が
バイアス磁界となってＭＲ膜１に作用し、ＭＲ膜１の磁
化の向きが傾くことになる。Ｗはトラック幅を示す。
【０００５】ＭＲヘッドでは、ＭＲ膜の磁区の不連続性
に起因するバルクハウゼンノイズの抑制も課題になって
いる。このために、磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）１上に反
強磁性膜６を積層し、ＭＲ膜１を単磁区化することによ
って前記バルクハウゼンノイズを抑制することが一般的
に行われている。前記ＳＡＬ法を用いる場合、軟磁性膜
３はその磁区構造によりバルクハウゼンノイズを発生す
る可能性があり、そのためにバイアス磁界が乱れ出力に
悪影響を及ぼす可能性がある。このため軟磁性膜の磁区
も反強磁性膜により単磁区化しようとする方法が、例え
ば特開平６−１０３５３７号公報に開示されている。
に起因するバルクハウゼンノイズの抑制も課題になって
いる。このために、磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）１上に反
強磁性膜６を積層し、ＭＲ膜１を単磁区化することによ
って前記バルクハウゼンノイズを抑制することが一般的
に行われている。前記ＳＡＬ法を用いる場合、軟磁性膜
３はその磁区構造によりバルクハウゼンノイズを発生す
る可能性があり、そのためにバイアス磁界が乱れ出力に
悪影響を及ぼす可能性がある。このため軟磁性膜の磁区
も反強磁性膜により単磁区化しようとする方法が、例え
ば特開平６−１０３５３７号公報に開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図２は、ＭＲ素子の磁
化容易軸の方向を示す図である。図２は、記録媒体のト
ラック方向は図面に垂直な方向であるとして描かれてい
る。同図に示すように、ＭＲヘッドの場合、ＭＲ膜の磁
化容易軸はＭＲ素子の長手方向であるから、ＳＡＬ法に
よる軟磁性膜の磁化容易軸はＭＲ膜の磁化容易軸と直交
するようになることが望ましい。しかし前記公開公報に
開示されている方法を用いると、ＭＲ膜と軟磁性膜の磁
化容易軸が同一方向を向いてしまうことが分かってい
る。また、単一の反強磁性膜によってＭＲ膜と軟磁性膜
の両者の磁区を制御することは容易ではない。
化容易軸の方向を示す図である。図２は、記録媒体のト
ラック方向は図面に垂直な方向であるとして描かれてい
る。同図に示すように、ＭＲヘッドの場合、ＭＲ膜の磁
化容易軸はＭＲ素子の長手方向であるから、ＳＡＬ法に
よる軟磁性膜の磁化容易軸はＭＲ膜の磁化容易軸と直交
するようになることが望ましい。しかし前記公開公報に
開示されている方法を用いると、ＭＲ膜と軟磁性膜の磁
化容易軸が同一方向を向いてしまうことが分かってい
る。また、単一の反強磁性膜によってＭＲ膜と軟磁性膜
の両者の磁区を制御することは容易ではない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために本願発明の磁気抵抗効果型ヘッドでは、磁性膜の
磁区の制御を、ＭＲ膜と軟磁性膜とを個別の反強磁性膜
で夫々に行い、ＭＲ膜と軟磁性膜の磁化容易軸の方向を
直交させるような構造としたものである。
ために本願発明の磁気抵抗効果型ヘッドでは、磁性膜の
磁区の制御を、ＭＲ膜と軟磁性膜とを個別の反強磁性膜
で夫々に行い、ＭＲ膜と軟磁性膜の磁化容易軸の方向を
直交させるような構造としたものである。
【０００８】
【作用】軟磁性膜には磁区が発生するが、外部磁界によ
って磁化されるときに、磁区の不連続な動きにより、バ
ルクハウゼンノイズが発生する。このノイズは再生波形
に悪影響を及ぼす。本発明のＭＲヘッドでは、軟磁性膜
３に反強磁性膜７を積層したことにより、両者の間に交
換相互作用が生じ、軟磁性膜を単磁区化することが出来
るので、バルクハウゼンノイズを抑制できる。さらに、
軟磁性膜の磁化容易軸の向きも反強磁性膜７により容易
に制御できる。
って磁化されるときに、磁区の不連続な動きにより、バ
ルクハウゼンノイズが発生する。このノイズは再生波形
に悪影響を及ぼす。本発明のＭＲヘッドでは、軟磁性膜
３に反強磁性膜７を積層したことにより、両者の間に交
換相互作用が生じ、軟磁性膜を単磁区化することが出来
るので、バルクハウゼンノイズを抑制できる。さらに、
軟磁性膜の磁化容易軸の向きも反強磁性膜７により容易
に制御できる。
【０００９】
【実施例】以下、図１を基に、本発明の実施例につき説
明する。図１は本発明のＭＲヘッドの実施例を示す断面
図であり、図３に示す従来例と対応する部分には同一の
符号を付し、その説明を省略する。図１に於いて、磁気
シ−ルド膜５ａ，５ｂの間に、図示しない絶縁膜を介し
てＭＲ素子３０が設けられている。ＭＲ素子３０は、軟
磁性膜３、この軟磁性膜の磁区構造を制御するための反
強磁性膜７、非磁性中間膜２、ＭＲ膜１、ＭＲ膜の磁区
を制御するための反強磁性膜６、電極４が、この順に積
層されて成る。
明する。図１は本発明のＭＲヘッドの実施例を示す断面
図であり、図３に示す従来例と対応する部分には同一の
符号を付し、その説明を省略する。図１に於いて、磁気
シ−ルド膜５ａ，５ｂの間に、図示しない絶縁膜を介し
てＭＲ素子３０が設けられている。ＭＲ素子３０は、軟
磁性膜３、この軟磁性膜の磁区構造を制御するための反
強磁性膜７、非磁性中間膜２、ＭＲ膜１、ＭＲ膜の磁区
を制御するための反強磁性膜６、電極４が、この順に積
層されて成る。
【００１０】ＭＲヘッドのトラック幅Ｗは数μｍ程度で
あり、ＭＲ膜１はパ−マロイ等の強磁性体で構成し、そ
の厚さは２０〜５０ｎｍ程度である。反強磁性膜６は例
えばＦｅＭｎ合金等で構成し、その厚さは例えば２０ｎ
ｍ程度である。また、非磁性膜２は例えばＴｉ、或いは
Ｔａで構成しその厚さは例えば２０ｎｍ程度である。反
強磁性膜７の厚さは例えば１００〜１５０ｎｍ程度であ
る。軟磁性膜３は例えばＣｏＺｒＮｂ合金で構成しその
厚さは例えば３０ｎｍ程度である。さらに、ＭＲ素子の
短手方向の幅Ｌは数ｎｍである。
あり、ＭＲ膜１はパ−マロイ等の強磁性体で構成し、そ
の厚さは２０〜５０ｎｍ程度である。反強磁性膜６は例
えばＦｅＭｎ合金等で構成し、その厚さは例えば２０ｎ
ｍ程度である。また、非磁性膜２は例えばＴｉ、或いは
Ｔａで構成しその厚さは例えば２０ｎｍ程度である。反
強磁性膜７の厚さは例えば１００〜１５０ｎｍ程度であ
る。軟磁性膜３は例えばＣｏＺｒＮｂ合金で構成しその
厚さは例えば３０ｎｍ程度である。さらに、ＭＲ素子の
短手方向の幅Ｌは数ｎｍである。
【００１１】そして、磁化容易軸を所定の方向に向ける
ためには、まず軟磁性膜３と反強磁性膜７を同一真空装
置中で連続成膜する。その際、外部磁場を所定の方向に
かけることにより、図２に示すように、軟磁性膜３の磁
化容易軸をＭＲ膜の短手方向（ＭＲ素子の短手方向）に
向ける。そして、非磁性中間膜２を成膜した後、ＭＲ膜
１、反強磁性膜６の成膜を行うが、この時は、ＭＲ膜の
長手方向に外部磁場をかけながら成膜を行う。このよう
な構造にすることによって、軟磁性膜の磁化容易軸方向
とＭＲ膜の磁化容易軸方向を直交させ、更にそれぞれの
膜の磁区を制御しバルクハウゼンノイズを抑えることが
できる。
ためには、まず軟磁性膜３と反強磁性膜７を同一真空装
置中で連続成膜する。その際、外部磁場を所定の方向に
かけることにより、図２に示すように、軟磁性膜３の磁
化容易軸をＭＲ膜の短手方向（ＭＲ素子の短手方向）に
向ける。そして、非磁性中間膜２を成膜した後、ＭＲ膜
１、反強磁性膜６の成膜を行うが、この時は、ＭＲ膜の
長手方向に外部磁場をかけながら成膜を行う。このよう
な構造にすることによって、軟磁性膜の磁化容易軸方向
とＭＲ膜の磁化容易軸方向を直交させ、更にそれぞれの
膜の磁区を制御しバルクハウゼンノイズを抑えることが
できる。
【００１２】
【発明の効果】本願発明を用いることにより、ＳＡＬバ
イアス法を用いたＭＲヘッドに於いて、軟磁性膜とＭＲ
膜の磁化容易軸方向及びそれぞれの膜の磁区構造を独立
に制御してバルクハウゼンノイズを抑えることができ
る。
イアス法を用いたＭＲヘッドに於いて、軟磁性膜とＭＲ
膜の磁化容易軸方向及びそれぞれの膜の磁区構造を独立
に制御してバルクハウゼンノイズを抑えることができ
る。
【図１】本発明のＭＲヘッドの実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】ＭＲ素子の磁化容易軸の方向を示す図である。
【図３】ＳＡＬ法を用いた従来のＭＲヘッドの構造の要
部を示す断面図である。
部を示す断面図である。
【図４】ＭＲ膜に印加されるバイアス磁界を説明するた
めの示す図である。
めの示す図である。
１ ＭＲ膜 ２ 非磁性中間膜 ３ 軟磁性膜 ４ 電極 ５ａ、５ｂ 磁気シ−ルド膜 ６、７ 反強磁性膜
Claims (1)
- 【請求項１】磁気抵抗効果膜に非磁性中間層を介して軟
磁性膜を積層して成る磁気抵抗効果型ヘッドに於いて、
磁区構造を制御するための反強磁性膜を前記磁気抵抗効
果膜と軟磁性膜とにそれぞれ個別に積層したことを特徴
とする磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25912694A JPH08102017A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25912694A JPH08102017A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102017A true JPH08102017A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17329687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25912694A Pending JPH08102017A (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08102017A (ja) |
-
1994
- 1994-09-29 JP JP25912694A patent/JPH08102017A/ja active Pending
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