JPH0779156B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH0779156B2 JPH0779156B2 JP63169363A JP16936388A JPH0779156B2 JP H0779156 B2 JPH0779156 B2 JP H0779156B2 JP 63169363 A JP63169363 A JP 63169363A JP 16936388 A JP16936388 A JP 16936388A JP H0779156 B2 JPH0779156 B2 JP H0779156B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- well
- layer
- transfer
- region
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は電荷結合素子（CCD）を用いた固体撮像装置の
構造に関する。
構造に関する。
〈従来の技術〉 CCDを用いた２次元固体撮像装置は、一般に光電変換部
と電荷転送部を共通にしたフレーム転送方式と両者を個
別に形成したインターライン転送方式とに大別される
が、短波長光感度，スミア，チップサイズ等の点で後者
の方が優れより一般的となっている。なおインターライ
ン転送方式において、光電変換部から電荷転送部へ信号
電荷を移す移送領域は、転送部との間でポテンシャル差
をつけることにより転送部電極と共通にする移送ゲート
レス方式が最近では一般的である。
と電荷転送部を共通にしたフレーム転送方式と両者を個
別に形成したインターライン転送方式とに大別される
が、短波長光感度，スミア，チップサイズ等の点で後者
の方が優れより一般的となっている。なおインターライ
ン転送方式において、光電変換部から電荷転送部へ信号
電荷を移す移送領域は、転送部との間でポテンシャル差
をつけることにより転送部電極と共通にする移送ゲート
レス方式が最近では一般的である。
また強い入射光により光電変換部ないし電荷転送部で信
号電荷があふれ出すブルーミング現象を抑圧する方式と
して、光電変換部と同一平面上に掃出しドレインを形成
する横型オーバーフロードレイン構造と光電変換部の下
側即ち基板側に掃出しドレインを形成する縦型オーバー
フロードレイン構造が知られているが、平面上の面積の
制約を受けない後者の方が性能面で有利でありより一般
的である。後者の場合、当然ながら基板上に別導電型の
ウェルが形成されその上に光電変換部が形成される。
号電荷があふれ出すブルーミング現象を抑圧する方式と
して、光電変換部と同一平面上に掃出しドレインを形成
する横型オーバーフロードレイン構造と光電変換部の下
側即ち基板側に掃出しドレインを形成する縦型オーバー
フロードレイン構造が知られているが、平面上の面積の
制約を受けない後者の方が性能面で有利でありより一般
的である。後者の場合、当然ながら基板上に別導電型の
ウェルが形成されその上に光電変換部が形成される。
さて以上の理由から、インターライン転送／移送ゲート
レス／縦型オーバーフロードレイン構造とした固体撮像
装置が望ましいが、このような構造の場合でも、画素サ
イズの縮小化がさらに進むと種々問題点が現われてく
る。なお以下の議論では信号電荷が電子の場合を扱う
が、正孔の場合でも極性を反対にすることにより同様の
議論が可能である。
レス／縦型オーバーフロードレイン構造とした固体撮像
装置が望ましいが、このような構造の場合でも、画素サ
イズの縮小化がさらに進むと種々問題点が現われてく
る。なお以下の議論では信号電荷が電子の場合を扱う
が、正孔の場合でも極性を反対にすることにより同様の
議論が可能である。
電子を信号とする固体撮像装置では、第４図に示すよう
にＮ基板上にＰウェルが形成されこのＰウェル上にＮ型
の光電変換部,N型の電荷転送部が形成される。ここで電
荷転送部は埋込みチャネル型とし、表面チャネル型の移
送部との間にポテンシャル差が形成される。
にＮ基板上にＰウェルが形成されこのＰウェル上にＮ型
の光電変換部,N型の電荷転送部が形成される。ここで電
荷転送部は埋込みチャネル型とし、表面チャネル型の移
送部との間にポテンシャル差が形成される。
さて光電変換部下のＰウェルはオーバーフローを可能に
するため低濃度かつ浅い接合が必要となるのに対し、転
送部下のＰウェルは基板と転送チャネル間の電荷のやり
取りを禁止するため、高濃度ないし深い接合が必要とな
る。従って一般には図のような二重ウェル構造によりこ
の目的を達成している。
するため低濃度かつ浅い接合が必要となるのに対し、転
送部下のＰウェルは基板と転送チャネル間の電荷のやり
取りを禁止するため、高濃度ないし深い接合が必要とな
る。従って一般には図のような二重ウェル構造によりこ
の目的を達成している。
〈発明が解決しようとする問題点〉 画素サイズを縮小した場合、接合深さの大きい転送部下
Ｐウェルは横方向への拡散により受光部下Ｐウェルへ影
響を与え、受光部下Ｐウェルの濃度及び深さの制御を困
難にする。この対策の１つとして第５図に示すように、
受光部下と転送部下でＰウェルを均一とし、受光部Ｎ層
接合深さを大きくする方法が知られている。この場合、
受光部・移送部間でポテンシャルの突起や窪みを生じさ
せないようさらに高濃度のN+層が電極形成後該電極をマ
スクとして自己整合的に注入される。
Ｐウェルは横方向への拡散により受光部下Ｐウェルへ影
響を与え、受光部下Ｐウェルの濃度及び深さの制御を困
難にする。この対策の１つとして第５図に示すように、
受光部下と転送部下でＰウェルを均一とし、受光部Ｎ層
接合深さを大きくする方法が知られている。この場合、
受光部・移送部間でポテンシャルの突起や窪みを生じさ
せないようさらに高濃度のN+層が電極形成後該電極をマ
スクとして自己整合的に注入される。
しかしながら上記構造は受光部を主として接合深さの大
きいＮ層で決めているため画素サイズの縮小化にやはり
制約がある上、完全転送モードとすることが困難とな
る。即ち受光部Ｎ層全体を完全に空乏化させようとする
と高濃度N+層が表面に存在するため受光部はきわめて深
いポテンシャルになってしまう。本発明は以上の問題点
に鑑みて発明されたものである。
きいＮ層で決めているため画素サイズの縮小化にやはり
制約がある上、完全転送モードとすることが困難とな
る。即ち受光部Ｎ層全体を完全に空乏化させようとする
と高濃度N+層が表面に存在するため受光部はきわめて深
いポテンシャルになってしまう。本発明は以上の問題点
に鑑みて発明されたものである。
〈問題点を解決するための手段〉 本発明では、第２導電型基板に接合深さJP1の比較的深
い低濃度の第１導電型層、及び、深さJP2（JP1＞JP2）
の比較的浅い高濃度の第１導電型層を均一に形成する。
次に受光部中のチャネルストップ領域から離れた領域に
JP2＜JN1＜JP1なる関係の接合深さJN1を持った低濃度の
第２導電型層を形成する。その後転送領域にJN2＜JP2な
る関係の接合深さJN2を持った埋込みチャネルCCDを形成
する。さらに転送電極を形成した後、この電極をマスク
として自己整合により受光部のほぼ全域にJN3＜JN1なる
関係の接合深さJN3を持った第２導電型層を形成する。
最後に受光部全表面に転送電極をマスクとして高濃度の
第１導電型不純物をJN3より十分浅く形成して固体撮像
装置を構成する。
い低濃度の第１導電型層、及び、深さJP2（JP1＞JP2）
の比較的浅い高濃度の第１導電型層を均一に形成する。
次に受光部中のチャネルストップ領域から離れた領域に
JP2＜JN1＜JP1なる関係の接合深さJN1を持った低濃度の
第２導電型層を形成する。その後転送領域にJN2＜JP2な
る関係の接合深さJN2を持った埋込みチャネルCCDを形成
する。さらに転送電極を形成した後、この電極をマスク
として自己整合により受光部のほぼ全域にJN3＜JN1なる
関係の接合深さJN3を持った第２導電型層を形成する。
最後に受光部全表面に転送電極をマスクとして高濃度の
第１導電型不純物をJN3より十分浅く形成して固体撮像
装置を構成する。
〈作用〉 上述の半導体基板構造をもつ固体撮像装置では、受光部
の過剰電荷の抑圧には低濃度で深い第１のＰウェル上の
低濃度で深い第１の受光部Ｎ層が作用し、また受光部電
荷を取残しなく転送部へ移送することに対しては、各々
が電極をマスクに自己整合的に形成された比較的濃く浅
い第２の受光部Ｎ層と十分濃く浅い表面P+層とが作用す
る。さらに埋込みチャネルCCD下の濃く浅い第２のＰウ
ェルの存在により、Ｎ基板との分離，可扱信号電荷量の
確保，スミアの抑圧が図られる。
の過剰電荷の抑圧には低濃度で深い第１のＰウェル上の
低濃度で深い第１の受光部Ｎ層が作用し、また受光部電
荷を取残しなく転送部へ移送することに対しては、各々
が電極をマスクに自己整合的に形成された比較的濃く浅
い第２の受光部Ｎ層と十分濃く浅い表面P+層とが作用す
る。さらに埋込みチャネルCCD下の濃く浅い第２のＰウ
ェルの存在により、Ｎ基板との分離，可扱信号電荷量の
確保，スミアの抑圧が図られる。
〈実施例〉 第１図は本発明の一実施例を示したものであり、（ａ）
は平面図を（ｂ）は（ａ）におけるAA′部分の断面図を
示す。図（ａ）において１はチャネルストップ領域、２
は１層目転送電極、３は２層目転送電極、４は埋込みチ
ャネルCCDのＮ層領域、５は第１の受光部Ｎ層注入領
域、６は第２の受光部Ｎ層注入領域を示す。
は平面図を（ｂ）は（ａ）におけるAA′部分の断面図を
示す。図（ａ）において１はチャネルストップ領域、２
は１層目転送電極、３は２層目転送電極、４は埋込みチ
ャネルCCDのＮ層領域、５は第１の受光部Ｎ層注入領
域、６は第２の受光部Ｎ層注入領域を示す。
まず上記断面構造からなる固体撮像装置の製造工程を説
明する。第１図（ｂ）に示すように低濃度のＮ基板10に
接合深さJP1なる比較的深い低濃度の第１のＰウェル11
を均一に形成する。次に深さJP2なる比較的浅い高濃度
の第２のＰウェル12を均一に形成する。さらに光電変換
部の中央領域にJP2＜JN1＜JP1なる関係の接合深さJN1に
なるよう低濃度の第１の受光部Ｎ層５を形成する。この
場合接合深さJN1が比較的深いため横方向にも広がる。
従ってこのＮ層５の注入領域は第１図（ａ）に示したよ
うにチャネルストップ領域１から十分離れ、移送部電極
３からも適度に離れた領域とする。次に埋込みチャネル
CCD用Ｎ層４をJN2＜JP2なる関係の接合深さJN2になるよ
う形成する。さらに１層目及び２層目の転送電極2,3を
形成した後、接合深さJN3の第２の受光部Ｎ層６を第１
の受光部Ｎ層５より高濃度で形成する。接合深さJN3はJ
N1より小であるがJP2に対しては大小いずれでも良い。
この第２の受光部Ｎ層６のための注入領域は、第１図
（ａ）に示したように移送部境界では当該電極をマスク
として自己整合になるようにし、チャネルストップ領域
１からはわずかに離れた受光部のほぼ全域とする。最後
に受光部表面全域に高濃度P+層７をJN3より十分浅く形
成する。
明する。第１図（ｂ）に示すように低濃度のＮ基板10に
接合深さJP1なる比較的深い低濃度の第１のＰウェル11
を均一に形成する。次に深さJP2なる比較的浅い高濃度
の第２のＰウェル12を均一に形成する。さらに光電変換
部の中央領域にJP2＜JN1＜JP1なる関係の接合深さJN1に
なるよう低濃度の第１の受光部Ｎ層５を形成する。この
場合接合深さJN1が比較的深いため横方向にも広がる。
従ってこのＮ層５の注入領域は第１図（ａ）に示したよ
うにチャネルストップ領域１から十分離れ、移送部電極
３からも適度に離れた領域とする。次に埋込みチャネル
CCD用Ｎ層４をJN2＜JP2なる関係の接合深さJN2になるよ
う形成する。さらに１層目及び２層目の転送電極2,3を
形成した後、接合深さJN3の第２の受光部Ｎ層６を第１
の受光部Ｎ層５より高濃度で形成する。接合深さJN3はJ
N1より小であるがJP2に対しては大小いずれでも良い。
この第２の受光部Ｎ層６のための注入領域は、第１図
（ａ）に示したように移送部境界では当該電極をマスク
として自己整合になるようにし、チャネルストップ領域
１からはわずかに離れた受光部のほぼ全域とする。最後
に受光部表面全域に高濃度P+層７をJN3より十分浅く形
成する。
以上の構成において受光部の深さ方向のポテンシャル分
布を示すと第２図の如くなる。即ち曲線A1で示す深さと
ポテンシャル分布の関係をもつ第１のＮ層部５は第２の
Ｎ層部６との加算状態であり、受光部電荷を全て転送部
へ移送した直後は完全に空乏可してポテンシャルはVP1
まで深くなる。図中曲線B1で示す深さとポテンシャル分
布の関係をもつ第２のＮ層部６もこのとき完全に空乏化
してポテンシャルはVP2（VP2＜VP1）まで深くなる。次
に受光部に信号電荷が蓄積してポテンシャルVP3まで浅
くなると第１のＮ層部５下のＰウェル11は低濃度でかつ
厚さ小であるからＰウェル部バリヤが消失してＮ基板10
へ電荷が流出し始め、過剰電荷の抑圧として働く。この
ときのポテンシャル分布を曲線A2で示す。また第２のＮ
層領域６のポテンシャル分布は曲線B2のようになる。な
お第１のＮ層領域５は第２のＮ層単独領域６よりポテン
シャルが深いから基板への電荷排出は第２のＮ層領域６
から第１のＮ層領域５へ流れ、受光部Ｎ層全体に対して
作用する。
布を示すと第２図の如くなる。即ち曲線A1で示す深さと
ポテンシャル分布の関係をもつ第１のＮ層部５は第２の
Ｎ層部６との加算状態であり、受光部電荷を全て転送部
へ移送した直後は完全に空乏可してポテンシャルはVP1
まで深くなる。図中曲線B1で示す深さとポテンシャル分
布の関係をもつ第２のＮ層部６もこのとき完全に空乏化
してポテンシャルはVP2（VP2＜VP1）まで深くなる。次
に受光部に信号電荷が蓄積してポテンシャルVP3まで浅
くなると第１のＮ層部５下のＰウェル11は低濃度でかつ
厚さ小であるからＰウェル部バリヤが消失してＮ基板10
へ電荷が流出し始め、過剰電荷の抑圧として働く。この
ときのポテンシャル分布を曲線A2で示す。また第２のＮ
層領域６のポテンシャル分布は曲線B2のようになる。な
お第１のＮ層領域５は第２のＮ層単独領域６よりポテン
シャルが深いから基板への電荷排出は第２のＮ層領域６
から第１のＮ層領域５へ流れ、受光部Ｎ層全体に対して
作用する。
第１図（ａ）のAA′部分における横方向ポテンシャル分
布を示すと第３図の如くなる。ここで受光部と移送部の
境界は第２の受光部Ｎ層６及び表面P+層７とも電極をマ
スクとして自己整合的かつ横方向への拡がりを抑えて形
成されるから、ポテンシャルの突起や窪みの形成が阻止
される。また受光部におけるＮ層完全空乏化時のポテン
シャルは第１のＮ層領域５のVP1から第２のＮ層単独領
域のVP2にわたって分布する。第１のＮ層領域５と移送
部との間隔を適度に取ると、受光部ポテンシャルの底
（VP1）から移送部にかけてわずかにポテンシャルの山
が形成されるものの、電極にVHなる高い電位を印加した
時には、移送部のポテンシャルはVP1より深くなり途中
のポテンシャルの山は消失して、受光部電荷を取残すこ
となく完全に転送部へ移送することが可能となる。その
後電極に電位VL〜VI（VP＜VI＜VL）間でクロックパルス
が印加され、転送部中を電荷が転送され始めると、移送
部は転送部に対しVBのポテンシャルバリヤが存在するた
め受光部・転送部間が分離され、受光部での信号電荷の
蓄積が再開される。なお第１図（ｂ）で示したように転
送部の埋込みチャネルCCD用Ｎ層下には濃い第２のＰウ
ェル11が存在するため、転送チャネルとＮ基板間で電荷
のやり取りが禁止されるとともに、転送可能最大電荷量
が確保され、さらに受光部下で発生する不要電荷の拡散
による転送チャネルへの侵入に対してバリヤとなり、ス
ミア現象の抑圧となる。
布を示すと第３図の如くなる。ここで受光部と移送部の
境界は第２の受光部Ｎ層６及び表面P+層７とも電極をマ
スクとして自己整合的かつ横方向への拡がりを抑えて形
成されるから、ポテンシャルの突起や窪みの形成が阻止
される。また受光部におけるＮ層完全空乏化時のポテン
シャルは第１のＮ層領域５のVP1から第２のＮ層単独領
域のVP2にわたって分布する。第１のＮ層領域５と移送
部との間隔を適度に取ると、受光部ポテンシャルの底
（VP1）から移送部にかけてわずかにポテンシャルの山
が形成されるものの、電極にVHなる高い電位を印加した
時には、移送部のポテンシャルはVP1より深くなり途中
のポテンシャルの山は消失して、受光部電荷を取残すこ
となく完全に転送部へ移送することが可能となる。その
後電極に電位VL〜VI（VP＜VI＜VL）間でクロックパルス
が印加され、転送部中を電荷が転送され始めると、移送
部は転送部に対しVBのポテンシャルバリヤが存在するた
め受光部・転送部間が分離され、受光部での信号電荷の
蓄積が再開される。なお第１図（ｂ）で示したように転
送部の埋込みチャネルCCD用Ｎ層下には濃い第２のＰウ
ェル11が存在するため、転送チャネルとＮ基板間で電荷
のやり取りが禁止されるとともに、転送可能最大電荷量
が確保され、さらに受光部下で発生する不要電荷の拡散
による転送チャネルへの侵入に対してバリヤとなり、ス
ミア現象の抑圧となる。
〈発明の効果〉 以上述べてきたように本発明の構造によれば、微細化さ
れた素子構造においても受光部の過剰電荷を基板面積に
負担をかけることなく抑制することができ、また受光部
電荷を取り残しなく転送部へ移送することができ、イン
ターライン転送方式の固体撮像装置における画質向上を
図ることができる。さらに埋込みチャネルCCD下の濃く
浅い第２のＰウェルの存在により、Ｎ基板との分離，可
扱信号電荷量の確保，スミアの抑圧が図られている。本
発明の固体撮像装置は、製造工程においても、第１導電
型ウェルがすべて均一な層用構造であるから微細加工に
なる程その有用性を発揮する。
れた素子構造においても受光部の過剰電荷を基板面積に
負担をかけることなく抑制することができ、また受光部
電荷を取り残しなく転送部へ移送することができ、イン
ターライン転送方式の固体撮像装置における画質向上を
図ることができる。さらに埋込みチャネルCCD下の濃く
浅い第２のＰウェルの存在により、Ｎ基板との分離，可
扱信号電荷量の確保，スミアの抑圧が図られている。本
発明の固体撮像装置は、製造工程においても、第１導電
型ウェルがすべて均一な層用構造であるから微細加工に
なる程その有用性を発揮する。
第１図は本発明の一実施例を示す図で、（ａ）は平面
図、（ｂ）はAA′部分の断面図、第２図は本発明の受光
部深さ方向ポテンシャル分布図、第３図は第１図AA′部
分の横方向ポテンシャル分布を示す図、第４図及び第５
図はそれぞれ従来装置の基板断面図を示す。 2,3:転送電極、4:転送部Ｎ型層、5:受光部第1N型層、6:
受光部第2N型層、7:P+層、11:低濃度第1Pウェル、12:高
濃度第2Pウェル
図、（ｂ）はAA′部分の断面図、第２図は本発明の受光
部深さ方向ポテンシャル分布図、第３図は第１図AA′部
分の横方向ポテンシャル分布を示す図、第４図及び第５
図はそれぞれ従来装置の基板断面図を示す。 2,3:転送電極、4:転送部Ｎ型層、5:受光部第1N型層、6:
受光部第2N型層、7:P+層、11:低濃度第1Pウェル、12:高
濃度第2Pウェル
Claims (1)
- 【請求項１】第２導電型の半導体基板上に形成された第
１導電型層内に、第２導電型の不純物領域からなる電荷
転送部及び光電変換部を形成してなる固体撮像装置にお
いて、 第１導電型の第１ウエル及び該第１ウエル上に形成され
た該第１ウエルと同じ導電型であり、且つ該第１ウエル
より濃度が高い第２ウエルからなる上記第１導電型層
と、 上記第２ウエル内に形成された第２導電型の不純物領域
からなる上記電荷転送部と、 受光領域の上記電荷転送部から離れた中央部分では上記
第２ウエルより深く且つ第１ウエルより浅い第２導電型
の第１領域が形成され、上記受光領域の上記電荷転送部
に近い側では上記第１領域より浅く且つ該第１領域より
不純物濃度が高い第２導電型の第２領域が、転送電極と
自己整合的に形成されてなる上記光電変換部とを備えて
なることを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63169363A JPH0779156B2 (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63169363A JPH0779156B2 (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0218964A JPH0218964A (ja) | 1990-01-23 |
| JPH0779156B2 true JPH0779156B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=15885193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63169363A Expired - Lifetime JPH0779156B2 (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0779156B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11330448A (ja) | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Nec Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58111566U (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-29 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| JPS61114663A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
-
1988
- 1988-07-06 JP JP63169363A patent/JPH0779156B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0218964A (ja) | 1990-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4984047A (en) | Solid-state image sensor | |
| EP0173542B1 (en) | A solid-state image sensor | |
| US20110033968A1 (en) | Solid-state image pickup device and method for producing the same | |
| JPH0523505B2 (ja) | ||
| JPS5819080A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2003258232A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3125303B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH02267966A (ja) | 固体撮像装置のオーバフロードレイン構造およびその製造方法 | |
| JP2866328B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0779156B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| KR100188014B1 (ko) | 스미어 및 블루밍 특성이 개선된 고체 촬상소자 | |
| JPS58161367A (ja) | 電荷結合素子及びそれを用いた固体撮像素子 | |
| JP3481654B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6223156A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPS63312669A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS6351545B2 (ja) | ||
| JPH0697416A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPS60244068A (ja) | 埋込みチヤネル電荷結合素子 | |
| JPS63142858A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS63155759A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPH0424871B2 (ja) | ||
| JP2848435B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0424872B2 (ja) | ||
| JPS6079773A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2671151B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070823 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |