JPH0794326A - 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果膜およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0794326A JPH0794326A JP6082906A JP8290694A JPH0794326A JP H0794326 A JPH0794326 A JP H0794326A JP 6082906 A JP6082906 A JP 6082906A JP 8290694 A JP8290694 A JP 8290694A JP H0794326 A JPH0794326 A JP H0794326A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- magnetic field
- magnetic
- magnetic thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
- H01F10/3281—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn only by use of asymmetry of the magnetic film pair itself, i.e. so-called pseudospin valve [PSV] structure, e.g. NiFe/Cu/Co
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
効果膜を実現する。 【構成】 反強磁性体と交換結合して抗磁力を与えられ
た一方の軟磁性薄膜と、この軟磁性薄膜と非磁性薄膜を
介して積層される他の軟磁性薄膜とを有する人工格子膜
による磁気抵抗効果膜において、 軟磁性層の厚みを薄くすることで異方性磁界HK を大
きくする 軟磁性層を磁場中成膜することで異方性を与えHK を
大きくする 軟磁性材にHK の大きな材料を使う 軟磁性層のパターン幅を1〜30μmに狭めて異方性
を与え、HK を大きくする これにより、バイアス機構が不要で、かつゼロ磁場前後
で抵抗変化する磁気抵抗効果膜を得る。
Description
界強度を信号として読み取るための磁気抵抗効果素子に
用いる磁気抵抗効果膜に関し、特に、小さい外部磁場で
抵抗変化率が大きい磁気抵抗効果膜およびその製造方法
に関するものである。
気記録における高密度化が進められており、これに伴っ
て磁気抵抗効果型磁気センサー(以下、MRセンサーと
いう)および磁気抵抗効果型磁気ヘッド(以下、MRヘ
ッドという)の開発が盛んに行われている。MRセンサ
ー,MRヘッドは、同様に磁性材料からなる読み取りセ
ンサー部の抵抗変化によって外部磁界信号を読み出す
が、これらはいずれも記録媒体との相対速度が再生出力
に依存しないことから、MRセンサーでは高感度が、M
Rヘッドでは高密度磁気記録においても高い出力が得ら
れるという特長がある。
れた少なくとも2層の磁性薄膜を有して成り、一方の軟
磁性薄膜に反強磁性薄膜を隣接して設けることで抗磁力
を与え、非磁性薄膜を介して隣接した他方の軟磁性薄膜
と異なる外部磁界で磁化回転させることで抵抗変化させ
る磁気抵抗効果膜がある(フィジカル レビューB(P
hys.Rev.B)第43巻,1297頁,1991
年)。
磁気抵抗効果素子においても、小さい外部磁場で動作す
るとは言え、実用的な磁気センサーや磁気ヘッドとして
使用する場合には、磁気抵抗効果膜の上下にバイアス層
を設けたり、外部からバイアス磁界を印加する必要があ
る。
かつゼロ磁場前後で抵抗変化する人工格子膜による磁気
抵抗効果膜およびその製造方法を提供することにある。
性薄膜を介して積層した複数の磁性薄膜からなり、非磁
性薄膜を介して隣接する一方の軟磁性薄膜に反強磁性薄
膜が隣接して設けてあり、この反強磁性薄膜のバイアス
磁界をHr 、他方の軟磁性薄膜の保磁力をHC2、外部磁
場印加方向の異方性磁界をHK2としたとき、HC2<HK2
<Hr であることを特徴とする磁気抵抗効果膜である。
種類は特に制限されないが、具体的には、Fe,Co,
Mn,Cr,Dy,Er,Nd,Tb,Tm,Ge,G
d等が好ましい。また、これらの元素を含む合金や化合
物としては、例えば、Fe−Si,Fe−Ni, Fe−
Co,Fe−Gd,Ni−Fe−Co,Ni−Fe−M
o,Fe−Al−Si(センダスト),Fe−Y,Fe
−Mn,Cr−Sb,Co系アモルファス, Co−P
t,Fe−Al,Fe−C,Mn−Sb,Ni−Mn,
Co−O,Ni−O,Fe−O, Ni−F,フェライト
等が好ましい。
磁性薄膜を形成する。特に、反強磁性薄膜と隣接してい
ない磁性薄膜の異方性磁界HK2が保磁力HC2より大きい
材料を選択することにより実現できる。さらに、異方性
磁界は、膜厚を薄くすることによっても大きくできる。
例えば、NiFeを10オングストローム程度の厚さに
すると、異方性磁界HK2を保磁力HC2よりも大きくする
ことができる。
してパターン幅を狭くすると、反磁界による形状異方性
Hd があらわれる。この形状異方性Hd は、パターン幅
Wに反比例し、パターン幅Wを狭くすると大きくなる。
人工格子磁性薄膜の場合も同様に形状異方性Hd があら
われる。この他に人工格子磁性薄膜の場合、磁性層と非
磁性層とが交互に積層されており、膜端で磁性層同士が
静磁結合している。この静磁結合の大きさもパターン幅
Wを狭めるに従って影響が大きくなる。実際には、これ
らの影響によりパターン幅Wを狭くすることで磁性層の
磁化反転する磁場領域がシフトし、異方性磁界HK2を保
磁力HC2よりも大きくすることができる。
(HDD)等の磁界信号読取用MRヘッドとして用いる
場合には、MR素子部はエッチングにより微小寸法に形
成される。このとき、MR素子部のパターン幅Wとトラ
ック幅TW との比で定義されるアスペクト比(W/T
W )によっても磁性層の磁化反転する磁場領域がシフト
し、異方性磁界HK2を保磁力HC2よりも大きくすること
ができる。
性薄膜の磁化容易軸が印加される信号磁界方向に対して
垂直方向になっており、印加信号磁界方向における磁性
薄膜の保磁力が、HC2<HK2<Hr になるように前記磁
性薄膜を磁場中成膜することにより作製できる。この成
膜は、蒸着法,スパッタリング法,分子線エピタキシー
法(MBE)等の方法で行う。また、基板としては、ガ
ラス,Si,MgO,GaAs,フェライト,CaTi
O等を用いることができる。
ストロームである。一方、磁性薄膜の厚さの下限は特に
ないが、4オングストローム以下ではキュリー点が室温
より低くなり実用性がなくなる。また、磁性薄膜の厚さ
を4オングストローム以上にすれば、膜厚を均一に保つ
ことが容易で、かつ膜厚も良好となり、飽和磁化の大き
さが小さくなりすぎることもない。さらに、磁性薄膜の
膜厚を200オングストローム以上としても効果は落ち
ないが、膜厚の増加に伴って効果が増大することもな
く、膜の作製上無駄が多くなり不経済である。
薄膜の磁気特性を直接測定することは不可能なため、通
常、次のようにして測定する。
合計厚さが200〜400オングストローム程度になる
まで非磁性薄膜と交互に蒸着して測定用試料を作製し、
これについて磁気特性を測定する。この場合、磁性薄膜
の厚さ、非磁性薄膜の厚さおよび非磁性薄膜の組成は、
磁気抵抗効果測定素子におけるものと同じにする。
膜間の磁気相互作用を弱める役割をはたす材料であり、
その種類には特に制限はなく、各種金属ないし半金属非
磁性体および非金属非磁性体から適宜選択すればよい。
g,Cu,Pt,Al,Mg,Mo,Zn,Nb,T
a,V,Hf,Sb,Zr,Ga,Ti,Sn,Pb等
およびこれらの合金が好ましく、また、半金属非磁性体
としては、SiO2 ,SiO,SiN,Al2 O3 ,Z
nO,MgO,TiN等およびこれらに別の元素を添加
したものが好ましい。
ストローム以下が望ましい。一般に非磁性薄膜の膜厚が
200オングストロームを超えると、非磁性薄膜により
抵抗が決定されてしまい、スピンに依存する散乱効果が
相対的に小さくなり、その結果、磁気抵抗変化率が小さ
くなってしまう。一方、非磁性薄膜の厚さが4オングス
トローム以下になると、磁性薄膜間の磁気相互作用が大
きくなりすぎ、また、磁気的な直接接触状態(ピンホー
ル)の発生が避けられないことから、両磁性薄膜の磁化
方向が相異なる状態が生じにくくなる。
型電子顕微鏡,走査型電子顕微鏡,オージェ電子分光分
析等により測定することができる。また、これらの薄膜
の結晶構造は、X線回折や高速電子線回折等により確認
することができる。
繰り返し積層回数Nに関して特に制限はなく、目的とす
る磁気抵抗変化率等に応じて適宜選定すればよいが、積
層数が増加するに従って、磁気抵抗変化率も増加する
が、生産性が悪くなる。また、繰り返し積層回数Nが大
きくなりすぎると、素子全体の抵抗値が低くなり実用上
の不便が生じることから、通常、繰り返し積層回数Nを
50以下とするのが好ましい。
のための窒化珪素や酸化珪素等の酸化防止膜を設けても
よく、あるいは電極を引き出すための金属導電層を設け
てもよい。
して一方の軟磁性薄膜に隣接して反強磁性薄膜が成膜さ
れ、交換バイアス力が働いていることが必須である。そ
の理由は、本発明の原理が隣合った磁性薄膜の磁化の向
きが互いに逆向きに向いたとき、最大の抵抗値を示すこ
とにあるからである。すなわち、本発明の磁気抵抗効果
膜は、図1で示すように、外部磁場Hの強さが、軟磁性
薄膜5(図3参照)の保磁力HC2と反強磁性薄膜のバイ
アス磁界Hr との間(HC2<H<Hr )であるとき、隣
り合った軟磁性薄膜の磁化の方向が互いに逆向きにな
り、磁気抵抗効果膜の抵抗値が増大する。
界HK2が軟磁性薄膜の保磁力HC2よりも大きいことが必
須である。しかしながら、保磁力HC2がバイアス磁界H
r よりも大きくなると、磁化の向きの反平行状態が得ら
れず、充分な抵抗変化が得られなくなって、好ましくな
い。
の関係について説明する。上述したように、反強磁性薄
膜のバイアス磁界をHr 、軟磁性薄膜5の保磁力を
HC2、印加される信号磁界方向の異方性磁界をHK2とし
(ただし、0<HC2<HK2<Hr)、まず最初に、外部
磁場HをH<−HK2となるように印加しておく(図1参
照)。この[領域A]では、図3に示す軟磁性薄膜3お
よび軟磁性薄膜5の磁化方向は、外部磁場Hと同じ−
(負)方向に揃って向いている。なお、図1に示す矢印
3およびに矢印5は、図3に示す軟磁性薄膜3および軟
磁性薄膜5の磁化方向をそれぞれ表わすものとする。
<H<HK2の[領域B]では、軟磁性薄膜5の磁化は連
続的に回転し始め、続いて、HK2<H<Hr の[領域
C]では、軟磁性薄膜5が完全に磁化反転し終わり、軟
磁性薄膜3および軟磁性薄膜5の磁化方向は互いに逆向
きになる。さらに、外部磁場を大きくしたHr <Hの
[領域D]では、軟磁性薄膜3の磁化も反転し、軟磁性
薄膜3および軟磁性薄膜5の磁化方向は+(正)方向に
揃って向く。
3と軟磁性薄膜5との相対的な磁化方向によって変化
し、[領域B]でゼロ磁場前後で直線的に変化し、[領
域C]で最大の値(RMAX )を持つようになる。すなわ
ち、このような膜ではゼロ磁場前後で直線性のよい抵抗
変化を有するとともに、バイアス機構の不要な磁気抵抗
効果膜が得られる。
る。
効果膜の構成を示す断面図である。本実施例の磁気抵抗
効果膜は、図2に示すように、金属薄膜6を形成したガ
ラス基板7上に人工格子膜1が形成されており、人工格
子膜1は、軟磁性薄膜M1 ,M2 ,……,Mn-1 ,Mn
と、隣接する2層の軟磁性薄膜の間に非磁性薄膜N1,
N2 ,……,Nn-2 ,Nn-1 と、反強磁性膜AMとを備
えている。そして、これらは磁性薄膜M1 ,非磁性薄膜
N1 ,磁性薄膜M2 ,……,非磁性薄膜Nn-1,磁性薄
膜Mn ,反強磁性膜AMの順に積層される。
実験結果について、図3を参照して説明する。図3は、
本発明の磁気抵抗効果膜の具体例の構成を示す側面図で
ある。 (実施例1)まず、基板としてガラス基板7を用い、こ
れを超高真空蒸着装置の中に入れ、10-9〜10-10 t
orrまで真空引きを行う。基板温度は室温に保持しガ
ラス基板7を回転させながら、金属薄膜6としてCr薄
膜を50オングストロームの厚さで形成し、次いで、以
下の組成から成る人工格子膜1を約0.3オングストロ
ーム/秒の成膜速度で成膜を行った。
膜4,軟磁性薄膜3および反強磁性膜2の順に成膜され
ており、例えば、 Cr(50)/NiFe(20)/Cu(55) /NiFe(20)/FeMn(50) と表示されている場合は、ガラス基板7上に金属薄膜6
として50オングストローム厚のCr膜を形成した後、
20オングストローム厚のNi80%−Fe20%の軟
磁性薄膜5、55オングストローム厚のCuの非磁性薄
膜4、20オングストローム厚のNi80%−Fe20
%の軟磁性薄膜3、および50オングストローム厚のF
eMnの反強磁性薄膜2を順次蒸着することを意味して
いる。
定するとともに、抵抗測定は試料から0.3×10mm
の形状の試料を作製し、外部磁界Hを面内に電流の向き
と垂直方向になるように印加しながら、−500〜50
0Oe(エルステッド)まで変化させたときの抵抗を4
端子法により測定し、その抵抗値から磁気抵抗変化率Δ
R/Rを求めた。この磁気抵抗変化率ΔR/Rは、最大
抵抗値をRMAX ,最小抵抗値をRMIN とし、次式により
計算した。
ストローム厚にした人工格子膜では、NiFe層の異方
性磁界HK が保磁力HC より大きくなるような軟磁性層
が得られる。この人工格子膜のB−H曲線は、図1に示
すようになり、ゼロ磁場前後で直線性よく抵抗変化する
膜が得られた。
厚の試料では、NiFe 層の異方性磁界HK が保磁力H
C とほぼ同程度となり、ゼロ磁場前後で直線性よく抵抗
変化する膜は得られなかった (実施例2)実施例1の場合と同様に、以下の人工格子
膜を作成した。
オングストローム蒸着した。さらに、この人工格子膜上
にレジストを塗布し、さまざまのMRパターン幅を有す
るMRパターンにドライエッチング装置を用いて微細加
工を施した後、MRセンシング部のAu層を除去して抵
抗測定用試料とした。
部の大きさは、 3×200 μm 5×200 μm 10×200 μm 20×200 μm の4種類である。MRパターン幅を30μm以下にした
人工格子膜では、膜の反磁界および人工格子膜の各磁性
層同士が静磁結合した影響でNiFe層の見かけの異方
性磁界HK が保磁力HC より大きくなる。この人工格子
膜のMR曲線はMRパターン幅に従い、直線的に抵抗変
化している領域が連続的にシフトしていることがわかっ
た。
μmのとき、ゼロ磁場前後で直線性よく抵抗変化する膜
が得られた。また、MRパターン幅が30μm以上の試
料では反磁界,静磁結合の影響が相対的に小さくなり、
ゼロ磁場前後で直線性よく抵抗変化する膜は得られなか
った。 (実施例3)NiFe膜は、磁場中で蒸着(成膜)する
ことにより一軸異方性がつくことが一般的に知られてい
る。この磁場中蒸着により一軸異方性を有するNiFe
膜の困難軸方向に外部磁場を印加すると、このNiFe
層のB−H曲線は、やはり異方性磁界HK が保磁力HC
よりも大きくなるような形状になる。従って、磁場中蒸
着により外部磁場印加方向が磁化困難軸となっているよ
うな人工格子膜でも、ゼロ磁場前後で直線性よく抵抗変
化する磁気抵抗効果膜が得られる。
o磁石を配置し、ガラス基板7と平行に数十Oe(エル
ステッド)程度の外部磁場が印加されているような状態
で人工格子膜の蒸着を行った。この試料のB−H曲線を
測定すると、蒸着中磁場印加方向がNiFe層の磁化容
易軸となり、異方性磁界HK は保磁力HC に比べてそれ
ほど大きくならない。しかしながら、蒸着中の磁場印加
方向と垂直方向が膜の磁化困難軸となっており、困難軸
方向に外部磁場を印加する場合には、この人工格子膜の
抵抗は、ゼロ磁場前後で直線性よく変化をすることがわ
かった。
の軟磁気特性,異方性係数によって変化する。NiFe
Mo材はNiFe材よりも数段優れた軟磁気特性を示
す。保磁力HC はNiFe材よりもよくなり、NiFe
Mo材では、異方性磁界HK は保磁力HC よりも大きく
なり、例えば、 Cr(50)/NiFeMo(20)/Cu(55) /NiFe(20)/FeMn(50) から成る人工格子膜では、同様にゼロ磁場前後で抵抗変
化するバイアス機構の不要な磁気抵抗効果膜が得られる
ことがわかる。
イアス機構が不要で、かつゼロ磁場前後で抵抗変化する
人工格子による磁気抵抗効果膜を得ることができる。
図である。
ある。
側面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 基板上に非磁性薄膜を介して積層した複
数の磁性薄膜から成り、前記非磁性薄膜を介して隣接す
る一方の軟磁性薄膜に反強磁性薄膜が隣接して設け、こ
の反強磁性薄膜のバイアス磁界をHr 、他方の軟磁性薄
膜の保磁力をHC2、印加される信号磁界方向の異方性磁
界をHK2としたとき、 HC2<HK2<Hr であることを特徴とする磁気抵抗効果膜。 - 【請求項2】 請求項1記載の磁気抵抗効果膜のパター
ン幅が、1〜30μmであることを特徴とする磁気抵抗
効果膜。 - 【請求項3】 請求項1または2記載の磁気抵抗効果膜
の磁気抵抗素子部の(パターン幅/トラック幅)で定義
されるアスペクト比が、0.1〜100であることを特
徴とする磁気抵抗効果膜。 - 【請求項4】 請求項1から3のいずれか1項記載の軟
磁性薄膜が、NiFe合金,NiFeMo合金もしくは
これらを主成分とする合金から成ることを特徴とする磁
気抵抗効果膜。 - 【請求項5】 請求項1記載の磁気抵抗効果膜の製造方
法であって、磁性薄膜の磁化容易軸が印加される信号磁
界方向に対して垂直方向であり、かつ印加信号磁界方向
の磁性薄膜の各々の保磁力がHC2<HK2<Hr になるよ
うに前記磁性薄膜を磁場中成膜することを特徴とする磁
気抵抗効果膜の製造方法。 - 【請求項6】 請求項5記載の磁気抵抗効果膜の製造方
法において、前記磁性薄膜の各々の保磁力がHC2<HK2
<Hr になるようにパターン幅を1〜30μmにエッチ
ングすることを特徴とする磁気抵抗効果膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6082906A JP2738295B2 (ja) | 1993-05-13 | 1994-04-21 | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11082693 | 1993-05-13 | ||
JP5-110826 | 1993-05-13 | ||
JP6082906A JP2738295B2 (ja) | 1993-05-13 | 1994-04-21 | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0794326A true JPH0794326A (ja) | 1995-04-07 |
JP2738295B2 JP2738295B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=26423932
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6082906A Expired - Fee Related JP2738295B2 (ja) | 1993-05-13 | 1994-04-21 | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2738295B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08127864A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-05-21 | Nec Corp | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 |
US6051309A (en) * | 1996-12-26 | 2000-04-18 | Nec Corporation | Magnetoresistance effect film and method for making the same |
US6083632A (en) * | 1997-01-08 | 2000-07-04 | Nec Corporation | Magnetoresistive effect film and method of manufacture thereof |
CN114318445A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-04-12 | 珠海多创科技有限公司 | 一种复合聚磁薄膜 |
-
1994
- 1994-04-21 JP JP6082906A patent/JP2738295B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08127864A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-05-21 | Nec Corp | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 |
US6051309A (en) * | 1996-12-26 | 2000-04-18 | Nec Corporation | Magnetoresistance effect film and method for making the same |
US6083632A (en) * | 1997-01-08 | 2000-07-04 | Nec Corporation | Magnetoresistive effect film and method of manufacture thereof |
CN114318445A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-04-12 | 珠海多创科技有限公司 | 一种复合聚磁薄膜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2738295B2 (ja) | 1998-04-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3088478B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
KR100192192B1 (ko) | 자기저항 효과막, 이를 제조하는 방법 및 자기저항효과소자 | |
JP2748876B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜 | |
JP3207477B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
JP2738312B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 | |
JP3411626B2 (ja) | 磁性多層膜および磁気抵抗効果素子ならびにそれらの製造方法 | |
JP2901501B2 (ja) | 磁性多層膜およびその製造方法ならびに磁気抵抗効果素子 | |
US6083632A (en) | Magnetoresistive effect film and method of manufacture thereof | |
JP3088519B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
JP2743806B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 | |
JPH10188235A (ja) | 磁気抵抗効果膜及びその製造方法 | |
JP2629583B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 | |
JP2924819B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜及びその製造方法 | |
JP3247535B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
JP2961914B2 (ja) | 磁気抵抗効果材料およびその製造方法 | |
JP2738295B2 (ja) | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 | |
JP3226254B2 (ja) | 交換結合膜、磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果ヘッド | |
JPH076329A (ja) | 磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
JP3374984B2 (ja) | Mr素子用材料およびその製造方法 | |
US6001430A (en) | Magnetoresistance effect film and production process thereof | |
JP2957233B2 (ja) | 磁性多層膜 | |
JPH0629589A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
JPH06200364A (ja) | 磁性多層膜および磁気抵抗効果素子 | |
JP2674532B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
JP3021785B2 (ja) | 磁気抵抗効果材料およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971216 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090116 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100116 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140116 Year of fee payment: 16 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |