JPH07921Y2 - 米粒の状態検出装置 - Google Patents
米粒の状態検出装置Info
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- JPH07921Y2 JPH07921Y2 JP1988014516U JP1451688U JPH07921Y2 JP H07921 Y2 JPH07921 Y2 JP H07921Y2 JP 1988014516 U JP1988014516 U JP 1988014516U JP 1451688 U JP1451688 U JP 1451688U JP H07921 Y2 JPH07921 Y2 JP H07921Y2
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- rice
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- grain
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Description
【考案の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ この考案は、米粒の状態検出装置に係り、特に米粒の欠
陥等の状態を検出する米粒の状態検出装置に関するもの
である。
陥等の状態を検出する米粒の状態検出装置に関するもの
である。
＜従来の技術＞ 米粒の胴割れは、米粒に生ずる亀裂のことであつて、米
粒の長軸方向に対し直交する方向に生ずるのが殆どであ
る 従来、この胴割れは、第９図に示すように楕円形のくぼ
みに米粒を乗せ、その米粒の下部に斜め方向から細い光
り通路を通して光を当て、このとき胴割れ部にできる明
暗により視覚的に胴割れの有無を判別する方法がある。
更に、第10図のように、米粒の長軸方向と平行に２個の
フオトダイオードを配置し、これらの受光量の差から米
粒の胴割れを自動的に検出する方法がある。しかしなが
ら、これらの方法では、米粒の端部にある胴割れの検出
が困難であり、また、米粒のくぼみへの収まり具合によ
り同じ米粒でも胴割れが検出できたりできなかつたりす
ることがあつた。特に、くぼみに納まつた米粒を高速で
移動する場合、米粒の揺れにより位置が一定せず、検出
誤差を生ずることがあり、このため米粒を高速で移動す
ることができなかつた。
粒の長軸方向に対し直交する方向に生ずるのが殆どであ
る 従来、この胴割れは、第９図に示すように楕円形のくぼ
みに米粒を乗せ、その米粒の下部に斜め方向から細い光
り通路を通して光を当て、このとき胴割れ部にできる明
暗により視覚的に胴割れの有無を判別する方法がある。
更に、第10図のように、米粒の長軸方向と平行に２個の
フオトダイオードを配置し、これらの受光量の差から米
粒の胴割れを自動的に検出する方法がある。しかしなが
ら、これらの方法では、米粒の端部にある胴割れの検出
が困難であり、また、米粒のくぼみへの収まり具合によ
り同じ米粒でも胴割れが検出できたりできなかつたりす
ることがあつた。特に、くぼみに納まつた米粒を高速で
移動する場合、米粒の揺れにより位置が一定せず、検出
誤差を生ずることがあり、このため米粒を高速で移動す
ることができなかつた。
更に、従来技術として、特開昭59-135351号公報に記載
のあるごとく、米粒全体に下方斜め方向から光を照射
し、このときの米粒内で生ずる散乱光を米粒の短軸方向
に長手方向をもつたスリツトを通して検出し、この場
合、米粒がその長軸方向に移動するに伴つて逐次時分割
的に検出される信号により米粒の長軸方向の明度の分布
を得、この明度分布から米粒の胴割れを検出する方法が
提案されている。しかし、この場合においても、１秒に
10粒程度の胴割れ判定を行うべく高速測定をすると、米
粒の振動により光ノイズが生じて胴割れの有無を誤認す
ることがある。
のあるごとく、米粒全体に下方斜め方向から光を照射
し、このときの米粒内で生ずる散乱光を米粒の短軸方向
に長手方向をもつたスリツトを通して検出し、この場
合、米粒がその長軸方向に移動するに伴つて逐次時分割
的に検出される信号により米粒の長軸方向の明度の分布
を得、この明度分布から米粒の胴割れを検出する方法が
提案されている。しかし、この場合においても、１秒に
10粒程度の胴割れ判定を行うべく高速測定をすると、米
粒の振動により光ノイズが生じて胴割れの有無を誤認す
ることがある。
なお、従来技術では、切り欠け等を生じた砕粒米を自動
検出する技術について特に教示したものがない。
検出する技術について特に教示したものがない。
＜考案が解決しようとする問題点＞ 従つて、この考案の目的は、米粒の端部における胴割れ
や砕粒米等の欠陥のある米粒を高速かつ良好に測定する
ことができるようにした米粒の状態検出装置を提供する
ことにある。
や砕粒米等の欠陥のある米粒を高速かつ良好に測定する
ことができるようにした米粒の状態検出装置を提供する
ことにある。
＜問題点を解決するための手段＞ この考案による米粒の状態検出装置は、上面に米粒を収
容する少なくとも一つの楕円形のくぼみを形成すると共
に、少なくともそのくぼみの下部が光を透過する材料で
構成された米粒保持体と、該米粒保持体の光透過材料の
下面より前記米粒の長軸方向に対し傾斜した方向より該
米粒全体に前記光透過材料を通して光を照射する手段
と、前記米粒内で乱反射された光の該米粒の長軸方向に
沿つた強度を同時に感知して該乱反射光の強度分布を検
出する手段と、該強度分布に基づいて前記米粒の状態を
判別する手段と、を備えている。
容する少なくとも一つの楕円形のくぼみを形成すると共
に、少なくともそのくぼみの下部が光を透過する材料で
構成された米粒保持体と、該米粒保持体の光透過材料の
下面より前記米粒の長軸方向に対し傾斜した方向より該
米粒全体に前記光透過材料を通して光を照射する手段
と、前記米粒内で乱反射された光の該米粒の長軸方向に
沿つた強度を同時に感知して該乱反射光の強度分布を検
出する手段と、該強度分布に基づいて前記米粒の状態を
判別する手段と、を備えている。
＜実施例＞ この考案によれば、光透過材料からなる米粒保持体上の
くぼみに乗せられた米粒にその光透過材料を通して米粒
の長軸方向に対して傾斜した方向から光を照射し、米粒
内で乱反射された光のその米粒の長軸方向の強度分布を
同時に感知できるラインセンサ等で感知し、この感知信
号をA/D変換してRAMに記憶して乱反射光の強度分布を検
出し、この強度分布について、その変化率を計算した
り、所定強度レベルと比較したりして、米粒の胴割れの
有無、長さなたは砕粒米かどうか等の米粒の状態検出を
行う。
くぼみに乗せられた米粒にその光透過材料を通して米粒
の長軸方向に対して傾斜した方向から光を照射し、米粒
内で乱反射された光のその米粒の長軸方向の強度分布を
同時に感知できるラインセンサ等で感知し、この感知信
号をA/D変換してRAMに記憶して乱反射光の強度分布を検
出し、この強度分布について、その変化率を計算した
り、所定強度レベルと比較したりして、米粒の胴割れの
有無、長さなたは砕粒米かどうか等の米粒の状態検出を
行う。
＜実施例＞ 以下、図面に基づきこの考案を詳細に説明する。
第１図において、光透過性の材料からなる米粒保持体１
の上面に米粒を受け入れるための多数の楕円形のくぼみ
２が形成されている。この保持体１は、各くぼみ２の下
側のみ透明にしてもよく、また第２図に示すように、透
明板1a上に楕円形の貫通孔２を設けた不透明板1bを重ね
合わせた構造にしてもよい。各くぼみに入れられた米粒
は、図示のように、米粒の長軸方向に対し傾斜した方向
から保持体１を通して光が照射される。米粒に照射され
た光りは米粒内で乱反射され、米粒の上面は明るく光る
ように見える。その乱反射光による米粒表面の明暗は結
像レンズ５によりラインセンサ６上に像として結像され
る。このラインセンサは一列に配列された32個の検出要
素のアレイからなる。ラインセンサに代わりエリアセン
サでもよい。なお、米粒の長軸方向の両側における透過
光は乱反射されることなく直進するから、結像レンズ５
に入射されない。従つて、米粒の両側は暗部としてライ
ンセンサに検出される。
の上面に米粒を受け入れるための多数の楕円形のくぼみ
２が形成されている。この保持体１は、各くぼみ２の下
側のみ透明にしてもよく、また第２図に示すように、透
明板1a上に楕円形の貫通孔２を設けた不透明板1bを重ね
合わせた構造にしてもよい。各くぼみに入れられた米粒
は、図示のように、米粒の長軸方向に対し傾斜した方向
から保持体１を通して光が照射される。米粒に照射され
た光りは米粒内で乱反射され、米粒の上面は明るく光る
ように見える。その乱反射光による米粒表面の明暗は結
像レンズ５によりラインセンサ６上に像として結像され
る。このラインセンサは一列に配列された32個の検出要
素のアレイからなる。ラインセンサに代わりエリアセン
サでもよい。なお、米粒の長軸方向の両側における透過
光は乱反射されることなく直進するから、結像レンズ５
に入射されない。従つて、米粒の両側は暗部としてライ
ンセンサに検出される。
米粒保持体１は、第３図に示すように、図示しない駆動
機構により矢印の方向に移動されるようになつており、
図示のように直線でもよく、また円板の周辺にくぼみを
配列してもよい。この米粒保持体上にはその移動方向に
沿つて、一列にくぼみが配列されて形成されている。ま
た、各くぼみに対応して位置検知用の穴8A,8B,8Cが形成
されており、この穴をフオトカプラで検知することによ
り各米粒の検出タイミングを決定する。
機構により矢印の方向に移動されるようになつており、
図示のように直線でもよく、また円板の周辺にくぼみを
配列してもよい。この米粒保持体上にはその移動方向に
沿つて、一列にくぼみが配列されて形成されている。ま
た、各くぼみに対応して位置検知用の穴8A,8B,8Cが形成
されており、この穴をフオトカプラで検知することによ
り各米粒の検出タイミングを決定する。
第４図は、ラインセンサ６からの電気信号を処理する処
理回路を示すブロツク図である。ラインセンサ６からの
電気信号は、ビデオアンプ10で増幅され、A/Dコンバー
タ11でA/D変換されてCPU12に供給される。CPU12はROM13
に記憶されたプログラムに従つて動作される。RAM14は
プログラム実行中のデータを一時記憶するメモリであ
る。また、位置センサ15は、第３図に示す位置検出用穴
8A,8B,8Cを検出するセンサである。
理回路を示すブロツク図である。ラインセンサ６からの
電気信号は、ビデオアンプ10で増幅され、A/Dコンバー
タ11でA/D変換されてCPU12に供給される。CPU12はROM13
に記憶されたプログラムに従つて動作される。RAM14は
プログラム実行中のデータを一時記憶するメモリであ
る。また、位置センサ15は、第３図に示す位置検出用穴
8A,8B,8Cを検出するセンサである。
CPU12は、位置センサ15から信号を受けると、第５図
（ｂ）に示すようなスタートパルスを発生して、これを
ラインセンサ６に送信する。ラインセンサ６は、このス
タートパルスを受信すると、第５図（ａ）に示すクロツ
クパルスに従つて順次にラインセンサ６の各検出要素を
走査し信号を検出する。その検出信号は、第５図（ｃ）
のような信号波形をしており、ビデオアンプ10に送られ
る。A/Dコンバータ11では、第５図（ｄ）に示すよう
に、第５図（ｃ）の検出信号をそのほぼ中央でサンプリ
ングしA/D変換する。その結果得られたデジタル信号はR
AM14に記憶される。
（ｂ）に示すようなスタートパルスを発生して、これを
ラインセンサ６に送信する。ラインセンサ６は、このス
タートパルスを受信すると、第５図（ａ）に示すクロツ
クパルスに従つて順次にラインセンサ６の各検出要素を
走査し信号を検出する。その検出信号は、第５図（ｃ）
のような信号波形をしており、ビデオアンプ10に送られ
る。A/Dコンバータ11では、第５図（ｄ）に示すよう
に、第５図（ｃ）の検出信号をそのほぼ中央でサンプリ
ングしA/D変換する。その結果得られたデジタル信号はR
AM14に記憶される。
ラインセンサ６は、この実施例では32個の検出要素（画
素）からなり、その電荷蓄積時間はほぼ1ms程度である
から、全画素を1ms程度で走査することができる。従つ
て、米粒の揺ぎによる位置移動の影響は殆ど受けること
がない。
素）からなり、その電荷蓄積時間はほぼ1ms程度である
から、全画素を1ms程度で走査することができる。従つ
て、米粒の揺ぎによる位置移動の影響は殆ど受けること
がない。
第６図は、RAM14に記憶された画像信号の例を示すもの
である。第６図（ａ）は、胴割れの無い米粒の検出信
号、第６図（ｂ）は、１条の胴割れのある米粒の検出信
号、第６図（ｃ）は２条の胴割れのある米粒の検出信
号、第６図（ｄ）は砕粒米の場合の検出信号である。
である。第６図（ａ）は、胴割れの無い米粒の検出信
号、第６図（ｂ）は、１条の胴割れのある米粒の検出信
号、第６図（ｃ）は２条の胴割れのある米粒の検出信
号、第６図（ｄ）は砕粒米の場合の検出信号である。
次に、米粒の胴割れを判別する動作を第７図に基づき説
明する。
明する。
このプログラムの動作が開始されると、まず、ステツプ
21で、RAM14中のカウンタｉに１がセツトされる。次い
で、ステツプ22で、、RAM14中のカウンタＣの値が０に
リセツトされる。そして、ステツプ23でカウンタｉの値
が画素数32に等しいかどうかを判断する。今は、一回目
であるので、ここではNOと判断されステツプ24に進み、
ｉ番目の画素信号Viが（ｉ＋１）番目の画素信号Vi+1＋
ΔＶよりも大きいか否かを判断する。これは、第６図
（ｂ）、（ｃ）に示されるように、米粒の胴割れがある
ときは画素信号の分布に現れるくぼみ部の右下がりにな
る部分を検出するものである。なお、ΔＶを加算してい
るのは、米粒表面の傷による小さなくぼみとか、アンプ
ゲインの変動による僅かな出力変動を無視できるように
したものである。特に、胴割れがなければ、ここではNO
と判断され、ステツプ25でカウンタｉに１カウントさせ
てステツプ23に戻るが、胴割れがあるときはステツプ24
でYESと判断され、ステツプ26に進む。ここでカウンタ
ｉが１カウントされ、ステツプ27で、カウンタｉの内容
が画素数32に等しいかどうかを判断する。ここで、NOと
判断されたとすると、ステツプ28でｉ番目の画素信号Vi
にΔＶを加算した値が（ｉ＋１）番目の画素信号Vi+1よ
りも小さくなつたかどうかを判断する。これは、画素信
号の分布のくぼみ部が右上がりになつたかどうかを判断
するものである。画素信号分布が右下がりか、あるいは
くぼみの底部であるときはNOと判断され、ステツプ26に
戻る。ステツプ28でYESと判断されたときは、ステツプ2
9でカウンタＣに１カウント与え、さらに、ステツプ25
でカウンタｉに１カウント与えてステツプ23に戻る。
21で、RAM14中のカウンタｉに１がセツトされる。次い
で、ステツプ22で、、RAM14中のカウンタＣの値が０に
リセツトされる。そして、ステツプ23でカウンタｉの値
が画素数32に等しいかどうかを判断する。今は、一回目
であるので、ここではNOと判断されステツプ24に進み、
ｉ番目の画素信号Viが（ｉ＋１）番目の画素信号Vi+1＋
ΔＶよりも大きいか否かを判断する。これは、第６図
（ｂ）、（ｃ）に示されるように、米粒の胴割れがある
ときは画素信号の分布に現れるくぼみ部の右下がりにな
る部分を検出するものである。なお、ΔＶを加算してい
るのは、米粒表面の傷による小さなくぼみとか、アンプ
ゲインの変動による僅かな出力変動を無視できるように
したものである。特に、胴割れがなければ、ここではNO
と判断され、ステツプ25でカウンタｉに１カウントさせ
てステツプ23に戻るが、胴割れがあるときはステツプ24
でYESと判断され、ステツプ26に進む。ここでカウンタ
ｉが１カウントされ、ステツプ27で、カウンタｉの内容
が画素数32に等しいかどうかを判断する。ここで、NOと
判断されたとすると、ステツプ28でｉ番目の画素信号Vi
にΔＶを加算した値が（ｉ＋１）番目の画素信号Vi+1よ
りも小さくなつたかどうかを判断する。これは、画素信
号の分布のくぼみ部が右上がりになつたかどうかを判断
するものである。画素信号分布が右下がりか、あるいは
くぼみの底部であるときはNOと判断され、ステツプ26に
戻る。ステツプ28でYESと判断されたときは、ステツプ2
9でカウンタＣに１カウント与え、さらに、ステツプ25
でカウンタｉに１カウント与えてステツプ23に戻る。
ステツプ23又は27でカウンタｉの内容が32に等しくなつ
たと判断されたときは、ステツプ31に進み、ここでカウ
ンタＣの内容が０であるかどうか判断される。YESであ
れば、ステツプ32で胴割れなしの表示がされこのプログ
ラムを終了するが、NOであれば、ステツプ33でカウンタ
Ｃが１であるかどうか判断される。ここで、YESと判断
されればステツプ34で１条の胴割れがあることが表示さ
れこのプログラムを終了する。ステツプ33で、NOと判断
されればステツプ35で２条以上の胴割れがあることが表
示され、このプログラムを終了する。
たと判断されたときは、ステツプ31に進み、ここでカウ
ンタＣの内容が０であるかどうか判断される。YESであ
れば、ステツプ32で胴割れなしの表示がされこのプログ
ラムを終了するが、NOであれば、ステツプ33でカウンタ
Ｃが１であるかどうか判断される。ここで、YESと判断
されればステツプ34で１条の胴割れがあることが表示さ
れこのプログラムを終了する。ステツプ33で、NOと判断
されればステツプ35で２条以上の胴割れがあることが表
示され、このプログラムを終了する。
次に、砕粒米の有無を検出するプログラムについて第８
図に基づき説明する。
図に基づき説明する。
まず、ステツプ40において、カウンタｉに１をセツト
し、次いでステツプ41でレジスタC1，C2を０にリセツト
する。次にステツプ42でカウンタｉの値が画素数32より
も大きくなつたどうかを判断する。今は最初であるの
で、ここではNOと判断され、次のステツプ43で、ｉ番目
の画素信号の大きさがスレツシヨルドレベルVthよりも
大きいかどうかを判断する。このスレツシヨルドレベル
は、米粒が入射光の乱反射により明るく光るように見え
るが、米粒の回りは光の斜め方向への直進により結像レ
ンズに入射されないから暗く見えることを利用して、各
画素信号が米粒の存在する位置のものであるか否かを判
別するためのレベルであり、第６図中にVthと示されて
いる。
し、次いでステツプ41でレジスタC1，C2を０にリセツト
する。次にステツプ42でカウンタｉの値が画素数32より
も大きくなつたどうかを判断する。今は最初であるの
で、ここではNOと判断され、次のステツプ43で、ｉ番目
の画素信号の大きさがスレツシヨルドレベルVthよりも
大きいかどうかを判断する。このスレツシヨルドレベル
は、米粒が入射光の乱反射により明るく光るように見え
るが、米粒の回りは光の斜め方向への直進により結像レ
ンズに入射されないから暗く見えることを利用して、各
画素信号が米粒の存在する位置のものであるか否かを判
別するためのレベルであり、第６図中にVthと示されて
いる。
まだ、米粒の存在位置まで達していなければ、ステツプ
43でNOと判断され、ステツプ44でカウンタｉに１カウン
ト与えてステツプ42に戻る。ステツプ43でYESと判断さ
れれば、米粒の端部における画素信号であるから、ステ
ツプ46でレジスタC1にその時のカウンタｉの内容をセツ
トし、米粒の一端の位置を記憶する。
43でNOと判断され、ステツプ44でカウンタｉに１カウン
ト与えてステツプ42に戻る。ステツプ43でYESと判断さ
れれば、米粒の端部における画素信号であるから、ステ
ツプ46でレジスタC1にその時のカウンタｉの内容をセツ
トし、米粒の一端の位置を記憶する。
次に、ステツプ47で、カウンタｉに１カウント与えて、
そのカウン値が画素数32より大きくなつたかどうかをス
テツプ48で判断する。今は、米粒の一端にさしかかつた
ばかりであるから、ここではNOと判断され、ステツプ49
でｉ番目の画素信号ViがスレツシヨルドレベルVthより
も大きいか、即ち、まだ米粒上からの画素信号が続いて
いるかどうかを判断する。まだ米粒上にあれば、ここで
YESと判断されステツプ47に戻る。米粒の他端を過ぎた
時ステツプ49でNOと判断され、この時の米粒の他端の位
置を表すカウンタｉの内容をレジスタC2にセツトする。
そして、ステツプ52でレジスタC2の値からレジスタC1の
値を引き、その米粒の長さＬを算出する。この計算は、
引き算によつて得られた値に、検出素子の配置間隔を結
像倍率で割つて得た値を掛ければよい。そしてステツプ
53で、この米粒の長さＬが、正常な米粒の長さよりも短
いある所定値Lrよりも小さいかどうかを判断する。ここ
で、NOと判断されれば、正常な米粒であるからステツプ
54で正常であることが表示されこのプログラムを終了す
るが、YESと判断されれば、ステツプ55で砕粒米と表示
してこのプログラムを終了する。
そのカウン値が画素数32より大きくなつたかどうかをス
テツプ48で判断する。今は、米粒の一端にさしかかつた
ばかりであるから、ここではNOと判断され、ステツプ49
でｉ番目の画素信号ViがスレツシヨルドレベルVthより
も大きいか、即ち、まだ米粒上からの画素信号が続いて
いるかどうかを判断する。まだ米粒上にあれば、ここで
YESと判断されステツプ47に戻る。米粒の他端を過ぎた
時ステツプ49でNOと判断され、この時の米粒の他端の位
置を表すカウンタｉの内容をレジスタC2にセツトする。
そして、ステツプ52でレジスタC2の値からレジスタC1の
値を引き、その米粒の長さＬを算出する。この計算は、
引き算によつて得られた値に、検出素子の配置間隔を結
像倍率で割つて得た値を掛ければよい。そしてステツプ
53で、この米粒の長さＬが、正常な米粒の長さよりも短
いある所定値Lrよりも小さいかどうかを判断する。ここ
で、NOと判断されれば、正常な米粒であるからステツプ
54で正常であることが表示されこのプログラムを終了す
るが、YESと判断されれば、ステツプ55で砕粒米と表示
してこのプログラムを終了する。
ステツプ42又は48でYESと判断されたときは、米粒が存
在しなかつたか何らかのエラーがあつたのであるから、
ステツプ56でエラー表示をしてこのプログラムを終了す
る。
在しなかつたか何らかのエラーがあつたのであるから、
ステツプ56でエラー表示をしてこのプログラムを終了す
る。
＜考案の効果＞ 以上、説明したようにこの考案によれば、米粒全体にそ
の長軸方向に対し傾斜した方向から光を照射しているの
で、米粒の端部における胴割れをも正確に検出し、かつ
米粒の長さを測定して砕粒米であるか否かを判別するこ
とができる。また、ラインセンサ等のように実質的に同
時に全画素信号をメモリに取り込み、その後プログラム
に従つて信号処理をするようにしているから、米粒の移
送時の揺らぎによる検出信号への影響を受けることがな
く、それ故、米粒の移送速度を大幅に向上することがで
きる。
の長軸方向に対し傾斜した方向から光を照射しているの
で、米粒の端部における胴割れをも正確に検出し、かつ
米粒の長さを測定して砕粒米であるか否かを判別するこ
とができる。また、ラインセンサ等のように実質的に同
時に全画素信号をメモリに取り込み、その後プログラム
に従つて信号処理をするようにしているから、米粒の移
送時の揺らぎによる検出信号への影響を受けることがな
く、それ故、米粒の移送速度を大幅に向上することがで
きる。
【図面の簡単な説明】 第１図はこの考案に係る米粒の状態検出装置の一実施例
の概略の構成を示す図、第２図はこの考案の他の実施例
の構成を示す図、第３図はこの考案に係る米粒保持体の
一構成例を示す図、第４図はこの考案に係る信号処理回
路の一実施例を示すブロツク図、第５図は第４図に示す
回路の要部における波形図、第６図はそれぞれ異なる米
粒の状態における画素信号の分布を示す図、第７図は胴
割れを検出するためのプログラム動作を説明するための
フロー図、第８図は砕粒米を検出するためのプログラム
動作を説明するためのフロー図、第９図および第10図は
それぞれ従来の技術を説明するための概略構成図であ
る。 （符号の説明） 1:米粒保持体、2:くぼみ、4:米粒、5:結像レンズ、6:ラ
インセンサ。
の概略の構成を示す図、第２図はこの考案の他の実施例
の構成を示す図、第３図はこの考案に係る米粒保持体の
一構成例を示す図、第４図はこの考案に係る信号処理回
路の一実施例を示すブロツク図、第５図は第４図に示す
回路の要部における波形図、第６図はそれぞれ異なる米
粒の状態における画素信号の分布を示す図、第７図は胴
割れを検出するためのプログラム動作を説明するための
フロー図、第８図は砕粒米を検出するためのプログラム
動作を説明するためのフロー図、第９図および第10図は
それぞれ従来の技術を説明するための概略構成図であ
る。 （符号の説明） 1:米粒保持体、2:くぼみ、4:米粒、5:結像レンズ、6:ラ
インセンサ。
Claims (4)
- 【請求項１】上面に米粒を収容する少なくとも一つの楕
円形のくぼみを形成すると共に、少なくともそのくぼみ
の下部が光を透過する材料で構成された米粒保持体と、
該米粒保持体の光透過材料の下面より前記米粒の長軸方
向に対し傾斜した方向より該米粒全体に前記光透過材料
を通して光を照射する手段と、前記米粒内で乱反射され
た光の該米粒の長軸方向に沿った強度を同時に感知して
該乱反射光の強度分布を検出する手段と、該強度分布検
出手段で検出された光強度分布が所定値以上の変化率を
もってくぼみ状に低下してから上昇する部分の存在を検
出するくぼみ検出手段と、該くぼみ検出手段がくぼみの
存在を検出したとき該米粒の胴割れと判定する手段と、
を有することを特徴とする米粒の状態検出装置。 - 【請求項２】実用新案登録請求の範囲第（１）項に記載
の装置において、前記くぼみ検出手段で検出されたくぼ
みの数をカウントする手段を有することを特徴とする米
粒の状態検出装置。 - 【請求項３】実用新案登録請求の範囲第（１）項に記載
の装置において、さらに、前記米粒の存在を表すスレッ
ショルドレベル信号を発生する手段と、前記強度分布検
出手段で検出された光強度分布の内、該スレッショルド
レベルを超えた部分の長さを算出する手段と、を有する
ことを特徴とする米粒の状態検出装置。 - 【請求項４】実用新案登録請求の範囲第（３）項に記載
の装置において、さらに、前記長さ算出手段で算出され
た長さが所定値以下のとき前記米粒は砕粒米であると判
定する手段を有することを特徴とする米粒の状態検出装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988014516U JPH07921Y2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 米粒の状態検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988014516U JPH07921Y2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 米粒の状態検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120652U JPH01120652U (ja) | 1989-08-16 |
| JPH07921Y2 true JPH07921Y2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=31225779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988014516U Expired - Lifetime JPH07921Y2 (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 米粒の状態検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07921Y2 (ja) |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5669537A (en) * | 1979-11-12 | 1981-06-10 | Fuji Electric Co Ltd | Defect inspection device |
| JPS56125664A (en) * | 1980-03-07 | 1981-10-02 | Ketsuto Kagaku Kenkyusho:Kk | Grain quality discriminating device for unpolished rice |
| JPS5734450A (en) * | 1980-08-09 | 1982-02-24 | Satake Eng Co Ltd | Cracked rice detector for unhulled rice or brancleared rice |
| JPS57148206A (en) * | 1981-03-10 | 1982-09-13 | Satake Eng Co Ltd | Device for checking cracked rice grain |
| JPS58115364A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Satake Eng Co Ltd | 米粒の胴割粒検出装置 |
| JPS595940A (ja) * | 1982-07-01 | 1984-01-12 | Ketsuto Kagaku Kenkyusho:Kk | 粒状物の不良粒検出方法およびその装置 |
| JPS5912340A (ja) * | 1982-07-14 | 1984-01-23 | Ketsuto Kagaku Kenkyusho:Kk | 電気光学的粒体検査装置 |
| JPS59214742A (ja) * | 1983-05-21 | 1984-12-04 | Satake Eng Co Ltd | 砕粒測定装置 |
| JPS60195439A (ja) * | 1984-03-17 | 1985-10-03 | Ikegami Tsushinki Co Ltd | 物品の表面検査方法 |
| US4713781A (en) * | 1985-09-19 | 1987-12-15 | Deere & Company | Grain damage analyzer |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP1988014516U patent/JPH07921Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01120652U (ja) | 1989-08-16 |
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