JPH0781282A - Information medium - Google Patents

Information medium

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JPH0781282A
JPH0781282A JP5182173A JP18217393A JPH0781282A JP H0781282 A JPH0781282 A JP H0781282A JP 5182173 A JP5182173 A JP 5182173A JP 18217393 A JP18217393 A JP 18217393A JP H0781282 A JPH0781282 A JP H0781282A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring pattern
substrate
information medium
outer peripheral
metal frame
Prior art date
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Pending
Application number
JP5182173A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichi Saito
浩一 斉藤
Kinichi Naya
欣一 納谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Casio Computer Co Ltd
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Casio Computer Co Ltd filed Critical Casio Computer Co Ltd
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Publication of JPH0781282A publication Critical patent/JPH0781282A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To prevent electric discharge from a metallic frame, charged with static electricity, to a lower side wiring pattern without enlarging the size of an information medium, having the shape of a coin provided with the metallic frame. CONSTITUTION:A lower side wiring pattern 2 is formed at a part excluding the outer peripheral part of the lower surface of a substrate 1. As a result, an interval (t1) between the outer end surface of the lower side wiring pattern 2 and the internal peripheral surface of a metallic frame 8 can be enlarged without increasing an interval (t2) between the outer peripheral surface of the substrate 1 and the inner peripheral surface of the metallic frame 8. Accordingly, electric discharge from the metallic frame 8, charged with static electricity, to the lower side wiring pattern 2 can be prevented without increasing the size of an information medium itself whereby the electrostatic destruction of an IC chip 4 can be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、データを処理あるい
は記憶するICチップを内蔵した携帯可能な情報媒体に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a portable information medium containing an IC chip for processing or storing data.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯可能な情報媒体には、全体の形状が
カード形状やコイン形状等の平板状であって、データを
処理あるいは記憶するICチップを基板の一面に搭載
し、処理機器との間でデータの授受を行う際に処理機器
の複数の外部端子とそれぞれ接続される複数の接続端子
を基板の他面に設けた構造のものがある。
2. Description of the Related Art A portable information medium has a flat plate shape such as a card shape or a coin shape, and an IC chip for processing or storing data is mounted on one surface of a substrate so as to be compatible with a processing device. There is a structure in which a plurality of connection terminals, which are respectively connected to a plurality of external terminals of a processing device when data is exchanged between them, are provided on the other surface of the substrate.

【0003】図2(A)および(B)は従来のこのよう
な情報媒体の一例を示したものである。この情報媒体は
樹脂やガラスエポキシ等からなる円板状の基板1を備え
ている。基板1の下面には複数の接続端子を含む下側配
線パターン2が形成され、上面には上側配線パターン3
が形成されている。両配線パターン2、3は、基板1に
形成されたスルホール導通部(図示せず)を介して互い
に接続されている。基板1の上面の所定の個所にはEE
PROMやマスクROM等の半導体素子からなるICチ
ップ4が接着剤(図示せず)によって接着されて搭載さ
れている。ICチップ4は、金ワイヤ5を介して上側配
線パターン3にワイヤボンディングされている。このワ
イヤボンディングの部分は、エポキシ樹脂やシリコン樹
脂等の樹脂からなる封止材6によって封止されている。
封止材6を含む基板1の上面には塩化ビニル等の樹脂か
らなる絶縁性外装材7が設けられている。絶縁性外装材
7の外周面にはステンレス等の金属からなるリング状の
金属枠体8が設けられている。
2A and 2B show an example of such a conventional information medium. This information medium includes a disk-shaped substrate 1 made of resin, glass epoxy or the like. A lower wiring pattern 2 including a plurality of connection terminals is formed on the lower surface of the substrate 1, and an upper wiring pattern 3 is formed on the upper surface.
Are formed. Both wiring patterns 2 and 3 are connected to each other through a through hole conducting portion (not shown) formed on the substrate 1. EE is provided at a predetermined position on the upper surface of the substrate 1.
An IC chip 4 made of a semiconductor element such as a PROM or a mask ROM is mounted by being bonded with an adhesive (not shown). The IC chip 4 is wire-bonded to the upper wiring pattern 3 via the gold wire 5. This wire bonding portion is sealed with a sealing material 6 made of resin such as epoxy resin or silicon resin.
An insulating exterior material 7 made of a resin such as vinyl chloride is provided on the upper surface of the substrate 1 including the sealing material 6. A ring-shaped metal frame body 8 made of metal such as stainless steel is provided on the outer peripheral surface of the insulating exterior material 7.

【0004】ところで、基板1に配線パターン2、3等
を形成する場合、まず、基板1の上下両面に銅箔を接着
剤等を介してラミネートし、次いで所定の個所にスルホ
ールを形成し、次いで無電解メッキにより両銅箔の表面
およびスルホール内部に銅メッキを施し、次いでフォト
リソグラフィ等の方法により不要な部分の銅メッキおよ
び銅箔をエッチングして除去することにより、基板1の
下面に下側配線パターン2を形成するとともに、基板1
の上面に上側配線パターン3を形成し、次いで電解メッ
キにより両配線パターン2、3の表面に銅メッキ、ニッ
ケルメッキおよび金メッキをこの順で施している。した
がって、配線パターン2、3は、実質的には、これら電
解メッキを含むものからなっている。ここで、金メッキ
を施す理由は、第1に、上側配線パターン3にICチッ
プ4を金ワイヤ5を用いてワイヤボンディングした際の
電気的接続性の向上を図るためであり、第2に、下側配
線パターン2の一部からなる接続端子の酸化を防止して
処理機器の外部端子との電気的接続を確保するためであ
る。また、ニッケルメッキを施す理由は、銅と金との密
着性が良くないので、銅と金の両方に対して密着性の良
いニッケルをメッキすることにより、金メッキが剥がれ
にくいようにするためである。なお、電解メッキを施す
場合には、メッキ電流を供給するための供給配線が必要
であるので、基板1の上下両面には各配線パターン2、
3に接続された供給配線も形成されている。そこで、配
線パターン2、3という場合には、この供給配線を含む
場合もあることに留意されたい。
When forming the wiring patterns 2, 3 and the like on the substrate 1, first, copper foil is laminated on both upper and lower surfaces of the substrate 1 with an adhesive or the like, and then through holes are formed at predetermined places, and then, through holes are formed. The surfaces of both copper foils and the insides of the through holes are electrolessly plated, and then unnecessary portions of the copper foils and the copper foils are etched and removed by a method such as photolithography. The wiring pattern 2 is formed and the substrate 1 is formed.
An upper wiring pattern 3 is formed on the upper surface of the above, and then copper plating, nickel plating and gold plating are applied in this order to the surfaces of both wiring patterns 2 and 3 by electrolytic plating. Therefore, the wiring patterns 2 and 3 substantially include these electrolytic platings. Here, the reason why the gold plating is performed is firstly to improve electrical connectivity when the IC chip 4 is wire-bonded to the upper wiring pattern 3 using the gold wire 5, and secondly, This is to prevent the connection terminal, which is a part of the side wiring pattern 2, from being oxidized and to ensure the electrical connection with the external terminal of the processing device. Also, the reason for applying nickel plating is that the adhesion between copper and gold is not good, so by plating nickel with good adhesion to both copper and gold, it is possible to prevent the gold plating from peeling off. . When electrolytic plating is performed, since supply wiring for supplying a plating current is required, the wiring patterns 2,
The supply wiring connected to 3 is also formed. Therefore, it should be noted that the wiring patterns 2 and 3 may include this supply wiring.

【0005】一方、以上のように配線パターン2、3等
が形成された基板1を量産する場合には、比較的大きな
基板の上下両面にそれぞれ同一のパターンで上下の配線
パターン3、2を複数ずつ形成するとともに、メッキ電
流を供給するための上下の共通端子を形成し、さらに上
下の配線パターン3、2と上下の共通端子とを接続する
上下の供給配線を形成し、そして上下の共通端子にメッ
キ電源を接続して電解メッキを施し、この後この比較的
大きな基板を所定の切断ラインに沿って切断している。
この場合、切断ラインが上下の供給配線と交差するの
で、この交差した上下の供給配線と共に基板を切断して
いる。この結果、図2(B)に示すように、基板1の上
下両面の各端部に上下の配線パターン3、2の一部分で
ある供給配線の各一部が残存することになる。そして、
基板1の端部における上下の配線パターン3、2の外端
面と金属枠体8の内周面とが互いに接触しないように、
基板1の外周面と金属枠体8の内周面との間に絶縁性外
装材7を介在させている。
On the other hand, when mass-producing the substrate 1 on which the wiring patterns 2 and 3 are formed as described above, a plurality of upper and lower wiring patterns 3 and 2 are formed in the same pattern on the upper and lower surfaces of a relatively large substrate. And upper and lower common terminals for supplying a plating current, and further upper and lower supply wirings for connecting the upper and lower wiring patterns 3 and 2 to the upper and lower common terminals, and the upper and lower common terminals. A plating power source is connected to the plate for electrolytic plating, and then this relatively large substrate is cut along a predetermined cutting line.
In this case, since the cutting line intersects the upper and lower supply wirings, the substrate is cut together with the intersecting upper and lower supply wirings. As a result, as shown in FIG. 2B, a part of the supply wiring, which is a part of the upper and lower wiring patterns 3 and 2, remains at each end of the upper and lower surfaces of the substrate 1. And
In order to prevent the outer end surfaces of the upper and lower wiring patterns 3 and 2 and the inner peripheral surface of the metal frame 8 at the end portion of the substrate 1 from contacting each other,
An insulating exterior material 7 is interposed between the outer peripheral surface of the substrate 1 and the inner peripheral surface of the metal frame body 8.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来の情
報媒体では、基板1の端部における上下の配線パターン
3、2の外端面と金属枠体8の内周面とが互いに接触し
ないように、基板1の外周面と金属枠体8の内周面との
間に絶縁性外装材7を介在させている。しかしながら、
基板1の端部における下側配線パターン2が外部に露出
しているので、金属枠体8に所持者の衣服等との摩擦に
より静電気が帯電した場合、この静電気が空気中を介し
て基板1の端部における下側配線パターン2に向かって
放電し、さらにスルホール導通部、上側配線パターン3
および金ワイヤ5を介してICチップ4に静電気の電荷
が到達し、この結果ICチップ4が静電破壊することが
あるという問題があった。なお、基板1の外周面と金属
枠体8の内周面との間の間隔を大きくすると、金属枠体
8から下側配線パターン2への静電気の放電を防止する
ことができるが、このようにすると、情報媒体自体が大
型化してしまうという別の問題がある。この発明の目的
は、大型化することなく、金属枠体から下側配線パター
ンへの静電気の放電を防止することのできる情報媒体を
提供することにある。
As described above, in the conventional information medium, the outer end surfaces of the upper and lower wiring patterns 3 and 2 at the end portion of the substrate 1 and the inner peripheral surface of the metal frame body 8 do not contact each other. In addition, the insulating exterior material 7 is interposed between the outer peripheral surface of the substrate 1 and the inner peripheral surface of the metal frame body 8. However,
Since the lower wiring pattern 2 at the end of the substrate 1 is exposed to the outside, when the metal frame 8 is charged with static electricity due to friction with the wearer's clothes or the like, this static electricity is transmitted through the air to the substrate 1 Discharge toward the lower wiring pattern 2 at the end of the, and further through-hole conducting portion, upper wiring pattern 3
Also, there is a problem that static electricity may reach the IC chip 4 through the gold wire 5, resulting in electrostatic damage to the IC chip 4. It should be noted that by increasing the distance between the outer peripheral surface of the substrate 1 and the inner peripheral surface of the metal frame body 8, it is possible to prevent the discharge of static electricity from the metal frame body 8 to the lower wiring pattern 2. Then, there is another problem that the information medium itself becomes large. An object of the present invention is to provide an information medium capable of preventing electrostatic discharge from the metal frame body to the lower wiring pattern without increasing the size.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明は、上面および
下面にそれぞれ上側配線パターンおよび下側配線パター
ンが形成されているとともに、これら配線パターンを互
いに接続するスルホール導通部が形成された基板と、こ
の基板の上面に搭載されたICチップと、前記基板の外
周部に前記両配線パターンと絶縁された状態で設けられ
た金属枠体とを備えた情報媒体において、前記上側配線
パターンの一部を前記基板の外周端まで延ばして形成
し、前記下側配線パターンを前記基板の外周部を除く部
分に形成したものである。
According to the present invention, an upper wiring pattern and a lower wiring pattern are formed on an upper surface and a lower surface, respectively, and a through-hole conducting portion for connecting these wiring patterns to each other is formed on a substrate. In an information medium including an IC chip mounted on the upper surface of the substrate and a metal frame body provided on the outer peripheral portion of the substrate in a state of being insulated from the both wiring patterns, a part of the upper wiring pattern is provided. It is formed by extending to the outer peripheral edge of the substrate, and the lower wiring pattern is formed on a portion of the substrate excluding the outer peripheral portion.

【0008】[0008]

【作用】この発明によれば、上側配線パターンのみにメ
ッキ電流供給配線機能を持たせても、下側配線パターン
がスルホール導通部を介して上側配線パターンと接続さ
れているので、下側配線パターンにもメッキ電流を供給
することができ、この結果下側配線パターンを基板の外
周部を除く部分に形成することにより、大型化すること
なく、金属枠体から下側配線パターンへの静電気の放電
を防止することができる。
According to the present invention, even if only the upper wiring pattern has the plating current supply wiring function, the lower wiring pattern is connected to the upper wiring pattern through the through-hole conducting portion. Plating current can also be supplied to the substrate, and as a result, the lower wiring pattern is formed on the part of the board excluding the outer periphery, so that electrostatic discharge from the metal frame to the lower wiring pattern can be achieved without increasing the size. Can be prevented.

【0009】[0009]

【実施例】図1(A)および(B)はこの発明の一実施
例における情報媒体を示したものである。これらの図に
おいて、図2(A)および(B)と同一名称部分には同
一の符号を付し、その説明を適宜省略する。この情報媒
体では、上側配線パターン3の一部が基板1の外周端ま
で延びて形成されていることにより、基板1の上面に供
給配線を含む上側配線パターン3が形成されている。一
方、基板1の下面には供給配線は形成されておらず、接
続端子を含む下側配線パターン2のみが基板1の外周部
を除く部分に形成されている。
1 (A) and 1 (B) show an information medium in an embodiment of the present invention. In these figures, parts having the same names as those in FIGS. 2A and 2B are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate. In this information medium, a part of the upper wiring pattern 3 is formed to extend to the outer peripheral edge of the substrate 1, so that the upper wiring pattern 3 including the supply wiring is formed on the upper surface of the substrate 1. On the other hand, the supply wiring is not formed on the lower surface of the substrate 1, and only the lower wiring pattern 2 including the connection terminals is formed on the portion of the substrate 1 excluding the outer peripheral portion.

【0010】このように、この情報媒体では、上側配線
パターン3のみにメッキ電流供給配線機能を持たせてい
るが、下側配線パターン2がスルホール導通部を介して
上側配線パターン3と接続されているので、下側配線パ
ターン2にもメッキ電流を供給することができる。この
結果、下側配線パターン2を基板1の外周部を除く部分
に形成することにより、下側配線パターン2の外端面と
金属枠体8の内周面との間の間隔t1を大きくすること
ができ、したがって情報媒体自体を大型化することな
く、金属枠体8から下側配線パターン2への静電気の放
電を防止することができる。したがって、このような静
電気に起因するICチップ4の静電破壊を防止すること
ができ、耐静電気特性を向上することができる。
As described above, in this information medium, only the upper wiring pattern 3 has the plating current supply wiring function, but the lower wiring pattern 2 is connected to the upper wiring pattern 3 via the through-hole conducting portion. Therefore, the plating current can be supplied also to the lower wiring pattern 2. As a result, by forming the lower wiring pattern 2 on the portion of the substrate 1 excluding the outer peripheral portion, the distance t 1 between the outer end surface of the lower wiring pattern 2 and the inner peripheral surface of the metal frame body 8 is increased. Therefore, electrostatic discharge from the metal frame body 8 to the lower wiring pattern 2 can be prevented without increasing the size of the information medium itself. Therefore, electrostatic breakdown of the IC chip 4 due to such static electricity can be prevented, and the antistatic characteristic can be improved.

【0011】ここで、この情報媒体の具体的な寸法の一
例について説明する。下側配線パターン2を形成するた
めの銅箔の厚さを0.02mmとし、無電解メッキと電
解メッキとによる銅メッキの厚さを0.01mmとし、
電解メッキによるニッケルメッキの厚さを0.005m
mとし、電解メッキによる金メッキの厚さを0.000
5mmとした。そして、下側配線パターン2の下面と金
属枠体8の下面とを同一平面とし、下側配線パターン2
の外端面と金属枠体8の内周面との間隔t1を0.5m
mとしたところ、金属枠体8から下側配線パターン2へ
の静電気の放電は生じなかった。これに対して、基板1
の外周面と金属枠体8の内周面との間隔t2を0.2m
mとし、基板1の外周端まで下側配線パターン2を延ば
した場合には、金属枠体8から下側配線パターン2への
静電気の放電が生じた。したがって、下側配線パターン
2の外端面と金属枠体8の内周面との間隔t1が0.5
mm以上であれば、情報媒体自体を大型化することな
く、金属枠体8から下側配線パターン2への静電気の放
電を防止することができる。
Here, an example of specific dimensions of the information medium will be described. The thickness of the copper foil for forming the lower wiring pattern 2 is 0.02 mm, the thickness of copper plating by electroless plating and electrolytic plating is 0.01 mm,
The thickness of nickel plating by electrolytic plating is 0.005m
m, and the thickness of gold plating by electrolytic plating is 0.000
It was set to 5 mm. Then, the lower surface of the lower wiring pattern 2 and the lower surface of the metal frame body 8 are flush with each other, and the lower wiring pattern 2
The distance t 1 between the outer end surface of the metal frame and the inner peripheral surface of the metal frame body 8 is 0.5 m.
When m was set, static electricity was not discharged from the metal frame body 8 to the lower wiring pattern 2. On the other hand, the substrate 1
The distance t 2 between the outer peripheral surface of the and the inner peripheral surface of the metal frame 8 is 0.2 m.
When the lower wiring pattern 2 was extended to the outer peripheral edge of the substrate 1, static electricity was discharged from the metal frame 8 to the lower wiring pattern 2. Therefore, the distance t 1 between the outer end surface of the lower wiring pattern 2 and the inner peripheral surface of the metal frame body 8 is 0.5.
If the thickness is equal to or larger than mm, it is possible to prevent electrostatic discharge from the metal frame 8 to the lower wiring pattern 2 without increasing the size of the information medium itself.

【0012】なお、ICチップ4の基板1上への搭載方
法は、ワイヤボンディングに限定されるものではなく、
フリップチップボンディング等であってもよいことはも
ちろんである。また、ICチップ4の個数は、EEPR
OMやマスクROM等の1チップの実装の場合のみに限
定されるものではなく、EEPROMやマスクROM等
のメモリチップとASIC等のコントローラチップとの
2チップの実装の場合であってもよく、またそれ以上の
チップ数であってもよい。
The method of mounting the IC chip 4 on the substrate 1 is not limited to wire bonding.
Of course, flip chip bonding or the like may be used. The number of IC chips 4 is EEPR.
The present invention is not limited to the case of mounting one chip such as OM and mask ROM, but may be the case of mounting two chips such as a memory chip such as EEPROM and mask ROM and a controller chip such as ASIC. More chips may be used.

【0013】[0013]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、上側配線パターンのみにメッキ電流供給配線機能を
持たせても、下側配線パターンがスルホール導通部を介
して上側配線パターンと接続されているので、下側配線
パターンにもメッキ電流を供給することができ、この結
果下側配線パターンを基板の外周部を除く部分に形成す
ることにより、大型化することなく、金属枠体から下側
配線パターンへの静電気の放電を防止することができ、
耐静電気特性を向上することができる。
As described above, according to the present invention, the lower wiring pattern is connected to the upper wiring pattern through the through hole conducting portion even if only the upper wiring pattern has the plating current supply wiring function. Therefore, the plating current can be supplied also to the lower wiring pattern, and as a result, by forming the lower wiring pattern in the portion excluding the outer peripheral portion of the substrate, the plating can be performed from the metal frame without increasing the size. It is possible to prevent static electricity discharge to the side wiring pattern,
The antistatic property can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(A)はこの発明の一実施例における情報媒体
の断面図、(B)はその一部の拡大図。
FIG. 1A is a sectional view of an information medium according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is an enlarged view of a part thereof.

【図2】(A)は従来の情報媒体の一例の断面図、
(B)はその一部の拡大図。
FIG. 2A is a sectional view of an example of a conventional information medium,
(B) is an enlarged view of a part thereof.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 下側配線パターン 3 上側配線パターン 4 ICチップ 7 絶縁性外装材 8 金属枠体 1 substrate 2 lower wiring pattern 3 upper wiring pattern 4 IC chip 7 insulating exterior material 8 metal frame

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 上面および下面にそれぞれ上側配線パタ
ーンおよび下側配線パターンが形成されているととも
に、これら配線パターンを互いに接続するスルホール導
通部が形成された基板と、この基板の上面に搭載された
ICチップと、前記基板の外周部に前記両配線パターン
と絶縁された状態で設けられた金属枠体とを備えた情報
媒体において、 前記上側配線パターンの一部は前記基板の外周端まで延
びて形成され、前記下側配線パターンは前記基板の外周
部を除く部分に形成されていることを特徴とする情報媒
体。
1. A substrate having an upper wiring pattern and a lower wiring pattern formed on an upper surface and a lower surface, respectively, and a through-hole conducting portion connecting the wiring patterns to each other, and a substrate mounted on the upper surface of the substrate. In an information medium including an IC chip and a metal frame body provided on an outer peripheral portion of the substrate in a state of being insulated from the both wiring patterns, a part of the upper wiring pattern extends to an outer peripheral end of the substrate. An information medium, wherein the lower wiring pattern is formed on a portion of the substrate other than the outer peripheral portion.
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