JPH0782917B2 - インダクションプラズマトーチ - Google Patents
インダクションプラズマトーチInfo
- Publication number
- JPH0782917B2 JPH0782917B2 JP3258503A JP25850391A JPH0782917B2 JP H0782917 B2 JPH0782917 B2 JP H0782917B2 JP 3258503 A JP3258503 A JP 3258503A JP 25850391 A JP25850391 A JP 25850391A JP H0782917 B2 JPH0782917 B2 JP H0782917B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pipe
- tube
- insertion hole
- outer tube
- carrier gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Ceramic Products (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Arc Welding In General (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、誘導結合型プラズマ
内でセラミックスや金属等の粉体を効率よく加熱し、溶
解して噴射でき、主として溶射に使用されるインダクシ
ョンプラズマトーチに関するものである。
内でセラミックスや金属等の粉体を効率よく加熱し、溶
解して噴射でき、主として溶射に使用されるインダクシ
ョンプラズマトーチに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、インダクションプラズマトーチと
しては、図４に示す構造のものが知られている。即ち、
透明石英で形成された外側管１１、中間管１２、キャリ
アガス導入管１３からなる三重構造のトーチに水冷誘導
コイル１４を設けたものである。
しては、図４に示す構造のものが知られている。即ち、
透明石英で形成された外側管１１、中間管１２、キャリ
アガス導入管１３からなる三重構造のトーチに水冷誘導
コイル１４を設けたものである。
【０００３】外側管１１は、下端が開口し、上端が中間
管１２の上部外周に結合することで閉じられ、その上端
部内に外側ガス供給路１５が接線方向に開口している。
中間管１２は下端が外側管１１の下端よりも上方に位置
し、その下端部外径が拡大形成されていて、外側管１１
の内周面との間にガスの速度を増して冷却効率を高める
ため環状の約１mmの小間隙１６を形成し、その上端がキ
ャリアガス導入管１３の上部外周に結合することで閉じ
られ、その上端部内に中間ガス供給路１７が外側ガス供
給路１５と同じ周方向に沿うように接線方向に開口して
いる。
管１２の上部外周に結合することで閉じられ、その上端
部内に外側ガス供給路１５が接線方向に開口している。
中間管１２は下端が外側管１１の下端よりも上方に位置
し、その下端部外径が拡大形成されていて、外側管１１
の内周面との間にガスの速度を増して冷却効率を高める
ため環状の約１mmの小間隙１６を形成し、その上端がキ
ャリアガス導入管１３の上部外周に結合することで閉じ
られ、その上端部内に中間ガス供給路１７が外側ガス供
給路１５と同じ周方向に沿うように接線方向に開口して
いる。
【０００４】キャリアガス導入管１３は、その下端部が
中間管１２内の下端近くに開口しており、上端部がキャ
リアガス供給路１８となっている。１９はプラズマ炎で
ある。
中間管１２内の下端近くに開口しており、上端部がキャ
リアガス供給路１８となっている。１９はプラズマ炎で
ある。
【０００５】このトーチは、プラズマ炎１９による高温
から外側管１１を冷却するために、外側ガス供給路１５
から外側ガスとしてアルゴンまたは窒素ガスを供給し、
中間ガス供給路１７からは中間ガスとしてアルゴンを、
キャリアガス供給路１８からキャリアガスとしてアルゴ
ンを夫々供給して誘導コイル１４を作動させて使用す
る。
から外側管１１を冷却するために、外側ガス供給路１５
から外側ガスとしてアルゴンまたは窒素ガスを供給し、
中間ガス供給路１７からは中間ガスとしてアルゴンを、
キャリアガス供給路１８からキャリアガスとしてアルゴ
ンを夫々供給して誘導コイル１４を作動させて使用す
る。
【０００６】外側ガスは、外側管１１内に外側ガス供給
路１５から接線方向に導入されるので、螺旋状に回転し
ながら流出する。キャリアガスを流さない状態でプラズ
マ炎を発生させると、扁平したフレーム状となるが、キ
ャリアガスを流し、流量を増加させると、プラズマ炎の
中心が凹状になってくる。この時、セラミックスあるい
は金属などの粉体をキャリアガス供給路内に投入する
と、プラズマ炎によって粉体が溶融され、プラズマ炎の
下部に設けられた被溶射物２０上に溶融された粉体がキ
ャリアガスの力で溶射され、被膜が形成される。
路１５から接線方向に導入されるので、螺旋状に回転し
ながら流出する。キャリアガスを流さない状態でプラズ
マ炎を発生させると、扁平したフレーム状となるが、キ
ャリアガスを流し、流量を増加させると、プラズマ炎の
中心が凹状になってくる。この時、セラミックスあるい
は金属などの粉体をキャリアガス供給路内に投入する
と、プラズマ炎によって粉体が溶融され、プラズマ炎の
下部に設けられた被溶射物２０上に溶融された粉体がキ
ャリアガスの力で溶射され、被膜が形成される。
【０００７】このようなプラズマトーチにおいて、粒径
５〜１００μm の粉体を被溶射物上に溶射する場合、誘
導コイル１４に印加する電力が３KW、１３．５６MHZ で
該コイルの内径を３５mm、外側管の内径を２８mmとして
時、コイルの下端から被溶射物までの距離L1を５５mmに
しないと満足できる溶射は行われない。これはキャリア
ガス供給路１８から供給される粉体は、プラズマ炎１９
の上部から溶融されていくが、コイル１４の下端の位置
に達しても完全に溶融されず、プラズマ炎１９の下部に
至ってはじめて完全に溶融されるためであり、このよう
に供給される粉体を完全な溶融状態とするためには、コ
イルの下端から被溶射物までの距離L1は５５mmを必要と
するというものである。
５〜１００μm の粉体を被溶射物上に溶射する場合、誘
導コイル１４に印加する電力が３KW、１３．５６MHZ で
該コイルの内径を３５mm、外側管の内径を２８mmとして
時、コイルの下端から被溶射物までの距離L1を５５mmに
しないと満足できる溶射は行われない。これはキャリア
ガス供給路１８から供給される粉体は、プラズマ炎１９
の上部から溶融されていくが、コイル１４の下端の位置
に達しても完全に溶融されず、プラズマ炎１９の下部に
至ってはじめて完全に溶融されるためであり、このよう
に供給される粉体を完全な溶融状態とするためには、コ
イルの下端から被溶射物までの距離L1は５５mmを必要と
するというものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
に誘導コイル１４の下端から被溶射物２０までの距離L1
を５５mmとしたとしても、発生するプラズマ炎１９が完
全に左右にバランスしていないと、粉体を完全溶融させ
ることは難しく、従って被溶射物２０上へも満足な溶射
は行えない。プラズマ炎１９を完全に左右にバランスよ
く発生させようとすると、プラズマトーチの構成におい
て、外側管１１、中間管１２、キャリアガス導入管１３
が完全に同心円状に形成されていることが必要である。
に誘導コイル１４の下端から被溶射物２０までの距離L1
を５５mmとしたとしても、発生するプラズマ炎１９が完
全に左右にバランスしていないと、粉体を完全溶融させ
ることは難しく、従って被溶射物２０上へも満足な溶射
は行えない。プラズマ炎１９を完全に左右にバランスよ
く発生させようとすると、プラズマトーチの構成におい
て、外側管１１、中間管１２、キャリアガス導入管１３
が完全に同心円状に形成されていることが必要である。
【０００９】従来、プラズマトーチ製造において、上記
の各管として石英製のものが用いられているが、これら
を同心円状に組み立てることは非常に難しいという問題
がある。また、プラズマトーチにおいてキャリアガス導
入管の下端出口は、通常１．５〜２．０mmφに作られて
いるが、この下端出口から噴出した粉体はプラズマ炎に
達すると、プラズマ炎周囲にまで拡がり、外側管１１の
内壁に溶融した粉体が付着する。このような状態のプラ
ズマトーチを長時間使用すると、さらに内壁への付着量
が増え、この結果外側管を冷却するために使用されてい
るシースガスの流れが遮断されてしまって、外側管１１
に熱が伝わり、外側管１１を破損するという問題があ
る。これを防止するため、外側管１１の下端はコイルの
下端からできるだけ短かく（図３の場合は５mm、L2＝５
０mm）するように設計されている。
の各管として石英製のものが用いられているが、これら
を同心円状に組み立てることは非常に難しいという問題
がある。また、プラズマトーチにおいてキャリアガス導
入管の下端出口は、通常１．５〜２．０mmφに作られて
いるが、この下端出口から噴出した粉体はプラズマ炎に
達すると、プラズマ炎周囲にまで拡がり、外側管１１の
内壁に溶融した粉体が付着する。このような状態のプラ
ズマトーチを長時間使用すると、さらに内壁への付着量
が増え、この結果外側管を冷却するために使用されてい
るシースガスの流れが遮断されてしまって、外側管１１
に熱が伝わり、外側管１１を破損するという問題があ
る。これを防止するため、外側管１１の下端はコイルの
下端からできるだけ短かく（図３の場合は５mm、L2＝５
０mm）するように設計されている。
【００１０】ところが、外側管１１があまり短いと、プ
ラズマトーチ外部の低温空気による冷却凝固や酸化反応
が生じ、被溶射物２０に対して溶射不良となるおそれが
ある。さらに、外側管１１の内壁に付着した粉体を除去
するために、溶射終了後洗浄しなければならないという
問題もある。
ラズマトーチ外部の低温空気による冷却凝固や酸化反応
が生じ、被溶射物２０に対して溶射不良となるおそれが
ある。さらに、外側管１１の内壁に付着した粉体を除去
するために、溶射終了後洗浄しなければならないという
問題もある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記した従
来のインダクションプラズマトーチにおける種々の問題
点を解消すべく検討の結果、耐熱性が大で他のものが付
着しにくい性質を有する窒化ホウ素の焼結体を素材に用
いてプラズマトーチを構成することを見出したものであ
る。
来のインダクションプラズマトーチにおける種々の問題
点を解消すべく検討の結果、耐熱性が大で他のものが付
着しにくい性質を有する窒化ホウ素の焼結体を素材に用
いてプラズマトーチを構成することを見出したものであ
る。
【００１２】即ち、この発明は窒化ホウ素焼結体よりな
り、内部に多段の同心円状挿着孔を形成した円筒状支持
体に、窒化ホウ素焼結体製のキャリアガス導入管、中間
管および外側管を順次嵌合螺着させるとともに、前記支
持体内の中間管と外側管の先端に該管に対して接線方向
にガスを導入するガス供給管を嵌合螺着したインダクシ
ョンプラズマトーチを提供するものである。
り、内部に多段の同心円状挿着孔を形成した円筒状支持
体に、窒化ホウ素焼結体製のキャリアガス導入管、中間
管および外側管を順次嵌合螺着させるとともに、前記支
持体内の中間管と外側管の先端に該管に対して接線方向
にガスを導入するガス供給管を嵌合螺着したインダクシ
ョンプラズマトーチを提供するものである。
【００１３】
【作用】この発明のインダクションプラズマトーチは、
内部に多段の同心円状挿着孔を形成した円筒状支持体お
よび該支持体の多段の同心円状挿着孔に嵌合螺着するキ
ャリアガス導入管、中間管、外側管、さらに中間管、外
側管の先端に取り付けるガス供給管などのすべての部材
を窒化ホウ素の焼結体から加工し、これらを円筒状支持
体の対応する同心円状挿着孔に嵌合螺着させることによ
って構成したので、このインダクションプラズマトーチ
を用いた時、左右にバランスのよいプラズマ炎を発生さ
せることができて、粉体を完全溶融でき、被溶射物上に
良好な溶射を行うことができる。
内部に多段の同心円状挿着孔を形成した円筒状支持体お
よび該支持体の多段の同心円状挿着孔に嵌合螺着するキ
ャリアガス導入管、中間管、外側管、さらに中間管、外
側管の先端に取り付けるガス供給管などのすべての部材
を窒化ホウ素の焼結体から加工し、これらを円筒状支持
体の対応する同心円状挿着孔に嵌合螺着させることによ
って構成したので、このインダクションプラズマトーチ
を用いた時、左右にバランスのよいプラズマ炎を発生さ
せることができて、粉体を完全溶融でき、被溶射物上に
良好な溶射を行うことができる。
【００１４】
【実施例】以下、この発明をその一実施例を示す図によ
り詳細に説明する。図１はこの発明のインダクションプ
ラズマトーチの縦断面図であり、図２および図３（ａ）
乃至（ｅ）はその組み立て過程を示す説明図である。図
において、１は窒化ホウ素焼結体を加工して得た円筒状
の支持体である。この支持体１の内部には図２に示すよ
うに、１ａ〜１ｅの多段の挿着孔が同心円状に設けられ
ており、これらの挿着孔にキャリア導入管４、中間管
３、外側管２が嵌合螺着により固定されている。このよ
うな挿着孔は、円筒状の支持体１を旋盤等にて孔加工、
ネジ切りを繰り返し行うことにより得られる。
り詳細に説明する。図１はこの発明のインダクションプ
ラズマトーチの縦断面図であり、図２および図３（ａ）
乃至（ｅ）はその組み立て過程を示す説明図である。図
において、１は窒化ホウ素焼結体を加工して得た円筒状
の支持体である。この支持体１の内部には図２に示すよ
うに、１ａ〜１ｅの多段の挿着孔が同心円状に設けられ
ており、これらの挿着孔にキャリア導入管４、中間管
３、外側管２が嵌合螺着により固定されている。このよ
うな挿着孔は、円筒状の支持体１を旋盤等にて孔加工、
ネジ切りを繰り返し行うことにより得られる。
【００１５】この円筒状支持体１に対する挿着孔の形成
について詳しくのべると、まずキャリアガス導入管４を
貫通挿着するための挿着孔１ａを支持体１を貫通させて
図３（ａ）のように形成する。次に、中間管３を支持す
る挿着孔１ｂを支持体１のほぼ中間の位置に挿着孔１ａ
と同心円状に形成し（図３（ｂ））、その後外側管２挿
着のための挿着孔１ｃを図３（ｃ）に示すように形成す
る。そして、これら挿着孔１ａ、１ｂ、１ｃの先端には
小さいピッチのネジ８が切られていて、各挿着孔に嵌め
込まれる管が螺着できるようになっている。次いで、中
間管３支持用挿着孔１ｂの上方に中間管３の内径と同じ
か又は若干小さい径で挿着孔１ｄを図３（ｄ）のよう
に、また外側管２支持用挿着孔１ｃの上方に外側管２の
内径と同じか又は若干小さい径で挿着孔１ｅを図３
（ｅ）のように形成する。この挿着孔１ｄ、１ｅには接
線方向に向けてプラズマガス供給管５およびシースガス
供給管６を挿入することができるようにピッチの小さな
ネジ１ｆ、１ｇが切られている。さらに外側管２支持用
挿通孔１ｃには、並行するトーチ取付受部１ｈ、１ｉを
設けている。
について詳しくのべると、まずキャリアガス導入管４を
貫通挿着するための挿着孔１ａを支持体１を貫通させて
図３（ａ）のように形成する。次に、中間管３を支持す
る挿着孔１ｂを支持体１のほぼ中間の位置に挿着孔１ａ
と同心円状に形成し（図３（ｂ））、その後外側管２挿
着のための挿着孔１ｃを図３（ｃ）に示すように形成す
る。そして、これら挿着孔１ａ、１ｂ、１ｃの先端には
小さいピッチのネジ８が切られていて、各挿着孔に嵌め
込まれる管が螺着できるようになっている。次いで、中
間管３支持用挿着孔１ｂの上方に中間管３の内径と同じ
か又は若干小さい径で挿着孔１ｄを図３（ｄ）のよう
に、また外側管２支持用挿着孔１ｃの上方に外側管２の
内径と同じか又は若干小さい径で挿着孔１ｅを図３
（ｅ）のように形成する。この挿着孔１ｄ、１ｅには接
線方向に向けてプラズマガス供給管５およびシースガス
供給管６を挿入することができるようにピッチの小さな
ネジ１ｆ、１ｇが切られている。さらに外側管２支持用
挿通孔１ｃには、並行するトーチ取付受部１ｈ、１ｉを
設けている。
【００１６】一方、上記挿着孔１ａ〜１ｃに嵌合する外
側管２、中間管３、キャリアガス導入管４は、何れも窒
化ホウ素焼結体を用いて円筒形状に作られており、外側
管２および中間管３はその先端外周に小さいピッチのネ
ジが切られている。またキャリアガス導入管４は、キャ
リアガスを導入する先端狭小部の下方に小さいピッチの
ネジが切られている。さらに、プラズマガス供給管５と
シースガス供給管６は両者とも窒化ホウ素焼結体製の円
管状を呈し、先端供給口の近傍に小さなピッチのネジが
切られている。
側管２、中間管３、キャリアガス導入管４は、何れも窒
化ホウ素焼結体を用いて円筒形状に作られており、外側
管２および中間管３はその先端外周に小さいピッチのネ
ジが切られている。またキャリアガス導入管４は、キャ
リアガスを導入する先端狭小部の下方に小さいピッチの
ネジが切られている。さらに、プラズマガス供給管５と
シースガス供給管６は両者とも窒化ホウ素焼結体製の円
管状を呈し、先端供給口の近傍に小さなピッチのネジが
切られている。
【００１７】上記のようにして内部に同心円状の挿着孔
１ａ〜１ｅを形成した円筒状支持体１に各管を取り付け
るには、まず支持体１内を貫通した挿着孔1aに内側（下
方）からキャリアガス導入管４を嵌通させ、その先端狭
小部からネジ９の一部を支持体１から上方に突出させ、
挿着孔1aのネジ８と螺着させると同時に、突出させたネ
ジ９を固定用ボルト７で螺着固定する。
１ａ〜１ｅを形成した円筒状支持体１に各管を取り付け
るには、まず支持体１内を貫通した挿着孔1aに内側（下
方）からキャリアガス導入管４を嵌通させ、その先端狭
小部からネジ９の一部を支持体１から上方に突出させ、
挿着孔1aのネジ８と螺着させると同時に、突出させたネ
ジ９を固定用ボルト７で螺着固定する。
【００１８】次に、支持体１内の挿着孔１ｂに中間管３
を、また挿着孔１ｃに外側管２を嵌合して順次螺着す
る。その後、プラズマガス供給管５、シースガス供給管
６を夫々挿着孔１ｄ、１ｅに接線方向に設けたネジ部１
ｆ、１ｇに挿着し螺着する。
を、また挿着孔１ｃに外側管２を嵌合して順次螺着す
る。その後、プラズマガス供給管５、シースガス供給管
６を夫々挿着孔１ｄ、１ｅに接線方向に設けたネジ部１
ｆ、１ｇに挿着し螺着する。
【００１９】かくして得られたこの発明のインダクショ
ンプラズマトーチは、外側管２、中間管３、キャリアガ
ス導入管４の各管を窒化ホウ素焼結体より製造し、これ
らを窒化ホウ素焼結体よりなる円筒状支持体１の内部に
形成した各挿着孔に同心円状に設けたことによって、プ
ラズマガス供給管５からキャリアガス導入管４と中間管
３との間にプラズマガスを供給し、シースガス供給管６
から中間管３と外管２との間にシースガスを供給し、キ
ャリアガス導入管４からキャリアガスとともに粉体を供
給する状態で誘導コイル１１に高周波を印加すると、左
右によくバランスのとれた正常なプラズマ炎１２が発生
して、粉体が完全に溶融され、被溶射物１０上に均質な
皮膜を形成することができた。
ンプラズマトーチは、外側管２、中間管３、キャリアガ
ス導入管４の各管を窒化ホウ素焼結体より製造し、これ
らを窒化ホウ素焼結体よりなる円筒状支持体１の内部に
形成した各挿着孔に同心円状に設けたことによって、プ
ラズマガス供給管５からキャリアガス導入管４と中間管
３との間にプラズマガスを供給し、シースガス供給管６
から中間管３と外管２との間にシースガスを供給し、キ
ャリアガス導入管４からキャリアガスとともに粉体を供
給する状態で誘導コイル１１に高周波を印加すると、左
右によくバランスのとれた正常なプラズマ炎１２が発生
して、粉体が完全に溶融され、被溶射物１０上に均質な
皮膜を形成することができた。
【００２０】なお、この発明のインダクションプラズマ
トーチにおいては、外側管の下端は従来のトーチよりも
長く形成されており、これによって溶融粉体がトーチ外
部の低温空気により冷却凝固したり、酸化反応を起こし
て溶射不良になることを防止することができる。この場
合の外側管下端から被溶射物までの距離L2は約１０〜２
０mmが適当である。
トーチにおいては、外側管の下端は従来のトーチよりも
長く形成されており、これによって溶融粉体がトーチ外
部の低温空気により冷却凝固したり、酸化反応を起こし
て溶射不良になることを防止することができる。この場
合の外側管下端から被溶射物までの距離L2は約１０〜２
０mmが適当である。
【００２１】また、外側管は他の管よりも高熱を受け、
かつ外部からの応力が加わって破損しやすい性質があ
り、また内壁に溶融粉体が付着していってシースガスの
流れが遮蔽される結果、破損するという事態も生ずる
が、この発明では外側管が他の材料の付着の少ない窒化
ホウ素焼結体よりなっているので、その事態になること
は稀であり、もしそのようになっても外側管が支持体内
の挿着孔に嵌合螺着されている構成なので、これを取り
替えることは容易である。
かつ外部からの応力が加わって破損しやすい性質があ
り、また内壁に溶融粉体が付着していってシースガスの
流れが遮蔽される結果、破損するという事態も生ずる
が、この発明では外側管が他の材料の付着の少ない窒化
ホウ素焼結体よりなっているので、その事態になること
は稀であり、もしそのようになっても外側管が支持体内
の挿着孔に嵌合螺着されている構成なので、これを取り
替えることは容易である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のインダ
クションプラズマトーチは、全ての部材が窒化ホウ素焼
結体よりなり、しかも円筒状支持体内に各部材の挿着孔
を同心円状に形成して、それらの挿着孔に各部材を嵌合
螺着することにより構成したので、使用時に左右にバラ
ンスのとれたプラズマ炎の発生を可能とし、これによっ
て粉体の完全な溶融、溶射を行うことができるのであ
る。
クションプラズマトーチは、全ての部材が窒化ホウ素焼
結体よりなり、しかも円筒状支持体内に各部材の挿着孔
を同心円状に形成して、それらの挿着孔に各部材を嵌合
螺着することにより構成したので、使用時に左右にバラ
ンスのとれたプラズマ炎の発生を可能とし、これによっ
て粉体の完全な溶融、溶射を行うことができるのであ
る。
【００２３】また、全ての部材を窒化ホウ素焼結体の切
削加工によって得ることができるので、同一寸法の部材
を容易にかつ多量に生産できること、さらに各部材は円
筒状支持体内に形成した各挿着孔に同心円状に嵌合螺着
するので精度よく設計、製造することができるという多
大の効果を有するのである。
削加工によって得ることができるので、同一寸法の部材
を容易にかつ多量に生産できること、さらに各部材は円
筒状支持体内に形成した各挿着孔に同心円状に嵌合螺着
するので精度よく設計、製造することができるという多
大の効果を有するのである。
【図１】この発明のインダクションプラズマトーチの縦
断面図である。
断面図である。
【図２】円筒状支持体内の挿着孔を示す説明図である。
【図３】(a) 乃至(e) は円筒状支持体内の挿着孔形成過
程を示す説明図である。
程を示す説明図である。
【図４】従来のインダクションプラズマトーチの縦断面
図である。
図である。
１ 円筒状支持体 １ａ 挿着孔 １ｂ 挿着孔 １ｃ 挿着孔 ２ 外側管 ３ 中間管 ４ キャリアガス導入管 ７ ボルト ８ ネジ ９ ネジ
フロントページの続き (72)発明者 エミリオ 藤原 大阪府大阪市東淀川区淡路２丁目14番３号 株式会社三社電機製作所内 (72)発明者 村田 裕康 大阪府大阪市東淀川区淡路２丁目14番３号 株式会社三社電機製作所内 (72)発明者 橘 秀久 大阪府大阪市東淀川区淡路２丁目14番３号 株式会社三社電機製作所内 (56)参考文献 特開 昭58−137999（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 窒化ホウ素焼結体よりなり、内部に多段
の同心円状挿着孔を形成した円筒状支持体に、窒化ホウ
素焼結体製のキャリアガス導入管、中間管および外側管
を順次嵌合螺着させるとともに、前記支持体内の中間管
と外側管の先端に該管に対して接線方向にガスを導入す
るガス供給管を嵌合螺着したことを特徴とするインダク
ションプラズマトーチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3258503A JPH0782917B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | インダクションプラズマトーチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3258503A JPH0782917B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | インダクションプラズマトーチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574591A JPH0574591A (ja) | 1993-03-26 |
| JPH0782917B2 true JPH0782917B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=17321115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3258503A Expired - Lifetime JPH0782917B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | インダクションプラズマトーチ |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPH0782917B2 (ja) |
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-
1991
- 1991-09-09 JP JP3258503A patent/JPH0782917B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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