JPH0777121B2 - マグネトロン陽極の製造方法 - Google Patents
マグネトロン陽極の製造方法Info
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- JPH0777121B2 JPH0777121B2 JP61198802A JP19880286A JPH0777121B2 JP H0777121 B2 JPH0777121 B2 JP H0777121B2 JP 61198802 A JP61198802 A JP 61198802A JP 19880286 A JP19880286 A JP 19880286A JP H0777121 B2 JPH0777121 B2 JP H0777121B2
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- vane
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
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- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/16—Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
- H01J23/165—Manufacturing processes or apparatus therefore
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 電子レンジ，マイクロ波加熱応用および人工衛星からの
マイクロ波電力輸送システム等に好適なマグネトロン陽
極の製造方法。
マイクロ波電力輸送システム等に好適なマグネトロン陽
極の製造方法。
従来の最も確立されたホビング加工による陽極構造は第
５図に示されるような陽極の平面図（ａ）、その縦断面
図（ｂ）、第６図（ａ）〜（ｄ）にその加工手順を示
す。両図において１は陽極の円筒部分、２はベイン、３
は共振器空胴部、４は中心部の作用空間で、ここに陰極
（図示せず）が配置される。ここで陽極円筒部１とベイ
ン２とは第６図に示すプロセスで一体に成形される。第
６図（ａ）の銅ビレットは先ず（ｂ）の第１プレス工程
でＨ形に成形されて陽極円筒部１と底肉部５が形成され
る。次に（ｃ）の如くホビングプレス工程によりベイン
２が形成されると共に底肉部5aの厚みがより薄く成形さ
れる。この後に（ｄ）の如く底肉部5aの部分を切削する
ことにより、第５図の陽極円筒の形に形成される例が特
公昭51-17868号公報に示されている。この様な従来例で
は次の如き欠点がある。
５図に示されるような陽極の平面図（ａ）、その縦断面
図（ｂ）、第６図（ａ）〜（ｄ）にその加工手順を示
す。両図において１は陽極の円筒部分、２はベイン、３
は共振器空胴部、４は中心部の作用空間で、ここに陰極
（図示せず）が配置される。ここで陽極円筒部１とベイ
ン２とは第６図に示すプロセスで一体に成形される。第
６図（ａ）の銅ビレットは先ず（ｂ）の第１プレス工程
でＨ形に成形されて陽極円筒部１と底肉部５が形成され
る。次に（ｃ）の如くホビングプレス工程によりベイン
２が形成されると共に底肉部5aの厚みがより薄く成形さ
れる。この後に（ｄ）の如く底肉部5aの部分を切削する
ことにより、第５図の陽極円筒の形に形成される例が特
公昭51-17868号公報に示されている。この様な従来例で
は次の如き欠点がある。
第６図（ｄ）への加工時、切削作業が必要である。
切削時ベインの変形を防ぐ為樹脂を注形しておき切削
後これを抜きとるため材料費等が余分にかかる。
後これを抜きとるため材料費等が余分にかかる。
次に他の従来例として第７図のような構成が特開昭48-5
8764号公報に示されている。同図（ａ）は陽極の平面図
で、ストラップリングも取付けた状態を示している。同
図（ｂ）は縦断面を示し、２ケの陽極片6,7は上下にあ
わせられその中間のベイン２の溝にはストラップリング
8,9が配設されろう付け等で固着形成される。第８図
（ａ）〜（ｄ）は第７図に示す陽極片6,7の製造プロセ
スを示しており、第８図（ａ）は陽極の平面図、（ｂ）
は銅のビレットに第１プレス成形を加えた状態、（ｃ）
は第２プレスつまりホビングプレス成形によりベイン２
を形成せしめた状態、（ｄ）は底肉部5aを打ち抜いて第
７図の陽極片６としたものである。この従来例ではもは
や底肉部5aは消滅しているのでベイン２の部分の切削は
不要となるが、２ケの陽極片を必要とする為、プレス工
数がかかる他、双方を一体に固着する為にろう材の使用
料が増加する等の問題がある。
8764号公報に示されている。同図（ａ）は陽極の平面図
で、ストラップリングも取付けた状態を示している。同
図（ｂ）は縦断面を示し、２ケの陽極片6,7は上下にあ
わせられその中間のベイン２の溝にはストラップリング
8,9が配設されろう付け等で固着形成される。第８図
（ａ）〜（ｄ）は第７図に示す陽極片6,7の製造プロセ
スを示しており、第８図（ａ）は陽極の平面図、（ｂ）
は銅のビレットに第１プレス成形を加えた状態、（ｃ）
は第２プレスつまりホビングプレス成形によりベイン２
を形成せしめた状態、（ｄ）は底肉部5aを打ち抜いて第
７図の陽極片６としたものである。この従来例ではもは
や底肉部5aは消滅しているのでベイン２の部分の切削は
不要となるが、２ケの陽極片を必要とする為、プレス工
数がかかる他、双方を一体に固着する為にろう材の使用
料が増加する等の問題がある。
更に他の別の従来例としては特開昭52-24070号公報のよ
うな第９図に示されるものがある。（ａ）はその平面
図、（ｂ）はその縦断面図、（ｃ）はその一部切開した
斜視図である。この従来例では底肉部３が上・下のベイ
ン21,22の中央部に設けられており、これを次の工程で
底肉部３をプレスで打ち抜き、前述の第５図のような最
終形状の陽極が得られるものである。この従来例ではベ
イン２を成形（ホビングプロセス）する際に、ストラッ
プを挿入する溝10もベイン上下面に同時に形成できるよ
うにするためのもので製造工程において作業数が多くな
るものである。
うな第９図に示されるものがある。（ａ）はその平面
図、（ｂ）はその縦断面図、（ｃ）はその一部切開した
斜視図である。この従来例では底肉部３が上・下のベイ
ン21,22の中央部に設けられており、これを次の工程で
底肉部３をプレスで打ち抜き、前述の第５図のような最
終形状の陽極が得られるものである。この従来例ではベ
イン２を成形（ホビングプロセス）する際に、ストラッ
プを挿入する溝10もベイン上下面に同時に形成できるよ
うにするためのもので製造工程において作業数が多くな
るものである。
上記の各々の従来例がもっている問題点は、 （１）後工程での陽極の変形 電子レンジ用マグネトロン等、電力を扱う電子管に用い
る場合、陽極の冷却のため、例えばアルミニウムの冷却
フインを陽極円筒部外周に圧入する方式が一般的に行わ
れるが、この際、陽極円筒部が変形し、鼓形になって電
気的性能（発振周波数、電圧、効率など）に変化をきた
す。
る場合、陽極の冷却のため、例えばアルミニウムの冷却
フインを陽極円筒部外周に圧入する方式が一般的に行わ
れるが、この際、陽極円筒部が変形し、鼓形になって電
気的性能（発振周波数、電圧、効率など）に変化をきた
す。
（２）高調波雑音 陽極の共振器は通常、2450MHzに共振し、その基本波電
力を発振するが、第２〜第７高調波の成分を有し、外部
への不要波放射となる。
力を発振するが、第２〜第７高調波の成分を有し、外部
への不要波放射となる。
（３）陽極共振周波数の調整 従来は陽極共振周波数の調整を、陽極のベインに固着せ
しめたストラップリングを変形させて一定の共振周波に
合わせているが、このためのストラップリングの変形に
より、その後の実使用時の熱ストレスで変形が促進さ
れ、タッチしたり破断したりする要因にもなる。
しめたストラップリングを変形させて一定の共振周波に
合わせているが、このためのストラップリングの変形に
より、その後の実使用時の熱ストレスで変形が促進さ
れ、タッチしたり破断したりする要因にもなる。
本発明の目的は、陽極の変形、不要波放射およびストラ
ップリングの変形等を減少することにある。
ップリングの変形等を減少することにある。
上記目的はマグネトロン陽極をホビング、プレスする過
程において生ずる底肉部を従来のように全部抜き落すの
ではなく、各種の目的に応じてその底肉部の一部を残す
ことにより達成される。
程において生ずる底肉部を従来のように全部抜き落すの
ではなく、各種の目的に応じてその底肉部の一部を残す
ことにより達成される。
陽極円筒内の中心軸に沿ってベインの途中に設けた底肉
部の一部を残すことにより、例えば円筒部内面側に残し
た場合には、残した部分が補強作用を呈し、フインを嵌
合する際にもその密着性が保持される。また円筒部から
離れた位置でベインとベインとを結ぶ形で突起状に残し
た場合にはこの突起部が高調波に対してリアクタンスを
持ち、突起部間のギャップによる静電容量と直列共振に
させることが出来る（インピーダンス＝０）。すなわ
ち、高調波成分のベインへの分布を大きく変化させるこ
とが出来るため、特定高調波を低減することが、この突
起部の位置と長さなどを変えることにより可能となる。
部の一部を残すことにより、例えば円筒部内面側に残し
た場合には、残した部分が補強作用を呈し、フインを嵌
合する際にもその密着性が保持される。また円筒部から
離れた位置でベインとベインとを結ぶ形で突起状に残し
た場合にはこの突起部が高調波に対してリアクタンスを
持ち、突起部間のギャップによる静電容量と直列共振に
させることが出来る（インピーダンス＝０）。すなわ
ち、高調波成分のベインへの分布を大きく変化させるこ
とが出来るため、特定高調波を低減することが、この突
起部の位置と長さなどを変えることにより可能となる。
更にベインとベインとに挟まれた空間に存在する突起部
は基本波の共振周波数にも影響を与えるため、この残さ
れた底肉部の小片である突起部を変形させて共振周波数
を変えることが出来る。
は基本波の共振周波数にも影響を与えるため、この残さ
れた底肉部の小片である突起部を変形させて共振周波数
を変えることが出来る。
以下、本発明の一実施例を第１〜２図により説明する。
同図において、第５〜９図と同じ符号の説明は省略す
る。
同図において、第５〜９図と同じ符号の説明は省略す
る。
第１図は本発明の加工プロセスを示す。（ａ）の銅ビレ
ットを（ｂ）の第１プレス工程で断面をＨ形に成形して
円筒部１と底肉部５が成形される。（ｃ）におけるホビ
ングプレスにより、上下両側からホビング加工されるた
め、ベイン21,22は上下双方にもり上がり、ベインの中
央部には前記（ｂ）における底肉部５が変形し底肉部３
のように薄くなって形成される。更に底肉部３を打ち抜
き（ｄ）に示すようにわずかに一部3aを残すことにより
前記ベイン21,22はベイン２のように形成され、底肉部
の残部3aは円筒部１と断面がＬ字状にかつ突起状に形成
される。この突起部3aは円筒部１を補強する形となり、
マグネトロンの組立工程での冷却フイン圧入に際しても
陽極の変形がなく、したがって陽極と冷却フインとの密
着がよく保たれて秀れた冷却効果と、特性変動の少ない
高性能なマグネトロンを得ることが出来る。
ットを（ｂ）の第１プレス工程で断面をＨ形に成形して
円筒部１と底肉部５が成形される。（ｃ）におけるホビ
ングプレスにより、上下両側からホビング加工されるた
め、ベイン21,22は上下双方にもり上がり、ベインの中
央部には前記（ｂ）における底肉部５が変形し底肉部３
のように薄くなって形成される。更に底肉部３を打ち抜
き（ｄ）に示すようにわずかに一部3aを残すことにより
前記ベイン21,22はベイン２のように形成され、底肉部
の残部3aは円筒部１と断面がＬ字状にかつ突起状に形成
される。この突起部3aは円筒部１を補強する形となり、
マグネトロンの組立工程での冷却フイン圧入に際しても
陽極の変形がなく、したがって陽極と冷却フインとの密
着がよく保たれて秀れた冷却効果と、特性変動の少ない
高性能なマグネトロンを得ることが出来る。
第２図は第１図（ｄ）を上面から見た図であり、底肉部
３の残部の突起部3aが円筒部１を補強していることが容
易に判るものである。
３の残部の突起部3aが円筒部１を補強していることが容
易に判るものである。
第３図は本発明の他の実施例で、底肉部３の残部がベイ
ン自体のほぼ中央面に突起部3bとして形成されるもので
ある。この構造においては、突起部3b自体がインダクタ
ンスとなって、互いに対向する突起部3b同志の間のすき
まが静電容量分となりこれらの寸法を適切にすることに
より、特定の高調波のモードに対してベインへの電圧分
布を変化させ、アンテナから外部へ伝播する量を大幅に
低減させることが出来る。勿論、ベインのどの位置に突
起部3bを残すかも重要であり、低減させるべき高調波に
より、位置を設定することができる。勿論突起部3bをす
べてのベインにつき同寸法とすることには限定されず、
例えば交互に長短の突起にしてもよい。
ン自体のほぼ中央面に突起部3bとして形成されるもので
ある。この構造においては、突起部3b自体がインダクタ
ンスとなって、互いに対向する突起部3b同志の間のすき
まが静電容量分となりこれらの寸法を適切にすることに
より、特定の高調波のモードに対してベインへの電圧分
布を変化させ、アンテナから外部へ伝播する量を大幅に
低減させることが出来る。勿論、ベインのどの位置に突
起部3bを残すかも重要であり、低減させるべき高調波に
より、位置を設定することができる。勿論突起部3bをす
べてのベインにつき同寸法とすることには限定されず、
例えば交互に長短の突起にしてもよい。
第４図は本発明のほかのもう一つの実施例であり、円筒
部に近く極く小さな突起部3cを残してある。この3cは基
本波発振周波数を高める方向に作用しており、3cの大き
さを曲げたり、削ったりして変えることにより共振周波
数を下げることが出来る。つまり、3cを小変形させて共
振周波数の微調整が可能となり、従来行っているストラ
ップリング（図示せず）の変形による微調整よりも高信
頼なマグネトロンが得られる。
部に近く極く小さな突起部3cを残してある。この3cは基
本波発振周波数を高める方向に作用しており、3cの大き
さを曲げたり、削ったりして変えることにより共振周波
数を下げることが出来る。つまり、3cを小変形させて共
振周波数の微調整が可能となり、従来行っているストラ
ップリング（図示せず）の変形による微調整よりも高信
頼なマグネトロンが得られる。
以上、底肉部３をベイン２の軸方向中間部に残る底肉部
の場合で説明したが、これに特定する必要はなく、第６
図（ｃ）の様にベインの下面に底肉部5aを寄せた状態か
ら打ち抜いてもよく、したがって第１図（ｃ）のばあい
においても底肉部３を軸方向に上下にずらせてもかまわ
ないことは勿論である。
の場合で説明したが、これに特定する必要はなく、第６
図（ｃ）の様にベインの下面に底肉部5aを寄せた状態か
ら打ち抜いてもよく、したがって第１図（ｃ）のばあい
においても底肉部３を軸方向に上下にずらせてもかまわ
ないことは勿論である。
本発明により、マグネトロン陽極の製造過程におけるベ
イン底肉部を打ち抜く際に、陽極円筒内、もしくはベイ
ン側面に底肉部の残部を成形することにより、突起部を
形成することが容易となり、その突起の形状によって、
外圧などに対する陽極の強度向上、高性能な発振特性、
冷却効果の向上、不要波の抑制、ストラップ調整なしに
共振周波数の調整が可能となってマグネトロンの長寿命
化が可能となり、かつ量産性を向上させ低コストな陽極
を得ることが出来る。勿論、第２〜４図のものを適宜、
組み合わせることによっても上記のような効果を得るこ
とが出来るので必要に応じて選択することが出来る。ま
た、陽極の強度を向上させた場合陽極円筒部の肉厚を小
さくしても内側の補強により問題なく使用でき、材料所
要量も低減できる、等の効果がある。
イン底肉部を打ち抜く際に、陽極円筒内、もしくはベイ
ン側面に底肉部の残部を成形することにより、突起部を
形成することが容易となり、その突起の形状によって、
外圧などに対する陽極の強度向上、高性能な発振特性、
冷却効果の向上、不要波の抑制、ストラップ調整なしに
共振周波数の調整が可能となってマグネトロンの長寿命
化が可能となり、かつ量産性を向上させ低コストな陽極
を得ることが出来る。勿論、第２〜４図のものを適宜、
組み合わせることによっても上記のような効果を得るこ
とが出来るので必要に応じて選択することが出来る。ま
た、陽極の強度を向上させた場合陽極円筒部の肉厚を小
さくしても内側の補強により問題なく使用でき、材料所
要量も低減できる、等の効果がある。
第１図は本発明の加工プロセスの一実施例を示す図、第
２図は第１図に示す本発明の底肉部の残部の突起部形状
を示す平面図、第３〜４図は本発明のほかの実施例で、
底肉部の残部の形状を示す平面図、第５図は従来のホビ
ング加工される陽極構造を示す図、第６図は従来のホビ
ング加工プロセスを示す図、第７図は他の従来例の陽極
構造を示す平面と側断面図、第８〜９図はその他の従来
例のプレス成形状態を示す図である。 １……陽極円筒、２……ベイン、３……底肉部、3a〜3c
……突起部。
２図は第１図に示す本発明の底肉部の残部の突起部形状
を示す平面図、第３〜４図は本発明のほかの実施例で、
底肉部の残部の形状を示す平面図、第５図は従来のホビ
ング加工される陽極構造を示す図、第６図は従来のホビ
ング加工プロセスを示す図、第７図は他の従来例の陽極
構造を示す平面と側断面図、第８〜９図はその他の従来
例のプレス成形状態を示す図である。 １……陽極円筒、２……ベイン、３……底肉部、3a〜3c
……突起部。
Claims (4)
- 【請求項１】円筒の周壁部の内側に、該円筒と一体構造
でその中心軸に向かって放射状に配設される複数のベイ
ンをホビング加工によって形成するマグネトロン陽極の
製造方法において、 ホビング加工により複数のベインを形成時これらベイン
とベインとの間に生じた底肉部を用いて、前記ベインあ
るいは陽極円筒の内壁から一体で円筒軸と垂直方向に延
在する突起部を形成することを特徴とするマグネトロン
陽極の製造方法。 - 【請求項２】上記突起部を各ベイン間に連続して前記陽
極円筒の内周壁に形成することを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のマグネトロン陽極の製造方法。 - 【請求項３】上記突起部は各ベイン同志の対向面に、か
つ該対向面の両面に該ベインと一体に形成されてなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマグネトロ
ン陽極の製造方法。 - 【請求項４】上記突起部は各ベイン間の前記陽極円筒の
内周壁面に形成されてなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のマグネトロン陽極の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61198802A JPH0777121B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | マグネトロン陽極の製造方法 |
| KR1019870008596A KR900003212B1 (ko) | 1986-08-27 | 1987-08-05 | 마그네트론의 양극의 구조 및 그 제조방법 |
| US07/086,933 US4862034A (en) | 1986-08-27 | 1987-08-19 | Structure of anode of magnetron and a method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61198802A JPH0777121B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | マグネトロン陽極の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355836A JPS6355836A (ja) | 1988-03-10 |
| JPH0777121B2 true JPH0777121B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=16397155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61198802A Expired - Lifetime JPH0777121B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | マグネトロン陽極の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4862034A (ja) |
| JP (1) | JPH0777121B2 (ja) |
| KR (1) | KR900003212B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9000670B2 (en) * | 2012-03-09 | 2015-04-07 | L-3 Communications Corporation | Harmonic mode magnetron |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3678575A (en) * | 1970-03-10 | 1972-07-25 | Hitachi Ltd | Manufacturing method of a magnetron anode |
| JPS4968652A (ja) * | 1972-11-02 | 1974-07-03 | ||
| SE438108B (sv) * | 1978-01-25 | 1985-04-01 | Hitachi Ltd | Metod att producera en magnetronanod |
| JPS56156647A (en) * | 1980-05-01 | 1981-12-03 | Toshiba Corp | Magnetron anode and manufacturing |
| JPS56162850A (en) * | 1980-05-20 | 1981-12-15 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JP2775657B2 (ja) * | 1992-02-14 | 1998-07-16 | 株式会社フジクラ | 光ファイバ接続装置に於けるファイバ軸合わせブロック体のｖ溝清掃具 |
-
1986
- 1986-08-27 JP JP61198802A patent/JPH0777121B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-08-05 KR KR1019870008596A patent/KR900003212B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1987-08-19 US US07/086,933 patent/US4862034A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4862034A (en) | 1989-08-29 |
| KR900003212B1 (ko) | 1990-05-10 |
| JPS6355836A (ja) | 1988-03-10 |
| KR900002396A (ko) | 1990-02-28 |
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