JPH0793335B2 - 共晶ダイボンダーによる電子部品の実装方法 - Google Patents
共晶ダイボンダーによる電子部品の実装方法Info
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- JPH0793335B2 JPH0793335B2 JP63214038A JP21403888A JPH0793335B2 JP H0793335 B2 JPH0793335 B2 JP H0793335B2 JP 63214038 A JP63214038 A JP 63214038A JP 21403888 A JP21403888 A JP 21403888A JP H0793335 B2 JPH0793335 B2 JP H0793335B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electronic component
- heating device
- eutectic
- thermal expansion
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83009—Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
- H01L2224/83048—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled pre-heating or pre-cooling
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、共晶ダイボンダーによる電子部品の実装方法
に係り、殊に基板の熱膨張にともなう電子部品の位置ず
れを補正する方法に関する。
に係り、殊に基板の熱膨張にともなう電子部品の位置ず
れを補正する方法に関する。
（従来の技術） 電子部品の実装方法として、加熱装置により基板を共晶
温度（例えば400〜450℃）まで加熱したうえで、電子部
品を共晶ボンディングすることが知られている。
温度（例えば400〜450℃）まで加熱したうえで、電子部
品を共晶ボンディングすることが知られている。
（発明が解決しようとする課題） 共晶ボンディングされる電子部品は、モールドに収納さ
れていない所謂ベアチップと呼ばれるものであり、この
種電子部品は、一般にきわめて高い実装精度が要求され
る。
れていない所謂ベアチップと呼ばれるものであり、この
種電子部品は、一般にきわめて高い実装精度が要求され
る。
ところで、上述のように基板を加熱装置により加熱する
と、基板は熱膨張する。殊に基板が金属から成るリード
フレームの場合、熱膨張係数が大きいため、特にその長
さ方向に大きく膨張し、電子部品の着地位置に狂いを生
じて、実装精度が低下する問題があった。
と、基板は熱膨張する。殊に基板が金属から成るリード
フレームの場合、熱膨張係数が大きいため、特にその長
さ方向に大きく膨張し、電子部品の着地位置に狂いを生
じて、実装精度が低下する問題があった。
したがって本発明は、かかる基板の熱膨張による電子部
品の位置ずれを簡単に補正できる方法を提供することを
目的とする。
品の位置ずれを簡単に補正できる方法を提供することを
目的とする。
（課題を解決するための手段） このために本発明は、基板を予備加熱装置で加熱した
後、この基板をメイン加熱装置に設けられた移動テーブ
ルに送り、このメイン加熱装置により、基板を共晶温度
以上に加熱したうえで、電子部品を基板に共晶ボンディ
ングするにあたり、カメラにより基板の熱膨張量を観察
し、この観察結果に基いて、電子部品の着地座標を補正
するよう、上記移動テーブルを移動させるようにしたも
のである。
後、この基板をメイン加熱装置に設けられた移動テーブ
ルに送り、このメイン加熱装置により、基板を共晶温度
以上に加熱したうえで、電子部品を基板に共晶ボンディ
ングするにあたり、カメラにより基板の熱膨張量を観察
し、この観察結果に基いて、電子部品の着地座標を補正
するよう、上記移動テーブルを移動させるようにしたも
のである。
（作用） 上記構成において、予備加熱装置とメイン加熱装置にお
いて共晶温度以上に加熱された基板は、かなりの熱膨張
をしている。そこでカメラにより基板の熱膨張量を観察
し、この観察結果に基いて、電子部品の着地座標を補正
するよう、移動テーブルを移動させることにより、基板
の熱膨張による電子部品の位置ずれを補正する。
いて共晶温度以上に加熱された基板は、かなりの熱膨張
をしている。そこでカメラにより基板の熱膨張量を観察
し、この観察結果に基いて、電子部品の着地座標を補正
するよう、移動テーブルを移動させることにより、基板
の熱膨張による電子部品の位置ずれを補正する。
（実施例） 次に、図面を参照しながら本発明の実施例を説明する。
第１図はダイボンディング装置の平面図、第２図は基板
の搬送路の側面図であって、１は基板２を搬送するコン
ベヤであり、この搬送路に沿って、予備加熱装置３、メ
イン加熱装置４、アフター加熱装置５が並設されてい
る。基板２は、予備加熱装置３において予備加熱され、
次にメイン加熱装置４において、共晶温度以上に加熱さ
れる。メイン加熱装置４と直交する位置には、ウェハー
９を装備する電子部品の供給部６と、ダイエジェクタ７
と、アライメント部８が設けられている。10はダイエジ
ェクタ７とアライメント部８の間を往復移動する搬送ヘ
ッドであって、ダイエジェクタ７のピンにより突き上げ
られたウェハー９上の電子部品をピックアップしてアラ
イメント部８へ移送し、アライメント部８において、電
子部品のxyθ方向の位置ずれの観察や補正などが行われ
る。11はマウントヘッドであって、アライメント部８の
電子部品をピックアップして、メイン加熱装置４で加熱
された基板２に移送搭載する。Ｐは基板２に実装された
電子部品である。
の搬送路の側面図であって、１は基板２を搬送するコン
ベヤであり、この搬送路に沿って、予備加熱装置３、メ
イン加熱装置４、アフター加熱装置５が並設されてい
る。基板２は、予備加熱装置３において予備加熱され、
次にメイン加熱装置４において、共晶温度以上に加熱さ
れる。メイン加熱装置４と直交する位置には、ウェハー
９を装備する電子部品の供給部６と、ダイエジェクタ７
と、アライメント部８が設けられている。10はダイエジ
ェクタ７とアライメント部８の間を往復移動する搬送ヘ
ッドであって、ダイエジェクタ７のピンにより突き上げ
られたウェハー９上の電子部品をピックアップしてアラ
イメント部８へ移送し、アライメント部８において、電
子部品のxyθ方向の位置ずれの観察や補正などが行われ
る。11はマウントヘッドであって、アライメント部８の
電子部品をピックアップして、メイン加熱装置４で加熱
された基板２に移送搭載する。Ｐは基板２に実装された
電子部品である。
第２図において、予備加熱装置３は、ヒータ部15の上部
にカバー体16を配設して構成されており、基板２を150
〜200℃まで加熱する。またメイン加熱装置４も、ヒー
タ部17の上部にカバー体18を配設して、構成されてお
り、基板２を共晶温度以上に加熱する。なお共晶温度は
ボンディング材によって異るが、例えば金とシリコンの
共晶の場合は約370℃である。
にカバー体16を配設して構成されており、基板２を150
〜200℃まで加熱する。またメイン加熱装置４も、ヒー
タ部17の上部にカバー体18を配設して、構成されてお
り、基板２を共晶温度以上に加熱する。なお共晶温度は
ボンディング材によって異るが、例えば金とシリコンの
共晶の場合は約370℃である。
20は基板２の位置決め部であって、XY方向に移動する移
動テーブル21,22から成っており、その上部にヒータ部1
7が設置されている。17aはヒータ部17内に配設されたヒ
ータである。11は上記マウントヘッドであって、カバー
体18に開設された開口部23からその内部に進入し、ヒー
タ部17の上部に位置決めされた基板２に電子部品Ｐをボ
ンディングする。第３図はノズル12に吸着された電子部
品Ｐを基板２に着地させてボンディングしている様子を
示すものであって、12aはノズル12の下部に形成された
箱形の吸着部である。13,14は電子部品Ｐの下面と基板
２の上面に装着された例えば金から成るボンディング材
であり、共晶温度以上において、移動テーブル21,22を
わずかに移動させて両者13,14をこすり合わせることに
より両者13,14は結合し、電子部品Ｐは基板２にボンデ
ィングされる。
動テーブル21,22から成っており、その上部にヒータ部1
7が設置されている。17aはヒータ部17内に配設されたヒ
ータである。11は上記マウントヘッドであって、カバー
体18に開設された開口部23からその内部に進入し、ヒー
タ部17の上部に位置決めされた基板２に電子部品Ｐをボ
ンディングする。第３図はノズル12に吸着された電子部
品Ｐを基板２に着地させてボンディングしている様子を
示すものであって、12aはノズル12の下部に形成された
箱形の吸着部である。13,14は電子部品Ｐの下面と基板
２の上面に装着された例えば金から成るボンディング材
であり、共晶温度以上において、移動テーブル21,22を
わずかに移動させて両者13,14をこすり合わせることに
より両者13,14は結合し、電子部品Ｐは基板２にボンデ
ィングされる。
24はカバー体18の上方に配設されたカメラであって、基
板２の熱膨張量を観察する。25はブロアであって、エア
ーを吹き出して陽炎を解消し、カメラ24により基板２を
はっきり観察できるようにする。このメイン加熱装置４
は、基板２を共晶温度まで加熱するものであるが、ボン
ディング材13,14などが酸化されないように、カバー体1
8内には、パイプ19を通してチッソガスや水素ガスなど
の還元ガスが送り込まれる。このパイプ19はヒータ部17
内に還元ガスを送り、ヒータ17aによりこの還元ガスを
暖めたうえで、ヒータ部17の上面から吹き出して基板２
を緩める（破線矢印（イ）参照）。アフター加熱装置５
も、ヒータ部26とカバー体27から成っており、電子部品
Ｐが実装された基板２は、この加熱装置５に送られてア
フター加熱した後、次の工程へ搬出される。
板２の熱膨張量を観察する。25はブロアであって、エア
ーを吹き出して陽炎を解消し、カメラ24により基板２を
はっきり観察できるようにする。このメイン加熱装置４
は、基板２を共晶温度まで加熱するものであるが、ボン
ディング材13,14などが酸化されないように、カバー体1
8内には、パイプ19を通してチッソガスや水素ガスなど
の還元ガスが送り込まれる。このパイプ19はヒータ部17
内に還元ガスを送り、ヒータ17aによりこの還元ガスを
暖めたうえで、ヒータ部17の上面から吹き出して基板２
を緩める（破線矢印（イ）参照）。アフター加熱装置５
も、ヒータ部26とカバー体27から成っており、電子部品
Ｐが実装された基板２は、この加熱装置５に送られてア
フター加熱した後、次の工程へ搬出される。
第４図は、上記位置決め部20に位置決めされた基板２
を、上記カメラ24により観察している様子を示すもので
ある。28はシリンダのような基板２のストッパー、29,2
9は基板２を固定するクランプ板、A2,B2は位置ずれを検
出するために基板２の隅部に印刷された基準点、2aは検
査基準となるマスター基板、A1,B1はその基準点であ
る。図示するように、基板２は熱膨張のために、マスタ
ー基板2aよりもかなり膨張している。Q1は温度膨張が無
い場合の電子部品の理想の実装位置、x1,y1はその座
標、Q2は熱膨張によるxy方向の補正を加えて実装される
べき電子部品の位置、x2,y2はその座標である。またl1
はマスターのAB点間距離、l2は現実の基板２のAB点間距
離であり、基板２はAB点間において△ｌ＝l1−l2の温度
膨張をしている。したがって実装すべき電子部品の座標
は次式となる。
を、上記カメラ24により観察している様子を示すもので
ある。28はシリンダのような基板２のストッパー、29,2
9は基板２を固定するクランプ板、A2,B2は位置ずれを検
出するために基板２の隅部に印刷された基準点、2aは検
査基準となるマスター基板、A1,B1はその基準点であ
る。図示するように、基板２は熱膨張のために、マスタ
ー基板2aよりもかなり膨張している。Q1は温度膨張が無
い場合の電子部品の理想の実装位置、x1,y1はその座
標、Q2は熱膨張によるxy方向の補正を加えて実装される
べき電子部品の位置、x2,y2はその座標である。またl1
はマスターのAB点間距離、l2は現実の基板２のAB点間距
離であり、基板２はAB点間において△ｌ＝l1−l2の温度
膨張をしている。したがって実装すべき電子部品の座標
は次式となる。
このように実装すべき座標（x2,y2）を算出したなら
ば、この座標に電子部品Ｐが着地するように、移動テー
ブル21,22をわずかに移動させればよく、かくすること
により、基板２の熱膨張による位置ずれを補正すること
ができる。上記座標の算出等は、コンピュータにより行
われる。なおリードフレームのように基板が細長の場
合、Ｙ方向の熱膨張は僅かであるのでこれを無視しても
よく、この場合はＸ方向の移動テーブル21のみ移動させ
てＸ方向の補正のみを行う。
ば、この座標に電子部品Ｐが着地するように、移動テー
ブル21,22をわずかに移動させればよく、かくすること
により、基板２の熱膨張による位置ずれを補正すること
ができる。上記座標の算出等は、コンピュータにより行
われる。なおリードフレームのように基板が細長の場
合、Ｙ方向の熱膨張は僅かであるのでこれを無視しても
よく、この場合はＸ方向の移動テーブル21のみ移動させ
てＸ方向の補正のみを行う。
（発明の効果） 以上説明したように本発明は、カメラにより基板の熱膨
張量を観察し、この観察結果に基いて、電子部品の着地
座標を補正するよう、基板が配設された移動テーブルを
移動させるようにしているので、電子部品を共晶ボンデ
ィングする際の基板の熱膨張による位置ずれを簡単に補
正して、実装精度をあげることができる。
張量を観察し、この観察結果に基いて、電子部品の着地
座標を補正するよう、基板が配設された移動テーブルを
移動させるようにしているので、電子部品を共晶ボンデ
ィングする際の基板の熱膨張による位置ずれを簡単に補
正して、実装精度をあげることができる。
【図面の簡単な説明】 図は本発明の実施例を示すものであって、第１図はボン
ディング装置の平面図、第２図は基板の搬送路の側面
図、第３図はボンディング中の側面図、第４図は観察中
の平面図である。 ２……基板 ３……予備加熱装置 ４……メイン加熱装置 21,22……移動テーブル 24……カメラ Ｐ……電子部品
ディング装置の平面図、第２図は基板の搬送路の側面
図、第３図はボンディング中の側面図、第４図は観察中
の平面図である。 ２……基板 ３……予備加熱装置 ４……メイン加熱装置 21,22……移動テーブル 24……カメラ Ｐ……電子部品
Claims (1)
- 【請求項１】基板を予備加熱装置で加熱した後、この基
板をメイン加熱装置に設けられた移動テーブルに送り、
このメイン加熱装置により、基板を共晶温度以上に加熱
したうえで、電子部品をこの基板に共晶ボンディングす
るにあたり、カメラにより基板の熱膨張量を観察し、こ
の観察結果に基いて、電子部品の着地座標を補正するよ
う、上記移動テーブルを移動させるようにしたことを特
徴とする共晶ダイボンダーによる電子部品の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63214038A JPH0793335B2 (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 共晶ダイボンダーによる電子部品の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63214038A JPH0793335B2 (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 共晶ダイボンダーによる電子部品の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0263130A JPH0263130A (ja) | 1990-03-02 |
| JPH0793335B2 true JPH0793335B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=16649246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63214038A Expired - Fee Related JPH0793335B2 (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 共晶ダイボンダーによる電子部品の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793335B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106463414A (zh) * | 2014-03-14 | 2017-02-22 | 株式会社新川 | 接合装置及接合方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5362404B2 (ja) * | 2009-03-25 | 2013-12-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| CN111762754A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-10-13 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 测量共晶键合对准偏差的测试结构 |
-
1988
- 1988-08-29 JP JP63214038A patent/JPH0793335B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106463414A (zh) * | 2014-03-14 | 2017-02-22 | 株式会社新川 | 接合装置及接合方法 |
| CN106463414B (zh) * | 2014-03-14 | 2019-01-15 | 株式会社新川 | 接合装置及接合方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0263130A (ja) | 1990-03-02 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |