JPH0788687A - はんだ付用フラックス - Google Patents
はんだ付用フラックスInfo
- Publication number
- JPH0788687A JPH0788687A JP23977393A JP23977393A JPH0788687A JP H0788687 A JPH0788687 A JP H0788687A JP 23977393 A JP23977393 A JP 23977393A JP 23977393 A JP23977393 A JP 23977393A JP H0788687 A JPH0788687 A JP H0788687A
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- Japan
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- acid
- soldering
- flux
- formula
- general formula
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- Pending
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 優れたはんだ付性を有し、金属腐食を誘発す
ることがなく、はんだ付後のフラックスの残渣を極めて
少なくでき無洗浄で高い信頼性を有するプリント配線基
板を製造することのできるはんだ付用フラックス組成物
を提供する。 【構成】 一般式（Ｉ） 【化１】 および／または一般式（II） 【化２】
ることがなく、はんだ付後のフラックスの残渣を極めて
少なくでき無洗浄で高い信頼性を有するプリント配線基
板を製造することのできるはんだ付用フラックス組成物
を提供する。 【構成】 一般式（Ｉ） 【化１】 および／または一般式（II） 【化２】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、はんだ付用フラック
スに関する。さらに詳しくはプリント配線基板に電子部
品をはんだ付する際に用いるはんだ付用フラックスの改
良に関する。
スに関する。さらに詳しくはプリント配線基板に電子部
品をはんだ付する際に用いるはんだ付用フラックスの改
良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント配線基板に電子部品を実
装するはんだ付に際して、天然又は合成の樹脂とアンモ
ニウムのハロゲン塩と、有機酸とからなるはんだ付用フ
ラックスが使用されている。このはんだ付用フラックス
を用いてはんだ付を行うと、プリント配線板上に、フラ
ックス成分の樹脂残渣や熱分解で生じたハロゲンイオン
等（フラックスの残渣物）が残存する。この樹脂残渣と
ハロゲンイオンは、プリント配線基板に、絶縁不良や腐
食等を誘発し、プリント配線基板は電気的、機械的信頼
性をそこなう。
装するはんだ付に際して、天然又は合成の樹脂とアンモ
ニウムのハロゲン塩と、有機酸とからなるはんだ付用フ
ラックスが使用されている。このはんだ付用フラックス
を用いてはんだ付を行うと、プリント配線板上に、フラ
ックス成分の樹脂残渣や熱分解で生じたハロゲンイオン
等（フラックスの残渣物）が残存する。この樹脂残渣と
ハロゲンイオンは、プリント配線基板に、絶縁不良や腐
食等を誘発し、プリント配線基板は電気的、機械的信頼
性をそこなう。
【０００３】これら不具合の原因となる樹脂残渣とハロ
ゲンイオンを除去するため、はんだ付後のプリント配線
板はフロンを用いて洗浄が行なわれている。しかし、フ
ロンが環境問題からその使用量が厳しい規制を受けるこ
ととなり、フロンによる洗浄が不可能となってきてい
る。このような状況下において、はんだ付後のプリント
基板の洗浄を、フロンに替えて水やアルコールで行なう
かまたは洗浄そのものを省略するはんだ付用フラックス
として、リン酸トリブチル、ホスフィン酸ジブチル、ト
リフェニルホスファイト、トリ（２−エチルヘキシル）
ホスファイトを含有するものが公開され（特開平４−１
４３０９４号公報、特開平４−３７１３９１号公報）、
市販されるようになってきている。
ゲンイオンを除去するため、はんだ付後のプリント配線
板はフロンを用いて洗浄が行なわれている。しかし、フ
ロンが環境問題からその使用量が厳しい規制を受けるこ
ととなり、フロンによる洗浄が不可能となってきてい
る。このような状況下において、はんだ付後のプリント
基板の洗浄を、フロンに替えて水やアルコールで行なう
かまたは洗浄そのものを省略するはんだ付用フラックス
として、リン酸トリブチル、ホスフィン酸ジブチル、ト
リフェニルホスファイト、トリ（２−エチルヘキシル）
ホスファイトを含有するものが公開され（特開平４−１
４３０９４号公報、特開平４−３７１３９１号公報）、
市販されるようになってきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記リン酸化合物や亜
リン酸化合物を用いたはんだ付用フラックス組成物は、
はんだ付後プリント配線基板に樹脂残渣とハロゲンイオ
ンを残存させないが、はんだ付性が十分でなく、依然と
してフラックスの残渣物があり、プリント配線基板の信
頼性が低いという問題がある。
リン酸化合物を用いたはんだ付用フラックス組成物は、
はんだ付後プリント配線基板に樹脂残渣とハロゲンイオ
ンを残存させないが、はんだ付性が十分でなく、依然と
してフラックスの残渣物があり、プリント配線基板の信
頼性が低いという問題がある。
【０００５】この発明は、上記問題を解決するためにな
されたものであって、金属腐食を誘発することがなく、
はんだ付後のフラックスの残渣を極めて少なくでき無洗
浄で高い信頼性を有するプリント配線基板を製造するこ
とのできるはんだ付用フラックスを提供しようとするも
のである。
されたものであって、金属腐食を誘発することがなく、
はんだ付後のフラックスの残渣を極めて少なくでき無洗
浄で高い信頼性を有するプリント配線基板を製造するこ
とのできるはんだ付用フラックスを提供しようとするも
のである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明によれば、一般
式（Ｉ）
式（Ｉ）
【０００７】
【化３】 （ただし、Ｒ1は、水素原子、ハロゲン原子、アミノ
基、ニトロ基あるいはヒドロキシル基または置換基を有
してもよい炭素数１〜６の鎖状または環状のアルキル基
であり、Ｒ2及びＲ3は水素原子又は置換基を有してもよ
い炭素数１〜２５の炭化水素残基であり、ｎは１〜５の
整数である）、および／または一般式（II）
基、ニトロ基あるいはヒドロキシル基または置換基を有
してもよい炭素数１〜６の鎖状または環状のアルキル基
であり、Ｒ2及びＲ3は水素原子又は置換基を有してもよ
い炭素数１〜２５の炭化水素残基であり、ｎは１〜５の
整数である）、および／または一般式（II）
【０００８】
【化４】 （ただし、Ｒ1及びｎは、一般式（Ｉ）の定義と同じで
あり、Ｒ4は一般式（Ｉ）のＲ2の定義と同じである）で
示される有機リン化合物からなるはんだ付用フラックス
が提供される。一般式（Ｉ）のＲ1は、水素原子、ハロ
ゲン原子、アミノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又は炭
素数１〜６の鎖状または環状のアルキル基である。
あり、Ｒ4は一般式（Ｉ）のＲ2の定義と同じである）で
示される有機リン化合物からなるはんだ付用フラックス
が提供される。一般式（Ｉ）のＲ1は、水素原子、ハロ
ゲン原子、アミノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又は炭
素数１〜６の鎖状または環状のアルキル基である。
【０００９】炭素数１〜６の鎖状又は環状のアルキル基
としては、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ヘキシル、シクロ
ヘキシル基等を挙げることができる。ｎはＲ1が置換基
の場合、通常１又は２である。一般式（Ｉ）のＲ2及び
Ｒ3は、互いに同じでもよいが異ってもよく、水素原子
又は置換基を有してもよい炭素数１〜２５の炭化水素残
基である。
としては、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ヘキシル、シクロ
ヘキシル基等を挙げることができる。ｎはＲ1が置換基
の場合、通常１又は２である。一般式（Ｉ）のＲ2及び
Ｒ3は、互いに同じでもよいが異ってもよく、水素原子
又は置換基を有してもよい炭素数１〜２５の炭化水素残
基である。
【００１０】上記炭化水素残基は、アルキル基、アルケ
ニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリ
ール基及びアラルキル基が含まれる。アルキル基として
は、例えばメチル、エチル、プロピル、ｎ−プロピル、
イソプロピル、ｎ−ブチル、ｎ−アミル、２−エチルヘ
キシル基等がある。アルケニル基としては、例えばビニ
ル、１−プロペニル基等がある。
ニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリ
ール基及びアラルキル基が含まれる。アルキル基として
は、例えばメチル、エチル、プロピル、ｎ−プロピル、
イソプロピル、ｎ−ブチル、ｎ−アミル、２−エチルヘ
キシル基等がある。アルケニル基としては、例えばビニ
ル、１−プロペニル基等がある。
【００１１】シクロアルキル基としては、例えばシクロ
ヘキシル基等がある。シクロアルケニル基としては、例
えばアビエチニル基等がある。アリール基には、フェニ
ル、２−ナフチル基等がある。アラルキル基としては、
例えばベンジル、２−フェノキシエチル基等がある。置
換アルキル基としては、例えば２−ヒドロキシエチル、
２−アミノエチル基等がある。
ヘキシル基等がある。シクロアルケニル基としては、例
えばアビエチニル基等がある。アリール基には、フェニ
ル、２−ナフチル基等がある。アラルキル基としては、
例えばベンジル、２−フェノキシエチル基等がある。置
換アルキル基としては、例えば２−ヒドロキシエチル、
２−アミノエチル基等がある。
【００１２】置換アリール基としては、１−フェニルフ
ェニル、４−フェニルフェニル、２−メチルフェニル、
４−メチルフェニル、２−クロロフェニル、４−クロロ
フェニル、２−ヒドロキシルフェニル、４−ヒドロキシ
ルフェニル、２−アミノフェニル、４−アミノフェニ
ル、４−ニトロフェニル、１−ニトロフェニル、４−エ
チルフェニル、４−ｔ−ブチルフェニル、４−ｔ−オク
チルフェニル、２−メトキシフェニル、２，６−ジメチ
ルフェニル、２，４−ジクロロフェニル、２，４−ジブ
ロモフェニル、２，３−ジヒドロキシフェニル、２−ヒ
ドロキシ−４−ｔ−ブチルフェニル等がある。
ェニル、４−フェニルフェニル、２−メチルフェニル、
４−メチルフェニル、２−クロロフェニル、４−クロロ
フェニル、２−ヒドロキシルフェニル、４−ヒドロキシ
ルフェニル、２−アミノフェニル、４−アミノフェニ
ル、４−ニトロフェニル、１−ニトロフェニル、４−エ
チルフェニル、４−ｔ−ブチルフェニル、４−ｔ−オク
チルフェニル、２−メトキシフェニル、２，６−ジメチ
ルフェニル、２，４−ジクロロフェニル、２，４−ジブ
ロモフェニル、２，３−ジヒドロキシフェニル、２−ヒ
ドロキシ−４−ｔ−ブチルフェニル等がある。
【００１３】一般式（II）のＲ4は、上記一般式（Ｉ）
のＲ2と同様のものを用いることができる。また、一般
式（Ｉ）の有機リン化合物は、置換基Ｒ2とＲ3が、いず
れも水素原子か又は炭化水素残基である。いずれも水素
原子の場合は、アリール亜ホスホン酸（aryl phosphono
us acid)であり、いずれも炭化水素残基の場合は、アリ
ール亜ホスホン酸ジエステル（aryl phosphonite）であ
る。
のＲ2と同様のものを用いることができる。また、一般
式（Ｉ）の有機リン化合物は、置換基Ｒ2とＲ3が、いず
れも水素原子か又は炭化水素残基である。いずれも水素
原子の場合は、アリール亜ホスホン酸（aryl phosphono
us acid)であり、いずれも炭化水素残基の場合は、アリ
ール亜ホスホン酸ジエステル（aryl phosphonite）であ
る。
【００１４】アリール亜ホスホン酸としては、具体的に
はフェニル亜ホスホン酸、（２−メチルフェニル）亜ホ
スホン酸、（３−メチルフェノル）亜ホスホン酸、（４
−メチルフェニル）亜ホスホン酸、（４−アミノフェニ
ル）亜ホスホン酸、（２−クロロフェニル）亜ホスホン
酸、（４−クロロフェニル）亜ホスホン酸、（４−ブロ
モフェニル）亜ホスホン酸、（２−ニトロフェニル）亜
ホスホン酸、（２，５−ジメチルフェニル）亜ホスホン
酸等を用いることができる。
はフェニル亜ホスホン酸、（２−メチルフェニル）亜ホ
スホン酸、（３−メチルフェノル）亜ホスホン酸、（４
−メチルフェニル）亜ホスホン酸、（４−アミノフェニ
ル）亜ホスホン酸、（２−クロロフェニル）亜ホスホン
酸、（４−クロロフェニル）亜ホスホン酸、（４−ブロ
モフェニル）亜ホスホン酸、（２−ニトロフェニル）亜
ホスホン酸、（２，５−ジメチルフェニル）亜ホスホン
酸等を用いることができる。
【００１５】アリール亜ホスホン酸ジエステルとして
は、具体的にはフェニル亜ホスホン酸ジメチル、フェニ
ル亜ホスホン酸ジエチル、フェニル亜ホスホン酸ジイソ
プロピル、フェニル亜ホスホン酸ジ−ｎ−ブチル、フェ
ニル亜ホスホン酸ジ−ｎ−アミル、フェニル亜ホスホン
酸ジシクロヘキシル、フェニル亜ホスホン酸ジフェニ
ル、フェニル亜ホスホン酸ビス（２−エチルヘキシ
ル）、フェニル亜ホスホン酸ジビニル、フェニル亜ホス
ホン酸ジベンジル、フェニル亜ホスホン酸ビス（２−フ
ェノキシエチル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（１−フ
ェニルフェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（２−メ
チルフェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（４−メチ
ルフェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（４−クロロ
フェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（２−ヒドロキ
シフェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（４−アミ
ノフェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（４−ニトロ
フェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（４−ｔｅｒｔ
−ブチルフェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（２−
メトキシフェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（２，
６−ジメチルフェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス
（２，４−ジクロロフェニル）、フェニル亜ホスホン酸
ビス（２−ヒドロキシエチル）、フェニル亜ホスホン酸
ジアビエチル、フェニル亜ホスホン酸モノエチルモノフ
ェニル、フェニル亜ホスホン酸モノ−ｎ−ブチルモノフ
ェニル、フェニル亜ホスホン酸モノベンジルモノ−ｎ−
ブチル、フェニル亜ホスホン酸モノベンジルモノフェニ
ル、フェニル亜ホスホン酸モノ（４−メトキシフェニ
ル）モノフェニル、フェニル亜ホスホン酸モノシクロヘ
キシルモノフェニル、フェニル亜ホスホン酸モノアビエ
チニルモノ−ｎ−ブチル、フェニル亜ホスホン酸モノア
ビエチニルモノフェニル、４−メチルフェニル亜ホスホ
ン酸ジメチル、４−メチルフェニル亜ホスホン酸ジ−ｎ
−ブチル、４−メチルフェニル亜ホスホン酸ジフェニ
ル、４−メチルフェニル亜ホスホン酸ジアビエチニル、
４−クロロフェニル亜ホスホン酸ジフェニル、４−メチ
ルフェニル亜ホスホン酸モノ−ｎ−ブチルモノフェニ
ル、４−メチルフェニル亜ホスホン酸モノアビエチニル
モノメチル、４−クロロフェニル亜ホスホン酸モノ−ｎ
−ブチルモノフェニル等を用いることができる。
は、具体的にはフェニル亜ホスホン酸ジメチル、フェニ
ル亜ホスホン酸ジエチル、フェニル亜ホスホン酸ジイソ
プロピル、フェニル亜ホスホン酸ジ−ｎ−ブチル、フェ
ニル亜ホスホン酸ジ−ｎ−アミル、フェニル亜ホスホン
酸ジシクロヘキシル、フェニル亜ホスホン酸ジフェニ
ル、フェニル亜ホスホン酸ビス（２−エチルヘキシ
ル）、フェニル亜ホスホン酸ジビニル、フェニル亜ホス
ホン酸ジベンジル、フェニル亜ホスホン酸ビス（２−フ
ェノキシエチル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（１−フ
ェニルフェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（２−メ
チルフェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（４−メチ
ルフェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（４−クロロ
フェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（２−ヒドロキ
シフェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（４−アミ
ノフェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（４−ニトロ
フェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（４−ｔｅｒｔ
−ブチルフェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（２−
メトキシフェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス（２，
６−ジメチルフェニル）、フェニル亜ホスホン酸ビス
（２，４−ジクロロフェニル）、フェニル亜ホスホン酸
ビス（２−ヒドロキシエチル）、フェニル亜ホスホン酸
ジアビエチル、フェニル亜ホスホン酸モノエチルモノフ
ェニル、フェニル亜ホスホン酸モノ−ｎ−ブチルモノフ
ェニル、フェニル亜ホスホン酸モノベンジルモノ−ｎ−
ブチル、フェニル亜ホスホン酸モノベンジルモノフェニ
ル、フェニル亜ホスホン酸モノ（４−メトキシフェニ
ル）モノフェニル、フェニル亜ホスホン酸モノシクロヘ
キシルモノフェニル、フェニル亜ホスホン酸モノアビエ
チニルモノ−ｎ−ブチル、フェニル亜ホスホン酸モノア
ビエチニルモノフェニル、４−メチルフェニル亜ホスホ
ン酸ジメチル、４−メチルフェニル亜ホスホン酸ジ−ｎ
−ブチル、４−メチルフェニル亜ホスホン酸ジフェニ
ル、４−メチルフェニル亜ホスホン酸ジアビエチニル、
４−クロロフェニル亜ホスホン酸ジフェニル、４−メチ
ルフェニル亜ホスホン酸モノ−ｎ−ブチルモノフェニ
ル、４−メチルフェニル亜ホスホン酸モノアビエチニル
モノメチル、４−クロロフェニル亜ホスホン酸モノ−ｎ
−ブチルモノフェニル等を用いることができる。
【００１６】一般式（II）の有機リン化合物は、置換基
Ｒ4が水素原子か又は炭化水素残基である。水素原子の
場合はアリールホスフィン酸（aryl phoshinic acid)で
あり、炭化水素残基の場合はアリールホスフィン酸エス
テル（aryl phosphinate）である。アリールホスフィン
酸としては、具体的にはフェニルホスフィン酸、２−メ
チルフェニルホスフィン酸、３−メチルフェニルホスフ
ィン酸、４−メチルフェニルホスフィン酸、４−アミノ
フェニルホスフィン酸、２−クロロフェニルホスフィン
酸、４−クロロフェニルホスフィン酸、４−ブロモフェ
ニルホスフィン酸、２−ニトロフェニルホスフィン酸、
２，５−ジメチルフェニルホスフィン酸等を用いること
ができる。
Ｒ4が水素原子か又は炭化水素残基である。水素原子の
場合はアリールホスフィン酸（aryl phoshinic acid)で
あり、炭化水素残基の場合はアリールホスフィン酸エス
テル（aryl phosphinate）である。アリールホスフィン
酸としては、具体的にはフェニルホスフィン酸、２−メ
チルフェニルホスフィン酸、３−メチルフェニルホスフ
ィン酸、４−メチルフェニルホスフィン酸、４−アミノ
フェニルホスフィン酸、２−クロロフェニルホスフィン
酸、４−クロロフェニルホスフィン酸、４−ブロモフェ
ニルホスフィン酸、２−ニトロフェニルホスフィン酸、
２，５−ジメチルフェニルホスフィン酸等を用いること
ができる。
【００１７】上記アリールホスフィン酸エステルとして
は、具体的にはフェニルホスフィン酸メチル、フェニル
ホスフィン酸エチル、フェニルホスフィン酸ｎ−プロピ
ル、フェニルホスフィン酸イソプロピル、フェニルホス
フィン酸ｎ−ブチル、フェニルホスフィン酸ｎ−アミ
ル、フェニルホスフィン酸シクロヘキシル、フェニルホ
スフィン酸フェニル、フェニルホスフィン酸−２−エチ
ルヘキシル、フェニルホスフィン酸ビニル、フェニルホ
スフィン酸ベンジル、フェニルホスフィン酸−２−フェ
ノキシエチル、フェニルホスフィン酸−２−ナフチル、
フェニルホスフィン酸−４−フェニルフェニル、フェニ
ルホスフィン酸−２−メチルフェニル、フェニルホスフ
ィン酸−４−メチルフェニル、フェニルホスフィン酸−
２−クロロフェニル、フェニルホスフィン酸−４−クロ
ロフェニル、フェニルホスフィン酸−２−ヒドロキシフ
ェニル、フェニルホスフィン酸−４−ヒドロキシフェニ
ル、フェニルホスフィン酸−２−アミノフェニル、フェ
ニルホスフィン酸−４−アミノフェニル、フェニルホス
フィン酸−１−ニトロフェニル、フェニルホスフィン酸
−４−エチルフェニル、フェニルホスフィン酸−４−ｔ
ｅｒｔ−オクチルフェニル、フェニルホスフィン酸−２
−メトキシフェニル、フェニルホスフィン酸−２，６−
ジメチルフェニル、フェニルホスフィン酸−２，４−ジ
クロルフェニル、フェニルホスフィン酸−２，４−ジブ
ロモフェニル、フェニルホスフィン酸−２，３−ジヒド
ロキシフェニル、フェニルホスフィン酸−２−ヒドロキ
シ−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、フェニルホスフィ
ン酸−２−ヒドロキシエチル、フェニルホスフィン酸−
２−アミノエチル、フェニルホスフィン酸アビエチニ
ル、４−メチルフェニルホスフィン酸イソプロピル、４
−メチルフェニルホスフィン酸−ｎ−ブチル、４−メチ
ルフェニルホスフィン酸フェニル、４−メチルフェニル
ホスフィン酸ベンジル、４−メチルフェニルホスフィン
酸アビエチニル、２−クロロフェニルホスフィン酸−ｎ
−ブチル、３−クロロフェニルホスフィン酸メチル、４
−クロロフェニルホスフィン酸フェニル、２，５−ジメ
チルフェニルホスフィン酸イソプロピル、２，５−ジメ
チルフェニルホスフィン酸フェニル等を用いることがで
きる。
は、具体的にはフェニルホスフィン酸メチル、フェニル
ホスフィン酸エチル、フェニルホスフィン酸ｎ−プロピ
ル、フェニルホスフィン酸イソプロピル、フェニルホス
フィン酸ｎ−ブチル、フェニルホスフィン酸ｎ−アミ
ル、フェニルホスフィン酸シクロヘキシル、フェニルホ
スフィン酸フェニル、フェニルホスフィン酸−２−エチ
ルヘキシル、フェニルホスフィン酸ビニル、フェニルホ
スフィン酸ベンジル、フェニルホスフィン酸−２−フェ
ノキシエチル、フェニルホスフィン酸−２−ナフチル、
フェニルホスフィン酸−４−フェニルフェニル、フェニ
ルホスフィン酸−２−メチルフェニル、フェニルホスフ
ィン酸−４−メチルフェニル、フェニルホスフィン酸−
２−クロロフェニル、フェニルホスフィン酸−４−クロ
ロフェニル、フェニルホスフィン酸−２−ヒドロキシフ
ェニル、フェニルホスフィン酸−４−ヒドロキシフェニ
ル、フェニルホスフィン酸−２−アミノフェニル、フェ
ニルホスフィン酸−４−アミノフェニル、フェニルホス
フィン酸−１−ニトロフェニル、フェニルホスフィン酸
−４−エチルフェニル、フェニルホスフィン酸−４−ｔ
ｅｒｔ−オクチルフェニル、フェニルホスフィン酸−２
−メトキシフェニル、フェニルホスフィン酸−２，６−
ジメチルフェニル、フェニルホスフィン酸−２，４−ジ
クロルフェニル、フェニルホスフィン酸−２，４−ジブ
ロモフェニル、フェニルホスフィン酸−２，３−ジヒド
ロキシフェニル、フェニルホスフィン酸−２−ヒドロキ
シ−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、フェニルホスフィ
ン酸−２−ヒドロキシエチル、フェニルホスフィン酸−
２−アミノエチル、フェニルホスフィン酸アビエチニ
ル、４−メチルフェニルホスフィン酸イソプロピル、４
−メチルフェニルホスフィン酸−ｎ−ブチル、４−メチ
ルフェニルホスフィン酸フェニル、４−メチルフェニル
ホスフィン酸ベンジル、４−メチルフェニルホスフィン
酸アビエチニル、２−クロロフェニルホスフィン酸−ｎ
−ブチル、３−クロロフェニルホスフィン酸メチル、４
−クロロフェニルホスフィン酸フェニル、２，５−ジメ
チルフェニルホスフィン酸イソプロピル、２，５−ジメ
チルフェニルホスフィン酸フェニル等を用いることがで
きる。
【００１８】この発明のはんだ付用フラックスは、上記
一般式（Ｉ）および／または（II）の有機リン化合物の
みで用いてもよいが、通常溶剤で希釈して用いるのがよ
く、更に表面酸化膜除去剤および／または表面酸化防止
剤を加えてもよい。上記一般式（Ｉ）および／または
（II）の有機リン化合物の割合は、はんだ付用フラック
スに対して、通常０．１〜１００ｗｔ％好ましくは１〜
１０ｗｔ％である。
一般式（Ｉ）および／または（II）の有機リン化合物の
みで用いてもよいが、通常溶剤で希釈して用いるのがよ
く、更に表面酸化膜除去剤および／または表面酸化防止
剤を加えてもよい。上記一般式（Ｉ）および／または
（II）の有機リン化合物の割合は、はんだ付用フラック
スに対して、通常０．１〜１００ｗｔ％好ましくは１〜
１０ｗｔ％である。
【００１９】溶剤の割合は、通常０〜９９．９ｗｔ％好
ましくは９０〜９９ｗｔ％である。表面酸化剤および／
または表面酸化防止剤の割合は、通常０〜５ｗｔ％であ
る。溶剤は、例えばイソプロピルアルコール、エタノー
ル、アセトン、トルエン、キシレン、酢酸エチル、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ及びこれらの混合物等
を挙げることができる。
ましくは９０〜９９ｗｔ％である。表面酸化剤および／
または表面酸化防止剤の割合は、通常０〜５ｗｔ％であ
る。溶剤は、例えばイソプロピルアルコール、エタノー
ル、アセトン、トルエン、キシレン、酢酸エチル、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ及びこれらの混合物等
を挙げることができる。
【００２０】表面酸化物除去剤としては、亜リン酸、リ
ン酸、亜リン酸エステル又はリン酸エステル、脂肪族カ
ルボン酸、脂肪族オキシ酸、脂肪族アミド又は脂肪族ア
ミン等を用いることができる。亜リン酸エステルとして
は、例えば亜リン酸ジエチル等がある。リン酸エステル
としては、例えばリン酸トリエチル、リン酸トリブチル
等がある。
ン酸、亜リン酸エステル又はリン酸エステル、脂肪族カ
ルボン酸、脂肪族オキシ酸、脂肪族アミド又は脂肪族ア
ミン等を用いることができる。亜リン酸エステルとして
は、例えば亜リン酸ジエチル等がある。リン酸エステル
としては、例えばリン酸トリエチル、リン酸トリブチル
等がある。
【００２１】脂肪族カルボン酸としては、例えばラウリ
ン酸、グルタル酸、アジピン酸等がある。脂肪族オキシ
酸としては、例えばグリコール酸、乳酸、クエン酸、酒
石酸等がある。脂肪族アミドとしては、例えばジメチル
ホルムアミド、尿素、エチレンジアミン等がある。
ン酸、グルタル酸、アジピン酸等がある。脂肪族オキシ
酸としては、例えばグリコール酸、乳酸、クエン酸、酒
石酸等がある。脂肪族アミドとしては、例えばジメチル
ホルムアミド、尿素、エチレンジアミン等がある。
【００２２】脂肪族アミンとしては、例えばトリブチル
アミン、トリエチルアミン等がある。表面再酸化防止剤
としては、表面被覆性の物質がよく、例えばロジン合成
樹脂、ワックス等を挙げることができる。この発明のは
んだ付用フラックスは、例えば次のようにして用いられ
る。
アミン、トリエチルアミン等がある。表面再酸化防止剤
としては、表面被覆性の物質がよく、例えばロジン合成
樹脂、ワックス等を挙げることができる。この発明のは
んだ付用フラックスは、例えば次のようにして用いられ
る。
【００２３】まず、プリント配線基板に電子部品を配置
し、次にはんだ付用フラックスを塗布する。次にプリヒ
ート処理を行い、フラックス中の溶剤を蒸発除去したり
フラックスを活性化する。次にプリント配線基板と電子
部品との接点に溶融したはんだを溶融させ、その後冷却
してプリント配線基板に電子部品をはんだ接合する。こ
のはんだ付用フラックスはＳｎ−Ｐｂ系のみならずＡ
ｇ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｂ等を含有する幅広いはんだ
のはんだ付に適用することができる。
し、次にはんだ付用フラックスを塗布する。次にプリヒ
ート処理を行い、フラックス中の溶剤を蒸発除去したり
フラックスを活性化する。次にプリント配線基板と電子
部品との接点に溶融したはんだを溶融させ、その後冷却
してプリント配線基板に電子部品をはんだ接合する。こ
のはんだ付用フラックスはＳｎ−Ｐｂ系のみならずＡ
ｇ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｂ等を含有する幅広いはんだ
のはんだ付に適用することができる。
【００２４】
【作用】一般式（Ｉ）および／または（II）の化合物
が、はんだ付を行うプリント配線基板及び電子部品の金
属表面酸化膜を効率的に除去すると共に、それらの表面
とはんだ表面の両方を被覆して酸化を防ぎ界面張力の上
昇を防止し、はんだのぬれ性を高める。
が、はんだ付を行うプリント配線基板及び電子部品の金
属表面酸化膜を効率的に除去すると共に、それらの表面
とはんだ表面の両方を被覆して酸化を防ぎ界面張力の上
昇を防止し、はんだのぬれ性を高める。
【００２５】また、この化合物は、アリール基がリン原
子に直接結合している事により、耐加水分解性と耐熱性
について顕著に優れ、はんだ付後にプリント配線基板上
にフラックスの残渣として残留したとしても化学的に安
定なのでプリント配線基板の電気的な信頼性を損なうこ
とがない。
子に直接結合している事により、耐加水分解性と耐熱性
について顕著に優れ、はんだ付後にプリント配線基板上
にフラックスの残渣として残留したとしても化学的に安
定なのでプリント配線基板の電気的な信頼性を損なうこ
とがない。
【００２６】
【実施例】実施例１〜５および比較例１〜４として９種
類のはんだ付用フラックス組成物を作製し、これらの組
成物を、ＪＩＳ Ｚ ３１９７（１９８６）に準拠して
絶縁抵抗試験、銅板腐食試験、広がり試験、銅鏡腐食試
験を行い、次にプリント配線基板に上記はんだ付用フラ
ックス組成物を用いて電子部品を実装し、はんだ付後の
プリント配線基板のフラックス残渣を目視で判定して評
価した。
類のはんだ付用フラックス組成物を作製し、これらの組
成物を、ＪＩＳ Ｚ ３１９７（１９８６）に準拠して
絶縁抵抗試験、銅板腐食試験、広がり試験、銅鏡腐食試
験を行い、次にプリント配線基板に上記はんだ付用フラ
ックス組成物を用いて電子部品を実装し、はんだ付後の
プリント配線基板のフラックス残渣を目視で判定して評
価した。
【００２７】はんだ付用フラックス組成物の作製 実施例１〜５、比較例１〜４合計９種類のはんだ付用フ
ラックス組成物を、所定組成比の各成分が均一に溶解す
るまで混合して作製した。各成分及びその組成比は次の
通りである。
ラックス組成物を、所定組成比の各成分が均一に溶解す
るまで混合して作製した。各成分及びその組成比は次の
通りである。
【００２８】実施例１ フェニルホスフィン酸イソプロピル １．０ｗｔ％ イソプロピルアルコール ９９．０ｗｔ％ 実施例２ フェニル亜ホスホン酸ビス（２−エチルヘキシル） ３．０ｗｔ％ ＷＷロジン ２．０ｗｔ％ イソプロピルアルコール ９５．０ｗｔ％ 実施例３ フェニル亜ホスホン酸ジアビエチニル ５．０ｗｔ％ イソプロピルアルコール ９５．０ｗｔ％ 実施例４ （４−メチルフェニル）亜ホスホン酸 ２．０ｗｔ％ フェノール変性ロジン ０．５ｗｔ％ 亜リン酸モノフェニル ０．５ｗｔ％ イソプロピルアルコール ９７．０ｗｔ％ 実施例５ （４−アミノフェニル）亜ホスホン酸ジフェニル ２．０ｗｔ％ 不均化ロジン １．０ｗｔ％ ステアリン酸 １．０ｗｔ％ エチレンジアミン ０．５ｗｔ％ イソプロピルアルコール ９５．５ｗｔ％ 比較例１ リン酸トリブチル １．０ｗｔ％ イソプロピルアルコール ９９．０ｗｔ％ 比較例２ トリフェニルホスファイト ２．０ｗｔ％ ＷＷロジン ３．０ｗｔ％ イソプロピルアルコール ９５．０ｗｔ％ 比較例３ ジエチルアミン塩酸塩 ０．５ｗｔ％ イソプロピルアルコール ９９．５ｗｔ％ 比較例４ ジエチルアミン塩酸塩 ０．５ｗｔ％ ＷＷロジン １５．０ｗｔ％ イソプロピルアルコール ８４．５ｗｔ％
【００２９】はんだ付用フラックス組成物の試験結果 実施例１〜５、比較例１〜４で作製したはんだ付用フラ
ックス組成物を、上述の試験方法と判定方法によって評
価した。この結果は表１の通りである。
ックス組成物を、上述の試験方法と判定方法によって評
価した。この結果は表１の通りである。
【００３０】
【表１】 この結果、本発明による、はんだ付用フラックス（実施
例１〜５）は耐腐食性、電気絶縁性に優れ、はんだ付後
のフラックス残渣がほとんどない点で優れていることが
分った。
例１〜５）は耐腐食性、電気絶縁性に優れ、はんだ付後
のフラックス残渣がほとんどない点で優れていることが
分った。
【００３１】
【発明の効果】この発明によれば、プリント配線基板に
電子部品をはんだ付する際、有毒ガスの発生がなくはん
だ付性がよく、はんだ付後のプリント配線基板上に残渣
がほとんどなく洗浄工程を省略することができ、配線の
腐食がなく電気特性が良好で信頼性の高い電子部品搭載
プリント配線基板を作製することのできるはんだ付用フ
ラックスを提供することができる。
電子部品をはんだ付する際、有毒ガスの発生がなくはん
だ付性がよく、はんだ付後のプリント配線基板上に残渣
がほとんどなく洗浄工程を省略することができ、配線の
腐食がなく電気特性が良好で信頼性の高い電子部品搭載
プリント配線基板を作製することのできるはんだ付用フ
ラックスを提供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笹原 康通 埼玉県入間市大字狭山ケ原16−２ タムラ 化研株式会社内 (72)発明者 篠原 聡 埼玉県入間市大字狭山ケ原16−２ タムラ 化研株式会社内 (72)発明者 山中 宏 大阪府東大阪市長堂３丁目６番１号 大八 化学工業株式会社内 (72)発明者 野田 利光 大阪府東大阪市長堂３丁目６番１号 大八 化学工業株式会社内 (72)発明者 山口 正夫 大阪府東大阪市長堂３丁目６番１号 大八 化学工業株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （ただし、Ｒ1は、水素原子、ハロゲン原子、アミノ
基、ニトロ基あるいはヒドロキシル基または置換基を有
してもよい炭素数１〜６の鎖状または環状のアルキル基
であり、Ｒ2及びＲ3は水素原子又は置換基を有してもよ
い炭素数１〜２５の炭化水素残基であり、ｎは１〜５の
整数である）、および／または一般式（II） 【化２】 （ただし、Ｒ1及びｎは、一般式（Ｉ）の定義と同じで
あり、Ｒ4は一般式（Ｉ）のＲ2の定義と同じである）で
示される有機リン化合物からなるはんだ付用フラック
ス。 - 【請求項２】 一般式（Ｉ）、および／または（II）の
有機リン化合物が、０．１〜１００ｗｔ％含有されてな
る請求項１のはんだ付用フラックス。 - 【請求項３】 一般式（Ｉ）、および／または（II）の
有機リン化合物が１〜１０ｗｔ％含有してなる請求項１
のはんだ付用フラックス。 - 【請求項４】 有機溶剤に希釈されている請求項１のは
んだ付用フラックス。 - 【請求項５】 表面酸化膜除去剤および／または表面酸
化防止剤が含有されてなる請求項１のはんだ付用フラッ
クス。 - 【請求項６】 表面酸化膜除去剤が、亜リン酸、リン
酸、亜リン酸エステル又はリン酸エステルである請求項
５のはんだ付用フラックス。 - 【請求項７】 表面酸化防止剤が、脂肪族カルボン酸、
脂肪族オキシ酸、脂肪族アミド又は脂肪族アミンである
請求項５のはんだ付用フラックス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23977393A JPH0788687A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | はんだ付用フラックス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23977393A JPH0788687A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | はんだ付用フラックス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0788687A true JPH0788687A (ja) | 1995-04-04 |
Family
ID=17049692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23977393A Pending JPH0788687A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | はんだ付用フラックス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0788687A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5669548A (en) * | 1995-03-24 | 1997-09-23 | Nippondenso Co., Ltd. | Soldering method |
| US6605357B1 (en) | 1999-07-28 | 2003-08-12 | Denso Corporation | Bonding method and bonding structure of thermoplastic resin material |
| WO2008072654A1 (ja) * | 2006-12-12 | 2008-06-19 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | 鉛フリーはんだ用フラックスとはんだ付け方法 |
| WO2012169459A1 (ja) * | 2011-06-06 | 2012-12-13 | 千住金属工業株式会社 | フラックス |
| JP5972489B1 (ja) * | 2016-02-10 | 2016-08-17 | 古河電気工業株式会社 | 導電性接着フィルムおよびこれを用いたダイシング・ダイボンディングフィルム |
| JP5972490B1 (ja) * | 2016-02-10 | 2016-08-17 | 古河電気工業株式会社 | 導電性接着剤組成物ならびにこれを用いた導電性接着フィルムおよびダイシング・ダイボンディングフィルム |
| US11066577B2 (en) | 2016-02-10 | 2021-07-20 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Electrically conductive adhesive film and dicing-die bonding film using the same |
| US11136479B2 (en) | 2016-02-10 | 2021-10-05 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Electrically conductive adhesive film and dicing-die bonding film using the same |
| US11230649B2 (en) | 2016-02-10 | 2022-01-25 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Electrically conductive adhesive film and dicing-die bonding film using the same |
-
1993
- 1993-09-27 JP JP23977393A patent/JPH0788687A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5669548A (en) * | 1995-03-24 | 1997-09-23 | Nippondenso Co., Ltd. | Soldering method |
| US6218030B1 (en) | 1995-03-24 | 2001-04-17 | Nippondenso Co., Ltd. | Soldered product |
| US6562147B2 (en) | 1995-03-24 | 2003-05-13 | Denso Corporation | Soldered product |
| US6605357B1 (en) | 1999-07-28 | 2003-08-12 | Denso Corporation | Bonding method and bonding structure of thermoplastic resin material |
| WO2008072654A1 (ja) * | 2006-12-12 | 2008-06-19 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | 鉛フリーはんだ用フラックスとはんだ付け方法 |
| US9073154B2 (en) | 2006-12-12 | 2015-07-07 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Flux for lead-free solder and soldering method |
| WO2012169459A1 (ja) * | 2011-06-06 | 2012-12-13 | 千住金属工業株式会社 | フラックス |
| JPWO2012169459A1 (ja) * | 2011-06-06 | 2015-02-23 | 千住金属工業株式会社 | 無洗浄型ソルダペースト用フラックス |
| WO2017138254A1 (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | 古河電気工業株式会社 | 導電性接着フィルムおよびこれを用いたダイシング・ダイボンディングフィルム |
| JP5972490B1 (ja) * | 2016-02-10 | 2016-08-17 | 古河電気工業株式会社 | 導電性接着剤組成物ならびにこれを用いた導電性接着フィルムおよびダイシング・ダイボンディングフィルム |
| JP5972489B1 (ja) * | 2016-02-10 | 2016-08-17 | 古河電気工業株式会社 | 導電性接着フィルムおよびこれを用いたダイシング・ダイボンディングフィルム |
| JP2017141365A (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | 古河電気工業株式会社 | 導電性接着フィルムおよびこれを用いたダイシング・ダイボンディングフィルム |
| JP2017141367A (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | 古河電気工業株式会社 | 導電性接着剤組成物ならびにこれを用いた導電性接着フィルムおよびダイシング・ダイボンディングフィルム |
| WO2017138256A1 (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | 古河電気工業株式会社 | 導電性接着剤組成物ならびにこれを用いた導電性接着フィルムおよびダイシング・ダイボンディングフィルム |
| KR20180104638A (ko) * | 2016-02-10 | 2018-09-21 | 후루카와 덴끼고교 가부시키가이샤 | 도전성 접착제 조성물 및 이를 이용한 도전성 접착 필름 및 다이싱·다이본딩 필름 |
| KR20180105660A (ko) * | 2016-02-10 | 2018-09-28 | 후루카와 덴끼고교 가부시키가이샤 | 도전성 접착 필름 및 이를 이용한 다이싱·다이본딩 필름 |
| US11066577B2 (en) | 2016-02-10 | 2021-07-20 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Electrically conductive adhesive film and dicing-die bonding film using the same |
| US11136479B2 (en) | 2016-02-10 | 2021-10-05 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Electrically conductive adhesive film and dicing-die bonding film using the same |
| US11193047B2 (en) | 2016-02-10 | 2021-12-07 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Electrically conductive adhesive film and dicing-die bonding film using the same |
| US11230649B2 (en) | 2016-02-10 | 2022-01-25 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Electrically conductive adhesive film and dicing-die bonding film using the same |
| US11306225B2 (en) | 2016-02-10 | 2022-04-19 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Electrically conductive adhesive agent composition, and electrically conductive adhesive film and dicing-die-bonding film using the same |
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