JPH0786094A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH0786094A JPH0786094A JP23070393A JP23070393A JPH0786094A JP H0786094 A JPH0786094 A JP H0786094A JP 23070393 A JP23070393 A JP 23070393A JP 23070393 A JP23070393 A JP 23070393A JP H0786094 A JPH0786094 A JP H0786094A
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 導電性高分子を固体電解質とする、漏れ電流
が小さく信頼性に優れた固体電解コンデンサの簡便なる
製造方法を提供する。 【構成】 固体電解コンデンサの電解質として導電性高
分子を形成した後に、光酸発生剤を含む溶液を塗布して
塗膜を形成し、必要な部分に光を照射することにより、
必要な部分の導電性高分子を絶縁化させることができ、
不必要な部分に形成された導電性高分子と陽極との短絡
の可能性を低減できる。その結果、導電性高分子を固体
電解質とする低内部抵抗の固体電解コンデンサであっ
て、漏れ電流が小さく信頼性にも優れた固体電解コンデ
ンサが得られる。
が小さく信頼性に優れた固体電解コンデンサの簡便なる
製造方法を提供する。 【構成】 固体電解コンデンサの電解質として導電性高
分子を形成した後に、光酸発生剤を含む溶液を塗布して
塗膜を形成し、必要な部分に光を照射することにより、
必要な部分の導電性高分子を絶縁化させることができ、
不必要な部分に形成された導電性高分子と陽極との短絡
の可能性を低減できる。その結果、導電性高分子を固体
電解質とする低内部抵抗の固体電解コンデンサであっ
て、漏れ電流が小さく信頼性にも優れた固体電解コンデ
ンサが得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は導電性高分子化合物を固
体電解質とする固体電解コンデンサの製造方法に関し、
特に導電性高分子化合物を形成した後に光酸発生剤を含
む溶液を塗布する工程と、導電性高分子化合物の必要な
部分に光を照射する工程とを含む、漏れ電流が小さく信
頼性に優れた固体電解コンデンサの製造方法に関する。
体電解質とする固体電解コンデンサの製造方法に関し、
特に導電性高分子化合物を形成した後に光酸発生剤を含
む溶液を塗布する工程と、導電性高分子化合物の必要な
部分に光を照射する工程とを含む、漏れ電流が小さく信
頼性に優れた固体電解コンデンサの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】科学技術の進歩にともなって電子機器の
小型化、および信頼性の向上が求められている。コンデ
ンサに関しても高周波数域まで良好な特性を有し、しか
も信頼性に優れた大容量固体電解コンデンサへの要求が
高まっており、このような要求に応えるための検討が行
われている。
小型化、および信頼性の向上が求められている。コンデ
ンサに関しても高周波数域まで良好な特性を有し、しか
も信頼性に優れた大容量固体電解コンデンサへの要求が
高まっており、このような要求に応えるための検討が行
われている。
【0003】通常、固体電解コンデンサは、タンタルや
アルミニウムなどの弁作用金属の多孔質成形体を第1の
電極(陽極)とし、その酸化皮膜を誘電体として2酸化
マンガンや7,7’,8,8’−テトラシアノキノジメ
タン錯塩などを第2の電極(陰極)の一部とする構造を
有している。この場合に、コンデンサの固体電解質には
多孔質成形体内部の誘電体全面と電極リード間を電気的
に接続する機能と、誘電体皮膜の欠陥に起因する電気的
短絡を修復する機能とが必要とされている。
アルミニウムなどの弁作用金属の多孔質成形体を第1の
電極(陽極)とし、その酸化皮膜を誘電体として2酸化
マンガンや7,7’,8,8’−テトラシアノキノジメ
タン錯塩などを第2の電極(陰極)の一部とする構造を
有している。この場合に、コンデンサの固体電解質には
多孔質成形体内部の誘電体全面と電極リード間を電気的
に接続する機能と、誘電体皮膜の欠陥に起因する電気的
短絡を修復する機能とが必要とされている。
【0004】最近、高分子の分野においても新しい材料
の開発が進み、その結果、ポリピロールなどの共役系高
分子に電子受容性化合物をドーピングした導電性高分子
が得られている。また、その用途の一つとしてこれらの
導電性高分子を固体電解質とする固体電解コンデンサも
提案されている。特公平4−56445号公報にはポリ
ピロールもしくはそのアルキル置換体を固体電解質とす
るコンデンサが記載されており、高温加熱することなく
電解質を形成できるために漏れ電流が小さい、高耐電圧
である等の特徴が示されている。また、特開平3−46
214号公報には酸化剤を用いてピロールを重合した固
体電解コンデンサの製造方法が記載されており、優れた
周波数特性が示されている。
の開発が進み、その結果、ポリピロールなどの共役系高
分子に電子受容性化合物をドーピングした導電性高分子
が得られている。また、その用途の一つとしてこれらの
導電性高分子を固体電解質とする固体電解コンデンサも
提案されている。特公平4−56445号公報にはポリ
ピロールもしくはそのアルキル置換体を固体電解質とす
るコンデンサが記載されており、高温加熱することなく
電解質を形成できるために漏れ電流が小さい、高耐電圧
である等の特徴が示されている。また、特開平3−46
214号公報には酸化剤を用いてピロールを重合した固
体電解コンデンサの製造方法が記載されており、優れた
周波数特性が示されている。
【0005】一方、固体電解コンデンサの製造方法も種
々検討され、例えば特開平1−246814号公報には
レーザー光線を照射して多孔質陽極金属体の溶融平滑部
を形成して陽極導出線を固定するチップ状固体電解コン
デンサおよびその製造方法が開示されている。陽極導出
線が強固に固着され、電解質前駆体溶液の導出面までの
這い上がりが防止される。
々検討され、例えば特開平1−246814号公報には
レーザー光線を照射して多孔質陽極金属体の溶融平滑部
を形成して陽極導出線を固定するチップ状固体電解コン
デンサおよびその製造方法が開示されている。陽極導出
線が強固に固着され、電解質前駆体溶液の導出面までの
這い上がりが防止される。
【0006】導電性高分子化合物を電解質とする固体電
解コンデンサにおいて、不必要な部分への導電性高分子
形成による漏れ電流増大等を防止する検討も行われてい
る。特開平1−76713号公報には陽極体金属の切断
面上に形成した電解酸化重合導電性高分子膜を酸化剤ま
たは還元剤で絶縁化する、漏れ電流を低減した固体電解
コンデンサの製造方法が開示されている。特公平3−6
6810号公報には導電性高分子層を形成させた皮膜形
成金属箔を所望の大きさに切断する工程で、レーザー光
線を使用することにより、切断と同時に導電性高分子層
を絶縁化し、迅速かつ大量にコンデンサを製造する箔型
固体電解コンデンサの製造方法が開示されている。特開
平4−48613号公報には電解質層を形成し電極引き
出し手段を設置した後、静電容量値を計測しつつ電解質
層にレーザーを照射して電解質層を変成させ、所望の静
電容量値においてレーザー照射を停止して静電容量値の
微細な調整を可能にする固体電解コンデンサの製造方法
が開示されている。特開平4−53117号公報には絶
縁体層により弁金属表面を区分し一方の表面に設けた誘
電体皮膜上に複素環式化合物を繰り返し単位とする導電
性高分子膜からなる電解質を液層で形成し、一方の陽極
構成成分を巻回または折り曲げる固体電解コンデンサお
よび製造方法が開示されている。
解コンデンサにおいて、不必要な部分への導電性高分子
形成による漏れ電流増大等を防止する検討も行われてい
る。特開平1−76713号公報には陽極体金属の切断
面上に形成した電解酸化重合導電性高分子膜を酸化剤ま
たは還元剤で絶縁化する、漏れ電流を低減した固体電解
コンデンサの製造方法が開示されている。特公平3−6
6810号公報には導電性高分子層を形成させた皮膜形
成金属箔を所望の大きさに切断する工程で、レーザー光
線を使用することにより、切断と同時に導電性高分子層
を絶縁化し、迅速かつ大量にコンデンサを製造する箔型
固体電解コンデンサの製造方法が開示されている。特開
平4−48613号公報には電解質層を形成し電極引き
出し手段を設置した後、静電容量値を計測しつつ電解質
層にレーザーを照射して電解質層を変成させ、所望の静
電容量値においてレーザー照射を停止して静電容量値の
微細な調整を可能にする固体電解コンデンサの製造方法
が開示されている。特開平4−53117号公報には絶
縁体層により弁金属表面を区分し一方の表面に設けた誘
電体皮膜上に複素環式化合物を繰り返し単位とする導電
性高分子膜からなる電解質を液層で形成し、一方の陽極
構成成分を巻回または折り曲げる固体電解コンデンサお
よび製造方法が開示されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】導電性高分子を電解質
とする固体電解コンデンサでは、電解質の抵抗が小さい
ために高周波特性が優れているものの、拡面化して入り
組んだ誘電体表面に導電性高分子を密着して形成するこ
とは難しく、導電性高分子を電極上に形成する電解重合
法はそのままでは実施できない。一方、酸化剤を用いる
導電性高分子の重合方法では酸化剤と接触することによ
りモノマーの重合が起こるため、誘電体面の広い部分に
導電性高分子が形成されるが、陽極リードへの導電性高
分子の這い上がりも起こる。この結果、化成皮膜を形成
した領域を越えて導電性高分子がはい上がった場合には
短絡し、コンデンサとしての機能を失うという問題点が
あった。また、這い上がりが小さい場合でも陽極端子を
接続した場合に短絡する可能性があるという問題点があ
った。この問題に対し、不要な部分の導電性高分子を酸
化剤または還元剤で絶縁化する方法では、小型化及び微
細化が進んだ現在の素子においては酸化剤などの浸透を
必要な部分にのみ限定することは難しく、全体の抵抗が
増大し易いという問題点があった。また、不要な部分の
導電性高分子をレーザー光線によって絶縁化する方法で
は、導電性高分子の絶縁化は加熱に伴う熱分解であると
考えられるため、高いエネルギーを必要とし、さらに周
辺部へも熱分解の影響が及びやすく、精度良く特定部分
のみの絶縁化ができないという問題点があった。
とする固体電解コンデンサでは、電解質の抵抗が小さい
ために高周波特性が優れているものの、拡面化して入り
組んだ誘電体表面に導電性高分子を密着して形成するこ
とは難しく、導電性高分子を電極上に形成する電解重合
法はそのままでは実施できない。一方、酸化剤を用いる
導電性高分子の重合方法では酸化剤と接触することによ
りモノマーの重合が起こるため、誘電体面の広い部分に
導電性高分子が形成されるが、陽極リードへの導電性高
分子の這い上がりも起こる。この結果、化成皮膜を形成
した領域を越えて導電性高分子がはい上がった場合には
短絡し、コンデンサとしての機能を失うという問題点が
あった。また、這い上がりが小さい場合でも陽極端子を
接続した場合に短絡する可能性があるという問題点があ
った。この問題に対し、不要な部分の導電性高分子を酸
化剤または還元剤で絶縁化する方法では、小型化及び微
細化が進んだ現在の素子においては酸化剤などの浸透を
必要な部分にのみ限定することは難しく、全体の抵抗が
増大し易いという問題点があった。また、不要な部分の
導電性高分子をレーザー光線によって絶縁化する方法で
は、導電性高分子の絶縁化は加熱に伴う熱分解であると
考えられるため、高いエネルギーを必要とし、さらに周
辺部へも熱分解の影響が及びやすく、精度良く特定部分
のみの絶縁化ができないという問題点があった。
【0008】本発明の課題は、上述した従来技術の問題
点を解決し、高導電性の導電性高分子を電解質とする漏
れ電流が小さく信頼性に優れた固体電解コンデンサを簡
便なる方法で得る製造方法を提供することにある。
点を解決し、高導電性の導電性高分子を電解質とする漏
れ電流が小さく信頼性に優れた固体電解コンデンサを簡
便なる方法で得る製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決するために種々の検討を行った。その結果、導電
性高分子化合物を電解質とする固体電解コンデンサに光
酸発生剤を含む溶液を塗布し、必要な部分に光を照射す
ることにより特定部分の導電性高分子が絶縁化される事
実を見い出し、本発明に至った。
を解決するために種々の検討を行った。その結果、導電
性高分子化合物を電解質とする固体電解コンデンサに光
酸発生剤を含む溶液を塗布し、必要な部分に光を照射す
ることにより特定部分の導電性高分子が絶縁化される事
実を見い出し、本発明に至った。
【0010】すなわち本発明は、電子受容性化合物でド
ーピングされた導電性高分子化合物を電解質とする固体
電解コンデンサの製造方法であって、導電性高分子化合
物を形成した後に光酸発生剤を含む溶液を塗布する工程
と、導電性高分子化合物の必要な部分に光を照射する工
程とを含む固体電解コンデンサの製造方法である。
ーピングされた導電性高分子化合物を電解質とする固体
電解コンデンサの製造方法であって、導電性高分子化合
物を形成した後に光酸発生剤を含む溶液を塗布する工程
と、導電性高分子化合物の必要な部分に光を照射する工
程とを含む固体電解コンデンサの製造方法である。
【0011】本発明において、電子受容性化合物とは導
電性高分子のドーパントとして用いられるルイス酸化合
物で、例えばCl- 、Br- 、I- 等のハロゲンイオ
ン、HSO4 - 、R−SO4 - (Rはアルキル基または
アルケニル基)などの硫酸化合物アニオン、ベンゼンス
ルホン酸イオン、p−トルエンスルホン酸イオン、ナフ
タレンスルホン酸イオン、ブチルナフタレンスルホン酸
イオン、およびドデシルベンゼンスルホン酸イオンなど
の芳香族スルホン酸アニオン、HNO3 - 、H2PO4
- 、CH3 COO- などが挙げられる。
電性高分子のドーパントとして用いられるルイス酸化合
物で、例えばCl- 、Br- 、I- 等のハロゲンイオ
ン、HSO4 - 、R−SO4 - (Rはアルキル基または
アルケニル基)などの硫酸化合物アニオン、ベンゼンス
ルホン酸イオン、p−トルエンスルホン酸イオン、ナフ
タレンスルホン酸イオン、ブチルナフタレンスルホン酸
イオン、およびドデシルベンゼンスルホン酸イオンなど
の芳香族スルホン酸アニオン、HNO3 - 、H2PO4
- 、CH3 COO- などが挙げられる。
【0012】本発明において、導電性高分子とは上記の
電子受容性化合物でドーピングされた電子共役系高分子
化合物であり、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセ
チレン、ポリパラフェニレン、ポリチオフェン、ポリフ
ラン、ポリアズレン、ポリパラフェニレンビニレン等が
挙げられる。これらの導電性高分子の中で、発明の効果
の点からポリピロールが特に好ましい。本発明において
ポリピロールとはピロールおよびその誘電体をモノマー
とする重合体であり、ポリピロールの他にピロール骨格
を有し3位もしくはN位に置換基を持つ化合物の重合体
である。ここで、置換基としては水酸基、アセチル基、
カルボキシル基、アルキル基等が挙げられる。本発明で
は導電性高分子の形成方法は特に限定されない。
電子受容性化合物でドーピングされた電子共役系高分子
化合物であり、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセ
チレン、ポリパラフェニレン、ポリチオフェン、ポリフ
ラン、ポリアズレン、ポリパラフェニレンビニレン等が
挙げられる。これらの導電性高分子の中で、発明の効果
の点からポリピロールが特に好ましい。本発明において
ポリピロールとはピロールおよびその誘電体をモノマー
とする重合体であり、ポリピロールの他にピロール骨格
を有し3位もしくはN位に置換基を持つ化合物の重合体
である。ここで、置換基としては水酸基、アセチル基、
カルボキシル基、アルキル基等が挙げられる。本発明で
は導電性高分子の形成方法は特に限定されない。
【0013】本発明において光酸発生剤とは光エネルギ
ーを吸収して酸を発生する化合物であれは特に限定され
ないが、その効果から、例えばトリフェニルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスル
ホニウムクロライド、トリフェニルスルホニウムヘキサ
フルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムヘ
キサフルオロアルセネート等のトリフェニルスルホニウ
ム塩が好ましい。また、光酸発生剤を含む溶液とは上記
の光酸発生剤をエチルセロソルブアセテート等の有機溶
剤に溶解したものであり、必要に応じてポリメチルメタ
アクリレート等の高分子化合物をバインダーとして溶解
することもできる。
ーを吸収して酸を発生する化合物であれは特に限定され
ないが、その効果から、例えばトリフェニルスルホニウ
ムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスル
ホニウムクロライド、トリフェニルスルホニウムヘキサ
フルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムヘ
キサフルオロアルセネート等のトリフェニルスルホニウ
ム塩が好ましい。また、光酸発生剤を含む溶液とは上記
の光酸発生剤をエチルセロソルブアセテート等の有機溶
剤に溶解したものであり、必要に応じてポリメチルメタ
アクリレート等の高分子化合物をバインダーとして溶解
することもできる。
【0014】本発明では電解質として上記の導電性高分
子化合物を形成した固体電解コンデンサ素子の一部、ま
たは全部に、上記の光酸発生剤を含む溶液を塗布して塗
膜を形成し、次に必要な部分に光を照射する。この過程
で導電性高分子の分解等によるものと考えられる絶縁化
が起こり、例えば陽極端子接続部分等の導電性高分子を
絶縁化すると短絡の可能性を著しく低減した信頼性に優
れた固体電解コンデンサを製造できる。本発明では光酸
発生剤を塗布してあるので、通常の可視光、紫外線を照
射するのみで精度良く導電性高分子を絶縁化できる。従
って、本発明はレーザー光線等によって基体金属自体を
溶融する方法とは目的、効果ともに異なる。また、レー
ザー光線によって導電性高分子層を変成し、絶縁化する
場合には、変化が加熱によるドーパントの脱離または高
分子の分解によると考えられ、温度上昇は広い範囲にわ
たるため精度良く必要な部分のみを絶縁化できないが、
本発明では光酸発生剤の作用によって導電性高分子の必
要な部分のみ精度良く絶縁化できる。
子化合物を形成した固体電解コンデンサ素子の一部、ま
たは全部に、上記の光酸発生剤を含む溶液を塗布して塗
膜を形成し、次に必要な部分に光を照射する。この過程
で導電性高分子の分解等によるものと考えられる絶縁化
が起こり、例えば陽極端子接続部分等の導電性高分子を
絶縁化すると短絡の可能性を著しく低減した信頼性に優
れた固体電解コンデンサを製造できる。本発明では光酸
発生剤を塗布してあるので、通常の可視光、紫外線を照
射するのみで精度良く導電性高分子を絶縁化できる。従
って、本発明はレーザー光線等によって基体金属自体を
溶融する方法とは目的、効果ともに異なる。また、レー
ザー光線によって導電性高分子層を変成し、絶縁化する
場合には、変化が加熱によるドーパントの脱離または高
分子の分解によると考えられ、温度上昇は広い範囲にわ
たるため精度良く必要な部分のみを絶縁化できないが、
本発明では光酸発生剤の作用によって導電性高分子の必
要な部分のみ精度良く絶縁化できる。
【0015】本発明では光照射した後に昇温して導電性
高分子の絶縁化反応を促進したり、また、適当な溶媒で
前記光酸発生剤を含む塗膜を取り除いたりすることもで
きる。
高分子の絶縁化反応を促進したり、また、適当な溶媒で
前記光酸発生剤を含む塗膜を取り除いたりすることもで
きる。
【0016】本発明の製造方法で製造した固体電解コン
デンサは必要に応じて銀ペーストおよびカーボンペース
トを用いて従来公知の方法で電極を取り付け、さらにモ
ールドを行ってコンデンサとして完成する。
デンサは必要に応じて銀ペーストおよびカーボンペース
トを用いて従来公知の方法で電極を取り付け、さらにモ
ールドを行ってコンデンサとして完成する。
【0017】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。 (実施例1)ガラス製容器に濃度26.7重量%のドデ
シルベンゼンスルホン酸第2鉄のメチルアルコール溶液
75gを入れ、蒸留水5gを滴下し、攪拌した後−70
℃に冷却して酸化剤溶液を作成した。次に、ピロール
3.84gを16.16gのメタノールに溶解し、−7
0℃に保持した酸化剤溶液に滴下して十分に攪拌して重
合溶液を作成した。
シルベンゼンスルホン酸第2鉄のメチルアルコール溶液
75gを入れ、蒸留水5gを滴下し、攪拌した後−70
℃に冷却して酸化剤溶液を作成した。次に、ピロール
3.84gを16.16gのメタノールに溶解し、−7
0℃に保持した酸化剤溶液に滴下して十分に攪拌して重
合溶液を作成した。
【0018】次に、長さ8mmのタンタルワイヤーを有
する3mm×2mm×2.5mm直方体状のタンタル微
粉焼結体ペレットを0.05重量%のリン酸水溶液中で
化成電圧100Vで陽極酸化し、洗浄および乾燥して電
解液中で10μFの容量を示すペレットを得た。このペ
レットを前記の重合溶液に浸漬し、60秒後に引き上げ
て室温で30分間保持した。その後、メチルアルコール
で洗浄し、60℃で30分間乾燥した。以上の操作を4
回繰り返した後、ポリピロールを電解質とする固体電解
コンデンサ素子を完成した。得られたコンデンサ素子で
はタンタルワイヤー部の5mmがポリピロールに覆われ
ていた。
する3mm×2mm×2.5mm直方体状のタンタル微
粉焼結体ペレットを0.05重量%のリン酸水溶液中で
化成電圧100Vで陽極酸化し、洗浄および乾燥して電
解液中で10μFの容量を示すペレットを得た。このペ
レットを前記の重合溶液に浸漬し、60秒後に引き上げ
て室温で30分間保持した。その後、メチルアルコール
で洗浄し、60℃で30分間乾燥した。以上の操作を4
回繰り返した後、ポリピロールを電解質とする固体電解
コンデンサ素子を完成した。得られたコンデンサ素子で
はタンタルワイヤー部の5mmがポリピロールに覆われ
ていた。
【0019】上記の方法で得られたコンデンサ素子を2
重量%のトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタン
スルホナートと20重量%のポリメチルメタアクリレー
トを溶解したエチルセロソルブアセテート溶液に浸漬し
60℃で24時間減圧乾燥した。しかる後、タンタルワ
イヤー部のみにKrFエキシマレーザーを照射し、直ち
にエチルセロソルブアセテートに浸漬して光酸発生剤を
含む塗膜を除去した。タンタルワイヤー部に形成された
導電性高分子をはぎ取って加圧成形した成形体の導電率
を測定したところ10- 7 S/cm以下であり、上記の
操作でタンタルワイヤー部の導電性高分子が絶縁化した
ことがわかった。
重量%のトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタン
スルホナートと20重量%のポリメチルメタアクリレー
トを溶解したエチルセロソルブアセテート溶液に浸漬し
60℃で24時間減圧乾燥した。しかる後、タンタルワ
イヤー部のみにKrFエキシマレーザーを照射し、直ち
にエチルセロソルブアセテートに浸漬して光酸発生剤を
含む塗膜を除去した。タンタルワイヤー部に形成された
導電性高分子をはぎ取って加圧成形した成形体の導電率
を測定したところ10- 7 S/cm以下であり、上記の
操作でタンタルワイヤー部の導電性高分子が絶縁化した
ことがわかった。
【0020】このコンデンサ素子に銀ペーストを用い陰
極リードを取り付け、また、ペレットから2mm離れた
タンタルワイヤー部に抵抗溶接により陽極リードを取り
付けてコンデンサを完成した。得られたコンデンサの1
20Hzでの容量は9.6μFであり、容量出現率は9
5%以上であった。また、25Vでの漏れ電流は10n
Aであり、信頼性にも優れたものであった。 (実施例2)実施例1のポリピロールを電解質とする固
体電解コンデンサを用いて実施例1のトリフェニルスル
ホニウムトリフルオロメタンスルホナートに代えてトリ
フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを
使用する以外は実施例1と同様の方法で光酸発生剤を含
む塗膜を形成し、KrFエキシマレーザーを照射して、
しかる後光酸発生剤を含む塗膜を除去した。
極リードを取り付け、また、ペレットから2mm離れた
タンタルワイヤー部に抵抗溶接により陽極リードを取り
付けてコンデンサを完成した。得られたコンデンサの1
20Hzでの容量は9.6μFであり、容量出現率は9
5%以上であった。また、25Vでの漏れ電流は10n
Aであり、信頼性にも優れたものであった。 (実施例2)実施例1のポリピロールを電解質とする固
体電解コンデンサを用いて実施例1のトリフェニルスル
ホニウムトリフルオロメタンスルホナートに代えてトリ
フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートを
使用する以外は実施例1と同様の方法で光酸発生剤を含
む塗膜を形成し、KrFエキシマレーザーを照射して、
しかる後光酸発生剤を含む塗膜を除去した。
【0021】このコンデンサ素子に銀ペーストを用いて
陰極リードを取り付け、また、ペレットから2mm離れ
たタンタルワイヤー部に抵抗溶接により陽極リードを取
り付けてコンデンサを完成した。得られたコンデンサの
120Hzでの容量は9.6μFであり、容量出現率は
95%以上であった。また、25Vでの漏れ電流は10
nAであり、信頼性にも優れたものであった。
陰極リードを取り付け、また、ペレットから2mm離れ
たタンタルワイヤー部に抵抗溶接により陽極リードを取
り付けてコンデンサを完成した。得られたコンデンサの
120Hzでの容量は9.6μFであり、容量出現率は
95%以上であった。また、25Vでの漏れ電流は10
nAであり、信頼性にも優れたものであった。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば漏
れ電流が小さく信頼性に優れた固体電解コンデンサの簡
便なる製造方法を提供することができ、その効果は大で
ある。
れ電流が小さく信頼性に優れた固体電解コンデンサの簡
便なる製造方法を提供することができ、その効果は大で
ある。
Claims (3)
- 【請求項1】 電子受容性化合物でドーピングされた導
電性高分子化合物を電解質とする固体電解コンデンサの
製造方法であって、導電性高分子化合物を形成した後に
光酸発生剤を含む溶液を塗布する工程と、導電性高分子
化合物の必要な部分に光を照射する工程とを含む固体電
解コンデンサの製造方法。 - 【請求項2】 前記導電性高分子がポリピロールである
請求項1記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項3】 前記光酸発生剤がトリフェニルスルホニ
ウム塩である請求項1記載の固体電解コンデンサの製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5230703A JP2570979B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5230703A JP2570979B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0786094A true JPH0786094A (ja) | 1995-03-31 |
JP2570979B2 JP2570979B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=16911997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5230703A Expired - Lifetime JP2570979B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2570979B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11283879A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
US6696216B2 (en) | 2001-06-29 | 2004-02-24 | International Business Machines Corporation | Thiophene-containing photo acid generators for photolithography |
JP2004228439A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
-
1993
- 1993-09-17 JP JP5230703A patent/JP2570979B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11283879A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
US6696216B2 (en) | 2001-06-29 | 2004-02-24 | International Business Machines Corporation | Thiophene-containing photo acid generators for photolithography |
JP2004228439A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2570979B2 (ja) | 1997-01-16 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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