JPH0793309B2 - 半導体装置の接続方法 - Google Patents
半導体装置の接続方法Info
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- JPH0793309B2 JPH0793309B2 JP62294133A JP29413387A JPH0793309B2 JP H0793309 B2 JPH0793309 B2 JP H0793309B2 JP 62294133 A JP62294133 A JP 62294133A JP 29413387 A JP29413387 A JP 29413387A JP H0793309 B2 JPH0793309 B2 JP H0793309B2
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- Japan
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- bump electrode
- electrode
- connection
- solder
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は半導体装置の接続方法に関する。
［従来の技術］ 従来、ICチップ、LSIチップ等の半導体チップとテープ
キャリアのフィンガリードとをボンディングする所謂TA
B（Tape Automted Bonding）方式においては、通常、半
導体チップに外部へ突出するバンプ電極が形成されてい
る。このバンプ電極は半導体チップ内に設けられた通常
パッドと言われる接続用電極に金属膜を介して金メッキ
により付着されており、その高さはフィンガリード等の
接続リードを周辺部から離間させて短絡を防止するため
に、20〜30μｍ程度の高さに形成されている。なお、こ
のようなバンプ電極を形成する場合には、半導体チップ
の一面にフォトレジスト膜を配し、このフォトレジスト
膜を露光、現像し、フォトレジスト膜の所定箇所に開口
を形成し、この開口を通してメッキを行なっている。
キャリアのフィンガリードとをボンディングする所謂TA
B（Tape Automted Bonding）方式においては、通常、半
導体チップに外部へ突出するバンプ電極が形成されてい
る。このバンプ電極は半導体チップ内に設けられた通常
パッドと言われる接続用電極に金属膜を介して金メッキ
により付着されており、その高さはフィンガリード等の
接続リードを周辺部から離間させて短絡を防止するため
に、20〜30μｍ程度の高さに形成されている。なお、こ
のようなバンプ電極を形成する場合には、半導体チップ
の一面にフォトレジスト膜を配し、このフォトレジスト
膜を露光、現像し、フォトレジスト膜の所定箇所に開口
を形成し、この開口を通してメッキを行なっている。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記のような半導体チップのバンプ電極においては、そ
の上面が平滑であるため、接続リードを接続する際に、
半田を用いて熱圧着しても充分な接着強度が得られず、
接続リードが剥れてしまうという欠点がある。これを解
消するために、半田の量を多くして接着力を強くするこ
とが考えられるが、半田の量を多くすると、熱圧着時に
半田が溢れ、隣接するバンプ電極や接続リードに接触し
てショートするという問題がある。
の上面が平滑であるため、接続リードを接続する際に、
半田を用いて熱圧着しても充分な接着強度が得られず、
接続リードが剥れてしまうという欠点がある。これを解
消するために、半田の量を多くして接着力を強くするこ
とが考えられるが、半田の量を多くすると、熱圧着時に
半田が溢れ、隣接するバンプ電極や接続リードに接触し
てショートするという問題がある。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、その
目的とするところは、半田の量を多くすることなく、バ
ンプ電極と接続端子との接着力を高めることができる半
導体装置の接続方法を提供することにある。
目的とするところは、半田の量を多くすることなく、バ
ンプ電極と接続端子との接着力を高めることができる半
導体装置の接続方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ この発明は上述した目的を達成するために、絶縁膜の開
口を介して露出された接続用電極および前記絶縁膜上に
中間接続膜を形成し、前記接続用電極上における前記中
間接続膜上にバンプ電極を形成し、反応性イオンを用い
たドライエッチングにより、前記バンプ電極をマスクと
して前記中間接続膜の不要な部分を除去するとともに、
前記バンプ電極の上面を微細な凹凸を有する粗面に形成
し、この微細な凹凸を有する粗面に直接接続端子を半田
を介して接続するようにしたものである。
口を介して露出された接続用電極および前記絶縁膜上に
中間接続膜を形成し、前記接続用電極上における前記中
間接続膜上にバンプ電極を形成し、反応性イオンを用い
たドライエッチングにより、前記バンプ電極をマスクと
して前記中間接続膜の不要な部分を除去するとともに、
前記バンプ電極の上面を微細な凹凸を有する粗面に形成
し、この微細な凹凸を有する粗面に直接接続端子を半田
を介して接続するようにしたものである。
［作用］ この発明によれば、半導体装置のバンプ電極の上面を微
細な凹凸を有する粗面に形成し、この微細な凹凸を有す
る粗面に直接接続端子を半田を介して接続しているの
で、半田の食い付きが良くなり、したがって半田の量を
多くすることなく、バンプ電極と接続端子との接着力を
高めることができる。
細な凹凸を有する粗面に形成し、この微細な凹凸を有す
る粗面に直接接続端子を半田を介して接続しているの
で、半田の食い付きが良くなり、したがって半田の量を
多くすることなく、バンプ電極と接続端子との接着力を
高めることができる。
［第１実施例］ 以下、第１図（Ａ）〜（Ｄ）を参照して、この発明の一
実施例を形成工程順に説明する。
実施例を形成工程順に説明する。
第１図（Ａ）はシリコンウエハ上にバンプ電極を形成す
る状態を示す。この場合には、予め、シリコンウエハ１
上に酸化シリコンよりなる絶縁膜２を介して接続用電極
３を形成する。この接続用電極３はアルミニウム（Al）
やアルミニウム合金（例えば、アルミニウム（Al）−け
い素（Si）、アルミニウム（Al）−銅（Cu）−けい素
（Si）等の合金）よりなり、図示しないゲート等の内部
電極に接続されている。また、この接続用電極３および
絶縁膜２上には窒化シリコンよりなる絶縁膜４を形成
し、この絶縁膜４の接続用電極３と対応する部分にはそ
の周縁部を除いて開口4aを形成する。さらに、この絶縁
膜４およびその開口4aから露出する接続用電極３上に、
チタン（Ti）−タングステン（Ｗ）合金よりなる中間接
続膜５、および金（Au）よりなる金薄膜６をそれぞれス
パッタリングまたは蒸着等により数千Å程度の厚さで積
層形成する。そして、この金薄膜６上にメッキ用のフォ
トレジスト膜７をスピンコーティングにより後述するバ
ンプ電極８よりも厚い膜厚（20〜30μｍ程度）で形成
し、このフォトレジスト膜７の所定箇所、つまり接続用
電極３と対応する部分にメッキ用開口部7aを露光、現像
（現像液としてはキシレン系のものを用いる）処理によ
り形成し、このメッキ用開口部7aを通して金（Au）の電
解メッキによりバンプ電極８を形成する。この場合、電
解メッキはバンプ電極８の厚さが10〜20μｍ程度で止
め、バンプ電極８の上面がフォトレジスト膜７の上面よ
りも上方へ突出しないようにする。これにより、バンプ
電極８の上面はほぼ平坦となる。
る状態を示す。この場合には、予め、シリコンウエハ１
上に酸化シリコンよりなる絶縁膜２を介して接続用電極
３を形成する。この接続用電極３はアルミニウム（Al）
やアルミニウム合金（例えば、アルミニウム（Al）−け
い素（Si）、アルミニウム（Al）−銅（Cu）−けい素
（Si）等の合金）よりなり、図示しないゲート等の内部
電極に接続されている。また、この接続用電極３および
絶縁膜２上には窒化シリコンよりなる絶縁膜４を形成
し、この絶縁膜４の接続用電極３と対応する部分にはそ
の周縁部を除いて開口4aを形成する。さらに、この絶縁
膜４およびその開口4aから露出する接続用電極３上に、
チタン（Ti）−タングステン（Ｗ）合金よりなる中間接
続膜５、および金（Au）よりなる金薄膜６をそれぞれス
パッタリングまたは蒸着等により数千Å程度の厚さで積
層形成する。そして、この金薄膜６上にメッキ用のフォ
トレジスト膜７をスピンコーティングにより後述するバ
ンプ電極８よりも厚い膜厚（20〜30μｍ程度）で形成
し、このフォトレジスト膜７の所定箇所、つまり接続用
電極３と対応する部分にメッキ用開口部7aを露光、現像
（現像液としてはキシレン系のものを用いる）処理によ
り形成し、このメッキ用開口部7aを通して金（Au）の電
解メッキによりバンプ電極８を形成する。この場合、電
解メッキはバンプ電極８の厚さが10〜20μｍ程度で止
め、バンプ電極８の上面がフォトレジスト膜７の上面よ
りも上方へ突出しないようにする。これにより、バンプ
電極８の上面はほぼ平坦となる。
この後、第１図（Ｂ）に示すように、メッキ用のフォト
レジスト膜７を所定の剥離液、例えばエチルセルソル
ブ、ジクロルベンゼンを主成分とする有機溶剤で剥離す
る。
レジスト膜７を所定の剥離液、例えばエチルセルソル
ブ、ジクロルベンゼンを主成分とする有機溶剤で剥離す
る。
次いで、第１図（Ｃ）に示すように、バンプ電極８をマ
スクとして、エッチング液を用いて金薄膜６をウエット
エッチングし、不要な部分、つまりバンプ電極８と対応
しない部分の金薄膜６を除去する。この場合のエッチン
グ液としては、ヨウ化アンモニウム、ヨウ化カリウム等
のヨウ素系のものを用いる。なお、所定のガスを用いれ
ばドライエッチングも可能である。この後、バンプ電極
８および金薄膜６のマスクとして、反応性イオンを用い
てチタン−タングステン合金よりなる中間接続膜５をド
ライエッチングし、中間接続膜５の不要な部分、つまり
バンプ電極８と対応しない部分の中間接続膜５を除去す
る。これと同時に、バンプ電極８の上面が反応性イオン
を用いたドライエッチングにより微細な凹凸を有する粗
面8aに形成される。この場合、反応性イオンとしては、
チタンとタングステンと金とをエッチング可能なもの
（例えば、フロン系等のガス）を用いる。このような反
応性イオンを用いたドライエッチングは、ウエットエッ
チングに比べて非常に精度の高いエッチングが可能とな
り、中間接続膜５の上側の金薄膜６およびバンプ電極８
のアンダーカットを防ぐとともに、その下側の絶縁膜４
をもエッチングしてしまうという悪影響をも防げる。そ
のため、特に絶縁膜４の厚さが薄い場合に有効である。
スクとして、エッチング液を用いて金薄膜６をウエット
エッチングし、不要な部分、つまりバンプ電極８と対応
しない部分の金薄膜６を除去する。この場合のエッチン
グ液としては、ヨウ化アンモニウム、ヨウ化カリウム等
のヨウ素系のものを用いる。なお、所定のガスを用いれ
ばドライエッチングも可能である。この後、バンプ電極
８および金薄膜６のマスクとして、反応性イオンを用い
てチタン−タングステン合金よりなる中間接続膜５をド
ライエッチングし、中間接続膜５の不要な部分、つまり
バンプ電極８と対応しない部分の中間接続膜５を除去す
る。これと同時に、バンプ電極８の上面が反応性イオン
を用いたドライエッチングにより微細な凹凸を有する粗
面8aに形成される。この場合、反応性イオンとしては、
チタンとタングステンと金とをエッチング可能なもの
（例えば、フロン系等のガス）を用いる。このような反
応性イオンを用いたドライエッチングは、ウエットエッ
チングに比べて非常に精度の高いエッチングが可能とな
り、中間接続膜５の上側の金薄膜６およびバンプ電極８
のアンダーカットを防ぐとともに、その下側の絶縁膜４
をもエッチングしてしまうという悪影響をも防げる。そ
のため、特に絶縁膜４の厚さが薄い場合に有効である。
この後、第１図（Ｄ）に示すように、バンプ電極８にフ
ィンガリード等の接続リード（接続端子）９を熱圧着に
より接続する。この場合の接続リード９は銅箔9aの表面
に半田9bをメッキしたもので、この半田9bは錫（Sn）と
鉛（Pb）の合金（Sn:Pb＝80:20）で、その厚さが0.2〜
0.6μｍ程度に形成されている。また、熱圧着は温度が2
00〜400℃で、加圧力が30〜360g/mm2で、時間は１〜5se
cである。このようにして、バンプ電極８の上面に接続
リード９を熱圧着すると、バンプ電極８の上面が微細な
凹凸を有する粗面8aに形成されているので、接続リード
９の半田9bが食い付き、確実かつ強固に接続リード９が
バンプ電極８に接続されるとともに、バンプ電極８の金
と接続リード９の半田9bとの間に金−錫共晶ができ、こ
れによっても確実かつ強固に接合できる。
ィンガリード等の接続リード（接続端子）９を熱圧着に
より接続する。この場合の接続リード９は銅箔9aの表面
に半田9bをメッキしたもので、この半田9bは錫（Sn）と
鉛（Pb）の合金（Sn:Pb＝80:20）で、その厚さが0.2〜
0.6μｍ程度に形成されている。また、熱圧着は温度が2
00〜400℃で、加圧力が30〜360g/mm2で、時間は１〜5se
cである。このようにして、バンプ電極８の上面に接続
リード９を熱圧着すると、バンプ電極８の上面が微細な
凹凸を有する粗面8aに形成されているので、接続リード
９の半田9bが食い付き、確実かつ強固に接続リード９が
バンプ電極８に接続されるとともに、バンプ電極８の金
と接続リード９の半田9bとの間に金−錫共晶ができ、こ
れによっても確実かつ強固に接合できる。
この場合、反応性イオンを用いたドライエッチングによ
り中間接続膜５の不要な部分を除去する工程はバンプ電
極形成工程の最後の工程であり、この最後の工程により
バンプ電極８の上面を微細な凹凸を有する粗面8aに形成
しているので、この微細な凹凸を有する粗面8aに直接接
続リード９を半田9bを介して接続することができる。
り中間接続膜５の不要な部分を除去する工程はバンプ電
極形成工程の最後の工程であり、この最後の工程により
バンプ電極８の上面を微細な凹凸を有する粗面8aに形成
しているので、この微細な凹凸を有する粗面8aに直接接
続リード９を半田9bを介して接続することができる。
［第２実施例］ 次に、第２図（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、この発明の第
２実施例を説明する。この場合、上述した第１実施例と
同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
２実施例を説明する。この場合、上述した第１実施例と
同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
第２図（Ａ）はシリコンウエハ１上にバンプ電極10を形
成する状態を示す。この場合、シリコンウエハ１の上面
には上述した第１実施例と同様に、酸化シリコンよりな
る絶縁膜２を介して接続用電極３が形成され、この接続
用電極３および絶縁膜２上に窒化シリコンよりなる絶縁
膜４が形成され、この絶縁膜４の接続用電極３と対応す
る部分にその周縁部を除いて開口4aが形成されている。
そして、この開口4aから露出する接続用電極３を含む絶
縁膜４上には、下から順にタングステン（Ｗ）膜11a、
チタン（Ti）膜11b、金属膜11cがスパッタリングまたは
蒸着により積層形成されており、その上面に通常のフォ
トレジスト膜12がスピンコーティングにより膜厚が数μ
ｍ程度で形成され、このフォトレジスト膜12の所定箇
所、つまり接続用電極３と対応する箇所にメッキ用開口
部12aが形成されている。そして、フォトレジスト膜12
のメッキ用開口部12aを通して、金（Au）の電解メッキ
によりバンプ電極10を金薄膜11c上に形成する。この場
合、バンプ電極10はその厚さが10〜20μｍであり、フォ
トレジスト膜12の厚さよりも厚いため、第２図（Ａ）に
示すように、フォトレジスト膜12の上方へ突出し、全体
が「きのこ」状に形成される。
成する状態を示す。この場合、シリコンウエハ１の上面
には上述した第１実施例と同様に、酸化シリコンよりな
る絶縁膜２を介して接続用電極３が形成され、この接続
用電極３および絶縁膜２上に窒化シリコンよりなる絶縁
膜４が形成され、この絶縁膜４の接続用電極３と対応す
る部分にその周縁部を除いて開口4aが形成されている。
そして、この開口4aから露出する接続用電極３を含む絶
縁膜４上には、下から順にタングステン（Ｗ）膜11a、
チタン（Ti）膜11b、金属膜11cがスパッタリングまたは
蒸着により積層形成されており、その上面に通常のフォ
トレジスト膜12がスピンコーティングにより膜厚が数μ
ｍ程度で形成され、このフォトレジスト膜12の所定箇
所、つまり接続用電極３と対応する箇所にメッキ用開口
部12aが形成されている。そして、フォトレジスト膜12
のメッキ用開口部12aを通して、金（Au）の電解メッキ
によりバンプ電極10を金薄膜11c上に形成する。この場
合、バンプ電極10はその厚さが10〜20μｍであり、フォ
トレジスト膜12の厚さよりも厚いため、第２図（Ａ）に
示すように、フォトレジスト膜12の上方へ突出し、全体
が「きのこ」状に形成される。
この後、第２図（Ｂ）に示すように、メッキ用のフォト
レジスト膜12を通常の剥離液で剥離し、次いで、第１図
（Ｃ）に示すように、バンプ電極10をマスクとして、第
１実施例と同様なエッチング液を用いて金属膜11cをウ
エットエッチングし、不要な部分、つまりバンプ電極10
と対応しない部分の金薄膜11cを除去する。この後、バ
ンプ電極10および金薄膜11cをマスクとして、第１実施
例と同様に、反応性イオンを用いてチタン膜11bおよび
タングステン膜11aを順にドライエッチングし、その不
要な部分、つまりバンプ電極10と対応しない部分のチタ
ン膜11bおよびタングステン膜11aを除去する。すると、
これと同時に、バンプ電極10の上面が反応性イオンを用
いたドライエッチングにより微細な凹凸を有する粗面10
aに形成される。この結果、上述した第１実施例と同様
に、非常に精度の高いエッチングが可能となり、チタン
膜11bおよびタングステン膜11aの上側の金薄膜11cおよ
びバンプ電極10のアンダーカットを防ぐとともに、その
下側の絶縁膜４をもエッチングしてしまうという悪影響
をも防げる。そのため、特に絶縁膜４の厚さが薄い場合
に有効である。また、このようなバンプ電極10において
も、その上面が粗面10aに形成されているので、接続リ
ード９を熱圧着により接続する際、接続リード９の半田
9bが粗面10aの微細な凹凸に食い付き、これにより接着
強度を高めることができる。
レジスト膜12を通常の剥離液で剥離し、次いで、第１図
（Ｃ）に示すように、バンプ電極10をマスクとして、第
１実施例と同様なエッチング液を用いて金属膜11cをウ
エットエッチングし、不要な部分、つまりバンプ電極10
と対応しない部分の金薄膜11cを除去する。この後、バ
ンプ電極10および金薄膜11cをマスクとして、第１実施
例と同様に、反応性イオンを用いてチタン膜11bおよび
タングステン膜11aを順にドライエッチングし、その不
要な部分、つまりバンプ電極10と対応しない部分のチタ
ン膜11bおよびタングステン膜11aを除去する。すると、
これと同時に、バンプ電極10の上面が反応性イオンを用
いたドライエッチングにより微細な凹凸を有する粗面10
aに形成される。この結果、上述した第１実施例と同様
に、非常に精度の高いエッチングが可能となり、チタン
膜11bおよびタングステン膜11aの上側の金薄膜11cおよ
びバンプ電極10のアンダーカットを防ぐとともに、その
下側の絶縁膜４をもエッチングしてしまうという悪影響
をも防げる。そのため、特に絶縁膜４の厚さが薄い場合
に有効である。また、このようなバンプ電極10において
も、その上面が粗面10aに形成されているので、接続リ
ード９を熱圧着により接続する際、接続リード９の半田
9bが粗面10aの微細な凹凸に食い付き、これにより接着
強度を高めることができる。
この場合も、反応性イオンを用いたドライエッチングに
よりチタン膜11bおよびタングステン膜11aの不要な部分
を除去する工程はバンプ電極形成工程の最後の工程であ
り、この最後の工程によりバンプ電極10の上面を微細な
凹凸を有する粗面10aに形成しているので、この微細な
凹凸を有する粗面10aに直接接続リード９を半田9bを介
して接続することができる。
よりチタン膜11bおよびタングステン膜11aの不要な部分
を除去する工程はバンプ電極形成工程の最後の工程であ
り、この最後の工程によりバンプ電極10の上面を微細な
凹凸を有する粗面10aに形成しているので、この微細な
凹凸を有する粗面10aに直接接続リード９を半田9bを介
して接続することができる。
［発明の効果］ 以上詳細に説明したように、この発明によれば、半導体
装置のバンプ電極の上面を微細な凹凸を有する粗面に形
成し、この微細な凹凸を有する粗面に直接接続端子を半
田を介して接続しているので、半田の食い付きが良くな
り、したがって半田の量を多くすることなく、バンプ電
極と接続端子との接着力を高めることができる。
装置のバンプ電極の上面を微細な凹凸を有する粗面に形
成し、この微細な凹凸を有する粗面に直接接続端子を半
田を介して接続しているので、半田の食い付きが良くな
り、したがって半田の量を多くすることなく、バンプ電
極と接続端子との接着力を高めることができる。
第１図（Ａ）〜（Ｄ）はこの発明の第１実施例における
半導体装置の形成工程を示す各拡大断面図、第２図
（Ａ）〜（Ｃ）はこの発明の第２実施例における半導体
装置の形成工程を示す各拡大断面図である。 １……シリコンウエハ、３……接続用電極、５……中間
接続膜、６、11c……金薄膜、８、10……バンプ電極、8
a、10a……粗面、11a……タングステン膜、11b……チタ
ン膜。
半導体装置の形成工程を示す各拡大断面図、第２図
（Ａ）〜（Ｃ）はこの発明の第２実施例における半導体
装置の形成工程を示す各拡大断面図である。 １……シリコンウエハ、３……接続用電極、５……中間
接続膜、６、11c……金薄膜、８、10……バンプ電極、8
a、10a……粗面、11a……タングステン膜、11b……チタ
ン膜。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁膜の開口を介して露出された接続用電
極および前記絶縁膜上に中間接続膜を形成し、前記接続
用電極上における前記中間接続膜上にバンプ電極を形成
し、反応性イオンを用いたドライエッチングにより、前
記バンプ電極をマスクとして前記中間接続膜の不要な部
分を除去するとともに、前記バンプ電極の上面を微細な
凹凸を有する粗面に形成し、この微細な凹凸を有する粗
面に直接接続端子を半田を介して接続することを特徴と
する半導体装置の接続方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62294133A JPH0793309B2 (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 半導体装置の接続方法 |
| KR1019880008375A KR910006967B1 (ko) | 1987-11-18 | 1988-07-06 | 반도체 장치의 범프 전극 구조 및 그 형성 방법 |
| EP19940106612 EP0609918A3 (en) | 1987-11-18 | 1988-11-17 | Method of manufacturing a protruding electrode of a semiconductor device. |
| SG1996003214A SG55036A1 (en) | 1987-11-18 | 1988-11-17 | A bump electrode structure of a semiconductor device and a method for forming the same |
| EP19880119137 EP0316912A3 (en) | 1987-11-18 | 1988-11-17 | A bump electrode structure of a semiconductor device and a method for forming the same |
| US07/617,399 US5108950A (en) | 1987-11-18 | 1990-11-20 | Method for forming a bump electrode for a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62294133A JPH0793309B2 (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 半導体装置の接続方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01136354A JPH01136354A (ja) | 1989-05-29 |
| JPH0793309B2 true JPH0793309B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=17803728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62294133A Expired - Lifetime JPH0793309B2 (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-24 | 半導体装置の接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793309B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4601141B2 (ja) * | 2000-09-18 | 2010-12-22 | パナソニック株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPS54105962A (en) * | 1978-02-07 | 1979-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | Projection electrode forming method for semiconductor device |
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-
1987
- 1987-11-24 JP JP62294133A patent/JPH0793309B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01136354A (ja) | 1989-05-29 |
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