JPH0778312A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0778312A JPH0778312A JP24880293A JP24880293A JPH0778312A JP H0778312 A JPH0778312 A JP H0778312A JP 24880293 A JP24880293 A JP 24880293A JP 24880293 A JP24880293 A JP 24880293A JP H0778312 A JPH0778312 A JP H0778312A
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- insulating film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポップコーンノイズまたはライト後ノイズを
劇的に減少させると共に、そのような構造を採った場合
に、最上層コイル膜を上部磁性膜形成時に生じるダメー
ジから保護する。 【構成】 最上層コイル膜５２は、表面が無機絶縁膜１
０によって覆われている。有機絶縁膜６は、最上層コイ
ル膜５２の上側にあって最上層コイル膜５２を被覆する
と共に、上部磁性膜４を支持する最上層有機絶縁膜６３
を含んでいる。最上層有機絶縁膜６３は、上部磁性膜４
の周りを包囲するパターンで、最上層コイル膜５２を覆
わない領域が生じるように形成されている。
劇的に減少させると共に、そのような構造を採った場合
に、最上層コイル膜を上部磁性膜形成時に生じるダメー
ジから保護する。 【構成】 最上層コイル膜５２は、表面が無機絶縁膜１
０によって覆われている。有機絶縁膜６は、最上層コイ
ル膜５２の上側にあって最上層コイル膜５２を被覆する
と共に、上部磁性膜４を支持する最上層有機絶縁膜６３
を含んでいる。最上層有機絶縁膜６３は、上部磁性膜４
の周りを包囲するパターンで、最上層コイル膜５２を覆
わない領域が生じるように形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】この種の薄膜磁気ヘッドは、基体上に下
部磁性膜、有機絶縁膜に埋設されたコイル膜及び前記有
機絶縁膜の上に形成された上部磁性膜を積層した構造を
有する。有機絶縁膜は例えばノボラック樹脂でなり、最
上層有機絶縁膜はコイル膜を覆うと共に、上部磁性膜を
支持している。その層数はコイル膜の層数に応じて増減
する。
部磁性膜、有機絶縁膜に埋設されたコイル膜及び前記有
機絶縁膜の上に形成された上部磁性膜を積層した構造を
有する。有機絶縁膜は例えばノボラック樹脂でなり、最
上層有機絶縁膜はコイル膜を覆うと共に、上部磁性膜を
支持している。その層数はコイル膜の層数に応じて増減
する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の薄膜
磁気ヘッドにおいては、書込信号を与えた後に、例えば
１０μｓ〜２０μｓ程度の時間をおいて、読出動作を行
なった場合、読出信号に、通常のホワイトノイズより
も、著しく高いピーク値を持つパルス状のノイズが発生
する。このようなノイズは当業者間ではポップコーンノ
イズまたはイクセスノイズもしくはライト後ノイズと呼
ばれている。
磁気ヘッドにおいては、書込信号を与えた後に、例えば
１０μｓ〜２０μｓ程度の時間をおいて、読出動作を行
なった場合、読出信号に、通常のホワイトノイズより
も、著しく高いピーク値を持つパルス状のノイズが発生
する。このようなノイズは当業者間ではポップコーンノ
イズまたはイクセスノイズもしくはライト後ノイズと呼
ばれている。
【０００４】ポップコーンノイズの発生メカニズムは、
必ずしも明確ではないけれども、書込動作状態から静止
状態に移る際の磁性膜における磁区形成の遅れがその主
要な原因ではないかと推測される。磁性膜は磁気的異方
性を有しており、書込動作時に、磁化困難軸方向を向い
ている磁区が、静止状態では、磁化困難軸方向ＨH から
９０度回転した磁化容易軸方向に向きを変える。ポップ
コーンノイズは、磁性膜の磁区の方向が磁化困難軸方向
から容易軸方向 に回転するときの時間的な遅れに起因
して発生するというものである。
必ずしも明確ではないけれども、書込動作状態から静止
状態に移る際の磁性膜における磁区形成の遅れがその主
要な原因ではないかと推測される。磁性膜は磁気的異方
性を有しており、書込動作時に、磁化困難軸方向を向い
ている磁区が、静止状態では、磁化困難軸方向ＨH から
９０度回転した磁化容易軸方向に向きを変える。ポップ
コーンノイズは、磁性膜の磁区の方向が磁化困難軸方向
から容易軸方向 に回転するときの時間的な遅れに起因
して発生するというものである。
【０００５】ポップコーンノイズは、ピーク値が大きな
ものでは１００μＶ0-p にも達し、正常な読出信号との
区別ができず、磁気ディスクドライブでは読出しエラー
となる。このことは、薄膜磁気ヘッドの実用性を否定す
ることにもなりかねない極めて重要な問題である。
ものでは１００μＶ0-p にも達し、正常な読出信号との
区別ができず、磁気ディスクドライブでは読出しエラー
となる。このことは、薄膜磁気ヘッドの実用性を否定す
ることにもなりかねない極めて重要な問題である。
【０００６】ポップコーンノイズ防止を主な目的とした
先行技術文献としては、本出願人の出願に係る特開平５
ー４６９３１号及び特開平５ー４６９３２号がある。特
開平５ー４６９３１号には、最上層有機絶縁膜に、上部
磁性膜の周りを包囲するように、凹溝を設けることによ
り、また、特開平５ー４６９３２号には、上部磁性膜の
面外の大部分には有機絶縁膜を設けない構造を採ること
により、上部磁性膜に対する有機絶縁膜の応力の影響を
緩和し、ポップコーンノイズを著しく減少させる技術が
開示されている。
先行技術文献としては、本出願人の出願に係る特開平５
ー４６９３１号及び特開平５ー４６９３２号がある。特
開平５ー４６９３１号には、最上層有機絶縁膜に、上部
磁性膜の周りを包囲するように、凹溝を設けることによ
り、また、特開平５ー４６９３２号には、上部磁性膜の
面外の大部分には有機絶縁膜を設けない構造を採ること
により、上部磁性膜に対する有機絶縁膜の応力の影響を
緩和し、ポップコーンノイズを著しく減少させる技術が
開示されている。
【０００７】しかしながら、これらの先行技術に従う
と、最上層コイル膜の一部に有機絶縁膜によって覆われ
ていない領域が生じるので、上部磁性膜の形成工程にお
いて、最上層コイル膜がダメージを受ける可能性があ
る。これらの先行技術文献には、最上層コイル膜を上部
磁性膜形成時に生じるダメージから保護するための技術
が開示されていない。
と、最上層コイル膜の一部に有機絶縁膜によって覆われ
ていない領域が生じるので、上部磁性膜の形成工程にお
いて、最上層コイル膜がダメージを受ける可能性があ
る。これらの先行技術文献には、最上層コイル膜を上部
磁性膜形成時に生じるダメージから保護するための技術
が開示されていない。
【０００８】本発明の課題は、ポップコーンノイズまた
はライト後ノイズを劇的に減少させ得る薄膜磁気ヘッド
を提供することである。
はライト後ノイズを劇的に減少させ得る薄膜磁気ヘッド
を提供することである。
【０００９】本発明のもう一つの目的は、ポップコーン
ノイズまたはライト後ノイズを劇的に減少させるため、
最上層コイル膜の一部に有機絶縁膜によって覆われてい
ない領域を設ける構造を採った場合、最上層コイル膜を
上部磁性膜形成時に生じるダメージから保護し得る薄膜
磁気ヘッドを提供することである。
ノイズまたはライト後ノイズを劇的に減少させるため、
最上層コイル膜の一部に有機絶縁膜によって覆われてい
ない領域を設ける構造を採った場合、最上層コイル膜を
上部磁性膜形成時に生じるダメージから保護し得る薄膜
磁気ヘッドを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述する課題を解決する
ため、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、基体上に形成さ
れた下部磁性膜、前記下部磁性膜の上に形成された有機
絶縁膜、前記有機絶縁膜に埋設されたコイル膜及び前記
有機絶縁膜の上に形成された上部磁性膜を含んでおり、
最上層コイル膜は、表面が無機絶縁膜によって覆われて
おり、前記有機絶縁膜は、前記コイル膜の上側にあって
前記コイル膜を被覆すると共に前記上部磁性膜を支持す
る最上層有機絶縁膜を含んでおり、前記最上層有機絶縁
膜は、前記上部磁性膜の周りを包囲するパターンで、前
記最上層コイル膜を覆わない領域が生じるように形成さ
れている。
ため、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、基体上に形成さ
れた下部磁性膜、前記下部磁性膜の上に形成された有機
絶縁膜、前記有機絶縁膜に埋設されたコイル膜及び前記
有機絶縁膜の上に形成された上部磁性膜を含んでおり、
最上層コイル膜は、表面が無機絶縁膜によって覆われて
おり、前記有機絶縁膜は、前記コイル膜の上側にあって
前記コイル膜を被覆すると共に前記上部磁性膜を支持す
る最上層有機絶縁膜を含んでおり、前記最上層有機絶縁
膜は、前記上部磁性膜の周りを包囲するパターンで、前
記最上層コイル膜を覆わない領域が生じるように形成さ
れている。
【００１１】
【作用】最上層有機絶縁膜は、上部磁性膜の周りを包囲
するパターンで、最上層コイル膜を覆わない領域が生じ
るように形成されているから、最上層有機絶縁膜の硬化
収縮等に伴う応力のうち、上部磁性膜の周りに設けられ
ることのある最上層有機絶縁膜から上部磁性膜に加えら
れる応力が緩和される。このため、ポップコーンノイズ
またはライト後ノイズが著しく減少する。
するパターンで、最上層コイル膜を覆わない領域が生じ
るように形成されているから、最上層有機絶縁膜の硬化
収縮等に伴う応力のうち、上部磁性膜の周りに設けられ
ることのある最上層有機絶縁膜から上部磁性膜に加えら
れる応力が緩和される。このため、ポップコーンノイズ
またはライト後ノイズが著しく減少する。
【００１２】最上層コイル膜は、表面が無機絶縁膜によ
って覆われているから、最上層コイル膜の一部に有機絶
縁膜によって覆われていない領域を設ける構造のもと
で、最上層コイル膜を上部磁性膜形成時に生じるダメー
ジから保護することができる。
って覆われているから、最上層コイル膜の一部に有機絶
縁膜によって覆われていない領域を設ける構造のもと
で、最上層コイル膜を上部磁性膜形成時に生じるダメー
ジから保護することができる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの断面
図、図２は図１に示した薄膜磁気ヘッドにおいて保護膜
を除去して示す平面図である。本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドは基体１、下部磁性膜２、ギャップ膜３、上部磁性
膜４、コイル膜５、有機絶縁膜６、引出リード部７、８
及び保護膜９等を含んでいる。
図、図２は図１に示した薄膜磁気ヘッドにおいて保護膜
を除去して示す平面図である。本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドは基体１、下部磁性膜２、ギャップ膜３、上部磁性
膜４、コイル膜５、有機絶縁膜６、引出リード部７、８
及び保護膜９等を含んでいる。
【００１４】基体１は、Al2O3・TiC等のセラミック構造
体１０１の上にAl2O3等の絶縁膜１０２を被着させた構
造となっている。基体１はスライダの大部分を構成す
る。スライダとしての基体１は図示しないレールによる
空気ベアリング面またはレールのない平面状の空気ベア
リング面１０３を有する。
体１０１の上にAl2O3等の絶縁膜１０２を被着させた構
造となっている。基体１はスライダの大部分を構成す
る。スライダとしての基体１は図示しないレールによる
空気ベアリング面またはレールのない平面状の空気ベア
リング面１０３を有する。
【００１５】下部磁性膜２及び上部磁性膜４の先端部は
アルミナ等でなるギャップ膜３を隔てて対向するポール
部２１、４１となっており、このポール部２１、４１に
おいて電磁変換を行なう。
アルミナ等でなるギャップ膜３を隔てて対向するポール
部２１、４１となっており、このポール部２１、４１に
おいて電磁変換を行なう。
【００１６】コイル膜５は２層のコイル膜５１、５２を
含んでおり、下部磁性膜２、上部磁性膜４及びギャップ
膜３と共に薄膜磁気回路を構成している。このコイル膜
５は、Ｃｕ／Ｔｉのスパッタ膜でなる下地導体膜の上に
Ｃｕメッキでなる導体膜を積層して設けた構造となって
おり、ポール部２１、４１の後方に連なるヨーク部の結
合部のまわりに渦巻状に形成されている。コイル膜５
１、５２のうち、最上層コイル膜５２は、表面が無機絶
縁膜１０によって覆われている。無機絶縁膜１０は例え
ばAl2O3である。
含んでおり、下部磁性膜２、上部磁性膜４及びギャップ
膜３と共に薄膜磁気回路を構成している。このコイル膜
５は、Ｃｕ／Ｔｉのスパッタ膜でなる下地導体膜の上に
Ｃｕメッキでなる導体膜を積層して設けた構造となって
おり、ポール部２１、４１の後方に連なるヨーク部の結
合部のまわりに渦巻状に形成されている。コイル膜５
１、５２のうち、最上層コイル膜５２は、表面が無機絶
縁膜１０によって覆われている。無機絶縁膜１０は例え
ばAl2O3である。
【００１７】有機絶縁膜６は、ノボラック樹脂等の有機
絶縁樹脂でなる。有機絶縁膜６はコイル膜５１、５２よ
りも下側にあってコイル膜５１を支持する下部有機絶縁
膜６１と、コイル膜５２の上側にあってコイル膜５２を
被覆すると共に、上部磁性膜４を支持する最上層有機絶
縁膜６３とを含んでいる。有機絶縁膜６２はコイル膜５
１−５２間に位置する中間絶縁膜である。コイル膜５が
単層構造のときは中間有機絶縁膜６２は省略される。最
上層有機絶縁膜６３は、上部磁性膜４の面内にのみ備え
られ、上部磁性膜４の領域外には備えられていない。
絶縁樹脂でなる。有機絶縁膜６はコイル膜５１、５２よ
りも下側にあってコイル膜５１を支持する下部有機絶縁
膜６１と、コイル膜５２の上側にあってコイル膜５２を
被覆すると共に、上部磁性膜４を支持する最上層有機絶
縁膜６３とを含んでいる。有機絶縁膜６２はコイル膜５
１−５２間に位置する中間絶縁膜である。コイル膜５が
単層構造のときは中間有機絶縁膜６２は省略される。最
上層有機絶縁膜６３は、上部磁性膜４の面内にのみ備え
られ、上部磁性膜４の領域外には備えられていない。
【００１８】保護膜９は、下部磁性膜２、上部磁性膜
４、ギャップ膜３、コイル膜５及び層間有機絶縁膜６に
よって構成される薄膜磁気変換素子を保護するために設
けられたもので、アルミナ等のスパッタ膜として形成さ
れる。図２は、この保護膜９を設ける前の状態を示して
いる。前述したように、最上層有機絶縁膜６３は、上部
磁性膜４の面内にのみ備えられ、上部磁性膜４の領域外
には備えられていない。従って、上部磁性膜４の領域外
では、最上層コイル膜５２を被覆する無機絶縁膜１０が
保護膜９と接している。
４、ギャップ膜３、コイル膜５及び層間有機絶縁膜６に
よって構成される薄膜磁気変換素子を保護するために設
けられたもので、アルミナ等のスパッタ膜として形成さ
れる。図２は、この保護膜９を設ける前の状態を示して
いる。前述したように、最上層有機絶縁膜６３は、上部
磁性膜４の面内にのみ備えられ、上部磁性膜４の領域外
には備えられていない。従って、上部磁性膜４の領域外
では、最上層コイル膜５２を被覆する無機絶縁膜１０が
保護膜９と接している。
【００１９】上述のように、最上層有機絶縁膜６３は、
上部磁性膜４の周りに最上層コイル膜５２を覆わない領
域が生じるように形成されているから、最上層有機絶縁
膜６３の硬化収縮等に伴う応力のうち、上部磁性膜６３
の周りから上部磁性膜４に加えられる応力がなくなる。
このため、ポップコーンノイズが著しく減少する。
上部磁性膜４の周りに最上層コイル膜５２を覆わない領
域が生じるように形成されているから、最上層有機絶縁
膜６３の硬化収縮等に伴う応力のうち、上部磁性膜６３
の周りから上部磁性膜４に加えられる応力がなくなる。
このため、ポップコーンノイズが著しく減少する。
【００２０】しかも、最上層コイル膜５２は、表面が無
機絶縁膜１０によって覆われているから、上部磁性膜４
の周りを最上層有機絶縁膜６３で覆わない構造のもと
で、最上層コイル膜５２を上部磁性膜形成時に生じるダ
メージから保護することができる。例えば、上部磁性膜
４をケミカルエッチングによってパターンニングする場
合に、ケミカルエッチングによるダメージから最上層コ
イル膜５２を保護することができる。
機絶縁膜１０によって覆われているから、上部磁性膜４
の周りを最上層有機絶縁膜６３で覆わない構造のもと
で、最上層コイル膜５２を上部磁性膜形成時に生じるダ
メージから保護することができる。例えば、上部磁性膜
４をケミカルエッチングによってパターンニングする場
合に、ケミカルエッチングによるダメージから最上層コ
イル膜５２を保護することができる。
【００２１】実施例において、無機絶縁膜１０は下部磁
性膜２及び上部磁性膜４のポール部２１、４１の間に配
置されたギャップ膜３に連続している。従って、無機絶
縁膜１０がギャップ膜３を構成している。
性膜２及び上部磁性膜４のポール部２１、４１の間に配
置されたギャップ膜３に連続している。従って、無機絶
縁膜１０がギャップ膜３を構成している。
【００２２】実施例では、コイル膜５１、５２の２層構
造を示してあるが、コイル膜の層数は任意である。単層
であってもよいし、３層以上の多層のコイル膜を有して
いてもよい。
造を示してあるが、コイル膜の層数は任意である。単層
であってもよいし、３層以上の多層のコイル膜を有して
いてもよい。
【００２３】図３は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の
実施例を示す断面図、図４は図３に示した薄膜磁気ヘッ
ドにおいて保護膜を除去して示す平面図である。この実
施例では、最上層コイル膜５２が無機絶縁膜１０によっ
て覆われている。最上層有機絶縁膜６３は上部磁性膜４
の周りを包囲する位置に凹溝１１を有する。図示の凹溝
１１は連続する１本の溝として構成されているが、複数
個に分割されていてもよい。または、１本に限らず、複
数本設けることもできる。更に、中間有機絶縁膜６２に
部分的に食い込むような形で形成することも可能であ
る。凹溝１１は、最上層有機絶縁膜６３を形成した後
に、必要な個所だけイオーンミーリング等の手段によっ
て除去するか、または最上層有機絶縁膜６３を作るとき
のマスククパターンに、凹溝を形成するためのパターン
を含ませることによって形成できる。
実施例を示す断面図、図４は図３に示した薄膜磁気ヘッ
ドにおいて保護膜を除去して示す平面図である。この実
施例では、最上層コイル膜５２が無機絶縁膜１０によっ
て覆われている。最上層有機絶縁膜６３は上部磁性膜４
の周りを包囲する位置に凹溝１１を有する。図示の凹溝
１１は連続する１本の溝として構成されているが、複数
個に分割されていてもよい。または、１本に限らず、複
数本設けることもできる。更に、中間有機絶縁膜６２に
部分的に食い込むような形で形成することも可能であ
る。凹溝１１は、最上層有機絶縁膜６３を形成した後
に、必要な個所だけイオーンミーリング等の手段によっ
て除去するか、または最上層有機絶縁膜６３を作るとき
のマスククパターンに、凹溝を形成するためのパターン
を含ませることによって形成できる。
【００２４】この実施例では、最上層有機絶縁膜６３は
上部磁性膜４の周りを包囲する位置に凹溝１１を有する
から、最上層有機絶縁膜６３の硬化収縮等に伴う応力の
うち、上部磁性膜６３の周りから上部磁性膜４に加えら
れる応力が、凹溝１１によって遮断される。このため、
ポップコーンノイズまたはライト後ノイズが著しく減少
する。
上部磁性膜４の周りを包囲する位置に凹溝１１を有する
から、最上層有機絶縁膜６３の硬化収縮等に伴う応力の
うち、上部磁性膜６３の周りから上部磁性膜４に加えら
れる応力が、凹溝１１によって遮断される。このため、
ポップコーンノイズまたはライト後ノイズが著しく減少
する。
【００２５】しかも、最上層コイル膜５２は、表面が無
機絶縁膜１０によって覆われているから、最上層有機絶
縁膜６３が上部磁性膜４の周りを包囲する位置に凹溝１
１を有する構造のもとで、凹溝１１に現れる最上層コイ
ル膜５２を上部磁性膜形成時に生じるダメージから保護
することができる。
機絶縁膜１０によって覆われているから、最上層有機絶
縁膜６３が上部磁性膜４の周りを包囲する位置に凹溝１
１を有する構造のもとで、凹溝１１に現れる最上層コイ
ル膜５２を上部磁性膜形成時に生じるダメージから保護
することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果を得ることができる。 （ａ）ポップコーンノイズまたはライト後ノイズを劇的
に減少させ得る薄膜磁気ヘッドを提供することができ
る。 （ｂ）ポップコーンノイズまたはライト後ノイズを劇的
に減少させるため、最上層コイル膜の一部に有機絶縁膜
によって覆われていない領域を設ける構造において、最
上層コイル膜を上部磁性膜形成時に生じるダメージから
保護し得る薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
のような効果を得ることができる。 （ａ）ポップコーンノイズまたはライト後ノイズを劇的
に減少させ得る薄膜磁気ヘッドを提供することができ
る。 （ｂ）ポップコーンノイズまたはライト後ノイズを劇的
に減少させるため、最上層コイル膜の一部に有機絶縁膜
によって覆われていない領域を設ける構造において、最
上層コイル膜を上部磁性膜形成時に生じるダメージから
保護し得る薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一部の断面図で
ある。
ある。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドにおいて保護膜を
除去して示す平面図である。
除去して示す平面図である。
【図３】本発明に係る薄膜磁気磁気ヘッドの別の実施例
における一部の断面図である。
における一部の断面図である。
【図４】図２に示した薄膜磁気ヘッドにおいて保護膜を
除去して示す平面図である。
除去して示す平面図である。
１ 基体 ２ 下部磁性膜 ４ 上部磁性膜 ５２ 最上層コイル膜 ６１ 下部有機絶縁膜 ６３ 最上層有機絶縁膜 １０ 無機絶縁膜 １２ 凹溝
Claims (5)
- 【請求項１】 基体上に形成された下部磁性膜、前記下
部磁性膜の上に形成された有機絶縁膜、前記有機絶縁膜
に埋設されたコイル膜及び前記有機絶縁膜の上に形成さ
れた上部磁性膜を含む薄膜磁気ヘッドであって、 最上層コイル膜は、表面が無機絶縁膜によって覆われて
おり、 前記有機絶縁膜は、前記コイル膜の上側にあって前記コ
イル膜を被覆すると共に前記上部磁性膜を支持する最上
層有機絶縁膜を含んでおり、 前記最上層有機絶縁膜は、前記上部磁性膜の周りを包囲
するパターンで、前記最上層コイル膜を覆わない領域が
生じるように形成されている薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記最上層有機絶縁膜は、前記上部磁性
膜の面内にのみ備えられ、前記上部磁性膜の領域外には
備えられていない請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記最上層有機絶縁膜は、前記上部磁性
膜の周りを包囲する位置に凹溝を有する請求項１に記載
の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記無機絶縁膜は、前記最上層コイル膜
を支持する有機絶縁膜の表面をも覆うように設けられて
いる請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記無機絶縁膜は、ギャップ膜を構成す
る請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24880293A JPH0778312A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24880293A JPH0778312A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778312A true JPH0778312A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=17183625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24880293A Pending JPH0778312A (ja) | 1993-09-09 | 1993-09-09 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778312A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6181514B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-01-30 | International Business Machines Corporation | Scaled write head with high recording density and high data rate |
| GB2387262A (en) * | 2002-04-05 | 2003-10-08 | Alps Electric Co Ltd | Thin film magnetic head with both organic and inorganic insulation |
-
1993
- 1993-09-09 JP JP24880293A patent/JPH0778312A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6181514B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-01-30 | International Business Machines Corporation | Scaled write head with high recording density and high data rate |
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